JP3188537B2 - 電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品 - Google Patents

電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品

Info

Publication number
JP3188537B2
JP3188537B2 JP31587792A JP31587792A JP3188537B2 JP 3188537 B2 JP3188537 B2 JP 3188537B2 JP 31587792 A JP31587792 A JP 31587792A JP 31587792 A JP31587792 A JP 31587792A JP 3188537 B2 JP3188537 B2 JP 3188537B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
mold
molded product
molding
marking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31587792A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06143360A (ja
Inventor
道男 長田
敏男 新宅
Original Assignee
トーワ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by トーワ株式会社 filed Critical トーワ株式会社
Priority to JP31587792A priority Critical patent/JP3188537B2/ja
Publication of JPH06143360A publication Critical patent/JPH06143360A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3188537B2 publication Critical patent/JP3188537B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26Moulds
    • B29C45/37Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
    • B29C45/372Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings provided with means for marking or patterning, e.g. numbering articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電子部品、例えば、
半導体等を樹脂材料にて封止成形するための成形用金型
(即ち、電子部品の樹脂封止成形用金型)と成形方法
(即ち、電子部品の樹脂封止成形品の成形方法)及び樹
脂成形品(即ち、電子部品の樹脂封止成形品)の改良に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、トランスファ成形法によっ
て、半導体等を樹脂封止成形することが行われている
が、この方法は、樹脂封止成形用金型を用いて、通常、
次のようにして行われる。
【0003】まず、樹脂封止成形用金型における上型及
び下型をヒータ等の加熱手段によって樹脂成形温度にま
で加熱する。次に、半導体等を装着したリードフレーム
を下型の型面に設けた凹所の所定位置に嵌合セットする
と共に、樹脂材料をポット内に供給する。次に、下型を
上動して上下両型の型締めを行う。このとき、該半導体
等及びその周辺のリードフレームは、該上下両型のパー
ティングライン(P.L) 面に対設した上下両キャビティ内
に嵌装セットされることになる。次に、ポット内の樹脂
材料をプランジャにて加圧して、前記加熱手段により加
熱溶融化された溶融樹脂材料を、ポットと上下両キャビ
ティとの間に設けられた樹脂通路を通して、該上下両キ
ャビティ内に注入充填させる。このとき、該半導体等及
びその周辺のリードフレームは、上下両キャビティの形
状に対応して成形されるパッケージ内に封止されること
になる。なお、上記した両キャビティの表面には梨地状
の粗面が形成されており、従って、該両キャビティ内に
おいて成形されるパッケージの表面(樹脂成形品の表
面)には、所謂、梨地面が施されることになる。次に、
樹脂硬化後に、下型を下動して上下両型を再び型開きす
ると共に、該上下両型の型開きと略同時的に、離型機構
を介して、該両キャビティ内のパッケージとリードフレ
ーム及び樹脂通路内の硬化樹脂を夫々突き出して離型さ
せる。
【0004】次に、上記した封止済リードフレームは、
そのパッケージと該パッケージから突設されたアウター
リードとから成る個々の樹脂成形品毎に切断分離される
と共に、該樹脂成形品のアウターリードを所定の折曲姿
勢に折り曲げる。
【0005】次に、該樹脂成形品はレーザーマーキング
工程側に移送されて、その表面に所要の文字・記号等の
標識をマーキングする。該レーザーマーキング工程と
は、樹脂成形品の表面にレーザーを照射することによ
り、その照射部位に所要の標識を付するものであるが、
該レーザーマーキングによる標識は、例えば、インク等
による標識と較べて有機溶剤に強く、また、機械的摩擦
にも強いので消え難いと云った利点がある。しかしなが
ら、該レーザーマーキングによる標識は、特に、梨地面
が施されている樹脂成形品表面のマーキング手段として
用いたときは、その鮮明度(視覚により認識される度
合)において稍劣っていると云う問題点が指摘されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、樹脂
成形品の表面の梨地状粗面にレーザーマーキングを施す
と、該梨地状粗面とレーザーマーキング部(焼損部)と
が判然としないため、該レーザーマーキングによる標識
の鮮明度が悪くなって視覚に認識され難いと云った問題
がある。また、樹脂成形品の表面に梨地状粗面を施すた
めの成形用金型のキャビティ面には、通常、放電加工に
よって梨地状粗面が形成されるが、その放電加工面であ
る粗面の状態が粗過ぎると該梨地状粗面には多数のマイ
クロクラックが発生し易いと云った弊害がある。更に、
該金型キャビティ面に発生したマイクロクラックは、こ
れによって成形される樹脂成形品の表面にマイクロクラ
ックを形成し易いと云った問題がある。
【0007】本発明の発明者は、樹脂成形品の表面に施
された梨地状粗面の状態が粗過ぎるとその光沢が減少
し、逆に、該表面が細かで密な状態となるほどその光沢
が増加することに着目した。そして、樹脂成形品の表面
に施された梨地状粗面の面粗度をある一定の範囲内に設
定することによって、樹脂成形品の表面の梨地状粗面に
施したレーザーマーキングによる標識の鮮明度を向上で
きることを見出した。そこで、本発明は、樹脂成形品の
表面にレーザーマーキングによって構成した標識の鮮明
度を向上させることができる樹脂成形品と、該樹脂成形
品を成形するための金型、及び、その樹脂成形方法を提
供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記したような技術的課
題を解決するための本発明に係る電子部品の樹脂封止
形用金型は、金型のキャビティ表面に梨地状粗面を形成
した電子部品の樹脂封止成形用金型であって、少なくと
も、この金型によって成形される樹脂成形品のマーキン
グ部分と対応する前記キャビティ表面の部位に、 0.5μ
m〜 0.8μm未満の範囲内の面粗度から成るマーキング
部分成形用の梨地状粗面を形成したことを特徴とする。
【0009】また、上記の技術的課題を解決するための
本発明に係る電子部品の樹脂封止成形品の成形方法は、
金型のキャビティ表面に 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲
内の面粗度から成るマーキング部分成形用の梨地状粗面
形成した電子部品の樹脂封止成形用金型を用い、且
つ、前記キャビティ内に溶融樹脂材料を注入充填して樹
脂成形品を成形することにより、その樹脂成形品のマー
キング部分の表面を 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内の
面粗度から成るマーキング用の梨地状粗面として形成
ることを特徴とする。
【0010】また、上記の技術的課題を解決するための
本発明に係る電子部品の樹脂封止成形品は、金型のキャ
ビティ表面に 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内の面粗度
から成るマーキング部分成形用の梨地状粗面を形成した
電子部品の樹脂封止成形用金型を用い、且つ、前記キャ
ビティ内に溶融樹脂材料を注入充填して成形した電子部
品の樹脂封止成形品であって、前記樹脂成形品における
マーキング部分の表面にレーザーマーキングによる標識
を施したことを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明の電子部品の樹脂封止成形用金型は、
なくとも、この金型によって成形される電子部品の樹脂
封止成形品のマーキング部分と対応する前記キャビティ
表面の部位に、 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内の面粗
度から成るマーキング部分成形用の梨地状粗面を形成し
たものであるため、該樹脂成形品のマーキング部分の表
面に、 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲となる細かで密な
状態の梨地状粗面が形成されることになる。また、その
結果、少なくとも、この成形用金型のキャビティ表面の
みならず、この金型によって成形される樹脂成形品のマ
ーキング部分にマイクロクラックが形成されるのを防止
することができる。
【0012】また、このような成形用金型を用いて樹脂
成形品を成形した場合は、少なくとも、そのマーキング
部分の表面には光沢のある細かで密な状態の梨地状粗面
が成形される。そして、このような光沢のある前記マー
キング部分の表面にレーザーマーキングを施した場合
は、その樹脂成形品の表面と前記レーザーマーキングに
よる標識とは明瞭に識別されて視覚に認識されるため、
該標識の鮮明度が向上することになるものである
【0013】
【実施例】以下、本発明を実施例図に基づいて詳細に説
明する。図1は、本発明に係る成形用金型の縦断面図で
あって、上下両型の型締時の状態を示している。図2
は、図1の金型を用いて樹脂封止成形された樹脂成形品
であって、その表面にレーザーマーキングによる標識を
付した状態を示している。図3は、図2の樹脂成形品の
表面に施された梨地状粗面の断面形状を概略的に示して
いる。図4は、図3の樹脂成形品の表面に施されたレー
ザーマーキング部(焼損部)を概略的に示している。
【0014】上記金型は上型1と下型2とから構成され
ている。また、該上下両型(1・2) には樹脂成形用のキャ
ビティ1a・2aが夫々設けられている。更に、該上下
両キャビティ(1a・2a) の表面には梨地状の粗面1b・2
bが形成されており、その面粗度は、放電加工手段によ
り、一定の範囲内、即ち、0.5μm〜 0.8μm未満の範
囲内に形成されている。また、ここで、該両キャビティ
(1a・2a) 表面における梨地状粗面(1b・2b) の面粗度を
0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内に設定して形成するよ
うにしたのは、次の理由による。即ち、該金型により成
形される樹脂成形品の表面に施された梨地状粗面の状態
が粗くなるほどその表面の光沢が減少し、逆に、該梨地
状粗面の状態が細かで密になるほどその表面の光沢が増
加する。このため、実質的に鏡面と同一視すべきである
0.5μm未満の範囲と、粗面の状態が粗過ぎて光沢が減
少する 0.8μm未満を越える範囲の面粗度を除外したも
のである。なお、後述するように、前記樹脂成形品(パ
ッケージ)の表面の全ての面粗度が0.5μm〜 0.8μm
未満の範囲内に形成されている必要はなく、少なくと
も、樹脂成形品のマーキング部分の表面における面粗度
が 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内で形成されておれば
よい。
【0015】上記金型を用いて図1に示すようなリード
フレーム3上の半導体等4を樹脂封止成形するには、従
来の場合と同様に、半導体等4を装着したリードフレー
ム3を上下両型(1・2) の所定位置に嵌合セットすると共
に、上下両型(1・2) を型締めし、次に、ポット内の樹脂
材料を加熱且つ溶融化して、該溶融樹脂材料を樹脂通路
を通して上下両キャビティ(1a・2a) 内に注入充填させれ
ばよい。このとき、半導体等4と、リードフレームにお
けるタブ3b及びその周辺部は、該上下両キャビティ(1
a・2a) の形状に対応して成形されるパッケージ5内に封
止されることになる。また、上記両キャビティ(1a・2a)
の表面には 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内の梨地状粗
面が形成されているので、該両キャビティ(1a・2a) 内に
おいて成形された樹脂成形品8の表面5aには、同じ
く、 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内の梨地状粗面が施
されることになる。
【0016】また、上記リードフレーム3と、パッケー
ジ5及び該パッケージから突設されたアウターリード3
aとから成る個々の樹脂成形品8とを切断分離すると共
に、該樹脂成形品8のアウターリード3aを所定の折曲
姿勢に折り曲げ、更に、該樹脂成形品8のパッケージ5
の表面5aにレーザーマーキングによる標識を施すこと
により、図2に示すような製品が完成する。
【0017】次に、上記パッケージ表面5aにレーザー
マーキングを施す場合について説明する。このレーザー
マーキングは、上記パッケージ表面5aに焼損部6(図
4参照)を形成することにより行われる。そして、該焼
損部6は、図3に示すパッケージ表面5a、即ち、梨地
状粗面5b(若しくは、梨地状粗面5bにおける突起5
d)にレーザーを照射して、その照射部位を焼損するこ
とにより形成されるものであり、この焼損部6によって
文字・記号等の標識7を構成することにより、視覚にて
これを認識することができる。
【0018】なお、上記パッケージ表面5aの全ての面
粗度が 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲内に形成されてい
る必要はなく、少なくとも、パッケージ表面5aにおけ
るマーキング部分5cの面粗度が 0.5μm〜 0.8μm未
満の範囲内で形成されておればよい。
【0019】次に、金型の形成例について説明する。金
型のキャビティ表面に面粗度が粗い梨地状粗面を形成し
た成形用金型を用いて樹脂成形した場合は、加熱溶融化
した樹脂材料に含まれるシリカ粒が該キャビティ表面に
おける梨地状粗面の各突起の間(即ち、谷底)に捕捉さ
れ易い傾向があり、これに起因して、成形された樹脂成
形品の表面には、多量のシリカ粒が露出されることにな
る。このシリカ粒はレーザーを照射しても焼損させるこ
とができず、また、該樹脂成形品の表面には樹脂部分が
少ないため該樹脂部分が焼損される度合いも低いため、
このような表面にレーザーマーキングを行っても構成さ
れた標識の鮮明度は低い。しかしながら、キャビティ表
面に面粗度 0.5μm〜 0.8μm未満の梨地状粗面を形成
した成形用金型を用いて樹脂成形品を成形した場合は、
該キャビティ表面が滑らかな梨地状粗面になるので、該
粗面の各突起の間にシリカ粒が捕捉され難くなり、この
ため、成形された樹脂成形品の表面にシリカ粒が露出す
るのを確実に防止することができた。従って、該表面の
ほとんどが樹脂部分により構成されていることとも相俟
て、このような表面にレーザーマーキングを行って構成
した標識の鮮明度は著しく向上している
【0020】また、面粗度が粗い梨地状粗面を形成した
キャビティの表面は強い電気エネルギーを用いる放電加
工手段によって形成されるので、該キャビティの表面は
焼き焦げた粗い粗面となる。このため、このような焼き
焦げた粗い粗面には多数のマイクロクラックが発生して
いる。そして、このような金型を用いて成形された樹脂
成形品の表面にも多数のマイクロクラックが発生してお
り、更に、その表面の光沢は著しく減少している。従っ
て、このような表面にレーザーマーキングを行っても、
その標識部分とそれ以外の部分とを比較すると両者の光
沢がほとんど一様であるため区別することができない状
態となる。しかしながら、キャビティ表面に面粗度 0.5
μm〜 0.8μm未満の範囲の梨地状粗面を形成した成形
用金型を用いて成形した樹脂成形品の表面は、面粗度が
0.5μm〜 0.8μm未満の範囲の梨地状粗面となる。そ
して、このキャビティ表面は弱い電気エネルギーを用い
る放電加工手段によって形成されるので、該キャビティ
の表面は略均一で滑らかな梨地状粗面となり、マイクロ
クラックが発生していない。従って、キャビティ表面に
面粗度が 0.5μm〜 0.8μm未満の範囲となる細かで密
な状態の梨地状粗面を形成した成形用金型を用いて樹脂
成形品を成形した場合は、樹脂成形品の表面が光沢のあ
る細かで密な状態の梨地状粗面となるので、該表面にレ
ーザーマーキングを行って構成した標識はその周囲と明
瞭に区別して視覚に認識されるため、該標識の鮮明度が
向上することになる
【0021】本発明は、上述した実施例のものに限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内
で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採
用できるものである。
【0022】
【発明の効果】本発明の成形用金型は、少なくとも、こ
の金型によって成形される樹脂成形品のマーキング部分
と対応する前記キャビティ表面の部位に、 0.5μm〜
0.8μm未満の範囲内の面粗度から成るマーキング部分
成形用の梨地状粗面を形成したものであるから、樹脂成
形品のマーキング部分の表面に、 0.5μm〜 0.8μm未
満の範囲となる細かで密な状態の梨地状粗面が形成され
ることになる。従って、その結果、少なくとも、この成
形用金型のキャビティ表面のみならず、この金型によっ
て成形される樹脂成形品のマーキング部分にマイクロク
ラック等が形成されるのを効率良く且つ確実に防止する
ことができるまた、このような本発明の成形用金型を
用いて樹脂成形品を成形した場合は、少なくとも、その
マーキング部分の表面には光沢のある細かで密な状態の
梨地状粗面が成形されることになるから、このような光
沢のある前記マーキング部分の表面にレーザーマーキン
グを施した場合は、その樹脂成形品の表面と該レーザー
マーキングによる標識とは明瞭に識別されて視覚に認識
されるため、該標識の鮮明度を著しく向上させることが
できると云った優れた実用的な効果を奏するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る成形用金型要部の一部切欠縦断面
図であって、上下両型の型締状態を示している。
【図2】図1に対応する金型により成形された樹脂成形
品の斜視図であって、その表面にレーザーマーキングに
よる標識を付した状態を示している。
【図3】本発明に係る樹脂成形品の表面の部分拡大縦断
面図であって、レーザーマーキングを行う前の状態を示
している。
【図4】図3に対応する樹脂成形品の表面の縦断面図で
あって、レーザーマーキングを行った後の状態を示して
いる。
【符号の説明】
1 上 型 2 下 型 1a キャビティ 2a キャビティ 1b 梨地状粗面 2b 梨地状粗面 3 リードフレーム 3a アウターリード 3b タ ブ 4 半導体等 5 パッケージ 5a 表 面 5b 梨地状粗面 5c マーキング部 5d 突 起 6 焼損部 7 標 識 8 樹脂成形品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B29C 45/00 - 45/84 H01L 21/56

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金型のキャビティ表面に梨地状粗面を形
    成した電子部品の樹脂封止成形用金型であって、少なく
    とも、この金型によって成形される樹脂成形品のマーキ
    ング部分と対応する前記キャビティ表面の部位に、 0.5
    μm〜 0.8μm未満の範囲内の面粗度から成るマーキン
    グ部分成形用の梨地状粗面を形成したことを特徴とする
    電子部品の樹脂封止成形用金型。
  2. 【請求項2】 金型のキャビティ表面に 0.5μm〜 0.8
    μm未満の範囲内の面粗度から成るマーキング部分成形
    用の梨地状粗面を形成した電子部品の樹脂封止成形用金
    型を用い、且つ、前記キャビティ内に溶融樹脂材料を注
    入充填して樹脂成形品を成形することにより、その樹脂
    成形品のマーキング部分の表面を 0.5μm〜 0.8μm未
    の範囲内の面粗度から成るマーキング用の梨地状粗面
    として形成することを特徴とする電子部品の樹脂封止
    形品の成形方法。
  3. 【請求項3】 金型のキャビティ表面に 0.5μm〜 0.8
    μm未満の範囲内の面粗度から成るマーキング部分成形
    用の梨地状粗面を形成した電子部品の樹脂封止成形用金
    型を用い、且つ、前記キャビティ内に溶融樹脂材料を注
    入充填して成形した電子部品の樹脂封止成形品であっ
    て、前記樹脂成形品におけるマーキング部分の表面にレ
    ーザーマーキングによる標識を施したことを特徴とする
    電子部品の樹脂封止成形品。
JP31587792A 1992-10-30 1992-10-30 電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品 Expired - Fee Related JP3188537B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31587792A JP3188537B2 (ja) 1992-10-30 1992-10-30 電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31587792A JP3188537B2 (ja) 1992-10-30 1992-10-30 電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06143360A JPH06143360A (ja) 1994-05-24
JP3188537B2 true JP3188537B2 (ja) 2001-07-16

Family

ID=18070680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31587792A Expired - Fee Related JP3188537B2 (ja) 1992-10-30 1992-10-30 電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3188537B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2345021A (en) * 1998-12-22 2000-06-28 Nokia Mobile Phones Ltd Matt surface display window
JP3540185B2 (ja) 1999-02-05 2004-07-07 株式会社三井ハイテック 樹脂封止用金型
TW502412B (en) * 2001-10-12 2002-09-11 Advanced Semiconductor Eng Packaging mold with electrostatic discharge protection
JP2014179593A (ja) * 2013-02-15 2014-09-25 Nitto Denko Corp 半導体素子用封止シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR20160039188A (ko) * 2013-08-01 2016-04-08 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 복합 시트
JP6557912B2 (ja) * 2013-08-01 2019-08-14 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
JP2019136730A (ja) * 2018-02-08 2019-08-22 ボーンズ株式会社 樹脂成形品及びマーキング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06143360A (ja) 1994-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5846477A (en) Production method for encapsulating a semiconductor device
JP3188537B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形用金型と成形方法及び樹脂成形品
CN108162300B (zh) 树脂密封用模具、一次成形模具、二次成形模具和树脂成形品的制造方法
JP3727446B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止成形金型
EP1261031A3 (en) Tape for forming resin tie bar on a lead frame
JPH05285909A (ja) 木質成形基材の型出し方法
JP3276851B2 (ja) インサート成形の金型構造
JP3141758B2 (ja) 樹脂封止方法および電子部品製造方法
JP4374937B2 (ja) 凹凸模様を形成する発泡インモールドラベル付成形体
JP3000355B1 (ja) キートップ板の製造方法
JPH02192742A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法
JPH11176854A (ja) 電子部品における合成樹脂製パッケージ体の成形装置
JP3682311B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形用金型
JPH10109330A (ja) モールド装置およびゲート切断方法ならびに半導体集積回路装置の製造方法
JPH08108455A (ja) 半導体樹脂封止用金型
JP3250460B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3769325B2 (ja) 樹脂パッケージの製造方法
KR20000001008A (ko) 반도체칩을 내장한 플라스틱 패키지 몰드 장치와 그의 몰딩방법
JPS61292926A (ja) モ−ルド方法およびモ−ルド装置
JP3070429U (ja) 絵・文字パネル
JP2528505B2 (ja) 半導体装置におけるモ―ルド部の成形装置
JP2942277B2 (ja) 樹脂モールド方法
JP2502387B2 (ja) 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型
JPH11277594A (ja) プラスチック成形装置
JPH01235620A (ja) 電子部品の樹脂封止成形用金型

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees