RU173643U1 - Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин - Google Patents
Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU173643U1 RU173643U1 RU2017107359U RU2017107359U RU173643U1 RU 173643 U1 RU173643 U1 RU 173643U1 RU 2017107359 U RU2017107359 U RU 2017107359U RU 2017107359 U RU2017107359 U RU 2017107359U RU 173643 U1 RU173643 U1 RU 173643U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- cartridge
- processing
- base
- cavity
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Полезная модель предназначена для изготовления изделий микроэлектроники, где необходима односторонняя обработка пластин, в том числе при вакуумном нанесении покрытий для защиты поверхности кристаллов. Техническим результатом полезной модели является повышение выхода годных за счет исключения боя пластин и расширения области применения кассеты при обработке в средах с пониженным давлением. В отличие от известной кассеты для односторонней обработки полупроводниковых пластин, состоящей из основания с полостью, трубки выравнивающей давление, системы гибких герметизирующих колец, крышки с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины, в предлагаемой кассете содержится пластина-ограничитель прогиба, а на трубке, выравнивающей давление, содержится вакуумно-плотный вентиль. 2 ил.
Description
Предлагаемая полезная модель предназначена для изготовления изделий микроэлектроники (микросхем и микроэлектромеханических систем (МЭМС)), где необходима односторонняя обработка пластин, в том числе при вакуумном нанесении покрытий для защиты поверхности кристаллов.
Известны кассеты для односторонней обработки пластин, состоящие из основания с полостью, крышки с отверстием для обработки рабочей поверхности и уплотнительных колец. Такие кассеты, как правило, используются для одностороннего химического травления (см., например, презентацию "SILICON VLSI TECHNOLOGY Fundamentals, Practice and ModelingCHAPTER12" URL:http://ww.iaa.ncku.edu.tw/~ggau/Lab/HTML/C_CourseData/SILICON012.pdf[pg.48] и презентацию Dr. Lynn Fuller "Wet Etch for Microelectronics" URL:http://people.rit.edu/lffeee [pg.31]).
Соосное расположение колец исключает разрушение пластины при фиксации крышки к основанию. Материал кассеты должен быть стоек к воздействию травителя (нержавеющая сталь, фторопласт и т.п.). Указанные кассеты можно применять для одностороннего нанесения покрытий на пластины в вакууме, например, поли-пара-ксилиленовых покрытий. Поли-пара-ксилиленовые покрытия наносятся в вакууме методом сублимации, и они имеют высокую адгезию к поверхности кремниевых пластин. Кроме того, в сублимированном состоянии поли-пара-ксилиленовое покрытие обладает высокой проникающей способностью, и если полость кассеты между основанием и рабочей пластиной будет негерметична, то покрытие может проникнуть на обратную сторону пластины.
Рабочая поверхность полупроводниковых пластин, на которую наносится поли-пара-ксилиленовое покрытие, как правило, имеет рельеф, образованный, например, разделительными канавками в мезапланарных транзисторах. При нанесении поли-пара-ксилиленовых покрытий на рельеф может произойти разрушение пластин, т.к. нанесение происходит в вакууме 1-10 Па, а в полости между пластиной и основанием после загрузки сохраняется атмосферное давление (примерно 101,325 кПа), в результате чего рельеф испытывает растяжение и впадины рельефа являются концентраторами механических напряжений по которым и происходит разрушение хрупкой полупроводниковой пластины.
Также известна кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин, состоящая из основания с полостью, трубки выравнивающей давление, нескольких гибких герметизирующих колец и крышки с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины (см., например, сайт фирмы АММТ http://www.ammt.com/products/wet-etching/).
Однако при нанесении полипараксилиленовых покрытий на рельеф недостатком является то, что пары попадают на обратную сторону пластины через выравнивающую давление трубку.
Наиболее близкой к предлагаемой является кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин, состоящая из основания с полостью, трубки выравнивающей давление, системы гибких герметизирующих колец, крышки с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины и пластины-ограничителя прогиба. Пластина-ограничитель расположена между дном основания и тыловой (необрабатываемой) поверхностью рабочей полупроводниковой пластины. Ее толщина несколько меньше (на 10-15 мкм) зазора между дном основания и тыловой поверхностью рабочей пластины. Такую кассету, как правило, используют для одностороннего химического травления в нагретых парах кислот. Если давление газа или пара с обрабатываемой стороны рабочей пластины выше, чем давление внутри кассеты, то пластина-ограничитель препятствует деформации и разрушению рабочей пластины. Обычно, для согласования температурного коэффициента линейного расширения пластина-ограничитель выполнена из того же материала, что и рабочая, например, кремния. Кассета может содержать внутри основания дополнительные устройства, например нагреватель, а также иметь ручку для манипуляций, через которую заводятся провода питания и управления для дополнительных устройств. URL:http://www.ammt.com/products/hydrofluoric-acid-vapor-etcher/hfve-system/
Однако, если давление газа или пара с обрабатываемой стороны рабочей пластины окажется ниже, чем давление внутри полости основания кассеты, например, при нанесении поли-пара-ксилиленовых покрытий, то произойдет разрушение рабочей пластины из-за ее растяжения внутренним давлением в полости.
Целью полезной модели является повышение выхода годных за счет исключения боя пластин и расширения области применения кассеты при обработке в средах с пониженным давлением.
Указанная цель достигается тем, что в отличие от известной кассеты для односторонней обработки полупроводниковых пластин, состоящей из основания с полостью, трубки выравнивающей давление, системы гибких герметизирующих колец, крышки с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины и пластины-ограничителя прогиба, в предлагаемой кассете на трубке выравнивающей давление содержится вакуумно-плотный вентиль.
Исключение боя пластин достигается тем, что наличие вакуумно-плотного вентиля перед нанесением позволяет создать в полости между основанием и рабочей пластиной кассеты вакуум и, перекрыв вентиль, сохранить давление вакуума в процессе загрузки и обработки.
Так как процесс нанесения полипараксилиленовых покрытий происходит в вакууме, то давление внутри полости под пластиной становится примерно равным давлению в вакуумной камере. Наличие вакуумно-плотного вентиля исключает попадание наносимого поли-пара-ксилиленового покрытия на обратную сторону пластины.
На фиг. 1 изображен вид с лицевой стороны кассеты.
Позиция 1 - вакуумно-плотный вентиль.
Позиция 2 - крышка с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины.
Позиция 3 - система гибких герметизирующих колец.
Позиция 4 - обрабатываемая пластина.
Позиция 5 - основание с полостью.
Позиция 6 - трубка, выравнивающая давление.
Позиция 7 - пластина ограничитель прогиба.
На фиг. 1 и 2 приведена конструкция предлагаемой кассеты, состоящая из основания с полостью 5, к которому подходит отверстие трубки выравнивающей давление 6. В основании сделаны углубления для системы гибких герметизирующих колец 3, препятствующих попаданию паров наносимого вещества в полость под пластиной. Пластина 4 прижимается к основанию при помощи крышки 2 с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины. В крышке также имеются углубления для системы гибких герметизирующих колец 3. Пластина-ограничитель прогиба 7 препятствует излому рабочей пластины при пониженном давлении в полости основания. На трубку выравнивающую давление 6, крепится вакуумно-плотный вентиль 1.
В случае нанесения поли-пара-ксилиленовых покрытий в вакууме устройство работает следующим образом: кремниевая пластина со сформированными кристаллами транзисторов, коллекторный переход которых изолирован меза-канавкой, крепится между основанием и крышкой с помощью струбцин или винтов рельефом наружу. Через вакуумно-плотный вентиль производится откачка воздуха из основания с полостью до уровня 1-10 Па, после чего вентиль 1 перекрывают. Кассету помещают в камеру установки для нанесения поли-пара-ксилиленовых покрытий (например, УНБ-4). После запуска установки давление в камере начинает снижаться до уровня 1-10 Па. По достижению этого давления производят осаждение поли-пара-ксилиленового покрытия. Затем кассету извлекают из камеры осаждения, открывают вакуумно-плотный вентиль и извлекают пластину.
Предлагаемая кассета позволяет полностью исключить попадание наносимых покрытий на обратную сторону пластины и практически исключает разрушение кремниевых пластин с рельефом при нанесении покрытий в вакууме.
Кроме того, использование вакуумно-плотного вентиля позволяет обрабатывать одновременно в одной установке (например, УНБ-4) до 20 кассет, что увеличит производительность труда.
Claims (1)
- Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин, состоящая из основания с полостью, трубки, выравнивающей давление, системы гибких герметизирующих колец, крышки с отверстием для обработки рабочей поверхности пластины, пластины-ограничителя прогиба, отличающаяся тем, что на трубке, выравнивающей давление, содержится вакуумно-плотный вентиль.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017107359U RU173643U1 (ru) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017107359U RU173643U1 (ru) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU173643U1 true RU173643U1 (ru) | 2017-09-04 |
Family
ID=59798348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017107359U RU173643U1 (ru) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU173643U1 (ru) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1257730A1 (ru) * | 1984-08-10 | 1986-09-15 | Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики | Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин |
| RU2073932C1 (ru) * | 1992-03-25 | 1997-02-20 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Устройство для одностороннего травления пластин |
| JPH09330906A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Nippon Steel Corp | 半導体ウエハの片面エッチング方法 |
| US6443440B1 (en) * | 1999-05-15 | 2002-09-03 | Hans Moritz | Device for unilateral etching of a semiconductor wafer |
| US6579408B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-06-17 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus and method for etching wafer backside |
| US20080041526A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Pass Thomas P | Single-sided etching |
| RU152645U1 (ru) * | 2014-12-01 | 2015-06-10 | Зао "Группа Кремний Эл" | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
| RU162219U1 (ru) * | 2015-09-30 | 2016-05-27 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
-
2017
- 2017-03-06 RU RU2017107359U patent/RU173643U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1257730A1 (ru) * | 1984-08-10 | 1986-09-15 | Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики | Устройство дл жидкостной обработки полупроводниковых пластин |
| RU2073932C1 (ru) * | 1992-03-25 | 1997-02-20 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Устройство для одностороннего травления пластин |
| JPH09330906A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Nippon Steel Corp | 半導体ウエハの片面エッチング方法 |
| US6443440B1 (en) * | 1999-05-15 | 2002-09-03 | Hans Moritz | Device for unilateral etching of a semiconductor wafer |
| US6579408B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-06-17 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus and method for etching wafer backside |
| US20080041526A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Pass Thomas P | Single-sided etching |
| RU152645U1 (ru) * | 2014-12-01 | 2015-06-10 | Зао "Группа Кремний Эл" | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
| RU162219U1 (ru) * | 2015-09-30 | 2016-05-27 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Electrochemical Etch-Stop, Plain Wafer holders, holders with optical inspection and etching baths, найдено в Интернете 15.06.2016: http://www.ammt.com/products/hydrofluoric-acid-vapor-etcher/hfve-system/, 1997. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10378108B2 (en) | Showerhead with reduced backside plasma ignition | |
| KR102364323B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링 | |
| CN101740298B (zh) | 等离子体处理装置及其构成部件 | |
| WO2019229537A3 (en) | Infiltration apparatus and methods of infiltrating an infiltrateable material | |
| US8877001B2 (en) | Shuttered gate valve | |
| US8414705B2 (en) | Seal mechanism, seal trench, seal member, and substrate processing apparatus | |
| TW201943075A (zh) | 製造熱穩定之低介電常數鰭式場效電晶體間隔物之方法 | |
| KR20130051419A (ko) | 기판 적재 시스템, 기판 처리 장치, 정전 척 및 기판 냉각 방법 | |
| US20140273518A1 (en) | Methods for forming layers on semiconductor substrates | |
| RU173643U1 (ru) | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин | |
| US11339469B2 (en) | Vacuum processing system with holding arrangement | |
| TW201537671A (zh) | 靜電夾取方法和裝置 | |
| US11004663B2 (en) | Chamber design for semiconductor processing | |
| TWI724007B (zh) | 用於乾氣相化學蝕刻一結構之方法及設備 | |
| US10818490B2 (en) | Controlled growth of thin silicon oxide film at low temperature | |
| JP2002158362A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| TWI661068B (zh) | 處理基材的方法 | |
| US20150013604A1 (en) | Chamber pressure control apparatus for near atmospheric epitaxial growth system | |
| RU162219U1 (ru) | Кассета для односторонней обработки полупроводниковых пластин | |
| JP7290413B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH03291928A (ja) | 半導体ウェハのドライエッチング方法 | |
| JPH01185918A (ja) | 半導体基体への不純物導入装置 | |
| JP3328853B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| KR101058829B1 (ko) | 진공챔버의 점검창 | |
| KR950006909A (ko) | 전계방출 캐소드 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200307 |