EP0987556A3 - Vorrichtung zur Diffusionslängenmessung in Halbleiterkörpern - Google Patents

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EP0987556A3
EP0987556A3 EP99115516A EP99115516A EP0987556A3 EP 0987556 A3 EP0987556 A3 EP 0987556A3 EP 99115516 A EP99115516 A EP 99115516A EP 99115516 A EP99115516 A EP 99115516A EP 0987556 A3 EP0987556 A3 EP 0987556A3
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semiconductor bodies
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Johann Otto
Renate Bommersbach
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Bernd Baur
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Siemens AG
EUPEC GmbH
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
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    • HELECTRICITY
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    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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Abstract

Zwischen zwei Meßhalbkammern zur Durchführung des Elymatverfahrens wird ein Probenhalter mit einem Halbleiterkörper (31) angeordnet, der die Kammern gegeneinander abdichtet. Der Probenhalter besteht aus zwei voneinander trennbaren Teilen (11, 12) mit einer Öffnung (21, 22) in der Mitte, in die der Halbleiterkörper eingesetzt wird. In Nuten (51, 52) längs der inneren Ränder (41, 42) sind Dichtungen (61, 62) eingefügt, so daß der Halbleiterkörper die Öffnung abdichtet. An den inneren Rändern sind die Teile auf den inneren Seitenflächen (71, 72) ausgespart, um den Halbleiterkörper aufnehmen und zentrieren zu können.
EP99115516A 1998-08-10 1999-08-05 Vorrichtung zur Diffusionslängenmessung in Halbleiterkörpern Withdrawn EP0987556A3 (de)

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FR2615036A1 (fr) * 1987-05-05 1988-11-10 France Etat Machine pour la fabrication de silicium poreux
EP0295440A1 (de) * 1987-06-15 1988-12-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Messvorrichtung zur Bestimmung der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger zur zerstörungsfreien Detektion von Defekten und Verunreinigungen in Halbleiterkristallkörpern
US5010294A (en) * 1989-05-31 1991-04-23 Siemens Aktiengesellschaft Method for topically-resolved determination of the diffusion length of minority charge carriers in a semiconductor crystal body with the assistance of an electrolytic cell
WO1992002948A1 (de) * 1990-08-02 1992-02-20 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum einseitigen ätzen einer halbleiterscheibe

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