SU1257730A1 - Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин - Google Patents

Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин Download PDF

Info

Publication number
SU1257730A1
SU1257730A1 SU843779574A SU3779574A SU1257730A1 SU 1257730 A1 SU1257730 A1 SU 1257730A1 SU 843779574 A SU843779574 A SU 843779574A SU 3779574 A SU3779574 A SU 3779574A SU 1257730 A1 SU1257730 A1 SU 1257730A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor wafers
semiconductor wafer
semiconductor
glass
liquid processing
Prior art date
Application number
SU843779574A
Other languages
English (en)
Inventor
Константин Петрович Николаев
Валерий Дмитриевич Соломатин
Вячеслав Михайлович Новицкий
Леонид Николаевич Немировский
Original Assignee
Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Предприятие П/Я А-1589
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики, Предприятие П/Я А-1589 filed Critical Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики
Priority to SU843779574A priority Critical patent/SU1257730A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1257730A1 publication Critical patent/SU1257730A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например , при химической обработке полупроводниковых пластин. Цель изобретени  - повышение качества полупроводниковых пластин достига.етс  благодар  тому, что стенки эластичной герметичной камеры 3 прижимаютс  к кромке пластины 8. К элементу 6, расположенному на опорном выступе 2, подвод т электрический потенциал и осуществл ют жидкостную обработку одной стороны пластины 8. 2 ил. с 1C сд 00 УЯ фи8.2

Description

Изобретение относитс  к производству полупроводниковых приборов и гложет быть использовано при химической и электрохимической обработке полупроводниковых или иных пластин, например дл  травлени , анодного окислени , получени  слоев пористого кремни  и т.д.
Цель изобретени  - повышение Качества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороны от попадани  обрабатывающей жидкости
На фиг.1 схематически изображено устройство, разрез, на фиг.2 - то же,в рабочем положении.
Устройство содержит держатель полупроводниковой пластины в виде стакана 1, на дне которого имеетс  опорный выступ 2, уплотнительный элемент выполн емый в виде эластичной герметичной камеры 3, размещенной на стенках стакана 1, полость которой снабжена патрубком 4 дл  напуска сжатого газа, трубку- 5 и электрический контактный элемент 6 с проводником 7, размещенный на опорном выступе 2.
Устройство используют следующим образом.
Обрабатываемую пластину 8 помещают на контактный элемент 6 и подаю сжатый газ в полость камеры 3. При
этом стенки камеры 3 прижимаютс  к кромке пластины 8 и герметично уплотн ют ее. Затем к элементу 6 подвод т (в случае необходимости) электрический потенциал и осуществл ют жидкостную обработку одной стороны пластины 8. При этом обрабатывающа  жидкость не проникает на другую сторону пластины 8.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство дл  жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащее держатель полупроводниковой пластины, электрический контактный элемент и уплотнительный элемент, отличающеес  тем, что, с целью повышени  качества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороны от попадани  обрабатывающей жидкости, держатель полупроводниковой пластины выполнен в виде стакана, на дне которого выполнен опорный выступ дл  размещени  полупроводниковой пластины, а уплотнительный элемент вьшолнен в виде эластичной камеры, размещенной на стенках стакана, полость которой снабжена патрубком дл  напуска сжатого газа.
    фие.1
    Составитель Г.Падучин Редактор Ю.Середа Техред Л.Олейник Корректор А. Зимокосов
    Заказ 5033/52 Тираж 643Подписное
    ВНИИПИ Государственного комитета СССР
    по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
    Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
SU843779574A 1984-08-10 1984-08-10 Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин SU1257730A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843779574A SU1257730A1 (ru) 1984-08-10 1984-08-10 Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843779574A SU1257730A1 (ru) 1984-08-10 1984-08-10 Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1257730A1 true SU1257730A1 (ru) 1986-09-15

Family

ID=21134298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843779574A SU1257730A1 (ru) 1984-08-10 1984-08-10 Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1257730A1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4116392A1 (de) * 1991-05-18 1992-11-19 Itt Ind Gmbh Deutsche Halterung zur einseitigen nassaetzung von halbleiterscheiben
US5324410A (en) * 1990-08-02 1994-06-28 Robert Bosch Gmbh Device for one-sided etching of a semiconductor wafer
EP0609069A1 (en) * 1993-01-29 1994-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor devices
US6074513A (en) * 1996-12-19 2000-06-13 Nikon Corporation Etching apparatus and method for manufacturing optical devices
RU173643U1 (ru) * 2017-03-06 2017-09-04 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 879678, кл. Н 01 L 21/00, 07.11.81. Патент US № 4043894 кл. 204/297 W, 23.08.77. *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5324410A (en) * 1990-08-02 1994-06-28 Robert Bosch Gmbh Device for one-sided etching of a semiconductor wafer
DE4116392A1 (de) * 1991-05-18 1992-11-19 Itt Ind Gmbh Deutsche Halterung zur einseitigen nassaetzung von halbleiterscheiben
DE4116392C2 (de) * 1991-05-18 2001-05-03 Micronas Gmbh Halterung zur einseitigen Naßätzung von Halbleiterscheiben
EP0609069A1 (en) * 1993-01-29 1994-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor devices
US5468344A (en) * 1993-01-29 1995-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor devices
US6074513A (en) * 1996-12-19 2000-06-13 Nikon Corporation Etching apparatus and method for manufacturing optical devices
RU173643U1 (ru) * 2017-03-06 2017-09-04 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5324410A (en) Device for one-sided etching of a semiconductor wafer
KR19980053198A (ko) 다공질 실리콘 웨이퍼 성형 방법 및 장치
US5571367A (en) Apparatus for subjecting a semiconductor substrate to a washing process
KR890008934A (ko) 웨이퍼가공방법
EP1039508A3 (en) Anodizing apparatus, anodizing system, substrate processing apparatus and method, and substrate manufacturing method
SU1257730A1 (ru) Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин
TW369673B (en) Cleaning process for hydrophobic silicon wafers
DE3468586D1 (en) Ion etching process for deep trench etching multi-layer semiconductor substrates
US5209803A (en) Parallel plate reactor and method of use
GB2117324B (en) An apparatus for chemical etching of wafer material
KR850006777A (ko) 건식 에칭장치
JP5861563B2 (ja) ウエハ加熱用ヒータ
US5650042A (en) Method for thinning a semiconductor film on an insulating film
KR100268819B1 (ko) 두개의프로세싱챔버사이에이동가능한칸막이판을갖는습식프로세싱장치
RU5890U1 (ru) Устройство для электрохимической обработки полупроводниковых пластин
TW202247343A (zh) 用於沉積腔室的基板支撐件設計
KR19980038993U (ko) 가스관 내부표면 전해연마 장치
KR19990009775A (ko) Pecvd 플라즈마 챔버의 서셉터 및 이를 이용한 챔버 클리닝 방법
JPS54128284A (en) Electrode structure for semiconductor wafer plasma etching stripping device
KR100242949B1 (ko) 폴리머의 증착방지가 가능한 건식 식각장치
KR20000021300A (ko) 반도체 제조공정에 사용되는 플라즈마 장비의 상부전극부
KR100248154B1 (ko) 식각용액
KR200144402Y1 (ko) 웨이퍼의 이면 식각장치
JPH034025Y2 (ru)
SU957746A1 (ru) Устройство дл проведени плазмохимических процессов