CN110459662B - 发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法 - Google Patents
发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110459662B CN110459662B CN201910541948.0A CN201910541948A CN110459662B CN 110459662 B CN110459662 B CN 110459662B CN 201910541948 A CN201910541948 A CN 201910541948A CN 110459662 B CN110459662 B CN 110459662B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitting diode
- epitaxial wafer
- light
- ring
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims abstract description 26
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 claims abstract description 19
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 62
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 54
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 24
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 17
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法，属于发光二极管领域。蒸镀治具包括：支撑筒和压盖，支撑筒为两端敞口的圆筒，支撑筒的第一端的内周壁设有第一圆环，支撑筒在第一圆环处的横截面位于第一圆环所在平面内，第一圆环的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合，支撑筒的第二端的外周壁设有第二圆环，支撑筒在第二圆环处的横截面位于第二圆环所在平面内，第二圆环用于与蒸镀设备的镀锅边缘接触以将支撑筒套装于镀锅，压盖包括筒体和固定于筒体的盖体，筒体用于套装在支撑筒内、并将发光二极管外延片压紧在第一圆环上，盖体覆盖在筒体的一个敞口端上，盖体的外边缘用于与第二圆环接触。
Description
技术领域
本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)领域，特别涉及一种LED外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法。
背景技术
LED是一种半导体固体发光器件，一般是将一块电致发光的半导体材料芯片置于一个有引线的支架上，然后进行固晶、打线连接和封装等工序形成。其中，固晶又称为装片，具体是通过胶体(对于LED来说一般是导电胶或绝缘胶)把芯片粘结在支架的指定区域，并烘烤形成热通路或电通路，为后序的打线连接提供条件的工序。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：LED芯片的贵金属电极，例如金电极，在固晶烘烤时，会出现不同程度的胶气污染，从而影响其焊线，导致焊线不良或参数异常等问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法，能够减小金电极在固晶烘烤时所出现的不同程度的胶气污染。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种发光二极管外延片的蒸镀治具，所述蒸镀治具包括支撑筒和压盖，所述支撑筒为两端敞口的圆筒，所述支撑筒的第一端的内周壁设有第一圆环，所述支撑筒在所述第一圆环处的横截面位于所述第一圆环所在平面内，所述第一圆环的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合，所述支撑筒的第二端的外周壁设有第二圆环，所述支撑筒在所述第二圆环处的横截面位于所述第二圆环所在平面内，所述第二圆环用于与蒸镀设备的镀锅边缘接触以将所述支撑筒套装于所述镀锅，所述压盖包括筒体和固定于所述筒体的盖体，所述筒体用于套装在所述支撑筒内、并将所述发光二极管外延片压紧在所述第一圆环上，所述盖体覆盖在所述筒体的一个敞口端上，所述盖体的外边缘用于与所述第二圆环接触，所述发光二极管外延片的非蒸镀区域形成有金电极。
可选地，所述第一圆环的内周壁设有平台，所述平台与所述发光二极管外延片的缺口相配合。
可选地，所述支撑筒的内壁沿长度方向设有平面，所述平面与所述发光二极管外延片的缺口相抵。
可选地，所述筒体包括相连的弧面段和平面段，所述平面与所述筒体的平面段相配合，所述支撑筒的内壁中除所述平面外的位置与所述筒体的弧面段相配合。
可选地，所述第一圆环的内周壁设有多个爪。
可选地，所述蒸镀治具还包括一对弹片压紧机构，所述弹片压紧机构相对于所述盖体对称布置，所述弹片压紧机构包括螺丝、弹簧和弹片，所述螺丝的螺杆端固定于所述镀锅，所述弹片的一端套设于所述螺杆上，所述弹簧套设于所述螺杆并位于所述螺丝的头端与所述弹片的一端之间，所述弹簧呈压缩状态，所述弹片的另一端用于与所述盖体接触并在所述弹簧的作用下压紧所述盖体。
第二方面，提供了一种发光二极管外延片的蒸镀方法，所述方法包括：
将所述发光二极管外延片放置到蒸镀治具中，所述蒸镀治具为前述蒸镀治具，所述发光二极管外延片位于所述第一圆环上，所述筒体与所述发光二极管外延片接触，所述发光二极管外延片的待蒸镀面露出于所述第一圆环的开口，所述发光二极管外延片的电极所在面位于所述待蒸镀面的背面，所述电极所在面位于所述发光二极管外延片、所述第一圆环与所述压盖形成的密闭空间；
将所述蒸镀治具放置到蒸镀设备的镀锅中，并启动蒸镀设备，以在所述待蒸镀面上蒸镀分布式布拉格反射镜膜层。
第三方面，提供了一种发光二极管芯片的固晶方法，所述方法包括：
提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片由发光二极管外延片裂片形成，所述发光二极管外延片包括分布式布拉格反射镜膜层，所述分布式布拉格反射镜膜层由前述蒸镀方法制得；
对所述发光二极管芯片进行固晶烘烤。
可选地，在对所述发光二极管芯片进行固晶烘烤之前，所述方法还包括：
从提供的发光二极管芯片中选取目标数量的芯片作为测试芯片；
将所述测试芯片放置到耐高温玻璃板上，并在所述测试芯片的四周涂上固晶胶；
对所述耐高温玻璃板上的测试芯片进行烘烤；
检验完成烘烤的测试芯片的胶气烘烤污染情况；
当所述完成烘烤的测试芯片的胶气烘烤污染情况符合目标情况时，对提供的发光二极管芯片中除所述测试芯片之外的发光二极管芯片进行固晶烘烤。
可选地，所述对所述发光二极管芯片进行固晶烘烤，包括：
提供支架；
通过所述固晶胶将所述芯片粘结在所述支架的指定区域；
对所述芯片进行烘烤，以形成热通路或电通路。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过第一圆环支撑LED外延片，第一圆环的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合，这样，在蒸镀时，第一圆环将遮挡制品的非蒸镀区域，使其蒸镀面与第一圆环完全闭合，以达到蒸镀中的等离子体不会通过蒸镀面与支撑筒的缝隙到达制品正面；通过盖体的外边缘与第二圆环接触，使支撑筒与压盖筒体之间的间隙被盖体和第二圆环遮挡，更有效的减少等离子体接触制品正面，从而减少金电极表面被氧化的风险，当金电极的氧化减少时，能够减少因为金电极的氧化所导致的在芯片固晶烘烤时发生的胶气污染情况，提升产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的支撑筒的结构示意图；
图2是图1的A-A剖视图；
图3-图5是本发明实施例提供的支撑筒的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的压盖的结构示意图；
图7是图6的B-B剖视图；
图8-图10是本发明实施例提供的压盖的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的弹片压紧机构的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的蒸镀方法的流程图；
图13是本发明实施例提供的一种发光二极管芯片的固晶方法的流程图。
附图中，1支撑筒、1a平面、11第一圆环、12第二圆环、13平台、15爪、2压盖、21筒体、22盖体、22a平边标记、22b提取部、31螺丝、32弹簧、33弹片、33a固定段、33b拱形段、33c压紧段、33d凸块。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
为了解决LED芯片的贵金属电极，例如金电极，在固晶烘烤时，出现不同程度的胶气污染的问题，发明人经过研究发现，在LED外延片生产过程中，为达到制品(目标外延片)的亮度需求，减薄工序后会进行蒸镀DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)膜层。蒸镀DBR膜层使用的治具为爪支撑筒，同时会使用压盖为防止制品在蒸镀过程中掉落。传统的支撑筒设计是仅有爪突出，制品放在爪支撑筒上，制品与支撑筒之间存在间隙，蒸镀中的等离子体通过间隙到达制品正面，造成金电极表面被氧化，氧化的金电极在芯片固晶烘烤时产生胶气污染。对此，本发明实施例提供一种发光二极管外延片的蒸镀治具，使外延片在蒸镀过程中极少的接触腔体环境，避免金电极芯片表面被氧化，从而在芯片固晶烘烤时可减少胶气污染。
其中，该蒸镀治具包括支撑筒和压盖。图1-图5为支撑筒的结构示意图(图2为图1的A-A剖视图)，图6-图10为压盖的结构示意图(图7为图6的B-B剖视图)。
参见图1-图5，支撑筒1为两端敞口的圆筒，支撑筒1的第一端的内周壁设有第一圆环11，支撑筒1在第一圆环11处的横截面位于第一圆环11所在平面内，第一圆环11的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合。支撑筒1的第二端的外周壁设有第二圆环12，支撑筒1在第二圆环12处的横截面位于第二圆环12所在平面内，第二圆环12用于与蒸镀设备的镀锅边缘接触以将支撑筒1套装于镀锅。
参见图6-图10，压盖2包括筒体21和固定于筒体21的盖体22，筒体21用于套装在支撑筒1内、并将发光二极管外延片压紧在第一圆环11上，盖体22覆盖在筒体21的一个敞口端上，盖体22的外边缘用于与第二圆环12接触。
示例性地，第一圆环11的内周壁设有平台13，平台13与发光二极管外延片的缺口相配合。其中，第一圆环11的横截面与平台13的横截面位于同一平面。发光二极管外延片放置在第一圆环11上时，其缺口与平台13接触。
相应地，支撑筒1的内壁沿支撑筒1的长度方向设有平面1a，平面1a与发光二极管外延片的缺口相抵。这样，可以将外延片限制在支撑筒1的内壁之间，避免外延片发生移动与支撑筒1的外壁发生碰撞并损伤。
相应地，筒体21包括相连的弧面段和平面段，上述支撑筒1的内壁中平面1a与筒体21的平面段相配合，支撑筒1的内壁中除平面1a外的位置与筒体21的弧面段相配合。这样，筒体21的外壁与支撑筒1的内壁紧紧贴合，使得筒体21内的空间更加密闭。
示例性地，盖体22上设有平边标记22a，平边标记22a与筒体21的平面段相对。平边标记22a用于在将压盖2放置至外延片上时，可以指示筒体21的平面段的位置，方便将平面段与外延片的缺口相配合放置。
示例性地，第一圆环11的内周壁设有多个爪15。例如8个爪，8个爪可以均匀地设置在第一圆环11的内周壁上。爪的设计利于外延片稳定地固定在第一圆环11上。
示例性地，筒体21用于与发光二极管外延片接触的端面为倒角设计的面。这样，能够避免筒体21在接触外延片时对外延片造成损失。
示例性地，盖体22的中心位置设有提取部22b。提取部22b用于方便提取盖体22。
示例性地，蒸镀治具还包括一对弹片压紧机构，这对弹片压紧机构相对于盖体22对称布置。参见图11，弹片压紧机构包括螺丝31、弹簧32和弹片33。螺丝31的螺杆端固定于镀锅，弹片33的一端套设于螺丝31的螺杆上，弹簧32套设于螺杆并位于螺丝31的头端与弹片33的一端之间，弹簧32呈压缩状态，弹片33的另一端用于与盖体22接触并在弹簧32的作用下压紧盖体22。这样，通过弹片压紧机构，可以进一步压紧压盖，使其与支撑筒更紧闭。
示例性地，弹片33包括顺次相连的固定段33a、拱形段33b和压紧段33c，固定段33a套设在螺丝31的螺杆上，拱形段33b的拱形开口与盖体22相对，压紧段33c与盖体22接触。通过拱形段33b的连接，固定段33a的长度方向与压紧段33c的长度方向具有一定角度，这样，相对于固定段33a的长度方向，压紧段33c是倾斜的，压紧段33c距离拱形段33b较远的一端向盖体22弯折，能够在固定段33a的水平位置低于盖体22的水平位置时，压紧段33c的水平位置得到提高并位于盖体22的水平位置上并压紧盖体22。
其中，弹片压紧机构向盖体22提供的压紧力可以通过拧螺丝31以改变弹簧32的长度进行调节。弹簧32的长度越短，其压缩越强，向弹片33施加的力越大，压紧力越大；弹簧32的长度越长，其压缩越弱，向弹片33施加的力越小，压紧力越小。
为了更好地将弹片33与盖体22相连，压紧段33c上设有凸块33d，相应地，盖体22上设有凹槽，凸块33d用于卡设在相应的凹槽中。
需要说明的是，前述镀锅内可以设有多个蒸镀槽，一个蒸镀槽用于放置一片外延片进行蒸镀。其中，第二圆环12用于与蒸镀槽的边缘接触以将支撑筒1套装于蒸镀槽。蒸镀槽的外壁上设有一对相对称的螺孔，一对弹片压紧机构中的螺杆分别安装于螺孔中。
支撑筒1、第一圆环11、第二圆环12、平台13、以及爪15可以为一体成型，支撑筒1外侧的直径为卡在镀锅上的直径，与镀锅上预留直径一致。爪15的设计，是为了让制品更好的放置在第一圆环11上，同时通过第一圆环11遮挡非蒸镀面，以达到更好的密闭效果。
压盖2可以为一体成型，这样能够更好的维持压盖2的密封性。筒体21外侧的直径与支撑筒1的内径保持一致，此直径差为压在制品上的范围。利用筒体21外侧的直径大小，可控制压盖2与支撑筒1之间的间隙大小，从而控制电极所在面的遮挡情况。
以下结合一个具体例子说明压盖2及配套的支撑筒1的尺寸设置。
目前LED外延片为4寸芯片(直径约为100mm)，支撑筒1的内侧直径设计为100.4±0.05mm，平台13的宽度为30mm，在保证密闭性的同时，较大的保证有效固定管芯(外延片)，将第一圆环11的宽度控制在0.7±0.05mm，爪15设计为半径2.5mm，支撑筒1与镀锅接触高度为4mm，第二圆环12的高度为3mm。压盖2中经与支撑筒1内侧直径一致，内壁厚度即为压在制品(外延片)的距离，此距离在保证密闭性的同时，可尽量缩小，利用倒角，将最终压在制品的距离为0.7mm。
将支撑筒1放在镀锅(蒸镀槽)上，通过支撑筒1外侧的直径卡控与镀锅的孔径保持一致，保证支撑筒1不会过于松动，随后放入制品，盖上相对应的压盖2，压盖2与支撑筒1无缝隙后加上弹片，进行蒸镀。
本发明实施例中，通过第一圆环支撑LED外延片，第一圆环的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合，这样，在蒸镀时，第一圆环将遮挡制品的非蒸镀区域，使其蒸镀面与第一圆环完全闭合，以达到蒸镀中的等离子体不会通过蒸镀面与支撑筒的缝隙到达制品正面；通过盖体的外边缘与第二圆环接触，使支撑筒与压盖筒体之间的间隙被盖体和第二圆环遮挡，更有效的减少等离子体接触制品正面，从而减少金电极表面被氧化的风险，当金电极的氧化减少时，能够减少因为金电极的氧化所导致的在芯片固晶烘烤时发生的胶气污染情况。
图12示出了本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的蒸镀方法，参见图12，该方法包括如下步骤。
步骤101、将发光二极管外延片放置到蒸镀治具中。
其中，蒸镀治具为图1-图10示出的蒸镀治具。发光二极管外延片位于第一圆环上，筒体与发光二极管外延片接触，发光二极管外延片的待蒸镀面露出于第一圆环的开口，发光二极管外延片的电极所在面位于待蒸镀面的背面，电极所在面位于发光二极管外延片、第一圆环与压盖形成的密闭空间。
步骤102、将蒸镀治具放置到蒸镀设备的镀锅中，并启动蒸镀设备，以在待蒸镀面上蒸镀DBR膜层。
本发明实施例通过使用压盖与支撑筒进行蒸镀背面的DBR膜层，利用其完全密闭的设计，避免蒸镀过程中等离子体等其他问题氧化金电极表面，从而避免金电极在固晶过程中出现胶气污染。
图13示出了本发明实施例提供的一种发光二极管芯片的固晶方法，参见图13，该方法包括如下步骤。
步骤201、提供发光二极管芯片。
其中，发光二极管芯片由发光二极管外延片裂片形成，发光二极管外延片包括DBR膜层，DBR膜层由图12示出的蒸镀方法制得。
步骤202、对发光二极管芯片进行固晶烘烤。
步骤201中，提供的发光二极管芯片可以是同一外延片分裂得到(同run)或同操作(相同的外延片生长方法，包括采用图11示出的蒸镀方法进行蒸镀DBR膜层)的制品。示例性地，在提供发光二极管芯片之后，步骤201还可以包括如下步骤。
第一步、从提供的发光二极管芯片中选取目标数量的芯片作为测试芯片。
第二步、将测试芯片放置到耐高温玻璃板上，并在测试芯片的四周涂上固晶胶。
第三步、对耐高温玻璃板上的测试芯片进行烘烤。
烘烤的温度可以与步骤202中烘烤的温度一致。
第四步、检验完成烘烤的测试芯片的胶气烘烤污染情况。
其中，当完成烘烤的测试芯片的胶气烘烤污染情况符合目标情况时，执行步骤202(对提供的发光二极管芯片中除测试芯片之外的发光二极管芯片进行固晶烘烤)。目标情况可以是金属电极未出现胶气烘烤污染。需要说明的是，步骤201中测试完合格后，其测试使用的芯片无法继续利用需报废处理，此测试芯片仅为监控作用。当测试芯片未出现胶气烘烤污染，默认同一外延片分裂得到(同run)或同操作的制品无此污染，可正常进行步骤202示出的固晶烘烤封装。
示例性地，步骤202可以包括如下步骤。
首先、提供支架。
其次、通过固晶胶将芯片粘结在支架的指定区域。
然后、对芯片进行烘烤，以形成热通路或电通路。
本发明实施例通过使用压盖与支撑筒进行蒸镀背面的DBR膜层，利用其完全密闭的设计，避免蒸镀过程中等离子体等其他问题氧化金电极表面，从而避免金电极在固晶过程中出现胶气污染。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片的蒸镀治具，其特征在于，所述蒸镀治具包括支撑筒(1)和压盖(2)，所述支撑筒(1)为两端敞口的圆筒，所述支撑筒(1)的第一端的内周壁设有第一圆环(11)，所述支撑筒(1)在所述第一圆环(11)处的横截面位于所述第一圆环(11)所在平面(1a)内，所述第一圆环(11)的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合，所述支撑筒(1)的第二端的外周壁设有第二圆环(12)，所述支撑筒(1)在所述第二圆环(12)处的横截面位于所述第二圆环(12)所在平面(1a)内，所述第二圆环(12)用于与蒸镀设备的镀锅边缘接触以将所述支撑筒(1)套装于所述镀锅，所述压盖(2)包括筒体(21)和固定于所述筒体(21)的盖体(22)，所述筒体(21)用于套装在所述支撑筒(1)内、并将所述发光二极管外延片压紧在所述第一圆环(11)上，所述盖体(22)覆盖在所述筒体(21)的一个敞口端上，所述盖体(22)的外边缘用于与所述第二圆环(12)接触，所述发光二极管外延片的非蒸镀区域形成有金电极。
2.根据权利要求1所述的蒸镀治具，其特征在于，所述第一圆环(11)的内周壁设有平台(13)，所述平台(13)与所述发光二极管外延片的缺口相配合。
3.根据权利要求2所述的蒸镀治具，其特征在于，所述支撑筒(1)的内壁沿长度方向设有平面(1a)，所述平面(1a)与所述发光二极管外延片的缺口相抵。
4.根据权利要求3所述的蒸镀治具，其特征在于，所述筒体(21)包括相连的弧面段和平面(1a)段，所述平面(1a)与所述筒体(21)的平面(1a)段相配合，所述支撑筒(1)的内壁中除所述平面(1a)外的位置与所述筒体(21)的弧面段相配合。
5.根据权利要求1所述的蒸镀治具，其特征在于，所述第一圆环(11)的内周壁设有多个爪(15)。
6.根据权利要求1所述的蒸镀治具，其特征在于，所述蒸镀治具还包括一对弹片压紧机构，所述弹片压紧机构相对于所述盖体(22)对称布置，所述弹片压紧机构包括螺丝(31)、弹簧(32)和弹片(33)，所述螺丝(31)的螺杆端固定于所述镀锅，所述弹片(33)的一端套设于所述螺杆上，所述弹簧(32)套设于所述螺杆并位于所述螺丝(31)的头端与所述弹片(33)的一端之间，所述弹簧(32)呈压缩状态，所述弹片(33)的另一端用于与所述盖体(22)接触并在所述弹簧(32)的作用下压紧所述盖体(22)。
7.一种发光二极管外延片的蒸镀方法，其特征在于，所述方法包括：
将所述发光二极管外延片放置到蒸镀治具中，所述蒸镀治具为权利要求1-6中任一项所述的蒸镀治具，所述发光二极管外延片位于所述第一圆环上，所述筒体与所述发光二极管外延片接触，所述发光二极管外延片的待蒸镀面露出于所述第一圆环的开口，所述发光二极管外延片的电极所在面位于所述待蒸镀面的背面，所述电极所在面位于所述发光二极管外延片、所述第一圆环与所述压盖形成的密闭空间；
将所述蒸镀治具放置到蒸镀设备的镀锅中，并启动蒸镀设备，以在所述待蒸镀面上蒸镀分布式布拉格反射镜膜层。
8.一种发光二极管芯片的固晶方法，其特征在于，所述方法包括：
提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片由发光二极管外延片裂片形成，所述发光二极管外延片包括分布式布拉格反射镜膜层，所述分布式布拉格反射镜膜层由权利要求7所述的蒸镀方法制得；
对所述发光二极管芯片进行固晶烘烤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述发光二极管芯片进行固晶烘烤之前，所述方法还包括：
从提供的发光二极管芯片中选取目标数量的芯片作为测试芯片；
将所述测试芯片放置到耐高温玻璃板上，并在所述测试芯片的四周涂上固晶胶；
对所述耐高温玻璃板上的测试芯片进行烘烤；
检验完成烘烤的测试芯片的胶气烘烤污染情况；
当所述完成烘烤的测试芯片的胶气烘烤污染情况符合目标情况时，对提供的发光二极管芯片中除所述测试芯片之外的发光二极管芯片进行固晶烘烤。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片进行固晶烘烤，包括：
提供支架；
通过所述固晶胶将所述芯片粘结在所述支架的指定区域；
对所述芯片进行烘烤，以形成热通路或电通路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910541948.0A CN110459662B (zh) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910541948.0A CN110459662B (zh) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110459662A CN110459662A (zh) | 2019-11-15 |
| CN110459662B true CN110459662B (zh) | 2020-10-09 |
Family
ID=68480682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910541948.0A Active CN110459662B (zh) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110459662B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112047644B (zh) * | 2020-09-01 | 2022-07-12 | 台州星星光电科技有限公司 | 一种提高3d表盖正面台阶面达因值的方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4024576A1 (de) * | 1990-08-02 | 1992-02-06 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe |
| KR20060074596A (ko) * | 2004-12-27 | 2006-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 척 |
| US20060275547A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Lee Chung J | Vapor Phase Deposition System and Method |
| CN201933149U (zh) * | 2010-12-28 | 2011-08-17 | 扬州晶新微电子有限公司 | 晶圆片背面金层蒸镀工艺用的装片夹具 |
| CN104364890B (zh) * | 2012-06-12 | 2018-07-10 | 艾克塞利斯科技公司 | 工件承载件 |
| KR102145950B1 (ko) * | 2015-10-04 | 2020-08-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 지지체 및 배플 장치 |
| CN205452257U (zh) * | 2015-12-30 | 2016-08-10 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种用于金属蒸发的晶圆夹具 |
-
2019
- 2019-06-21 CN CN201910541948.0A patent/CN110459662B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110459662A (zh) | 2019-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11036114B2 (en) | Thin LED flash for camera | |
| US10989841B2 (en) | Lens coating fixture | |
| US5479069A (en) | Planar fluorescent lamp with metal body and serpentine channel | |
| CN110459662B (zh) | 发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法 | |
| KR102129844B1 (ko) | 증착 챔버용 에지 링 | |
| US20060191786A1 (en) | Electroplating apparatus | |
| KR101587819B1 (ko) | 전기화학적 프로세서용 컨택 링 | |
| KR20150012514A (ko) | 증착장치용 증착원 | |
| CN108546914B (zh) | 蒸镀用的掩膜版及掩膜版装置 | |
| US5680502A (en) | Thin film heat treatment apparatus with conductively heated table and surrounding radiation shield | |
| JP2011133288A (ja) | 筒状物品の画像検査用照明方法およびその照明装置 | |
| JP2010267910A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH0969514A (ja) | 真空処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR102117234B1 (ko) | 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들 | |
| US20220149282A1 (en) | Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof | |
| CN212451614U (zh) | 一种新型载片盘及镀膜装置 | |
| CN111048696B (zh) | 显示屏及其制造方法 | |
| US2752542A (en) | Dry-plate rectifier | |
| JPH08287940A (ja) | 燃料供給パイプのシール構造 | |
| CN112851099B (zh) | 一种芯片玻璃封装夹具 | |
| US3242253A (en) | Electron discharge devices | |
| WO1994024840A2 (en) | Thin film heat treatment apparatus | |
| KR200300380Y1 (ko) | 웨이퍼의균일가열장치 | |
| JP3546539B2 (ja) | 酸素濃度検出器 | |
| JPS63190163A (ja) | 蒸発源るつぼにおける気密構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |