JP3185339B2 - 電荷結合素子の製造方法 - Google Patents
電荷結合素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3185339B2 JP3185339B2 JP09338292A JP9338292A JP3185339B2 JP 3185339 B2 JP3185339 B2 JP 3185339B2 JP 09338292 A JP09338292 A JP 09338292A JP 9338292 A JP9338292 A JP 9338292A JP 3185339 B2 JP3185339 B2 JP 3185339B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- region
- ion implantation
- forming
- implantation mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ素子の転送領域
を形成するのに利用される濃度勾配を有する不純物導入
領域を有する電荷結合素子の製造方法に関するものであ
る。
を形成するのに利用される濃度勾配を有する不純物導入
領域を有する電荷結合素子の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ素子の転送領域を形成する
方法を図５の製造工程図により説明する。図５の（１）
に示すように、通常のプロセスによって、半導体基板４
１の上面に、絶縁膜４２を介して１層目の転送電極を形
成する膜（図示せず）を成膜する。その後通常のホトリ
ソグラフィーとエッチングとによって、１層目の転送電
極を形成する膜よりなる１層目の転送電極４３，４４を
形成する。そして、例えば１層目の転送電極４３，４４
間に形成される２層目の転送電極（図示せず）の転送領
域におけるポテンシャルを改善する場合には、前記１層
目の転送電極４３，４４を形成した後、レジスト膜（図
示せず）を成膜し、続いて通常のホトリソグラフィーに
よって、上記レジスト膜でレジストマスク６１を形成す
る。
方法を図５の製造工程図により説明する。図５の（１）
に示すように、通常のプロセスによって、半導体基板４
１の上面に、絶縁膜４２を介して１層目の転送電極を形
成する膜（図示せず）を成膜する。その後通常のホトリ
ソグラフィーとエッチングとによって、１層目の転送電
極を形成する膜よりなる１層目の転送電極４３，４４を
形成する。そして、例えば１層目の転送電極４３，４４
間に形成される２層目の転送電極（図示せず）の転送領
域におけるポテンシャルを改善する場合には、前記１層
目の転送電極４３，４４を形成した後、レジスト膜（図
示せず）を成膜し、続いて通常のホトリソグラフィーに
よって、上記レジスト膜でレジストマスク６１を形成す
る。
【０００３】次いで図５の（２）に示す如く、上記レジ
ストマスク６１と転送電極４３，４４とをイオン注入マ
スクにしたイオン注入法によって、半導体基板４１の上
層に不純物４５（例えばホウ素）をイオン注入する。そ
して、ポテンシャルが階段状になるような転送領域４６
を形成する。次いでレジストマスク６１を除去する。そ
の後図５の（３）に示すように、通常のプロセスによっ
て、２層目の転送電極を形成する膜（図示せず）を成膜
した後、通常のホトリソグラフィーとエッチングとによ
って、２層目の転送電極を形成する膜よりなる転送電極
４７，４８を形成する。
ストマスク６１と転送電極４３，４４とをイオン注入マ
スクにしたイオン注入法によって、半導体基板４１の上
層に不純物４５（例えばホウ素）をイオン注入する。そ
して、ポテンシャルが階段状になるような転送領域４６
を形成する。次いでレジストマスク６１を除去する。そ
の後図５の（３）に示すように、通常のプロセスによっ
て、２層目の転送電極を形成する膜（図示せず）を成膜
した後、通常のホトリソグラフィーとエッチングとによ
って、２層目の転送電極を形成する膜よりなる転送電極
４７，４８を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法によって形成したＣＣＤ素子では、例えば図６に示す
如く、前記図５で説明した転送電極４７の下方の転送領
域４６におけるポテンシャル５１が階段状に変化する。
したがって、ポテンシャル５１がほとんど変化しない領
域５２，５３が存在する。このため、この部分における
転送効率は十分に改善されない。特に高感度を要求され
るＣＣＤ素子の場合には、通常のＣＣＤ素子よりも高い
転送効率が求められているが、十分な転送効率が得られ
ない。したがって、高感度のＣＣＤ素子を形成すること
が困難になっている。
法によって形成したＣＣＤ素子では、例えば図６に示す
如く、前記図５で説明した転送電極４７の下方の転送領
域４６におけるポテンシャル５１が階段状に変化する。
したがって、ポテンシャル５１がほとんど変化しない領
域５２，５３が存在する。このため、この部分における
転送効率は十分に改善されない。特に高感度を要求され
るＣＣＤ素子の場合には、通常のＣＣＤ素子よりも高い
転送効率が求められているが、十分な転送効率が得られ
ない。したがって、高感度のＣＣＤ素子を形成すること
が困難になっている。
【０００５】本発明は、ＣＣＤ素子の転送効率を高める
ような濃度勾配を有する不純物導入領域を形成する半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ような濃度勾配を有する不純物導入領域を形成する半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた電荷結合素子の製造方法である。
すなわち、半導体基板の転送領域上に所定の間隔で第１
転送電極を複数形成する工程と、前記第１転送電極及び
前記第１転送電極間の領域の前記転送領域の下流側の一
部のみを覆うようにレジストパターンを形成する工程
と、前記レジストパターンをリフローして、前記第１転
送電極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、
下流側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、前記
イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領域に
不純物領域を形成する工程と、前記イオン注入マスクを
除去して前記第１転送電極間の領域上に第２転送電極を
形成する工程とを有し、前記不純物領域は不純物濃度が
前記上流側で濃く、前記下流側で薄くなることにより前
記転送領域の転送方向に濃度勾配を有するように形成さ
れる電荷結合素子の製造方法である。
成するためになされた電荷結合素子の製造方法である。
すなわち、半導体基板の転送領域上に所定の間隔で第１
転送電極を複数形成する工程と、前記第１転送電極及び
前記第１転送電極間の領域の前記転送領域の下流側の一
部のみを覆うようにレジストパターンを形成する工程
と、前記レジストパターンをリフローして、前記第１転
送電極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、
下流側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、前記
イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領域に
不純物領域を形成する工程と、前記イオン注入マスクを
除去して前記第１転送電極間の領域上に第２転送電極を
形成する工程とを有し、前記不純物領域は不純物濃度が
前記上流側で濃く、前記下流側で薄くなることにより前
記転送領域の転送方向に濃度勾配を有するように形成さ
れる電荷結合素子の製造方法である。
【０００７】前記電荷結合素子の製造方法では、前記不
純物領域のポテンシャルが前記下流側で深くなるよう勾
配をもって形成される。
純物領域のポテンシャルが前記下流側で深くなるよう勾
配をもって形成される。
【０００８】
【作用】上記電荷結合素子の製造方法では、第１転送電
極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下流側の一部
のみを覆うようにレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをリフローして、第１転送電極間の領域に
おいて、転送領域の上流側で薄く下流側で厚いイオン注
入マスクをし、このイオン注入マスクを用いて第１転送
電極間の領域に不純物領域を形成するため、イオン注入
マスクの厚い部分で覆われている半導体基板には、不純
物が導入されない。またイオン注入マスクが徐々に薄く
なるにしたがって、半導体基板に導入される不純物濃度
が濃くなる。この結果、半導体基板に形成される不純物
導入領域の不純物濃度は、転送領域の上流側で濃く、下
流側で薄くなるように、転送領域の転送方向に濃度勾配
を有する分布になる。
極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下流側の一部
のみを覆うようにレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをリフローして、第１転送電極間の領域に
おいて、転送領域の上流側で薄く下流側で厚いイオン注
入マスクをし、このイオン注入マスクを用いて第１転送
電極間の領域に不純物領域を形成するため、イオン注入
マスクの厚い部分で覆われている半導体基板には、不純
物が導入されない。またイオン注入マスクが徐々に薄く
なるにしたがって、半導体基板に導入される不純物濃度
が濃くなる。この結果、半導体基板に形成される不純物
導入領域の不純物濃度は、転送領域の上流側で濃く、下
流側で薄くなるように、転送領域の転送方向に濃度勾配
を有する分布になる。
【０００９】
【実施例】本発明の電荷結合素子の製造方法に係る実施
例を、図１〜図４によって説明する。まず、図１によっ
てイオン注入マスクの製造方法を説明する。図１の
（１）に示す如く、第１の工程では、例えば通常のレジ
スト塗布技術によって、半導体基板１１の上面にイオン
注入マスクを形成する膜として、例えばレジスト膜１２
を成膜する。続いて通常のホトリソグラフィーによっ
て、上記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去
し、当該レジスト膜１２でマスクパターン１３を形成す
る。
例を、図１〜図４によって説明する。まず、図１によっ
てイオン注入マスクの製造方法を説明する。図１の
（１）に示す如く、第１の工程では、例えば通常のレジ
スト塗布技術によって、半導体基板１１の上面にイオン
注入マスクを形成する膜として、例えばレジスト膜１２
を成膜する。続いて通常のホトリソグラフィーによっ
て、上記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去
し、当該レジスト膜１２でマスクパターン１３を形成す
る。
【００１０】次いで図１の（２）に示すように、第２の
工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マ
スクパターン１３を軟化させる。そして当該マスクパタ
ーン１３の表面張力を利用して、端面１４を傾斜面に変
形加工して、イオン注入マスク１５を形成する。
工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マ
スクパターン１３を軟化させる。そして当該マスクパタ
ーン１３の表面張力を利用して、端面１４を傾斜面に変
形加工して、イオン注入マスク１５を形成する。
【００１１】その後図１の（３）に示す如く、第３の工
程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マス
ク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば不
純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１１
に導入する。
程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マス
ク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば不
純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１１
に導入する。
【００１２】上記方法では、イオン注入マスク１５の端
面１４を傾斜面に加工したことにより、イオン注入マス
ク１５の厚さは、その端部１６より徐々に厚くなる。こ
のため、イオン注入マスク１５の厚い部分で覆われてい
る半導体基板１１には、不純物１７が導入されない。ま
たイオン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがっ
て、半導体基板１１に導入される不純物１７の濃度が濃
くなる。この結果、図２に示すように、半導体基板（１
１）に導入される不純物濃度は濃度勾配を有する分布に
なる。図２の縦軸は不純物濃度を示し、その横軸は前記
図１に示した半導体基板（１１）における不純物導入位
置を示す。
面１４を傾斜面に加工したことにより、イオン注入マス
ク１５の厚さは、その端部１６より徐々に厚くなる。こ
のため、イオン注入マスク１５の厚い部分で覆われてい
る半導体基板１１には、不純物１７が導入されない。ま
たイオン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがっ
て、半導体基板１１に導入される不純物１７の濃度が濃
くなる。この結果、図２に示すように、半導体基板（１
１）に導入される不純物濃度は濃度勾配を有する分布に
なる。図２の縦軸は不純物濃度を示し、その横軸は前記
図１に示した半導体基板（１１）における不純物導入位
置を示す。
【００１３】次に上記図１によって説明した方法を利用
した電荷結合素子（以下ＣＣＤ素子と記す）の製造方法
を、図３の製造工程図により説明する。なお上記図１に
よって説明したと同様の構成部品には同一符号を記す。
図３の（１）に示すように、半導体基板１１の上面に
は、ゲート絶縁膜２１が形成されている。このゲート絶
縁膜２１の上面には、１層目の電極形成膜よりなる複数
の転送電極２２，２３が形成されている。ここでは、上
記転送電極２２，２３間の転送領域を、濃度勾配を有す
る状態に形成する方法を説明する。まず第１の工程とし
て、通常のレジスト塗布技術によって、各転送電極２
２，２３を覆う状態に、イオン注入マスクを形成する膜
になるレジスト膜１２を成膜する。続いて通常のホトリ
ソグラフィーによって、上記転送電極２２，２３のう
ち、例えば転送電極２２にオーバラップする状態に、上
記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去して、マ
スクパターン１３を形成する。
した電荷結合素子（以下ＣＣＤ素子と記す）の製造方法
を、図３の製造工程図により説明する。なお上記図１に
よって説明したと同様の構成部品には同一符号を記す。
図３の（１）に示すように、半導体基板１１の上面に
は、ゲート絶縁膜２１が形成されている。このゲート絶
縁膜２１の上面には、１層目の電極形成膜よりなる複数
の転送電極２２，２３が形成されている。ここでは、上
記転送電極２２，２３間の転送領域を、濃度勾配を有す
る状態に形成する方法を説明する。まず第１の工程とし
て、通常のレジスト塗布技術によって、各転送電極２
２，２３を覆う状態に、イオン注入マスクを形成する膜
になるレジスト膜１２を成膜する。続いて通常のホトリ
ソグラフィーによって、上記転送電極２２，２３のう
ち、例えば転送電極２２にオーバラップする状態に、上
記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去して、マ
スクパターン１３を形成する。
【００１４】次いで図３の（２）に示すように、第２の
工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マ
スクパターン１３を軟化させることによって変形させ、
当該マスクパターン１３の表面張力を利用して、端面１
４を変形加工して傾斜面に形成する。この傾斜面は、例
えば３０°程度の傾斜角度を有するように形成する。こ
のようにしてイオン注入マスク１５を形成する。
工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マ
スクパターン１３を軟化させることによって変形させ、
当該マスクパターン１３の表面張力を利用して、端面１
４を変形加工して傾斜面に形成する。この傾斜面は、例
えば３０°程度の傾斜角度を有するように形成する。こ
のようにしてイオン注入マスク１５を形成する。
【００１５】続いて図３の（３）に示すように、第３の
工程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マ
スク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば
不純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１
１に導入する。このとき、転送電極２２，２３もイオン
注入マスクの作用をする。そして半導体基板１１の上層
に濃度勾配を有する転送領域１８を形成する。
工程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マ
スク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば
不純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１
１に導入する。このとき、転送電極２２，２３もイオン
注入マスクの作用をする。そして半導体基板１１の上層
に濃度勾配を有する転送領域１８を形成する。
【００１６】その後イオン注入マスク１５を、例えばア
ッシャー処理により除去する。次いで図３の（４）に示
すように、例えば熱酸化法によって、転送電極２２，２
３の各表面に絶縁膜２４を形成する。続いて例えば通常
の化学的気相成長法によって、上記ゲート絶縁膜２１と
上記絶縁膜２４との上面に２層目の電極形成膜（２５）
を成膜する。その後通常のホトリソグラフィーとエッチ
ングとによって、２層目の電極形成膜（２５）の２点鎖
線で示す部分を除去して、転送電極２６，２７を形成す
る。上記のようにして、ＣＣＤ素子２０は形成される。
ッシャー処理により除去する。次いで図３の（４）に示
すように、例えば熱酸化法によって、転送電極２２，２
３の各表面に絶縁膜２４を形成する。続いて例えば通常
の化学的気相成長法によって、上記ゲート絶縁膜２１と
上記絶縁膜２４との上面に２層目の電極形成膜（２５）
を成膜する。その後通常のホトリソグラフィーとエッチ
ングとによって、２層目の電極形成膜（２５）の２点鎖
線で示す部分を除去して、転送電極２６，２７を形成す
る。上記のようにして、ＣＣＤ素子２０は形成される。
【００１７】上記方法では、イオン注入マスク１５の端
面１４を傾斜面に形成したことにより、イオン注入マス
ク１５の厚さは、図の（３）に示すように、その端部１
６より徐々に厚くなる、このため、ある一定以上の厚さ
を有する部分のイオン注入マスク１５で覆われている半
導体基板１１には不純物１７が導入されない。またイオ
ン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがって、半導
体基板１１に導入される不純物濃度は濃くなる。この結
果、図４に示すように、転送領域１８のポテンシャルは
勾配を有する。よって、この部分における電荷の転送効
率は向上する。したがって、ＣＣＤ素子２０の転送効率
が向上する。図４の縦軸はポテンシャルを示し、その横
軸はＣＣＤ素子２０の転送領域の位置を示す。
面１４を傾斜面に形成したことにより、イオン注入マス
ク１５の厚さは、図の（３）に示すように、その端部１
６より徐々に厚くなる、このため、ある一定以上の厚さ
を有する部分のイオン注入マスク１５で覆われている半
導体基板１１には不純物１７が導入されない。またイオ
ン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがって、半導
体基板１１に導入される不純物濃度は濃くなる。この結
果、図４に示すように、転送領域１８のポテンシャルは
勾配を有する。よって、この部分における電荷の転送効
率は向上する。したがって、ＣＣＤ素子２０の転送効率
が向上する。図４の縦軸はポテンシャルを示し、その横
軸はＣＣＤ素子２０の転送領域の位置を示す。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
第１転送電極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下
流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをリフローして、第１転送電
極間の領域において、転送領域の上流側で薄く下流側で
厚いイオン注入マスクをし、このイオン注入マスクを用
いて第１転送電極間の領域に不純物領域を形成するの
で、半導体基板に形成した不純物導入領域の不純物濃度
は、転送領域の上流側で濃く、下流側で薄くなるよう
に、転送領域の転送方向に濃度勾配を有する分布にな
る。この結果、例えばＣＣＤ素子の転送領域を、濃度勾
配を有する状態に形成することが可能になるので、ＣＣ
Ｄ素子の転送効率の向上を図ることが可能になる。
第１転送電極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下
流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをリフローして、第１転送電
極間の領域において、転送領域の上流側で薄く下流側で
厚いイオン注入マスクをし、このイオン注入マスクを用
いて第１転送電極間の領域に不純物領域を形成するの
で、半導体基板に形成した不純物導入領域の不純物濃度
は、転送領域の上流側で濃く、下流側で薄くなるよう
に、転送領域の転送方向に濃度勾配を有する分布にな
る。この結果、例えばＣＣＤ素子の転送領域を、濃度勾
配を有する状態に形成することが可能になるので、ＣＣ
Ｄ素子の転送効率の向上を図ることが可能になる。
【図１】イオン注入マスクの製造工程図である。
【図２】不純物濃度分布の説明図である。
【図３】ＣＣＤ素子の転送領域の製造工程図である。
【図４】ＣＣＤ素子のポテンシャルの説明図である。
【図５】従来例の製造工程図である。
【図６】課題の説明図である。
１１ 半導体基板 １２ レジスト膜 １３ マスクパターン １４ 端面 １５ イオン注入マスク １７ 不純物 １８ 転送領域 ２０ ＣＣＤ素子 ２２ 転送電極 ２３ 転送電極 ２６ 転送電極 ２７ 転送電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/148 (56)参考文献 特開 昭62−67876（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−16123（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−222150（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292824（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−27024（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−117632（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58341（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−179574（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196439（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/762 H01L 21/265 H01L 27/148
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の転送領域上に所定の間隔で
第１転送電極を複数形成する工程と、 前記第１転送電極及び前記第１転送電極間の領域の前記
転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパタ
ーンを形成する工程と、 前記レジストパターンをリフローして、前記第１転送電
極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、下流
側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、 前記イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領
域に不純物領域を形成する工程と、 前記イオン注入マスクを除去して前記第１転送電極間の
領域上に第２転送電極を形成する工程とを有し、 前記不純物領域は不純物濃度が前記上流側で濃く、前記
下流側で薄くなることにより前記転送領域の転送方向に
濃度勾配を有するように形成されることを特徴とする電
荷結合素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記不純物領域のポテンシャルが前記下
流側で深くなるよう勾配をもって形成されることを特徴
とする請求項１記載の電荷結合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09338292A JP3185339B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 電荷結合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09338292A JP3185339B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 電荷結合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267206A JPH05267206A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3185339B2 true JP3185339B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=14080766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09338292A Expired - Lifetime JP3185339B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 電荷結合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185339B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3867312B2 (ja) * | 1995-12-13 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | イオン注入方法 |
| JP5178209B2 (ja) | 2008-01-16 | 2013-04-10 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011197553A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 露光用マスク、不純物層を有する半導体装置の製造方法および固体撮像装置 |
| JP5204184B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP09338292A patent/JP3185339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267206A (ja) | 1993-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5846670A (ja) | 埋込みチヤンネル型電荷結合装置の製造法 | |
| EP0263341A2 (en) | An improved process for preparing a charge coupled device with charge transfer direction biasing implants | |
| US4579626A (en) | Method of making a charge-coupled device imager | |
| US5221852A (en) | Charge coupled device and method of producing the same | |
| JP3185339B2 (ja) | 電荷結合素子の製造方法 | |
| JPH0758771B2 (ja) | 電荷結合装置イメ−ジヤ | |
| US6031259A (en) | Solid state image pickup device and manufacturing method therefor | |
| JP3239911B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| CA1097429A (en) | Method of manufacturing a charge transfer device | |
| US6210990B1 (en) | Method for fabricating solid state image sensor | |
| JPH06326183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001044409A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0653472A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2697554B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS58122769A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2621607B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04113674A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3772920B6 (ja) | 固体撮像素子の受光部製造方法 | |
| JP2663516B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH02159041A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61264763A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0485884A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61137371A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0785505B2 (ja) | 自己整合によりｃｃｄチャンネルを作製する方法 | |
| JPH02189937A (ja) | 電荷結合装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |