JP3188453B2 - 半導体ディスクを片面エッチングするための装置 - Google Patents
半導体ディスクを片面エッチングするための装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 従来技術 本発明は半導体ディスク（シリコンウエーハ）を片面
エッチングするための装置に関し、この装置はエッチン
グホルダの形式により構成されている。このようなもの
は雑誌“真空科学技術（Vacuum Science Technolog
y）”［1985年７月18日号、1015頁以下、カミンスキー
（G.Kaminsky）著、“Mikromachining of silicon m
echanical structures"］から公知である。ここにはテ
フロンプレートの形のシリコンウエーハのエッチング保
持部材が記載されており、このプレートの縁のみぞ内に
Ｏ−リングが配置され、Ｏ−リング上にエッチングすべ
きウエーハが支承される。ウエーハはナイロンねじによ
って基板と結合されたテフロン製のリングによってテフ
ロンプレート上に固定される。エッチング溶液はテフロ
ンリングを通ってウエーハの表面に達する。Ｏ−リング
はエッチング溶液が裏面へ達するのを阻止する。もちろ
んエッチング溶液はウエーハの縁の両面をウエーハとＯ
−リングとの接触ゾーンまで濡らすことができる。した
がってウエーハの縁領域における機械的な安定性は低下
せしめられ、その他にエッチング工程後のウエーハの加
工可能性が制限される。エッチング過程中高いエッチン
グ温度のためにウエーハの下方にある空気の圧力が上昇
する。このために特にウエーハがＯ−リング上に載って
いる縁領域において破損の危険が高まる。ウエーハの下
方にある空気空間に関して圧力補償するための装置は配
慮されていない。電気化学的なエッチングストップを行
うことができるようにウエーハの電気的な接触接続の可
能性も配慮されていない。
エッチングするための装置に関し、この装置はエッチン
グホルダの形式により構成されている。このようなもの
は雑誌“真空科学技術（Vacuum Science Technolog
y）”［1985年７月18日号、1015頁以下、カミンスキー
（G.Kaminsky）著、“Mikromachining of silicon m
echanical structures"］から公知である。ここにはテ
フロンプレートの形のシリコンウエーハのエッチング保
持部材が記載されており、このプレートの縁のみぞ内に
Ｏ−リングが配置され、Ｏ−リング上にエッチングすべ
きウエーハが支承される。ウエーハはナイロンねじによ
って基板と結合されたテフロン製のリングによってテフ
ロンプレート上に固定される。エッチング溶液はテフロ
ンリングを通ってウエーハの表面に達する。Ｏ−リング
はエッチング溶液が裏面へ達するのを阻止する。もちろ
んエッチング溶液はウエーハの縁の両面をウエーハとＯ
−リングとの接触ゾーンまで濡らすことができる。した
がってウエーハの縁領域における機械的な安定性は低下
せしめられ、その他にエッチング工程後のウエーハの加
工可能性が制限される。エッチング過程中高いエッチン
グ温度のためにウエーハの下方にある空気の圧力が上昇
する。このために特にウエーハがＯ−リング上に載って
いる縁領域において破損の危険が高まる。ウエーハの下
方にある空気空間に関して圧力補償するための装置は配
慮されていない。電気化学的なエッチングストップを行
うことができるようにウエーハの電気的な接触接続の可
能性も配慮されていない。
更に基材のテフロンは高いエッチング温度での所定の
使用のためには形状安定性が小さすぎる。テフロン溶液
内で膨潤してその体積を、ひいては形状を変える。した
がってテフロン製のエッチング保持部材は繰返し使用す
ることができない。
使用のためには形状安定性が小さすぎる。テフロン溶液
内で膨潤してその体積を、ひいては形状を変える。した
がってテフロン製のエッチング保持部材は繰返し使用す
ることができない。
本発明の課題は、エッチングすべきウエーハに与える
機械的負荷が小さく、ウエーハの縁の完全な保護を保証
し、かつ電気化学的エッチングストップを行う、シリコ
ンウエーハの片面エッチングのための装置を提供するこ
とである。
機械的負荷が小さく、ウエーハの縁の完全な保護を保証
し、かつ電気化学的エッチングストップを行う、シリコ
ンウエーハの片面エッチングのための装置を提供するこ
とである。
この課題は本発明によれば請求項１の特徴によって解
決される。これによれば開いた上方部材を備えたエッチ
ングホルダの形式の保持部材が利用され、２つのＯ−リ
ングを備えており、これらＯ−リング間にウエーハが締
込まれる。Ｏ−リングは、エッチング溶液がカバー側の
Ｏ−リング内にある。エッチングすべきウエーハ面の内
部領域にしか達することができないように配置されてい
る。ウエーハ裏面の舌にある中空間は管またはホースが
接続される孔を介して外気と結合されている。これによ
ってウエーハ下方の過圧の発生は回避される。同時にこ
の孔を通って給電路が電気化学的なエッチングストップ
に必要なウエーハの電気的接触接続のために案内されて
いる。
決される。これによれば開いた上方部材を備えたエッチ
ングホルダの形式の保持部材が利用され、２つのＯ−リ
ングを備えており、これらＯ−リング間にウエーハが締
込まれる。Ｏ−リングは、エッチング溶液がカバー側の
Ｏ−リング内にある。エッチングすべきウエーハ面の内
部領域にしか達することができないように配置されてい
る。ウエーハ裏面の舌にある中空間は管またはホースが
接続される孔を介して外気と結合されている。これによ
ってウエーハ下方の過圧の発生は回避される。同時にこ
の孔を通って給電路が電気化学的なエッチングストップ
に必要なウエーハの電気的接触接続のために案内されて
いる。
発明の利点 本発明による装置は、ウエーハの縁がエッチング溶液
との接触から確実に守られるという利点を有している。
ウエーハを保持したＯ−リングは厳密に重なって配置さ
れているので、ファイバ両面は対称的な保持力を負荷さ
れる。ウエーハは固定がＯ−リングを介してのみ行われ
るために、弾性的に支承される。ウエーハはエッチング
溶液から守られながら裏面から電気的に接触接続され
る。外気との接続によってエッチング溶液が高温でもウ
エーハ裏面の中空間内では過圧は生じない。したがって
装置は最大の破損安全性を与える。提案された材料の良
好な形状安定性はエッチングホルダの繰返し使用を可能
にする。ウエーハの電気的な接触接続は有利にはばねコ
ンタクトによって行われる。
との接触から確実に守られるという利点を有している。
ウエーハを保持したＯ−リングは厳密に重なって配置さ
れているので、ファイバ両面は対称的な保持力を負荷さ
れる。ウエーハは固定がＯ−リングを介してのみ行われ
るために、弾性的に支承される。ウエーハはエッチング
溶液から守られながら裏面から電気的に接触接続され
る。外気との接続によってエッチング溶液が高温でもウ
エーハ裏面の中空間内では過圧は生じない。したがって
装置は最大の破損安全性を与える。提案された材料の良
好な形状安定性はエッチングホルダの繰返し使用を可能
にする。ウエーハの電気的な接触接続は有利にはばねコ
ンタクトによって行われる。
装置の他の有利な構成が請求項２〜19に挙げられた手
段から得られる。
段から得られる。
エッチングホルダをポリビニリデンフルオリド（PVD
F）プラスチックから製作する際には有利にはカバーと
底部にそれぞれみぞが設けられ、このみぞがＯ−リング
を固定する。みぞの容積は、Ｏ−リングがエッチング溶
液との接触によって膨潤するので、ウエーハへの圧力が
一定であるように設計されている。カバーと底部分との
接触領域内には、エッチング溶液が縁領域内に浸入しな
いように安全性を付するために有利には第３のＯ−リン
グが設けられている。ウエーハ裏面の電気的な接触接続
のためにはばねピンが使用されると有利である。
F）プラスチックから製作する際には有利にはカバーと
底部にそれぞれみぞが設けられ、このみぞがＯ−リング
を固定する。みぞの容積は、Ｏ−リングがエッチング溶
液との接触によって膨潤するので、ウエーハへの圧力が
一定であるように設計されている。カバーと底部分との
接触領域内には、エッチング溶液が縁領域内に浸入しな
いように安全性を付するために有利には第３のＯ−リン
グが設けられている。ウエーハ裏面の電気的な接触接続
のためにはばねピンが使用されると有利である。
他の有利な構成ではエッチングホルダは市販のポリプ
ロピレン（PP）搬送ボックスから導き出された。この形
式では仕上げられたエッチングホルダは乳色透明性であ
り、場合によりエッチングホルダに漏れがあった場合こ
れを直ちに外部から認めることができる。このようなPP
製のエッチングホルダは更にきわめて価格上有利であ
る。カバーと底部との間の接触領域内には付加的なシー
ルとして有利にはシリコンペーストが導入されている。
基体内のばね部材はウエーハ裏面の信頼性のある電気的
な接触接続並びにウエーハの迅速な挿入と取出しとを許
す。
ロピレン（PP）搬送ボックスから導き出された。この形
式では仕上げられたエッチングホルダは乳色透明性であ
り、場合によりエッチングホルダに漏れがあった場合こ
れを直ちに外部から認めることができる。このようなPP
製のエッチングホルダは更にきわめて価格上有利であ
る。カバーと底部との間の接触領域内には付加的なシー
ルとして有利にはシリコンペーストが導入されている。
基体内のばね部材はウエーハ裏面の信頼性のある電気的
な接触接続並びにウエーハの迅速な挿入と取出しとを許
す。
本発明の２つの実施例について図面と説明によって詳
説される。
説される。
図面 図１はPVDF製のエッチングホルダの断面図、図2a、図
2bはPP−エッチングホルダの断面図である。
2bはPP−エッチングホルダの断面図である。
説明 図１に示された第１の実施例は主要部材として基体３と
カバー２とを備えている。両部材はプラスチックのPVDF
から製作されている。この材料は高温でも形状安定であ
り、かつエッチングホルダの繰返し使用を許す。カバー
２と基体３とから形成されたエッチングホルダ全体は有
利には円形の形状を有しているが、他の形状も可能であ
る。カバー２と基体３とは互いに適合するような形状に
されている。そのためにはカバー２の縁が内側領域12よ
りも段状に低くなっており、他方基体３の縁は段状に高
くなっている。段は、中にウエーハを入れてエッチング
ホルダを閉じた際にカバー２と基体３の縁領域が面一に
重なるように形成されており、ウエーハ１がその間に締
込まれるＯ−リング7,8はその太さの約20％押圧され
る。内側領域13における凹所ないしは内部領域12におけ
る突出部の直径はこのエッチングホルダがそれ用として
設計されたウエーハ１の直径よりも大きい。基体３は有
利には２つの同心的なみぞ18,19を有し、そのうちの１
つは段状に高くなった縁領域に、他は内側領域13の縁に
形成されている。みぞ18,19内には各１つのＯ−リング
8,9が存在している。内側のＯ−リング８の内部にある
基体表面14は孔４を介して基体外側と接続されており、
孔の径は有利に0.1〜5mmである。
カバー２とを備えている。両部材はプラスチックのPVDF
から製作されている。この材料は高温でも形状安定であ
り、かつエッチングホルダの繰返し使用を許す。カバー
２と基体３とから形成されたエッチングホルダ全体は有
利には円形の形状を有しているが、他の形状も可能であ
る。カバー２と基体３とは互いに適合するような形状に
されている。そのためにはカバー２の縁が内側領域12よ
りも段状に低くなっており、他方基体３の縁は段状に高
くなっている。段は、中にウエーハを入れてエッチング
ホルダを閉じた際にカバー２と基体３の縁領域が面一に
重なるように形成されており、ウエーハ１がその間に締
込まれるＯ−リング7,8はその太さの約20％押圧され
る。内側領域13における凹所ないしは内部領域12におけ
る突出部の直径はこのエッチングホルダがそれ用として
設計されたウエーハ１の直径よりも大きい。基体３は有
利には２つの同心的なみぞ18,19を有し、そのうちの１
つは段状に高くなった縁領域に、他は内側領域13の縁に
形成されている。みぞ18,19内には各１つのＯ−リング
8,9が存在している。内側のＯ−リング８の内部にある
基体表面14は孔４を介して基体外側と接続されており、
孔の径は有利に0.1〜5mmである。
基体外側の孔４の出口には直接小管６またはホースが
接続されており、小管は孔４を延長している。孔４を通
して１つには周囲と、ウエーハ１、Ｏ−リング８、基体
表面14によって包囲された空間との間の圧力補償が行わ
れる。もう１つにはウエーハ１の電気的な接触接続のた
めに必要な線材10がこの孔４を通って外部へ導かれてい
る。孔４は有利には直角に基体の内面から狭幅の側方の
外面へ延びている。この直角のガイドによりエッチング
ホルダは都合良く鉛直にエッチング溶液内へ導入するこ
とができる。孔４はこのために出口において引続く直線
形の小管６またはホースの形で延長せしめられており、
小管はエッチング溶液から突出している。孔４の他の案
内ももちろん等価である。内側の基体表面14上で孔４を
通って案内された線材10の端部にばねコンタクト11が取
付けられており、ばねコンタクトはウエーハ１の確実
な、電気的な接触接続を保証する。
接続されており、小管は孔４を延長している。孔４を通
して１つには周囲と、ウエーハ１、Ｏ−リング８、基体
表面14によって包囲された空間との間の圧力補償が行わ
れる。もう１つにはウエーハ１の電気的な接触接続のた
めに必要な線材10がこの孔４を通って外部へ導かれてい
る。孔４は有利には直角に基体の内面から狭幅の側方の
外面へ延びている。この直角のガイドによりエッチング
ホルダは都合良く鉛直にエッチング溶液内へ導入するこ
とができる。孔４はこのために出口において引続く直線
形の小管６またはホースの形で延長せしめられており、
小管はエッチング溶液から突出している。孔４の他の案
内ももちろん等価である。内側の基体表面14上で孔４を
通って案内された線材10の端部にばねコンタクト11が取
付けられており、ばねコンタクトはウエーハ１の確実
な、電気的な接触接続を保証する。
エッチングホルダのカバー２は縁よりも高くされた内
側領域12内にみぞ17を有し、みぞはエッチングホルダが
閉じられたときにこれが正確に基体の内側のみぞ18の上
方に位置するように構成されている。みぞにはもう１つ
のＯ−リングが配置されている。
側領域12内にみぞ17を有し、みぞはエッチングホルダが
閉じられたときにこれが正確に基体の内側のみぞ18の上
方に位置するように構成されている。みぞにはもう１つ
のＯ−リングが配置されている。
基体３内の外側のＯ−リング９およびカバー２内に配
置されたＯ−リング７がエッチング過程の間それぞれ側
方からエッチング溶液に曝露され、このためにＯ−リン
グは僅かに膨潤する。このことはＯ−リング７と８との
間に締込まれたウエーハに対する圧力を高めることがあ
る。したがってＯ−リング７〜９を固定するみぞ17〜19
の形状は、膨潤によるＯ−リング７〜９の体積増大がみ
ぞ17〜19によって受止められ、かつこれによってウエー
ハ１に対する圧力がいつもほぼ一定にあるように構成さ
れていると有利である。
置されたＯ−リング７がエッチング過程の間それぞれ側
方からエッチング溶液に曝露され、このためにＯ−リン
グは僅かに膨潤する。このことはＯ−リング７と８との
間に締込まれたウエーハに対する圧力を高めることがあ
る。したがってＯ−リング７〜９を固定するみぞ17〜19
の形状は、膨潤によるＯ−リング７〜９の体積増大がみ
ぞ17〜19によって受止められ、かつこれによってウエー
ハ１に対する圧力がいつもほぼ一定にあるように構成さ
れていると有利である。
エッチングホルダのカバー２と基体３とはねじ用にカ
バーおよび基体の縁に形成された孔15に差込まれたねじ
によって一緒に保持されている。あるいはカバーと基体
の結合は迅速締付け閉鎖部材によって行うこともでき
る。この場合にはカバー上面および基体下面に迅速締付
けクリップを固定するための手段が講じられなければな
らない。エッチングホルダ部材が一緒に押圧される圧力
は、カバー２と基体３の段状の縁がしっかりと上下に重
なり、このときに外部から見ることができるＯ−リング
7,9が殆ど完全にみぞ17もしくは19内に押込まれるよう
な程度に選択すべきである。
バーおよび基体の縁に形成された孔15に差込まれたねじ
によって一緒に保持されている。あるいはカバーと基体
の結合は迅速締付け閉鎖部材によって行うこともでき
る。この場合にはカバー上面および基体下面に迅速締付
けクリップを固定するための手段が講じられなければな
らない。エッチングホルダ部材が一緒に押圧される圧力
は、カバー２と基体３の段状の縁がしっかりと上下に重
なり、このときに外部から見ることができるＯ−リング
7,9が殆ど完全にみぞ17もしくは19内に押込まれるよう
な程度に選択すべきである。
エッチングホルダ使用のためにはウエーハ１は基体３
の、これに配置された内側のＯ−リング８内に入れられ
る。保護すべき側面は基体表面14に向く。引続きカバー
２が載せられ、かつねじ締めにより基体３と結合され
る。閉鎖されたエッチングホルダは任意の形式でエッチ
ング溶液に曝される。特にエッチング過程の時間と温度
とは任意に選択される。それというのも圧力補償用の孔
４によってウエーハ１の下方に得られる中空間内に過圧
が、したがって破損の危険が生じ得ないからである。
の、これに配置された内側のＯ−リング８内に入れられ
る。保護すべき側面は基体表面14に向く。引続きカバー
２が載せられ、かつねじ締めにより基体３と結合され
る。閉鎖されたエッチングホルダは任意の形式でエッチ
ング溶液に曝される。特にエッチング過程の時間と温度
とは任意に選択される。それというのも圧力補償用の孔
４によってウエーハ１の下方に得られる中空間内に過圧
が、したがって破損の危険が生じ得ないからである。
第２の実施例が図2a、図2bに示されている。第１の実
施例と一致する部材には同一の符号が付せられている。
施例と一致する部材には同一の符号が付せられている。
図2aに示された実施例は主要部材としてカバー22と基
体23並びに２つのプレスリング44を備えている。基体23
は例えばフィルマ・フルオロウエア（Fa.FLUOROWARE）
で得られるような市販のウエーハ搬送ボックスの下方部
材である。このエッチングホルダはポリプロピレン（P
P）、すなわち高いエッチング温度においても良好な形
状安定性を有し、かつきわめて値ごろである材料から製
作されている。基体23の軽く、湾曲した底部内には中央
にルーズに挿入されたＯ−リング28並びにこのＯ−リン
グ28の内側に配置された十字形のばね部材41とが存在
し、Ｏ−リング28の直径はエッチングホルダの直径の約
4/5であり、ばね部材41は同様に市販されている。ばね
部材41の４つのばね弾性的な舌片42の１つは厚さ約0.05
mmの導電性の薄板43で覆われている。ばね部材41は一方
で閉じられたエッチングホルダにおいてエッチングされ
るウエーハ１を中央領域で安定化し、他方で薄板で覆わ
れた舌片42はウエーハ裏面の電気的接触接続に用いられ
る。ばね部材は基体３と固定的に結合されるか、または
ルーズに挿入することができる。後者の場合にはばね部
材41のための支承部材（例えばリング29の形状）が設け
られていると有利である。金属の薄板43にはプラチナ製
の線材10がろう付けされており、線材は基体23の底部に
設けられた孔４を通って基体から導き出されている。底
部の外側で孔４にはエッチング溶液から突出した小管６
ないしはホース等が密に接続されており、接触接続のた
めの線材10がこの小管内を案内されてエッチング溶液か
ら引き出されている。カバー22は搬送ボックスの、基準
にしたがって基体23に属した上方部材を基に導き出され
た上方部材内に円形の開口25が旋削されており、ここを
通ってエッチング溶液が入ることができる。開口の直径
はエッチングホルダ全体の直径の有利には60〜70％であ
り、エッチングホルダが４−ツオル−ウエーハ（Vier−
Zoll−Wafer）用の場合には例えば70〜80mmである。
体23並びに２つのプレスリング44を備えている。基体23
は例えばフィルマ・フルオロウエア（Fa.FLUOROWARE）
で得られるような市販のウエーハ搬送ボックスの下方部
材である。このエッチングホルダはポリプロピレン（P
P）、すなわち高いエッチング温度においても良好な形
状安定性を有し、かつきわめて値ごろである材料から製
作されている。基体23の軽く、湾曲した底部内には中央
にルーズに挿入されたＯ−リング28並びにこのＯ−リン
グ28の内側に配置された十字形のばね部材41とが存在
し、Ｏ−リング28の直径はエッチングホルダの直径の約
4/5であり、ばね部材41は同様に市販されている。ばね
部材41の４つのばね弾性的な舌片42の１つは厚さ約0.05
mmの導電性の薄板43で覆われている。ばね部材41は一方
で閉じられたエッチングホルダにおいてエッチングされ
るウエーハ１を中央領域で安定化し、他方で薄板で覆わ
れた舌片42はウエーハ裏面の電気的接触接続に用いられ
る。ばね部材は基体３と固定的に結合されるか、または
ルーズに挿入することができる。後者の場合にはばね部
材41のための支承部材（例えばリング29の形状）が設け
られていると有利である。金属の薄板43にはプラチナ製
の線材10がろう付けされており、線材は基体23の底部に
設けられた孔４を通って基体から導き出されている。底
部の外側で孔４にはエッチング溶液から突出した小管６
ないしはホース等が密に接続されており、接触接続のた
めの線材10がこの小管内を案内されてエッチング溶液か
ら引き出されている。カバー22は搬送ボックスの、基準
にしたがって基体23に属した上方部材を基に導き出され
た上方部材内に円形の開口25が旋削されており、ここを
通ってエッチング溶液が入ることができる。開口の直径
はエッチングホルダ全体の直径の有利には60〜70％であ
り、エッチングホルダが４−ツオル−ウエーハ（Vier−
Zoll−Wafer）用の場合には例えば70〜80mmである。
このエッチングホルダを使用するには、ウエーハ１が
エッチングする面を上に向けて基体23のこれに配置され
たＯ−リング28上に置かれる。下面から軽くウエーハ裏
面を押すばね部材41（これは例えば十字形ばねである）
によってウエーハの電気的な接触接続が行われる。ウエ
ーハの上を向いた面の上に第２のＯ−リング27が置か
れ、Ｏ−リングは同心的に整列せしめられる。この第２
のＯ−リング27は基体23内に配置されたものと等しい直
径を有している。両Ｏ−リング27,28の横断面は、閉じ
られた状態のエッチングホルダで両Ｏ−リング27,28間
に締込まれたウエーハ１が、固定的に、スリップしない
ように支承されるように設計されている。Ｏ−リング2
7,28の軽い膨潤はウエーハ１への押圧力を変えることは
ない。引続きカバー22が基体23の上に載せられ、この場
合シール性を改善するためにカバー22と基体23とのシー
ル面37上にペースト状のシリコンが塗られる。良好なシ
ールを達成するための他の方法は、基体23とカバー22と
の間のシール面37を円錐形に構成することでありこれに
より一緒に押圧することによってこれらはしっかりと重
なり合う。
エッチングする面を上に向けて基体23のこれに配置され
たＯ−リング28上に置かれる。下面から軽くウエーハ裏
面を押すばね部材41（これは例えば十字形ばねである）
によってウエーハの電気的な接触接続が行われる。ウエ
ーハの上を向いた面の上に第２のＯ−リング27が置か
れ、Ｏ−リングは同心的に整列せしめられる。この第２
のＯ−リング27は基体23内に配置されたものと等しい直
径を有している。両Ｏ−リング27,28の横断面は、閉じ
られた状態のエッチングホルダで両Ｏ−リング27,28間
に締込まれたウエーハ１が、固定的に、スリップしない
ように支承されるように設計されている。Ｏ−リング2
7,28の軽い膨潤はウエーハ１への押圧力を変えることは
ない。引続きカバー22が基体23の上に載せられ、この場
合シール性を改善するためにカバー22と基体23とのシー
ル面37上にペースト状のシリコンが塗られる。良好なシ
ールを達成するための他の方法は、基体23とカバー22と
の間のシール面37を円錐形に構成することでありこれに
より一緒に押圧することによってこれらはしっかりと重
なり合う。
エッチングホルダのカバー22と基体23との外部からの
保持は図2bに示されているようにクリップ閉鎖部材の形
の迅速締付け閉鎖部材45によって行われる。迅速締付け
閉鎖部材は有利にはプレスリング44の１つを固定的に結
合され、かつ他方には適当な装置によって固定される。
保持は図2bに示されているようにクリップ閉鎖部材の形
の迅速締付け閉鎖部材45によって行われる。迅速締付け
閉鎖部材は有利にはプレスリング44の１つを固定的に結
合され、かつ他方には適当な装置によって固定される。
あるいはカバー22と基体23から成るエッチングボック
スは、耐酸性の材料、例えば硬質プラスチック製の２つ
のプレスリング44によって、これらプレスリング44間に
締込まれることによって一緒に保持される。プレスリン
グ44自体はねじによって互いに押しつけられている。こ
の場合にはプレスリングはねじを差込むための孔を有し
ている。
スは、耐酸性の材料、例えば硬質プラスチック製の２つ
のプレスリング44によって、これらプレスリング44間に
締込まれることによって一緒に保持される。プレスリン
グ44自体はねじによって互いに押しつけられている。こ
の場合にはプレスリングはねじを差込むための孔を有し
ている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィルマン，マルティン ドイツ連邦共和国 Ｄ―7410 ロイトリ ンゲン アーヘナー シュトラーセ 146 (72)発明者 フィンドラー，ギュンター ドイツ連邦共和国 Ｄ―7000 シュツッ トガルト 80 ザールラントシュトラー セ 20 (56)参考文献 特開 昭60−9129（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−143426（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−70336（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−130434（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306 H01L 21/304 648
Claims (19)
- 【請求項１】エッチングホルダの形式の、半導体ディス
ク（ウエーハ）を片面エッチングするための装置におい
て、槽状の基体（3,23）が設けられており、基体（３、
23）に密に嵌合するカバー（2,22）が設けられており、
カバーが上側にエッチング液が通過するための開口（5,
25）を有しており、少なくとも２つの上下に配置された
Ｏ−リング（7,8、27、28）が設けられており、これら
Ｏ−リング間にエッチングすべきウエーハ（１）が締込
まれており、これらのＯ−リングの１つ（8,28）が基体
（3,23）内に同心的に、他（7,27）がカバー（2,22）内
に同心的に配置されており、かつ基体（3,23）を通って
延びる孔（４）が設けられており、孔がＯ−リング（8,
28）の内部にある基体表面（14）を基体外側へ連通して
おり、かつウエーハ（１）の電気的な接触接続のための
電気的なばねコンタクト（11）と結合された線材（10）
が孔を通ってエッチングホルダから導き出されているこ
とを特徴とする、半導体ディスクを片面エッチングする
ための装置。 - 【請求項２】少なくとも２つのＯ−リング（7,8,27,2
8）が同じ直径を有している、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】孔（４）の出口に小管（６）、ホースまた
はその類似物が接続しており、これが孔を延長し、かつ
エッチング溶液から導き出されている、請求項１記載の
装置。 - 【請求項４】小管（６）ないしはホースがポリプロピレ
ン（PP）またはポリビニリデンフルオリド（PVDF）−プ
ラスチックから製作されている、請求項３記載の装置。 - 【請求項５】カバー（２）および基体（３）がPVDF−プ
ラスチックから製作されている、請求項１記載の装置。 - 【請求項６】カバー下面の内側領域（12）が段状に高く
なっており、基体上面の内側領域（13）が段状に低く構
成されており、かつ段部が同じ直径を有している、請求
項１から５までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項７】カバー（２）および基体（３）がみぞ（1
7）ないしは（18）を有しており、Ｏ−リング（７）な
いしは（８）がこのみぞ内に配置されて突出している、
請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項８】基体（３）が内側領域（13）よりも高くさ
れた縁にもう１つのみぞ（19）を有し、みぞ内にもう１
つのＯ−リング（９）が配置されている、請求項１から
７までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項９】カバー（２）が内側領域（12）よりも低く
された縁にもう１つのみぞを有し、みぞ内にもう１つの
Ｏ−リング（７）が配置されている、請求項１から８ま
でのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１０】閉じられた状態のエッチングホルダにお
いてカバー（２）および基体（３）の縁領域がカバー
（２）と基体（３）との間にあるＯ−リング（7,8,9）
に対する所定の押圧力を及ぼしながら面一に重なり合っ
ている、請求項１から９までのいずれか１項記載の装
置。 - 【請求項１１】ばねコンタクト（11）が孔（４）から突
出したばねピンとして構成されている、請求項１記載の
装置。 - 【請求項１２】みぞ（17〜19）が、これらが膨潤および
（または）プレスにより変化したＯ−リング（７〜９）
の体積を受止めることができ、かつＯ−リング（７〜
９）を介して伝達された押圧力がほぼ一定であるように
構成されている、請求項１から11までのいずれか１項記
載の装置。 - 【請求項１３】エッチングホルダのカバー（22）および
基体（23）がポリプロピレンから製作されている、請求
項１記載の装置。 - 【請求項１４】Ｏ−リング（28）が基体（23）内にルー
ズに位置している、請求項１または13記載の装置。 - 【請求項１５】カバー側のＯ−リング（27）がカバー
（22）とウエーハ上面との間にルーズに位置している、
請求項１または13記載の装置。 - 【請求項１６】基体（23）内に十字形ばね（41）が配置
されており、十字形ばねがウエーハ（１）を支持してい
る、請求項１から15までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１７】十字形ばね（41）の舌片（42）の少なく
とも１つが導電性の材料から製作されているかまたは導
電性の材料で覆われている、請求項15記載の装置。 - 【請求項１８】ウエーハ（１）の電気的な接触接続のた
めの線材（10）が十字形ばね（41）の舌片（42）と結合
されている、請求項16記載の装置。 - 【請求項１９】線材および（または）十字形ばね（41）
の舌片（42）の導電性の被覆（43）がプラチナ製であ
る、請求項16記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4024576.4 | 1990-08-02 | ||
| DE4024576A DE4024576A1 (de) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05509200A JPH05509200A (ja) | 1993-12-16 |
| JP3188453B2 true JP3188453B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=6411535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51104191A Expired - Lifetime JP3188453B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-02 | 半導体ディスクを片面エッチングするための装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5324410A (ja) |
| EP (1) | EP0541571B1 (ja) |
| JP (1) | JP3188453B2 (ja) |
| DE (2) | DE4024576A1 (ja) |
| WO (1) | WO1992002948A1 (ja) |
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| JP3417008B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2003-06-16 | 株式会社デンソー | 半導体ウエハのエッチング方法 |
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| US5762751A (en) * | 1995-08-17 | 1998-06-09 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor with wafer face protection |
| US6746565B1 (en) | 1995-08-17 | 2004-06-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor with wafer face protection |
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- 1991-07-02 JP JP51104191A patent/JP3188453B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-02 US US07/969,235 patent/US5324410A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-02 DE DE59103186T patent/DE59103186D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-02 WO PCT/DE1991/000545 patent/WO1992002948A1/de active IP Right Grant
- 1991-07-02 EP EP91911963A patent/EP0541571B1/de not_active Expired - Lifetime
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