JP3188453B2 - 半導体ディスクを片面エッチングするための装置 - Google Patents

半導体ディスクを片面エッチングするための装置

Info

Publication number
JP3188453B2
JP3188453B2 JP51104191A JP51104191A JP3188453B2 JP 3188453 B2 JP3188453 B2 JP 3188453B2 JP 51104191 A JP51104191 A JP 51104191A JP 51104191 A JP51104191 A JP 51104191A JP 3188453 B2 JP3188453 B2 JP 3188453B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cover
wafer
etching
ring
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP51104191A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05509200A (ja
Inventor
クマー,ニルス
マレク,イーリ
ヴィルマン,マルティン
フィンドラー,ギュンター
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of JPH05509200A publication Critical patent/JPH05509200A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3188453B2 publication Critical patent/JP3188453B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 従来技術 本発明は半導体ディスク(シリコンウエーハ)を片面
エッチングするための装置に関し、この装置はエッチン
グホルダの形式により構成されている。このようなもの
は雑誌“真空科学技術(Vacuum Science Technolog
y)”[1985年7月18日号、1015頁以下、カミンスキー
(G.Kaminsky)著、“Mikromachining of silicon m
echanical structures"]から公知である。ここにはテ
フロンプレートの形のシリコンウエーハのエッチング保
持部材が記載されており、このプレートの縁のみぞ内に
O−リングが配置され、O−リング上にエッチングすべ
きウエーハが支承される。ウエーハはナイロンねじによ
って基板と結合されたテフロン製のリングによってテフ
ロンプレート上に固定される。エッチング溶液はテフロ
ンリングを通ってウエーハの表面に達する。O−リング
はエッチング溶液が裏面へ達するのを阻止する。もちろ
んエッチング溶液はウエーハの縁の両面をウエーハとO
−リングとの接触ゾーンまで濡らすことができる。した
がってウエーハの縁領域における機械的な安定性は低下
せしめられ、その他にエッチング工程後のウエーハの加
工可能性が制限される。エッチング過程中高いエッチン
グ温度のためにウエーハの下方にある空気の圧力が上昇
する。このために特にウエーハがO−リング上に載って
いる縁領域において破損の危険が高まる。ウエーハの下
方にある空気空間に関して圧力補償するための装置は配
慮されていない。電気化学的なエッチングストップを行
うことができるようにウエーハの電気的な接触接続の可
能性も配慮されていない。
更に基材のテフロンは高いエッチング温度での所定の
使用のためには形状安定性が小さすぎる。テフロン溶液
内で膨潤してその体積を、ひいては形状を変える。した
がってテフロン製のエッチング保持部材は繰返し使用す
ることができない。
本発明の課題は、エッチングすべきウエーハに与える
機械的負荷が小さく、ウエーハの縁の完全な保護を保証
し、かつ電気化学的エッチングストップを行う、シリコ
ンウエーハの片面エッチングのための装置を提供するこ
とである。
この課題は本発明によれば請求項1の特徴によって解
決される。これによれば開いた上方部材を備えたエッチ
ングホルダの形式の保持部材が利用され、2つのO−リ
ングを備えており、これらO−リング間にウエーハが締
込まれる。O−リングは、エッチング溶液がカバー側の
O−リング内にある。エッチングすべきウエーハ面の内
部領域にしか達することができないように配置されてい
る。ウエーハ裏面の舌にある中空間は管またはホースが
接続される孔を介して外気と結合されている。これによ
ってウエーハ下方の過圧の発生は回避される。同時にこ
の孔を通って給電路が電気化学的なエッチングストップ
に必要なウエーハの電気的接触接続のために案内されて
いる。
発明の利点 本発明による装置は、ウエーハの縁がエッチング溶液
との接触から確実に守られるという利点を有している。
ウエーハを保持したO−リングは厳密に重なって配置さ
れているので、ファイバ両面は対称的な保持力を負荷さ
れる。ウエーハは固定がO−リングを介してのみ行われ
るために、弾性的に支承される。ウエーハはエッチング
溶液から守られながら裏面から電気的に接触接続され
る。外気との接続によってエッチング溶液が高温でもウ
エーハ裏面の中空間内では過圧は生じない。したがって
装置は最大の破損安全性を与える。提案された材料の良
好な形状安定性はエッチングホルダの繰返し使用を可能
にする。ウエーハの電気的な接触接続は有利にはばねコ
ンタクトによって行われる。
装置の他の有利な構成が請求項2〜19に挙げられた手
段から得られる。
エッチングホルダをポリビニリデンフルオリド(PVD
F)プラスチックから製作する際には有利にはカバーと
底部にそれぞれみぞが設けられ、このみぞがO−リング
を固定する。みぞの容積は、O−リングがエッチング溶
液との接触によって膨潤するので、ウエーハへの圧力が
一定であるように設計されている。カバーと底部分との
接触領域内には、エッチング溶液が縁領域内に浸入しな
いように安全性を付するために有利には第3のO−リン
グが設けられている。ウエーハ裏面の電気的な接触接続
のためにはばねピンが使用されると有利である。
他の有利な構成ではエッチングホルダは市販のポリプ
ロピレン(PP)搬送ボックスから導き出された。この形
式では仕上げられたエッチングホルダは乳色透明性であ
り、場合によりエッチングホルダに漏れがあった場合こ
れを直ちに外部から認めることができる。このようなPP
製のエッチングホルダは更にきわめて価格上有利であ
る。カバーと底部との間の接触領域内には付加的なシー
ルとして有利にはシリコンペーストが導入されている。
基体内のばね部材はウエーハ裏面の信頼性のある電気的
な接触接続並びにウエーハの迅速な挿入と取出しとを許
す。
本発明の2つの実施例について図面と説明によって詳
説される。
図面 図1はPVDF製のエッチングホルダの断面図、図2a、図
2bはPP−エッチングホルダの断面図である。
説明 図1に示された第1の実施例は主要部材として基体3と
カバー2とを備えている。両部材はプラスチックのPVDF
から製作されている。この材料は高温でも形状安定であ
り、かつエッチングホルダの繰返し使用を許す。カバー
2と基体3とから形成されたエッチングホルダ全体は有
利には円形の形状を有しているが、他の形状も可能であ
る。カバー2と基体3とは互いに適合するような形状に
されている。そのためにはカバー2の縁が内側領域12よ
りも段状に低くなっており、他方基体3の縁は段状に高
くなっている。段は、中にウエーハを入れてエッチング
ホルダを閉じた際にカバー2と基体3の縁領域が面一に
重なるように形成されており、ウエーハ1がその間に締
込まれるO−リング7,8はその太さの約20%押圧され
る。内側領域13における凹所ないしは内部領域12におけ
る突出部の直径はこのエッチングホルダがそれ用として
設計されたウエーハ1の直径よりも大きい。基体3は有
利には2つの同心的なみぞ18,19を有し、そのうちの1
つは段状に高くなった縁領域に、他は内側領域13の縁に
形成されている。みぞ18,19内には各1つのO−リング
8,9が存在している。内側のO−リング8の内部にある
基体表面14は孔4を介して基体外側と接続されており、
孔の径は有利に0.1〜5mmである。
基体外側の孔4の出口には直接小管6またはホースが
接続されており、小管は孔4を延長している。孔4を通
して1つには周囲と、ウエーハ1、O−リング8、基体
表面14によって包囲された空間との間の圧力補償が行わ
れる。もう1つにはウエーハ1の電気的な接触接続のた
めに必要な線材10がこの孔4を通って外部へ導かれてい
る。孔4は有利には直角に基体の内面から狭幅の側方の
外面へ延びている。この直角のガイドによりエッチング
ホルダは都合良く鉛直にエッチング溶液内へ導入するこ
とができる。孔4はこのために出口において引続く直線
形の小管6またはホースの形で延長せしめられており、
小管はエッチング溶液から突出している。孔4の他の案
内ももちろん等価である。内側の基体表面14上で孔4を
通って案内された線材10の端部にばねコンタクト11が取
付けられており、ばねコンタクトはウエーハ1の確実
な、電気的な接触接続を保証する。
エッチングホルダのカバー2は縁よりも高くされた内
側領域12内にみぞ17を有し、みぞはエッチングホルダが
閉じられたときにこれが正確に基体の内側のみぞ18の上
方に位置するように構成されている。みぞにはもう1つ
のO−リングが配置されている。
基体3内の外側のO−リング9およびカバー2内に配
置されたO−リング7がエッチング過程の間それぞれ側
方からエッチング溶液に曝露され、このためにO−リン
グは僅かに膨潤する。このことはO−リング7と8との
間に締込まれたウエーハに対する圧力を高めることがあ
る。したがってO−リング7〜9を固定するみぞ17〜19
の形状は、膨潤によるO−リング7〜9の体積増大がみ
ぞ17〜19によって受止められ、かつこれによってウエー
ハ1に対する圧力がいつもほぼ一定にあるように構成さ
れていると有利である。
エッチングホルダのカバー2と基体3とはねじ用にカ
バーおよび基体の縁に形成された孔15に差込まれたねじ
によって一緒に保持されている。あるいはカバーと基体
の結合は迅速締付け閉鎖部材によって行うこともでき
る。この場合にはカバー上面および基体下面に迅速締付
けクリップを固定するための手段が講じられなければな
らない。エッチングホルダ部材が一緒に押圧される圧力
は、カバー2と基体3の段状の縁がしっかりと上下に重
なり、このときに外部から見ることができるO−リング
7,9が殆ど完全にみぞ17もしくは19内に押込まれるよう
な程度に選択すべきである。
エッチングホルダ使用のためにはウエーハ1は基体3
の、これに配置された内側のO−リング8内に入れられ
る。保護すべき側面は基体表面14に向く。引続きカバー
2が載せられ、かつねじ締めにより基体3と結合され
る。閉鎖されたエッチングホルダは任意の形式でエッチ
ング溶液に曝される。特にエッチング過程の時間と温度
とは任意に選択される。それというのも圧力補償用の孔
4によってウエーハ1の下方に得られる中空間内に過圧
が、したがって破損の危険が生じ得ないからである。
第2の実施例が図2a、図2bに示されている。第1の実
施例と一致する部材には同一の符号が付せられている。
図2aに示された実施例は主要部材としてカバー22と基
体23並びに2つのプレスリング44を備えている。基体23
は例えばフィルマ・フルオロウエア(Fa.FLUOROWARE)
で得られるような市販のウエーハ搬送ボックスの下方部
材である。このエッチングホルダはポリプロピレン(P
P)、すなわち高いエッチング温度においても良好な形
状安定性を有し、かつきわめて値ごろである材料から製
作されている。基体23の軽く、湾曲した底部内には中央
にルーズに挿入されたO−リング28並びにこのO−リン
グ28の内側に配置された十字形のばね部材41とが存在
し、O−リング28の直径はエッチングホルダの直径の約
4/5であり、ばね部材41は同様に市販されている。ばね
部材41の4つのばね弾性的な舌片42の1つは厚さ約0.05
mmの導電性の薄板43で覆われている。ばね部材41は一方
で閉じられたエッチングホルダにおいてエッチングされ
るウエーハ1を中央領域で安定化し、他方で薄板で覆わ
れた舌片42はウエーハ裏面の電気的接触接続に用いられ
る。ばね部材は基体3と固定的に結合されるか、または
ルーズに挿入することができる。後者の場合にはばね部
材41のための支承部材(例えばリング29の形状)が設け
られていると有利である。金属の薄板43にはプラチナ製
の線材10がろう付けされており、線材は基体23の底部に
設けられた孔4を通って基体から導き出されている。底
部の外側で孔4にはエッチング溶液から突出した小管6
ないしはホース等が密に接続されており、接触接続のた
めの線材10がこの小管内を案内されてエッチング溶液か
ら引き出されている。カバー22は搬送ボックスの、基準
にしたがって基体23に属した上方部材を基に導き出され
た上方部材内に円形の開口25が旋削されており、ここを
通ってエッチング溶液が入ることができる。開口の直径
はエッチングホルダ全体の直径の有利には60〜70%であ
り、エッチングホルダが4−ツオル−ウエーハ(Vier−
Zoll−Wafer)用の場合には例えば70〜80mmである。
このエッチングホルダを使用するには、ウエーハ1が
エッチングする面を上に向けて基体23のこれに配置され
たO−リング28上に置かれる。下面から軽くウエーハ裏
面を押すばね部材41(これは例えば十字形ばねである)
によってウエーハの電気的な接触接続が行われる。ウエ
ーハの上を向いた面の上に第2のO−リング27が置か
れ、O−リングは同心的に整列せしめられる。この第2
のO−リング27は基体23内に配置されたものと等しい直
径を有している。両O−リング27,28の横断面は、閉じ
られた状態のエッチングホルダで両O−リング27,28間
に締込まれたウエーハ1が、固定的に、スリップしない
ように支承されるように設計されている。O−リング2
7,28の軽い膨潤はウエーハ1への押圧力を変えることは
ない。引続きカバー22が基体23の上に載せられ、この場
合シール性を改善するためにカバー22と基体23とのシー
ル面37上にペースト状のシリコンが塗られる。良好なシ
ールを達成するための他の方法は、基体23とカバー22と
の間のシール面37を円錐形に構成することでありこれに
より一緒に押圧することによってこれらはしっかりと重
なり合う。
エッチングホルダのカバー22と基体23との外部からの
保持は図2bに示されているようにクリップ閉鎖部材の形
の迅速締付け閉鎖部材45によって行われる。迅速締付け
閉鎖部材は有利にはプレスリング44の1つを固定的に結
合され、かつ他方には適当な装置によって固定される。
あるいはカバー22と基体23から成るエッチングボック
スは、耐酸性の材料、例えば硬質プラスチック製の2つ
のプレスリング44によって、これらプレスリング44間に
締込まれることによって一緒に保持される。プレスリン
グ44自体はねじによって互いに押しつけられている。こ
の場合にはプレスリングはねじを差込むための孔を有し
ている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィルマン,マルティン ドイツ連邦共和国 D―7410 ロイトリ ンゲン アーヘナー シュトラーセ 146 (72)発明者 フィンドラー,ギュンター ドイツ連邦共和国 D―7000 シュツッ トガルト 80 ザールラントシュトラー セ 20 (56)参考文献 特開 昭60−9129(JP,A) 特開 平2−143426(JP,A) 実開 昭59−70336(JP,U) 実開 昭57−130434(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/306 H01L 21/304 648

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エッチングホルダの形式の、半導体ディス
    ク(ウエーハ)を片面エッチングするための装置におい
    て、槽状の基体(3,23)が設けられており、基体(3、
    23)に密に嵌合するカバー(2,22)が設けられており、
    カバーが上側にエッチング液が通過するための開口(5,
    25)を有しており、少なくとも2つの上下に配置された
    O−リング(7,8、27、28)が設けられており、これら
    O−リング間にエッチングすべきウエーハ(1)が締込
    まれており、これらのO−リングの1つ(8,28)が基体
    (3,23)内に同心的に、他(7,27)がカバー(2,22)内
    に同心的に配置されており、かつ基体(3,23)を通って
    延びる孔(4)が設けられており、孔がO−リング(8,
    28)の内部にある基体表面(14)を基体外側へ連通して
    おり、かつウエーハ(1)の電気的な接触接続のための
    電気的なばねコンタクト(11)と結合された線材(10)
    が孔を通ってエッチングホルダから導き出されているこ
    とを特徴とする、半導体ディスクを片面エッチングする
    ための装置。
  2. 【請求項2】少なくとも2つのO−リング(7,8,27,2
    8)が同じ直径を有している、請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】孔(4)の出口に小管(6)、ホースまた
    はその類似物が接続しており、これが孔を延長し、かつ
    エッチング溶液から導き出されている、請求項1記載の
    装置。
  4. 【請求項4】小管(6)ないしはホースがポリプロピレ
    ン(PP)またはポリビニリデンフルオリド(PVDF)−プ
    ラスチックから製作されている、請求項3記載の装置。
  5. 【請求項5】カバー(2)および基体(3)がPVDF−プ
    ラスチックから製作されている、請求項1記載の装置。
  6. 【請求項6】カバー下面の内側領域(12)が段状に高く
    なっており、基体上面の内側領域(13)が段状に低く構
    成されており、かつ段部が同じ直径を有している、請求
    項1から5までのいずれか1項記載の装置。
  7. 【請求項7】カバー(2)および基体(3)がみぞ(1
    7)ないしは(18)を有しており、O−リング(7)な
    いしは(8)がこのみぞ内に配置されて突出している、
    請求項1から6までのいずれか1項記載の装置。
  8. 【請求項8】基体(3)が内側領域(13)よりも高くさ
    れた縁にもう1つのみぞ(19)を有し、みぞ内にもう1
    つのO−リング(9)が配置されている、請求項1から
    7までのいずれか1項記載の装置。
  9. 【請求項9】カバー(2)が内側領域(12)よりも低く
    された縁にもう1つのみぞを有し、みぞ内にもう1つの
    O−リング(7)が配置されている、請求項1から8ま
    でのいずれか1項記載の装置。
  10. 【請求項10】閉じられた状態のエッチングホルダにお
    いてカバー(2)および基体(3)の縁領域がカバー
    (2)と基体(3)との間にあるO−リング(7,8,9)
    に対する所定の押圧力を及ぼしながら面一に重なり合っ
    ている、請求項1から9までのいずれか1項記載の装
    置。
  11. 【請求項11】ばねコンタクト(11)が孔(4)から突
    出したばねピンとして構成されている、請求項1記載の
    装置。
  12. 【請求項12】みぞ(17〜19)が、これらが膨潤および
    (または)プレスにより変化したO−リング(7〜9)
    の体積を受止めることができ、かつO−リング(7〜
    9)を介して伝達された押圧力がほぼ一定であるように
    構成されている、請求項1から11までのいずれか1項記
    載の装置。
  13. 【請求項13】エッチングホルダのカバー(22)および
    基体(23)がポリプロピレンから製作されている、請求
    項1記載の装置。
  14. 【請求項14】O−リング(28)が基体(23)内にルー
    ズに位置している、請求項1または13記載の装置。
  15. 【請求項15】カバー側のO−リング(27)がカバー
    (22)とウエーハ上面との間にルーズに位置している、
    請求項1または13記載の装置。
  16. 【請求項16】基体(23)内に十字形ばね(41)が配置
    されており、十字形ばねがウエーハ(1)を支持してい
    る、請求項1から15までのいずれか1項記載の装置。
  17. 【請求項17】十字形ばね(41)の舌片(42)の少なく
    とも1つが導電性の材料から製作されているかまたは導
    電性の材料で覆われている、請求項15記載の装置。
  18. 【請求項18】ウエーハ(1)の電気的な接触接続のた
    めの線材(10)が十字形ばね(41)の舌片(42)と結合
    されている、請求項16記載の装置。
  19. 【請求項19】線材および(または)十字形ばね(41)
    の舌片(42)の導電性の被覆(43)がプラチナ製であ
    る、請求項16記載の装置。
JP51104191A 1990-08-02 1991-07-02 半導体ディスクを片面エッチングするための装置 Expired - Lifetime JP3188453B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4024576.4 1990-08-02
DE4024576A DE4024576A1 (de) 1990-08-02 1990-08-02 Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05509200A JPH05509200A (ja) 1993-12-16
JP3188453B2 true JP3188453B2 (ja) 2001-07-16

Family

ID=6411535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51104191A Expired - Lifetime JP3188453B2 (ja) 1990-08-02 1991-07-02 半導体ディスクを片面エッチングするための装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5324410A (ja)
EP (1) EP0541571B1 (ja)
JP (1) JP3188453B2 (ja)
DE (2) DE4024576A1 (ja)
WO (1) WO1992002948A1 (ja)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930700975A (ko) * 1991-04-11 1993-03-16 플루오로웨어, 아이엔시. 폴리프로필렌 웨이퍼 캐리어
JP3417008B2 (ja) 1993-11-04 2003-06-16 株式会社デンソー 半導体ウエハのエッチング方法
US5405518A (en) * 1994-04-26 1995-04-11 Industrial Technology Research Institute Workpiece holder apparatus
US5522975A (en) * 1995-05-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture
US6746565B1 (en) 1995-08-17 2004-06-08 Semitool, Inc. Semiconductor processor with wafer face protection
US5762751A (en) * 1995-08-17 1998-06-09 Semitool, Inc. Semiconductor processor with wafer face protection
JP3415373B2 (ja) * 1995-11-29 2003-06-09 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体基板等の表層の溶解方法及び装置
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
GB9805014D0 (en) * 1998-03-11 1998-05-06 Siemens Plc Improved mechanical arrangement for water quality measuring apparatus
TW452828B (en) * 1998-03-13 2001-09-01 Semitool Inc Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
EP1362934B1 (de) * 1998-04-21 2011-07-20 Oerlikon Trading AG, Trübbach Halterung für mindestens ein Werkstück
US5976331A (en) * 1998-04-30 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Electrodeposition apparatus for coating wafers
US6322678B1 (en) 1998-07-11 2001-11-27 Semitool, Inc. Electroplating reactor including back-side electrical contact apparatus
EP0987556A3 (de) * 1998-08-10 2001-05-09 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zur Diffusionslängenmessung in Halbleiterkörpern
DE19838612A1 (de) * 1998-08-25 2000-03-09 Gore W L & Ass Gmbh Ätzdose
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
AU3105400A (en) * 1998-11-28 2000-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US20040104120A1 (en) * 1998-11-28 2004-06-03 Hui Wang Method and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6726823B1 (en) 1998-11-28 2004-04-27 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
DE19922498A1 (de) * 1999-05-15 2000-11-30 Hans Moritz Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterscheibe
DE19923871C2 (de) * 1999-05-25 2003-11-13 Rossendorf Forschzent Einrichtung zur abgedichteten Halterung dünner Scheiben
JP4431239B2 (ja) 1999-06-24 2010-03-10 Sumco Techxiv株式会社 ウエハ表面汚染状態の測定供用具及び測定方法
DE19962170A1 (de) * 1999-12-22 2001-07-12 Steag Micro Tech Gmbh Substrahthalter
DE10111761A1 (de) 2001-03-12 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats
EP1263023A1 (de) * 2001-06-02 2002-12-04 silicet AG Vorrichtung zum einseitigen Behandeln eines scheibenförmigen Werkstückes
KR100443729B1 (ko) * 2001-10-05 2004-08-09 선호영 골프화
DE10256985B4 (de) * 2001-12-12 2013-01-10 Denso Corporation Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelements
TW502304B (en) * 2002-01-10 2002-09-11 Benq Corp Chip protection device
TW527678B (en) * 2002-03-07 2003-04-11 Benq Corp Wafer protection device
US6579408B1 (en) * 2002-04-22 2003-06-17 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method for etching wafer backside
CN100370578C (zh) * 2002-06-21 2008-02-20 株式会社荏原制作所 基片保持装置和电镀设备
KR20130061513A (ko) * 2011-12-01 2013-06-11 삼성전자주식회사 에칭용 지그 및 이를 포함하는 화학적 리프트 오프 장비
CN102988115B (zh) * 2012-11-26 2014-12-03 广州中国科学院先进技术研究所 用于牙种植体表面化学处理中局部保护的夹具
EP2736070A1 (de) 2012-11-27 2014-05-28 Rheinisch-Westfälisch-Technische Hochschule Aachen Gefäß zur einseitigen Bearbeitung eines Substrats
US9583363B2 (en) 2012-12-31 2017-02-28 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension
CN105405802A (zh) * 2015-11-30 2016-03-16 浙江大学 一种无损晶圆的湿法腐蚀保护夹具
CN108022869A (zh) * 2017-12-29 2018-05-11 上海新阳半导体材料股份有限公司 晶圆挂具
US11579115B2 (en) * 2019-05-24 2023-02-14 Consolidated Nuclear Security, LLC Assembly and method for interchangeably holding an electrochemical substrate
CN110459662B (zh) * 2019-06-21 2020-10-09 华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法
CN112635389B (zh) * 2020-12-28 2024-10-15 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4043894A (en) * 1976-05-20 1977-08-23 Burroughs Corporation Electrochemical anodization fixture for semiconductor wafers
SU1257730A1 (ru) * 1984-08-10 1986-09-15 Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин
US4696729A (en) * 1986-02-28 1987-09-29 International Business Machines Electroplating cell
EP0379480A1 (en) * 1987-03-02 1990-08-01 Westinghouse Electric Corporation Coprecipitated hydrogels in pressure tolerant gas diffusion electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
DE59103186D1 (de) 1994-11-10
EP0541571A1 (de) 1993-05-19
WO1992002948A1 (de) 1992-02-20
US5324410A (en) 1994-06-28
EP0541571B1 (de) 1994-10-05
JPH05509200A (ja) 1993-12-16
DE4024576A1 (de) 1992-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3188453B2 (ja) 半導体ディスクを片面エッチングするための装置
US7403386B2 (en) Electrostatic chuck
US6541989B1 (en) Testing device for semiconductor components and a method of using the device
JP5650547B2 (ja) カムロック電極クランプ
AU6137494A (en) Heat sink assembly for solid state devices
EP1244151A3 (en) Semiconductor device and its manufacture method
EP1396891A3 (en) Semiconductor device and optical device using the same
KR980005293A (ko) 웨이퍼 본딩 장치
US3376169A (en) Thermocouple assembly having a deformable ferrule housing
US6313729B1 (en) Semiconductor device
EP3800740A1 (en) Connector
US4058281A (en) High vacuum fastener
JP2002504707A (ja) 光ファイバの位置決め及び取り付けのための位置決めシステム並びにその位置決めシステムを備えたコネクタ
KR100210997B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 일면 에칭을 위한 장치
WO2021095404A1 (ja) 圧力センサ装置
JPS62145130A (ja) 半導体圧力センサ
KR20010020810A (ko) 반도체 웨이퍼의 단일방향 에칭 장치
US3988648A (en) Protective carrier for microcircuit devices
TW200421519A (en) Wafer clamping apparatus for wet etching
CN217545757U (zh) 一种电机
US11196132B2 (en) Battery case
JP3349489B2 (ja) 圧力センサとその製造方法
JPWO2020009091A1 (ja) 圧力センサ装置
JPWO2021095404A1 (ja) 圧力センサ装置
JPH09172058A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 11