JP3186225B2 - トラン誘導体及びそれを含有する液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

トラン誘導体及びそれを含有する液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子

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JP3186225B2
JP3186225B2 JP17032892A JP17032892A JP3186225B2 JP 3186225 B2 JP3186225 B2 JP 3186225B2 JP 17032892 A JP17032892 A JP 17032892A JP 17032892 A JP17032892 A JP 17032892A JP 3186225 B2 JP3186225 B2 JP 3186225B2
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    • C09K19/18Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a carbon chain the chain containing carbon-to-carbon triple bonds, e.g. tolans
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て用いられる新規なトラン誘導体及びそれを含有する液
晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は液晶の持つ電気光学効果
を利用したものであり、これに用いられる液晶相にはネ
マチック相、コレステリック相、スメクチック相があ
る。そして現在もっとも広く用いられる表示方式はネマ
チック相を利用したねじれネマチック(以下TNとい
う)型あるいはねじれ角をさらに大きくしたスーパーツ
イステッドネマチック(以下STNという)型である。
【0003】液晶表示装置は 1,小型でしかも薄くできる。
【0004】2,駆動電圧が低く、かつ消費電力が小さ
い。
【0005】3,受光素子であるため長時間使用しても
目が疲れない。
【0006】等の長所を持つことから、従来よりウォッ
チ、電卓、オーディオ機器、各種計測機、自動車のダッ
シュボード等に応用されている。特に最近ではパーソナ
ルコンピューターやワードプロセッサーのディスプレイ
さらにはカラーテレビなどの画素数の大変多い表示にも
応用されCRTに代わる表示装置として注目を集めてい
る。このように液晶表示装置は多方面に応用されてお
り、今後さらにその応用分野は拡大していくと考えられ
る。これにともない液晶材料に要求される特性も変化し
ていくと思われるが、以下に示した特性は基本的なもの
で必要不可欠である。
【0007】1,着色がなく、熱、光、電気的、化学的
に安定であること。
【0008】2,実用温度範囲が広いこと。
【0009】3,電気光学的な応答速度が速いこと。
【0010】4,駆動電圧が低いこと。
【0011】5,電圧−光透過率特性の立ち上がりが急
峻であり、またそのしきい値電圧(以下Vthという)の
温度依存性が小さいこと。
【0012】6,視角範囲が広いこと。
【0013】これらの特性のうち、1の特性を満足する
液晶は数多く知られているが2以下の特性を単一成分で
満足させる液晶化合物は知られていない。そこでこれら
の特性を得るために数種類のネマチック液晶化合物また
は非液晶化合物を混合した液晶組成物を用いている。こ
れらのうちで2の特性を満足させるためには、結晶相−
ネマチック液晶相転移点(以下C−N点という)が低
く、さらにネマチック液晶相−等方性液体転移点(以下
N−I点という)が高く結果的に広いネマチック液晶相
温度範囲を持つ液晶化合物が必要となる。また3の特性
を満足させるためには、応答速度(以下τという)と粘
性係数(以下ηという)とセルギャップ(以下dとい
う)との間には次の関係式があり、応答速度を速くする
ためにはdを小 τ∝ηd さくする必要がある。ところで実用的に使用されるセル
では、セル外観を損なう原因となるセル表面での干渉縞
の発生を防止するために、Δn・d(Δnは屈折率異方
性、以下同じ)の値が一定値に設定されているから、結
局Δnの大きな材料を使用することにより、dの値を小
さくでき、結果として応答速度を速めることができる。
この2と3の特性を同時に満足させるため、広いネマチ
ック液晶範囲を持ちさらにΔnの大きい液晶材料として
すでに、特開昭60-155142、特開昭60-152427、United S
tates Patent(以下USパテントという)4713468、特
開昭63-152334に記載されているシクロヘキシルトラン
誘導体、フェニルトラン誘導体が知られている。
【0014】
【表1】
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
化合物のうちア-1〜ウ-2のシクロヘキシルトラン誘導体は
骨格中にシクロヘキサン環を有しており、Δnを大きく
する効果を妨げている。さらにア-1、ア-2の化合物につい
てはC−N点が高く他の液晶化合物との相溶性に問題が
あると思われる。また、エ-1、エ-2の化合物もΔnは大き
いがC−N点が非常に高く相溶性に問題があると思われ
る。そこで本発明はこのような実状における要請に応じ
るものであり、その目的は数種類のネマチック液晶化合
物または非液晶化合物との相溶性が良く、混合すること
により実用温度範囲が広く、Δnの値の大きな液晶組成
物を得ることができる新規な液晶化合物を提供すること
である。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式
【0017】
【化15】
【0018】(上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖ア
ルキル基を示し、X1、X2、X3のいずれか一つがフッ
素原子であり、残りの二つのXは水素原子を表す。ま
た、Yはニトリル基または炭素数が1〜10の直鎖アル
キル基を表す)で表されることを特徴とするトラン誘導
体及びそれを含有する液晶組成物及びそれを用いた液晶
表示素子である。本発明化合物(1)は次の製造方法に
より得ることができる。
【0019】
【表2】
【0020】工程A−1)化合物(2)を二硫化炭素中
で塩化アルミニウムの存在下、アルキルカルボン酸クロ
ライドと反応させ化合物(3)を得る。
【0021】工程A−2)化合物(3)をトリフルオロ
酢酸中でトリエチルシランと反応させ化合物(4)を得
る。
【0022】工程A−3)化合物(5)をトリエチルア
ミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム
(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ化
銅(I)の存在下3−メチル−1−ブチン−3−オール
と反応させて化合物(6)を得る。
【0023】工程A−4)化合物(6)をトルエン中で
水素化ナトリウムで反応させ化合物(7)を得る。
【0024】工程A−5)化合物(4)をトリエチルア
ミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム
(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ化
銅(I)の存在下、化合物(7)と反応させて化合物
(1−a)を得る。
【0025】
【表3】
【0026】工程B−1)化合物(8)を二硫化炭素中
で塩化アルミニウムの存在下、アルキルカルボン酸クロ
ライドと反応させ化合物(9)を得る。
【0027】工程B−2)化合物(9)をジエチレング
リコール中でヒドラジン(1水和物)と水酸化カリウム
の存在下で反応させ化合物(10)を得る。
【0028】工程B−3)化合物(10)をトリエチル
アミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウ
ム(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ
化銅(I)の存在下3−メチル−1−ブチン−3−オー
ルと反応させて化合物(11)を得る。
【0029】工程B−4)化合物(11)をトルエン中
で水素化ナトリウムで反応させ化合物(12)を得る。
【0030】工程B−5)化合物(4)をトリエチルア
ミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム
(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ化
銅(I)の存在下、化合物(12)と反応させて化合物
(1−b)を得る。
【0031】
【表4】
【0032】工程C−1)化合物(13)をテトラヒド
ロフラン中でグリニヤール試薬とした後、ほう酸トリメ
チルと反応させ化合物(14)を得る。
【0033】工程C−2)化合物(15)を酢酸中で亜
硝酸ナトリウムと硫酸で反応させてジアゾニウム塩にし
た後、臭化銅と臭化水素酸で反応させ化合物(16)を
得る。
【0034】工程C−3)化合物(14)と化合物(1
6)をエタノールとベンゼンの混合溶媒中、テトラキス
トリフェニルフォスフィンパラジウム(0)の存在下で
反応させ化合物(17)を得る。
【0035】工程C−4)化合物(17)をトリエチル
アミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウ
ム(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ
化銅(I)の存在下、化合物(7)と反応させて化合物
(1−c)を得る。
【0036】
【表5】
【0037】工程D−1)化合物(17)をトリエチル
アミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウ
ム(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ
化銅(I)の存在下、化合物(12)と反応させて化合
物(1−d)を得る。
【0038】
【表6】
【0039】工程E−1)化合物(18)をトリエチル
アミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウ
ム(II)クロライド、トリフェニルフォスフィン、ヨウ
化銅(I)の存在下3−メチル−1−ブチン−3−オー
ルと反応させて化合物(19)を得る。
【0040】工程E−2)化合物(19)をトルエン中
で水素化ナトリウムで反応させ化合物(20)を得る。
【0041】工程E−3)化合物(20)をジエチルア
ミン中でビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム
(II)クロライド、ヨウ化銅(I)の存在下、化合物
(21)と反応させて化合物(22)を得る。
【0042】工程E−4)化合物(22)をN−メチル
ピロリドン(以下NMPという)中でシアン化銅(I)
と反応させ化合物(1−e)を得る。
【0043】
【表7】
【0044】工程F−1)化合物(22)をテトラヒド
ロフラン(以下THFという)中でビス(1,3−ジフ
ェニルホスフィノプロパン)ニッケル(II)クロライド
の存在下、アルキルブロマイドより調整したグリニヤル
試薬と反応させ化合物(1−f)を得る。
【0045】本発明のトラン誘導体を混合する場合にベ
ースとなる液晶組成物の成分としては次に示した化合物
があげられるが、これに限定されることなく、従来のす
べての液晶化合物またはその類似化合物と良好な相溶性
を有し、得られた液晶組成物は実用温度範囲が広く、Δ
nが大きいという特徴を有する。
【0046】
【表8】
【0047】(ここでRおよびR’はアルキル基、アル
コキシ基、アルコキシメチレン基、ニトリル基、または
フルオロ基を表し、フェニレン基は2または3位にハロ
ゲン置換基を有してもよく、シクロヘキサン環はトラン
ス配置である。)また、この液晶組成物に本発明の化合
物を混合できる割合は1〜50重量パーセントである
が、低温領域での結晶析出を考慮した場合には1〜30
重量パーセントの範囲が特に好ましい。
【0048】本発明の化合物は従来より知られていたフ
ェニルトラン系の化合物(例えばエ-1、エ-2)の側方にフ
ッ素を結合させることによりC−N点を大幅に下げ、他
の液晶化合物との相溶性を良くしたことが最大の特徴で
ある。フッ素を液晶化合物の側方に結合することにより
C−N点が下がることは従来より知られていたが、本発
明の化合物のように大幅に下がることは予想ができなか
った。たとえばイ-1の化合物とウ-1の化合物、イ-2の化合
物とウ-2の化合物を比較してみると、ふっ素置換による
C−N点の降下は17℃と37℃である。またオ-1とオ-2、カ-
1とカ-2、カ-3とカ-4を比
【0049】
【表9】
【0050】べた場合でもそれぞれ18℃、17℃(Sm−
N点との比較では28℃)、1℃(Sm−N点との比較で
は48℃)の降下しか表れていない。しかしながら本発明
化合物の場合キ-1とキ-2、キ-1とキ-3、エ-1とク-1、エ-1とク-2
を比較した場合49℃、66℃、79℃、
【0051】
【表10】
【0052】78℃という大幅なC−N点の降下が表れ
た。この効果により実用化の難しかったフェニルトラン
誘導体の実用化が可能となった。
【0053】本発明の化合物を少なくとも一種類含有す
る液晶組成物を使用した液晶表示装置は時分割駆動方式
を用いた液晶表示装置に好適であり、特にTN型及びS
TN型の液晶表示素子において高時分割駆動が可能であ
る。
【0054】
【実施例】以下、実施例により本発明ををさらに詳しく
説明する。
【0055】(実施例1)〔化合物(1−a)の合成〕 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−シアノトランの製造 工程A−1)フラスコに塩化アルミニウム40gと二硫化
炭素280mlを取り、氷+食塩浴で0℃以下に冷却し、攪
拌した。その中へ4−ブロモ−2−フルオロビフェニル
70gを二硫化炭素180mlに溶かした溶液を滴下した。さ
らに0℃以下でプロピオン酸クロライド26gを二硫化炭
素100mlに溶かした溶液を滴下した。滴下後0℃以下で
2時間攪拌後、室温で一晩攪拌した。反応終了後、反応
液を濃塩酸30ml+氷300g中へ注ぎクロロホルムで抽出
した。有機層を水で3回、2%水酸化ナトリウム水溶液
で2回、さらに水で3回洗浄し、クロロホルムと二硫化
炭素を留去した。残さをアセトンとメタノールの混合溶
媒中より再結晶し、2−フルオロ−4−ブロモ−4’−
プロピオニルビフェニル29gを得た。
【0056】工程A−2)2−フルオロ−4−ブロモ−
4’−プロピオニルビフェニル29gをトリフルオロ酢酸
72mlに溶解し、攪拌した。その中へ室温でトリエチルシ
ラン24gを30分かけて滴下した。その後2時間攪拌後、
炭酸水素ナトリウム飽和水溶液900mlを滴下し、過剰の
トリフルオロ酢酸を分解した。クロロホルムで抽出後水
洗を3回行いクロロホルムを留去した。残さを減圧蒸留
(b.p.140〜145℃/2mmHg)し、2−フルオロ−4−ブ
ロモ−4’−プロピルビフェニル23.4gを得た。
【0057】工程A−3)窒素雰囲気中4−ブロモベン
ゾニトリル30g、3−メチル−1−ブチン−3−オール
13.4g、トリフェニルフォスフィン0.7g、ビス(トリ
フェニルフォスフィン)パラジウム(II)クロライド0.
3gをトリエチルアミン140mlへ溶解し、その中へヨウ化
銅(I)0.1gを加えた。室温で1時間攪拌後、90℃で
5時間攪拌した。析出した結晶を濾過後トリエチルアミ
ンを留去し、クロロホルムで抽出した。10%塩酸2回、
水で2回洗浄後クロロホルムを留去した。残さを減圧蒸
留(b.p.140〜160℃/5mmHg)し、3−メチル−1−
(4’−シアノフェニル)−1−ブチン−3−オール2
3.5gを得た。
【0058】工程A−4)窒素雰囲気中3−メチル−1
−(4’−シアノフェニル)−1−ブチン−3−オール
23.5gをトルエン250mlに溶かし、その中へ水素化ナト
リウム(60% in paraffin liquid)1.6gを加えた。80〜9
0℃で4時間攪拌した。反応液を水300ml中へ注ぎクロロ
ホルムで抽出し、水洗を3回行った。トルエンとクロロ
ホルムを留去後メタノール中より再結晶し、4−シアノ
フェニルアセチレン9.9gを得た。
【0059】工程A−5)窒素雰囲気中2−フルオロ−
4−ブロモ−4’−プロピルビフェニル2.9g、4−シ
アノフェニルアセチレン1.3g、トリフェニルフォスフ
ィン0.04g、ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジ
ウム(II)クロライド0.03gをトリエチルアミン22mlへ
溶解し、その中へヨウ化銅(I)0.01gを加えた後、5
時間還流を行った。反応液を水200ml中へ注ぎクロロホ
ルムで抽出し水で2回洗浄後、クロロホルムを留去し
た。残さをアセトンとメタノールの混合溶媒中より再結
晶を行った後、シリカゲル−クロロホルムカラムクロマ
トグラフィーで精製し、もう一度アセトン中より再結晶
を行い、3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニ
ル)−4’−シアノトラン1.9gを得た。この化合物の
C−N点は125.1℃であり、N−I点は237.6℃であっ
た。
【0060】同様の方法で以下の化合物を合成した。
【0061】3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニ
ル)−4’−シアノトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
シアノトラン C−N点 163.0℃ N−I点 235.9℃ 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
シアノトラン C−N点 75.4℃ N−I点 220.7℃ 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−シアノトラン C−N点 85.6℃ N−I点 218.0℃ 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−シアノトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−シアノトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−シアノトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
シアノトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
シアノトラン (実施例2)〔化合物(1−b)の合成〕 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−プロピルトランの製造 工程B−1)二硫化炭素1000mlヘ塩化アルミニウム294
gを加え攪拌した。反応液を0℃以下に冷却し、その中
へプロピオニルクロライド166gを滴下した。次にブロ
モベンゼン283gを滴下した。その後室温で1時間攪拌
を行った。反応後、反応液を濃塩酸300mlと氷600gの混
合液中へ注いだ。クロロホルムで抽出後、水洗を3回行
いクロロホルムを留去後、減圧蒸留(b.p.100〜105℃/
2mmHg)を行い1−ブロモ−4−プロピオニルベンゼン3
01gを得た。
【0062】工程B−2)1−ブロモ−4−プロピオニ
ルベンゼン301gをジエチレングリコール1100mlに溶か
し、その中へヒドラジン(1水和物)145ml、水酸化カ
リウム163gを入れ130℃で1時間還流した。その後水と
ヒドラジンを除きながら190℃にした。190℃で5時間還
流後、水2,000ml中へ注いだ。クロロホルムで抽出後、
水洗を3回行いクロロホルムを留去後、減圧蒸留(b.p.
70〜75℃/mmHg)し、1−ブロモ−4−プロピルベンゼ
ン252gを得た。
【0063】工程B−3)窒素雰囲気中1−ブロモ−4
−プロピルベンゼン60g、3−メチル−1−ブチン−3
−オール38g、トリフェニルフォスフィン1.3g、ビス
(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(II)クロラ
イド0.7gをトリエチルアミン260mlへ溶解し、その中へ
ヨウ化銅(I)0.2gを加えた。室温で1時間攪拌後、9
0℃で5時間攪拌した。析出した結晶を濾過後トリエチ
ルアミンを留去し、クロロホルムで抽出した。10%塩酸
2回、水で2回洗浄後クロロホルムを留去した。残さを
シリカゲル−クロロホルムカラムクロマトグラフィーで
精製し、3−メチル−1−(4’−プロピルフェニル)
−1−ブチン−3−オール37gを得た。
【0064】工程B−4)窒素雰囲気中3−メチル−1
−(4’−プロピルフェニル)−1−ブチン−3−オー
ル33gをトルエン320mlに溶かし、その中へ水素化ナト
リウム(60% in paraffin liquid)2gを加えた。60℃で
6時間攪拌した。反応液を水300ml中へ注ぎクロロホル
ムで抽出し、水洗を3回行った。トルエンとクロロホル
ムを留去後減圧蒸留(b.p.60〜63℃/4mmHg)を行い4
−プロピルフェニルアセチレン16gを得た。
【0065】工程B−5)窒素雰囲気中4’−ペンチル
−2−フルオロ−4−ブロモビフェニル4g、4−プロ
ピルフェニルアセチレン2.2g、トリフェニルフォスフ
ィン1.05g、ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジ
ウム(II)クロライド0.03gをトリエチルアミン27mlへ
溶解し、その中へヨウ化銅(I)0.01gを加えた。室温
で1時間攪拌後、70℃で5時間攪拌した。反応液を水30
0ml中へ注ぎクロロホルムで抽出し水で2回洗浄後、ク
ロロホルムを留去した。残さをシリカゲル−クロロホル
ムカラムクロマトグラフィーで精製しアセトンとメタノ
ールの混合溶媒中より再結晶を行い、3−フルオロ−4
−(4”−ペンチルフェニル)−4’−プロピルトラン
2.7gを得た。この化合物のC−N点は74.7℃であり、
N−I点は159.2℃であった。
【0066】同様の方法で以下の化合物を合成した。
【0067】3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニ
ル)−4’−メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
メチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
エチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
エチルトラン C−N点 121.3℃ N−I点 154.0℃ 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−エチルトラン C−N点 105.9℃ N−I点 166.9℃ 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
エチルトラン C−N点 76.6℃ N−I点 150.6℃ 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−エチルトラン C−N点 78.9℃ N−I点 154.8℃ 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−エチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−エチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−エチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
エチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
エチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
プロピルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
プロピルトラン C−N点 92.9℃ N−I点 165.2℃ 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−プロピルトラン C−N点 84.2℃ N−I点 175.5℃ 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
プロピルトラン C−N点 74.3℃ N−I点 160.0℃ 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−プロピルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−プロピルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−プロピルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
プロピルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
プロピルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ブチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ブチルトラン C−N点 61.2℃ N−I点 149.7℃ 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ブチルトラン C−N点 60.2℃ N−I点 160.1℃ 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ブチルトラン C−N点 68.1℃ N−I点 145.9℃ 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ブチルトラン C−N点 56.6℃ N−I点 149.5℃ 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ブチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ブチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ブチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ブチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ブチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ペンチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ペンチルトラン C−N点 61.3℃ N−I点 152.4℃ 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ペンチルトラン C−N点 65.4℃ N−I点 162.8℃ 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ペンチルトラン C−N点 44.7℃ N−I点 150.7℃ 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ペンチルトラン C−N点 44.4℃ N−I点 152.8℃ 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ペンチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ペンチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
オクチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ノニチルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ノニルトラン 3−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
デシルトラン 3−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
デシルトラン (実施例3)〔化合物(1−c)の合成〕 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−シアノトランの製造 工程C−1)窒素雰囲気中、フラスコへマグネシウム9.
3gを入れ、そこへテトラヒドロフラン350mlへ4−プロ
ピル−1−ブロモベンゼン68gを溶かした溶液を滴下し
た。滴下終了後室温で一晩攪拌し、グリニヤール試薬を
作成した。ほう酸トリメチル70gをテトラヒドロフラン
38mlに溶解し、その中へグリニヤール試薬を室温で滴下
した。滴下終了後室温で一晩攪拌した。その後10%塩酸
75mlを加え1時間攪拌した。クロロホルムで抽出後、水
で3回洗浄しクロロホルムを留去し、4−プロピルフェ
ニルほう酸41gを得た。
【0068】工程C−2)亜硝酸ナトリウム51.2gを硫
酸390ml中へ溶解し、その後10℃以下で酢酸454mlを加え
た。溶液を20〜25℃に保ち1時間かけて2−フルオロ−
4−ヨードアニリン124gを加え、2時間攪拌した。そ
の溶液を48%臭化水素酸390mlへ臭化銅130gを溶かした
液中に滴下して1晩攪拌した。その後水1000mlを加えク
ロロホルムで抽出し、水洗を3回行った。クロロホルム
を留去し、減圧蒸留(b.p.120〜125℃/13mmHg)を行い
メタノール中より再結晶し、1−ブロモ−2−フルオロ
−4−ヨードベンゼン114gを得た。
【0069】工程C−3)窒素雰囲気中、1−ブロモ−
2−フルオロ−4−ヨードベンゼン30g、テトラキスト
リフェニルフォスフィンパラジウム(0)1.6g、ベン
ゼン186ml、2M炭酸ナトリウム水溶液140mlの混合液中
へ、4−プロピルフェニルほう酸16.5gをエタノール13
0mlに溶かした溶液を室温で滴下した。その後5時間還
流後、室温に冷却し、反応液をクロロホルムで抽出し、
水洗を3回行いクロロホルムを留去した。得られた残さ
を減圧蒸留(b.p.155〜170℃/3mmHg)し4−ブロモ−
3−フルオロ−4’−プロピルビフェニル11.7gを得
た。
【0070】工程C−4)窒素雰囲気中4−ブロモ−3
−フルオロ−4’−プロピルビフェニル2.6g、4−シ
アノフェニルアセチレン1.1g、トリフェニルフォスフ
ィン0.03g、ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジ
ウム(II)クロライド0.03gをトリエチルアミン20mlへ
溶解し、その中へヨウ化銅(I)0.01gを加えた後、5
時間還流を行った。反応液を水200ml中へ注ぎクロロホ
ルムで抽出し水で2回洗浄後クロロホルムを留去した。
残さをアセトンとメタノールの混合溶媒中より再結晶
後、シリカゲル−クロロホルムカラムクロマトグラフィ
ーで精製し、もう一度アセトンとメタノールの混合溶媒
中より再結晶を行い、2−フルオロ−4−(4”−プロ
ピルフェニル)−4’−シアノトラン0.8gを得た。こ
の化合物のC−N点は108.0℃であり、N−I点は256.1
℃であった。
【0071】同様の方法で以下の化合物を合成した。
【0072】2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニ
ル)−4’−シアノトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
シアノトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
シアノトラン C−N点 95.0℃ N−I点 240.0℃ 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−シアノトラン C−N点 89.0℃ N−I点 233.5℃ 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−シアノトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−シアノトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−シアノトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
シアノトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
シアノトラン (実施例4)〔化合物(1−d)の合成〕 工程D−1)窒素雰囲気中4−ブロモ−4’−ブチル−
3’−フルオロビフェニル4.6g、4−ペンチルフェニ
ルアセチレン2.6g、トリフェニルフォスフィン0.06
g、ビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(I
I)クロライド0.04gをトリエチルアミン33mlへ溶解
し、その中へヨウ化銅(I)0.01gを加えた。室温で1
時間攪拌後、70℃で5時間攪拌した。反応液を水300ml
中へ注ぎクロロホルムで抽出し水で2回洗浄後クロロホ
ルムを留去した。残さをシリカゲル−クロロホルムカラ
ムクロマトグラフィーで精製しアセトンとメタノールの
混合溶媒中より再結晶を行い、2−フルオロ−4−
(4”−ブチルフェニル)−4’−ペンチルトラン1.3
gを得た。この化合物のC−N点は50.5℃であり、N−
I点は171.2℃であった。
【0073】同様の方法で以下の化合物を合成した。
【0074】2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニ
ル)−4’−メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
メチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
エチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−プロピルトラン C−N点 85.7℃ N−I点 196.7℃ 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
プロピルトラン C−N点 69.9℃ N−I点 182.7℃ 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−プロピルトラン C−N点 79.7℃ N−I点 184.7℃ 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
プロピルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ブチルトラン C−N点 63.7℃ N−I点 169.4℃ 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ブチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ペンルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ペンチルトラン C−N点 78.3℃ N−I点 184.9℃ 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ペンチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ヘキシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ヘプチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
オクチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−ノニチルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
ノニルトラン 2−フルオロ−4−(4”−メチルフェニル)−4’−
デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−エチルフェニル)−4’−
デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−プロピルフェニル)−4’
−デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ブチルフェニル)−4’−
デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ペンチルフェニル)−4’
−デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘキシルフェニル)−4’
−デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ヘプチルフェニル)−4’
−デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−オクチルフェニル)−4’
−デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−ノニルフェニル)−4’−
デシルトラン 2−フルオロ−4−(4”−デシルフェニル)−4’−
デシルトラン (実施例5)〔化合物(1−e)の合成〕 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−シアノトランの製造 工程E−1)窒素雰囲気中1−ブロモ−4’−ペンチル
ビフェニル87g、3−メチル−1−ブチン−3−オール
36g、トリフェニルフォスフィン1.2g、ビス(トリフ
ェニルフォスフィン)パラジウム(II)クロライド0.62
gをトリエチルアミン300mlへ溶解し、その中へヨウ化
銅(I)0.2gを加えた。室温で1時間攪拌後、90℃で
5時間攪拌した。反応液を水中へ注ぎ、析出した結晶を
濾過後水洗を行った。得られた結晶をクロロホルムに溶
解し、10%塩酸2回、水で2回洗浄後クロロホルムを留
去した。残さをアセトンとメタノールの混合溶媒中より
再結晶をし3−メチル−1−(4”−ペンチルビフェニ
ル−4−イル)−1−ブチン−3−オール37gを得た。
【0075】工程E−2)窒素雰囲気中3−メチル−1
−(4”−ペンチルビフェニル−4−イル)−1−ブチ
ン−3−オール37gをトルエン250mlに溶かし、その中
へ水素化ナトリウム(60% in paraffin liquid)1.5gを
加えた。60℃で6時間攪拌した。反応液を水1000ml中へ
注ぎクロロホルムで抽出し、水洗を3回行った。トルエ
ンとクロロホルムを留去後、残さをメタノール中より再
結晶し4−エチニル−4’−ペンチルビフェニル20gを
得た。
【0076】工程E−3)窒素雰囲気中4−ブロモ−2
−フルオロ−1−ヨードベンゼン3.6gをジエチルアミ
ン4.4mlに溶解し、その中へ、ビス(トリフェニルフォ
スフィン)パラジウム(II)クロライド0.04g、ヨウ化
銅(I)0.04gを加えて攪拌した。フラスコを5℃以下
に冷却し、4−エチニル−4’−ペンチルビフェニル3
gをジエチルアミン8mlに溶解した溶液を滴下した。室
温で5時間攪拌後、反応液を濃塩酸7mlと氷100gの混合
中へ注いだ。クロロホルムで抽出し水で2回洗浄後クロ
ロホルムを留去した。残さをアセトンとクロロホルムの
混合溶媒中より再結晶を行い、4−(4”−ペンチルフ
ェニル)−2’−フルオロ−4’−ブロモトラン3.2g
を得た。
【0077】工程E−4)4−(4”−ペンチルフェニ
ル)−2’−フルオロ−4’−ブロモトラン3.2gとシ
アン化銅(I)1gをNMP16mlに加え、2時間還流し
た。反応液を塩化鉄(II)4g、濃塩酸1.2ml、水4.6ml
の混合中へ注いだ。析出した結晶を濾過し、水洗を行っ
た。得られた結晶をクロロホルムに溶解し、水洗を3回
行った後、クロロホルムを留去した。残さをシリカゲル
−クロロホルムカラムクロマトグラフィ−で精製後、ア
セトンとメタノールの混合溶媒中より再結晶を行い4−
(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−4’−
シアノトラン1.5gを得た。この化合物の結晶相−スメ
クチック液晶相転移点(以下C−Sm点という)は123.
9℃であり、スメクチック液晶相−ネマチック液晶相転
移点(以下Sm−N点という)は167.3℃であり、N−
I点は245.3℃であった。
【0078】同様の方法で以下の化合物を合成した。
【0079】4−(4”−メチルフェニル)−2’−フ
ルオロ−4’−シアノトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−シアノトラン C−Sm点 137.4℃ Sm−N点 175.1℃ N−I点 2
69.0℃ 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−シアノトラン C−Sm点 150.6℃ Sm−N点 185.1℃ N−I点 2
68.4℃ 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−シアノトラン C−Sm点 120.9℃ Sm−N点 176.0℃ N−I点 2
50.1℃ 4−(4”−ヘキシルルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−シアノトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−シアノトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−シアノトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−シアノトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−シアノトラン (実施例6)〔化合物(1−f)の合成〕 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−プロピルトランの製造 工程F−1)窒素雰囲気中1−ブロモプロパン1.5gを
THF20mlに溶解し、金属マグネシウム0.3g中へ滴下
した。滴下後室温で3時間攪拌してグリニヤル試薬を調
整した。別のフラスコへTHF16mlにビス(1,3−ジ
フェニルホスフィノプロパン)ニッケル(II)クロライ
ド0.12gと4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フ
ルオロ−4’−ブロモトラン4.2gを溶解し、その中へ
先に調整したグリニヤル試薬を滴下した。室温で一晩攪
拌後、反応液を濃塩酸4mlと氷32gの混合中へ注いだ。
クロロホルムで抽出後、水洗を3回行い、クロロホルム
を留去した。残さをアセトンとメタノールの混合溶媒中
より再結晶し、得られた結晶をシリカゲル−ヘキサンカ
ラムクロマトグラフィ−で精製後、アセトンとメタノー
ルの混合溶媒中よりもう一度再結晶を行い4−(4”−
ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−4’−プロピル
トラン1.6gを得た。この化合物のC−Sm点は131.0℃
であり、Sm−N点は172.5℃であり、N−I点は198.3
℃であった。
【0080】同様の方法で以下の化合物を合成した。
【0081】4−(4”−メチルフェニル)−2’−フ
ルオロ−4’−メチルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−メチルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−メチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−メチルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−メチルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−メチルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−メチルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−メチルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−メチルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−メチルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−エチルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−エチルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−エチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−エチルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−エチルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−エチルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−エチルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−エチルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−エチルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−エチルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−プロピルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−プロピルトラン C−N点 163.6℃ N−I点 196.7℃ 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−プロピルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−プロピルトラン C−Sm点 131.0℃ Sm−N点 172.5℃ N−I点 1
98.3℃ 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−プロピルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−プロピルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−プロピルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−プロピルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−プロピルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ブチルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ブチルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ブチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ブチルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ブチルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ブチルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ブチルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ブチルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ブチルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ブチルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ペンチルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ペンルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ペンチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ペンチルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ペンチルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ペンチルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ペンチルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ペンチルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ペンチルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ペンチルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘキシルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘキシルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘキシルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘキシルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘキシルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘキシルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘキシルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘキシルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘキシルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘキシルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘプチルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘプチルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘプチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘプチルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘプチルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘプチルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘプチルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ヘプチルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘプチルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ヘプチルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−オクチルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−オクチルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−オクチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−オクチルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−オクチルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−オクチルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−オクチルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−オクチルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−オクチルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−オクチルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ノニルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ノニルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ノニチルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ノニルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ノニルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ノニルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ノニルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−ノニルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ノニルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−ノニルトラン 4−(4”−メチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−デシルトラン 4−(4”−エチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−デシルトラン 4−(4”−プロピルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−デシルトラン 4−(4”−ブチルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−デシルトラン 4−(4”−ペンチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−デシルトラン 4−(4”−ヘキシルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−デシルトラン 4−(4”−ヘプチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−デシルトラン 4−(4”−オクチルフェニル)−2’−フルオロ−
4’−デシルトラン 4−(4”−ノニルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−デシルトラン 4−(4”−デシルフェニル)−2’−フルオロ−4’
−デシルトラン (実施例7)〔液晶組成物〕 ECH系液晶をベース液晶とし、下記のとおりの組成比
率で本発明化合物である実施例1〜6を含有する液晶組
成物a〜gを作った。また本発明化合物の比較として既
存の液晶化合物を含有する液晶組成物h〜jを作った。
【0082】
【表11】
【0083】
【表12】
【0084】
【表13】
【0085】組成物a〜jのN−I点、複屈折(以下Δ
nという)を測定した。その結果は以下のとおりであ
る。
【0086】
【表14】
【0087】このように本発明化合物を含有した液晶組
成物a〜gは、既存の液晶化合物を含有する液晶組成物
h〜jに比較してΔnが0.04〜0.06程度大きいことがわ
かった。
【0088】(実施例8)〔液晶表示素子〕 図1に示すようにガラス基板1及び2の上に透明電極膜
(例えばITO膜)からなる電極3を形成し、この上に
ポリイミド等よりなる配向膜を塗布する。次ににラビン
グして配向制御層4を形成し、さらにガラス基板1及び
2をシール剤6を介して対向配置し、ガラス基板間に実
施例7で作った液晶組成a〜jをそれぞれ注入し、基板
1の外面に偏光板、基板2の外面には反射型偏光板を貼
り付けてTN型の液晶表示セルA〜Jを作成した。この
時液晶表示セルのセルギャプdはそれぞれのセルのΔn
・dの値が概ね1.2〜1.3になるように設定した。
【0089】このようにして作成した液晶表示セルを交
流スタテック駆動を用い、反射型測定で、25℃におけ
るしきい値電圧(以下Vthという)、電圧−光透過率の
視角依存性(以下αという)、急峻性(以下βとい
う)、立ち上がり速度(以下Trという)、立ち下がり
速度(以下Tdという)を測定した。なお、α、β、V
th、Vsatは次式で定義した。
【0090】
【数1】
【0091】また、Trは電圧をON(この時の印加電
圧はV90(θ=80°))にして光透過率が10%まで低下
するのに要する時間、Tdは電圧をOFF(この時の印
加電圧はV10(θ=80°))にして90%の光透過率を回
復するのに要した時間で表した。測定の結果は以下のと
おりであった。
【0092】
【表15】
【0093】このように本発明の液晶化合物を含有した
液晶組成物を使用した液晶セルA〜Gは、既存の液晶化
合物を含有する液晶セルH〜Jに比較してTr+Tdが
50〜150ms程度速いことがわかった。
【0094】なお、上記の実施例においてはTN型の液
晶表示セルを用いたが、STN型の表示セルを用いた場
合にも同様な効果が得られた。
【0095】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明の化合物は他の
液晶化合物との相溶性が良く、一般的な液晶混合物に混
合することにより、実用温度範囲を広くし、Δnを大き
くする効果がある。これらの点で本発明は、現在表示装
置の主流となっているSTN型表示の液晶組成物の基本
的成分として極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例で作成した液晶表示セルを示す
図。
【符号の説明】
1.2.ガラス基板 3.透明電極 4.配向制御層 5.偏光板 6.シール剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G02F 1/13 500 G02F 1/13 500 (31)優先権主張番号 特願平4−120735 (32)優先日 平成4年5月13日(1992.5.13) (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願平4−131246 (32)優先日 平成4年5月25日(1992.5.25) (33)優先権主張国 日本(JP) (56)参考文献 特開 昭60−152427(JP,A) 特開 昭60−204734(JP,A) 特開 昭61−140535(JP,A) 特開 平4−128258(JP,A) 特表 平1−502908(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C09K 19/18 C09K 19/30 C09K 19/46 CA(STN)

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【化1】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    し、X1、X2、X3のいずれか一つがフッ素原子であ
    り、残りの二つのXは水素原子を表す。また、Yはニト
    リル基または炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されることを特徴とするトラン誘導体。
  2. 【請求項2】一般式 【化2】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    す)で表されることを特徴とする請求項1に記載のトラ
    ン誘導体。
  3. 【請求項3】一般式 【化3】 (上式中、R1、R2はともに炭素数が1〜10の直鎖ア
    ルキル基を示す)で表されることを特徴とする請求項1
    に記載のトラン誘導体。
  4. 【請求項4】一般式 【化4】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    す)で表されることを特徴とする請求項1に記載のトラ
    ン誘導体。
  5. 【請求項5】一般式 【化5】 (上式中、R1、R2はともに炭素数が1〜10の直鎖ア
    ルキル基を示す)で表されることを特徴とする請求項1
    に記載のトラン誘導体。
  6. 【請求項6】一般式 【化6】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    す)で表されることを特徴とする請求項1に記載のトラ
    ン誘導体。
  7. 【請求項7】一般式 【化7】 (上式中、R1、R2はともに炭素数が1〜10の直鎖ア
    ルキル基を示す)で表されることを特徴とする請求項1
    に記載のトラン誘導体。
  8. 【請求項8】一般式 【化8】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    し、X1、X2、X3のいずれか一つがフッ素原子であ
    り、残りの二つのXは水素原子を表す。また、Yはニト
    リル基または炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されるトラン誘導体を含有する液晶組成物。
  9. 【請求項9】一般式 【化9】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    し、X1、X2、X3のいずれか一つがフッ素原子であ
    り、残りの二つのXは水素原子を表す。また、Yはニト
    リル基または炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されるトラン誘導体の少なくとも1種類を5〜
    50重量% 一般式 【化10】 (上式中、R1、R2はともに炭素数が1〜10の直鎖ア
    ルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス配置であ
    る)で表されるシクロヘキサンカルボン酸フェニルエス
    テル誘導体(以下ECH系という)の少なくとも1種類
    を30〜80重量%を含有することを特徴とする請求項
    8に記載のトラン誘導体を含有する液晶組成物。
  10. 【請求項10】一般式 【化11】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    し、X1、X2、X3のいずれか一つがフッ素原子であ
    り、残りの二つのXは水素原子を表す。また、Yはニト
    リル基または炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されるトラン誘導体の少なくとも1種類を10
    〜35重量% 一般式 【化12】 (上式中、R1、R2はともに炭素数が1〜10の直鎖ア
    ルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス配置であ
    る)で表されるECH系の少なくとも1種類を40〜7
    0重量% 一般式 【化13】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    し、シクロヘキサン環はトランス配置である)で表され
    る正の誘電異方性を持つ化合物の少なくとも1種類を1
    0〜50重量%を含有することを特徴とする請求項8に
    記載のトラン誘導体を含有する液晶組成物。
  11. 【請求項11】一般式 【化14】 (上式中、Rは炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を示
    し、X1、X2、X3のいずれか一つがフッ素原子であ
    り、残りの二つのXは水素原子を表す。また、Yはニト
    リル基または炭素数が1〜10の直鎖アルキル基を表
    す)で表されることを特徴とするトラン誘導体の少なく
    とも1種類を含有する液晶組成物を用いたことを特徴と
    するトラン誘導体を含有する液晶組成物を用いた液晶表
    示装置。
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