JP3183144B2 - マグネトロン駆動用電源 - Google Patents
マグネトロン駆動用電源Info
- Publication number
- JP3183144B2 JP3183144B2 JP02752696A JP2752696A JP3183144B2 JP 3183144 B2 JP3183144 B2 JP 3183144B2 JP 02752696 A JP02752696 A JP 02752696A JP 2752696 A JP2752696 A JP 2752696A JP 3183144 B2 JP3183144 B2 JP 3183144B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- semiconductor switch
- switch element
- overvoltage
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B40/00—Technologies aiming at improving the efficiency of home appliances, e.g. induction cooking or efficient technologies for refrigerators, freezers or dish washers
Landscapes
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子レンジなどの高
周波加熱装置、あるいは、医療機器、乾燥器、ガス励起
装置などマグネトロンから得られるマイクロ波を利用す
る機器に用いるマグネトロン駆動用の電源に関するもの
である。
周波加熱装置、あるいは、医療機器、乾燥器、ガス励起
装置などマグネトロンから得られるマイクロ波を利用す
る機器に用いるマグネトロン駆動用の電源に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のマグネトロン駆動用電源は昇圧ト
ランスと高圧整流回路とマグネトロンによって構成さ
れ、昇圧トランスは商用電源から得られる５０Ｈｚある
いは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧し、その昇圧された交流
高電圧を高圧整流回路が直流高電圧に整流してマグネト
ロンを付勢しマイクロ波を発生する。
ランスと高圧整流回路とマグネトロンによって構成さ
れ、昇圧トランスは商用電源から得られる５０Ｈｚある
いは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧し、その昇圧された交流
高電圧を高圧整流回路が直流高電圧に整流してマグネト
ロンを付勢しマイクロ波を発生する。
【０００３】しかしながらこのような構成では昇圧トラ
ンスは５０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧する
ため、非常に大型化し重量も非常に重いものであった。
そこで、この昇圧トランスを小型軽量化するために、５
０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を一旦２０ｋＨｚ以
上の高周波交流電圧に変換し、この高周波交流電圧を昇
圧する構成とすることにより、昇圧トランスの小型軽量
化を図る回路構成としたものが国内のインバータ式電子
レンジに採用されている。
ンスは５０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧する
ため、非常に大型化し重量も非常に重いものであった。
そこで、この昇圧トランスを小型軽量化するために、５
０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を一旦２０ｋＨｚ以
上の高周波交流電圧に変換し、この高周波交流電圧を昇
圧する構成とすることにより、昇圧トランスの小型軽量
化を図る回路構成としたものが国内のインバータ式電子
レンジに採用されている。
【０００４】図７はこのインバータ式電子レンジに採用
されているマグネトロン駆動用電源の回路図を示してい
る。商用電源１の交流電圧は、整流回路によって単方向
電圧に整流され、半導体スイッチ素子３を有するインバ
ータ回路２に供給される。また、この半導体スイッチ素
子３はバイポーラジャンクショントランジスタ（ＢＪ
Ｔ）やＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）や
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などの
自己転流機能を有するトランジスタと、これと逆並列に
接続されたダイオードによって構成されている。整流回
路の単方向電圧はこのインバータ回路２によって２０ｋ
Ｈｚ以上の交流電圧に変換される。インバータ回路２を
構成する昇圧トランス５はその１次巻線６に発生した高
周波交流電圧を昇圧して高電圧の高周波交流電圧を出力
する。この高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路７に
よって整流され直流高電圧に変換される。マグネトロン
８はこの直流高電圧により付勢されマイクロ波を放出す
る。
されているマグネトロン駆動用電源の回路図を示してい
る。商用電源１の交流電圧は、整流回路によって単方向
電圧に整流され、半導体スイッチ素子３を有するインバ
ータ回路２に供給される。また、この半導体スイッチ素
子３はバイポーラジャンクショントランジスタ（ＢＪ
Ｔ）やＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）や
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などの
自己転流機能を有するトランジスタと、これと逆並列に
接続されたダイオードによって構成されている。整流回
路の単方向電圧はこのインバータ回路２によって２０ｋ
Ｈｚ以上の交流電圧に変換される。インバータ回路２を
構成する昇圧トランス５はその１次巻線６に発生した高
周波交流電圧を昇圧して高電圧の高周波交流電圧を出力
する。この高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路７に
よって整流され直流高電圧に変換される。マグネトロン
８はこの直流高電圧により付勢されマイクロ波を放出す
る。
【０００５】マグネトロン８を駆動するために高圧整流
回路７は４ｋＶ以上の高電圧を発生しなければならない
が、このように高電圧を発生すると放電現象が起こりや
すくなる。これに対しては十分な絶縁距離をとることに
より放電を起こりにくくするとともに、異物（例えばゴ
キブリなど）が混入し放電が起こった場合でも制御部１
１は放電を検出してインバータ回路２を安全に停止する
ようになっている。
回路７は４ｋＶ以上の高電圧を発生しなければならない
が、このように高電圧を発生すると放電現象が起こりや
すくなる。これに対しては十分な絶縁距離をとることに
より放電を起こりにくくするとともに、異物（例えばゴ
キブリなど）が混入し放電が起こった場合でも制御部１
１は放電を検出してインバータ回路２を安全に停止する
ようになっている。
【０００６】また、高圧整流回路７内で放電が起こると
インバータ回路２の動作にも影響を与え、インバータ回
路２に備えられた半導体スイッチ素子３に過大な電圧を
印加する。この過電圧が半導体スイッチ素子３の耐圧を
越えると半導体スイッチ素子３はアバランシェ降伏を起
こし駆動信号が無い状態でも電流を流してしまい、半導
体スイッチ素子３の電力損失により破壊モードにいた
る。そこで半導体スイッチ素子３がこの過大な電圧によ
って破壊しないように過電圧保護を講じる必要がある。
従来の過電圧保護の方法としては図に示したように定電
圧ダイオード２５によって半導体スイッチ素子３に過電
圧が印加すると、この定電圧ダイオード２５が導通し、
半導体スイッチ素子３に接続されたゲート抵抗２６に電
流を流すことにより半導体スイッチ素子３に導通信号を
与え、半導体スイッチ素子３を強制的に導通状態にする
構成となっていた。
インバータ回路２の動作にも影響を与え、インバータ回
路２に備えられた半導体スイッチ素子３に過大な電圧を
印加する。この過電圧が半導体スイッチ素子３の耐圧を
越えると半導体スイッチ素子３はアバランシェ降伏を起
こし駆動信号が無い状態でも電流を流してしまい、半導
体スイッチ素子３の電力損失により破壊モードにいた
る。そこで半導体スイッチ素子３がこの過大な電圧によ
って破壊しないように過電圧保護を講じる必要がある。
従来の過電圧保護の方法としては図に示したように定電
圧ダイオード２５によって半導体スイッチ素子３に過電
圧が印加すると、この定電圧ダイオード２５が導通し、
半導体スイッチ素子３に接続されたゲート抵抗２６に電
流を流すことにより半導体スイッチ素子３に導通信号を
与え、半導体スイッチ素子３を強制的に導通状態にする
構成となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの様な
構成では半導体スイッチ素子３を高速で駆動するためゲ
ート抵抗２６はできるだけ小さくすることが望ましいの
で、半導体スイッチ素子３がターンオンするだけの電圧
を発生させるにはゲート抵抗２６にかなり大きな電流を
流さなければならない。また、このような回路構成では
半導体スイッチ素子３に印加する電圧は共振コンデンサ
４と昇圧トランス５の１次巻線６によって起こる共振に
よって高電圧を発生する。このため過電圧保護のための
定電圧ダイオード２５は高耐圧かつ大電流容量となるた
めチップが大きくなり小型化の妨げとなっていた。
構成では半導体スイッチ素子３を高速で駆動するためゲ
ート抵抗２６はできるだけ小さくすることが望ましいの
で、半導体スイッチ素子３がターンオンするだけの電圧
を発生させるにはゲート抵抗２６にかなり大きな電流を
流さなければならない。また、このような回路構成では
半導体スイッチ素子３に印加する電圧は共振コンデンサ
４と昇圧トランス５の１次巻線６によって起こる共振に
よって高電圧を発生する。このため過電圧保護のための
定電圧ダイオード２５は高耐圧かつ大電流容量となるた
めチップが大きくなり小型化の妨げとなっていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体スイッチ素子に過電圧が印可された
場合に、強制的に前記半導体スイッチ素子を導通状態に
してなるものである。
するために、半導体スイッチ素子に過電圧が印可された
場合に、強制的に前記半導体スイッチ素子を導通状態に
してなるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、半導体ス
イッチ素子に過電圧が印可された場合に、強制的に前記
半導体スイッチ素子を導通状態にしてなることにより、
半導体スイッチ素子に印加する過電圧を吸収することが
できるものである。
イッチ素子に過電圧が印可された場合に、強制的に前記
半導体スイッチ素子を導通状態にしてなることにより、
半導体スイッチ素子に印加する過電圧を吸収することが
できるものである。
【００１０】請求項６記載の発明は、半導体スイッチ素
子に印加する電圧を分圧する抵抗と、定電圧ダイオード
と、バッファ回路とを備え、前記定電圧ダイオードは、
前記半導体スイッチ素子に過電圧が印加すると導通状態
になり、前記バッファ回路にオン信号を与え、これによ
り前記半導体スイッチ素子を導通状態としてなることに
より、高速に半導体スイッチ素子に印加する過電圧を吸
収させることができる。
子に印加する電圧を分圧する抵抗と、定電圧ダイオード
と、バッファ回路とを備え、前記定電圧ダイオードは、
前記半導体スイッチ素子に過電圧が印加すると導通状態
になり、前記バッファ回路にオン信号を与え、これによ
り前記半導体スイッチ素子を導通状態としてなることに
より、高速に半導体スイッチ素子に印加する過電圧を吸
収させることができる。
【００１１】以下、本発明の実施例について図面を用い
て説明する。 （実施例１） 本発明の実施例１を図１および図２を用いて説明する。
て説明する。 （実施例１） 本発明の実施例１を図１および図２を用いて説明する。
【００１２】図１は本発明のマグネトロン駆動用電源を
示した回路図である。図１において１は商用電源などの
外部電源でありダイオードブリッジによって整流されイ
ンバータ回路２に単方向直流電圧を供給する。インバー
タ回路２はこの単方向電圧を受けて半導体スイッチ素子
３のオンオフによって共振コンデンサ４と昇圧トランス
５の１次巻線６で構成される共振回路を励起し、高周波
交流電力を発生する。昇圧トランス５はこの高周波交流
電力を昇圧し、高圧整流回路７に供給する。高圧整流回
路７は昇圧トランス５から受けた交流電力を単方向電圧
に整流し、マグネトロン８はこの単方向電圧を受けてマ
イクロ波を発生する。また、９は半導体スイッチ素子３
の過電圧を検出して駆動手段１０に信号を与え、半導体
スイッチ素子３を導通状態にする過電圧検出手段であ
る。
示した回路図である。図１において１は商用電源などの
外部電源でありダイオードブリッジによって整流されイ
ンバータ回路２に単方向直流電圧を供給する。インバー
タ回路２はこの単方向電圧を受けて半導体スイッチ素子
３のオンオフによって共振コンデンサ４と昇圧トランス
５の１次巻線６で構成される共振回路を励起し、高周波
交流電力を発生する。昇圧トランス５はこの高周波交流
電力を昇圧し、高圧整流回路７に供給する。高圧整流回
路７は昇圧トランス５から受けた交流電力を単方向電圧
に整流し、マグネトロン８はこの単方向電圧を受けてマ
イクロ波を発生する。また、９は半導体スイッチ素子３
の過電圧を検出して駆動手段１０に信号を与え、半導体
スイッチ素子３を導通状態にする過電圧検出手段であ
る。
【００１３】図２は半導体スイッチ素子３の動作波形を
示した図である。定常状態では半導体スイッチ素子３に
印加する電圧は半導体スイッチ素子３の耐圧を超えない
電圧になるよう設計されているが、高圧整流回路７で放
電が起こるとインバータ回路２に備えられた昇圧トラン
ス５と共振コンデンサ４によって構成される共振回路の
共振条件が変化し、半導体スイッチ素子３の耐圧を越え
る電圧を発生しようとするが、本発明の実施例において
は過電圧検知手段９が半導体スイッチ素子３に過大な電
圧が印加すると、駆動手段１０に信号を与え、図２に示
すように半導体スイッチ素子３に電圧が印加している状
態で半導体スイッチ素子３は導通し、電流を流すことに
よってこの過電圧を吸収する。また、過電圧検知手段９
は制御回路１１にインバータ停止信号を与え、制御回路
１１はこのインバータ停止信号に基づき動作を停止す
る。
示した図である。定常状態では半導体スイッチ素子３に
印加する電圧は半導体スイッチ素子３の耐圧を超えない
電圧になるよう設計されているが、高圧整流回路７で放
電が起こるとインバータ回路２に備えられた昇圧トラン
ス５と共振コンデンサ４によって構成される共振回路の
共振条件が変化し、半導体スイッチ素子３の耐圧を越え
る電圧を発生しようとするが、本発明の実施例において
は過電圧検知手段９が半導体スイッチ素子３に過大な電
圧が印加すると、駆動手段１０に信号を与え、図２に示
すように半導体スイッチ素子３に電圧が印加している状
態で半導体スイッチ素子３は導通し、電流を流すことに
よってこの過電圧を吸収する。また、過電圧検知手段９
は制御回路１１にインバータ停止信号を与え、制御回路
１１はこのインバータ停止信号に基づき動作を停止す
る。
【００１４】このため半導体スイッチ素子３にその耐圧
を越える電圧が印加することなく半導体スイッチ素子３
の破壊を免れる。また、過電圧検知手段９は駆動手段１
０を動作させる程度の電力でよいので高耐圧、大電流容
量の素子を必要とせず小型に構成できる。
を越える電圧が印加することなく半導体スイッチ素子３
の破壊を免れる。また、過電圧検知手段９は駆動手段１
０を動作させる程度の電力でよいので高耐圧、大電流容
量の素子を必要とせず小型に構成できる。
【００１５】（実施例２） 図３は本発明の実施例２の回路図であり、図１と同符号
のものは同一の構成要素であり、詳細な説明は省略す
る。
のものは同一の構成要素であり、詳細な説明は省略す
る。
【００１６】定電圧ダイオード１２は半導体スイッチ素
子３に過電圧が印加すると導通状態となる耐圧を有して
いる。このため定電圧ダイオード１２が導通すると抵抗
１３を介して電圧が発生し駆動手段１０の半導体スイッ
チ素子を駆動し、インバータ回路２に備えられた半導体
スイッチ素子３をターンオンさせることができる。また
駆動手段１０の半導体スイッチ素子は駆動電力としては
大きな電力を必要としないため抵抗１３はある程度大き
な値とすることができ、半導体スイッチ素子３のゲート
抵抗１４よりも一桁大きな値の抵抗にしてもスイッチン
グスピードにほとんど影響を与えない。このため定電圧
ダイオード１２の電流容量としては小さなもので済むた
めチップを小型化し、小型かつ安価な定電圧ダイオード
を用いることができる。
子３に過電圧が印加すると導通状態となる耐圧を有して
いる。このため定電圧ダイオード１２が導通すると抵抗
１３を介して電圧が発生し駆動手段１０の半導体スイッ
チ素子を駆動し、インバータ回路２に備えられた半導体
スイッチ素子３をターンオンさせることができる。また
駆動手段１０の半導体スイッチ素子は駆動電力としては
大きな電力を必要としないため抵抗１３はある程度大き
な値とすることができ、半導体スイッチ素子３のゲート
抵抗１４よりも一桁大きな値の抵抗にしてもスイッチン
グスピードにほとんど影響を与えない。このため定電圧
ダイオード１２の電流容量としては小さなもので済むた
めチップを小型化し、小型かつ安価な定電圧ダイオード
を用いることができる。
【００１７】（実施例３） 図４は本発明の実施例３の回路図であり、図１と同符号
のものは同一の構成要素であり詳細な説明は省略する。
のものは同一の構成要素であり詳細な説明は省略する。
【００１８】過電圧検出手段９は比較器１５と抵抗１６
の分圧によって定まる基準電圧と半導体スイッチ素子３
に印加する電圧を分圧する抵抗１７からなり、比較器１
５は抵抗１７の分圧によって比較器１５に入力される電
圧が、抵抗１６の分圧によって定まる所定の電圧を越え
ると、駆動手段１０に信号を与える構成となっている。
の分圧によって定まる基準電圧と半導体スイッチ素子３
に印加する電圧を分圧する抵抗１７からなり、比較器１
５は抵抗１７の分圧によって比較器１５に入力される電
圧が、抵抗１６の分圧によって定まる所定の電圧を越え
ると、駆動手段１０に信号を与える構成となっている。
【００１９】比較器１５は半導体スイッチ素子３に過電
圧が印加し、抵抗１７の分圧によって比較器に入力され
る電圧が抵抗１６の分圧によって定まる基準電圧を越え
ると駆動手段１０に信号を与え、半導体スイッチ素子３
を強制的にターンオンする。このため半導体スイッチ素
子３に過電圧が印加しないので半導体スイッチ素子３の
耐圧を越えることがなく素子破壊にいたることがない。
圧が印加し、抵抗１７の分圧によって比較器に入力され
る電圧が抵抗１６の分圧によって定まる基準電圧を越え
ると駆動手段１０に信号を与え、半導体スイッチ素子３
を強制的にターンオンする。このため半導体スイッチ素
子３に過電圧が印加しないので半導体スイッチ素子３の
耐圧を越えることがなく素子破壊にいたることがない。
【００２０】（実施例４） 図５は本発明の実施例４の回路図であり、図１と同符号
のものは同一の構成要素であり詳細な説明は省略する。
のものは同一の構成要素であり詳細な説明は省略する。
【００２１】過電圧検知手段９を定電圧ダイオード１８
とトランジスタ１９と半導体スイッチ素子３に印加する
電圧を分圧する抵抗２０で構成したものである。
とトランジスタ１９と半導体スイッチ素子３に印加する
電圧を分圧する抵抗２０で構成したものである。
【００２２】定電圧ダイオード１８が導通するとトラン
ジスタ１９のベースに電流が流れる。このベース電流に
よってトランジスタ１９のコレクタにはトランジスタ１
９の電流増幅率によってきまる電流が流れる。この電流
によって抵抗２１を介して電圧降下を発生し駆動手段１
０のトランジスタを動作させ、半導体スイッチ素子３を
強制的に導通状態とし、半導体スイッチ素子３に印加し
ようとする過電圧を吸収することができる。
ジスタ１９のベースに電流が流れる。このベース電流に
よってトランジスタ１９のコレクタにはトランジスタ１
９の電流増幅率によってきまる電流が流れる。この電流
によって抵抗２１を介して電圧降下を発生し駆動手段１
０のトランジスタを動作させ、半導体スイッチ素子３を
強制的に導通状態とし、半導体スイッチ素子３に印加し
ようとする過電圧を吸収することができる。
【００２３】（実施例５） 図６は本発明の実施例５の回路図であり、図１と同符号
のものは同一の構成要素であり詳細な説明は省略する。
のものは同一の構成要素であり詳細な説明は省略する。
【００２４】過電圧検知手段９は定電圧ダイオード２２
とバッファ回路２３と半導体スイッチ素子３に印加する
電圧を分圧する抵抗２４で構成したものである。
とバッファ回路２３と半導体スイッチ素子３に印加する
電圧を分圧する抵抗２４で構成したものである。
【００２５】定電圧ダイオード２２が導通すると、これ
に接続された抵抗２５によって電圧降下を生じ、この電
圧がバッファ回路２３のしきい値電圧をこえるとバッフ
ァ回路２３は動作し、駆動手段１０のトランジスタを動
作させ、半導体スイッチ素子３を強制的に導通状態とす
る。このため半導体スイッチ素子３に印加しようとする
過電圧を吸収することができる。
に接続された抵抗２５によって電圧降下を生じ、この電
圧がバッファ回路２３のしきい値電圧をこえるとバッフ
ァ回路２３は動作し、駆動手段１０のトランジスタを動
作させ、半導体スイッチ素子３を強制的に導通状態とす
る。このため半導体スイッチ素子３に印加しようとする
過電圧を吸収することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のマグネトロ
ン駆動電源においては、半導体スイッチ素子に過電圧が
印加すると、前記半導体スイッチ素子を強制的に導通状
態にするので、半導体スイッチ素子に印加する過電圧を
吸収し、半導体スイッチ素子を過電圧による破壊から保
護することができる。
ン駆動電源においては、半導体スイッチ素子に過電圧が
印加すると、前記半導体スイッチ素子を強制的に導通状
態にするので、半導体スイッチ素子に印加する過電圧を
吸収し、半導体スイッチ素子を過電圧による破壊から保
護することができる。
【００２７】また、半導体スイッチ素子に印加する電圧
を分圧する抵抗と、定電圧ダイオードと、バッファ回路
とを備え、前記定電圧ダイオードは、前記半導体スイッ
チ素子に過電圧が印加すると導通状態になり、前記バッ
ファ回路にオン信号を与え、これにより前記半導体スイ
ッチ素子を導通状態としてなることにより、高速に半導
体スイッチ素子に印加する過電圧を吸収させることがで
きる。
を分圧する抵抗と、定電圧ダイオードと、バッファ回路
とを備え、前記定電圧ダイオードは、前記半導体スイッ
チ素子に過電圧が印加すると導通状態になり、前記バッ
ファ回路にオン信号を与え、これにより前記半導体スイ
ッチ素子を導通状態としてなることにより、高速に半導
体スイッチ素子に印加する過電圧を吸収させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１のマグネトロン駆動用電源の
回路図
回路図
【図２】同マグネトロン駆動用電源の動作波形図
【図３】本発明の実施例２のマグネトロン駆動用電源の
回路図
回路図
【図４】本発明の実施例３のマグネトロン駆動用電源の
回路図
回路図
【図５】本発明の実施例４のマグネトロン駆動用電源の
回路図
回路図
【図６】本発明の実施例５のマグネトロン駆動用電源の
回路図
回路図
【図７】従来のマグネトロン駆動用電源の回路図
２ インバータ回路 ３ 半導体スイッチ素子 ４ 共振コンデンサ ５ 昇圧トランス ６ １次巻線 ７ 高圧整流回路 ８ マグネトロン ９ 過電圧検知手段 １０ 駆動手段 １１ 制御部 １２ 定電圧ダイオード １３ 抵抗 １５ 比較器 １７ 分圧抵抗（基準電圧） １８ 定電圧ダイオード ２０ 分圧抵抗 ２３ バッファ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−255178（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−241692（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−221884（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−2354（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−221884（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−135076（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−12487（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−71987（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 6/64 - 6/80
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体スイッチ素子を有するインバータ
回路と、前記インバータ回路の出力する交流電力を磁気
結合により高圧整流回路に伝送する昇圧トランスと、前
記高圧整流回路により高圧直流電力の供給を受けるマグ
ネトロンと、前記半導体スイッチ素子のオンオフ制御に
より前記インバータ回路の変換する電力を調節する制御
部とを備え、前記制御部は、前記半導体スイッチ素子に
過電圧が印可された場合に、強制的に前記半導体スイッ
チ素子を導通状態にしてなるマグネトロン駆動用電源。 - 【請求項２】 半導体スイッチ素子に印加する電圧を分
圧する抵抗と、定電圧ダイオードと、バッファ回路とを
備え、前記定電圧ダイオードは、前記半導体スイッチ素
子に過電圧が印加すると導通状態になり、前記バッファ
回路にオン信号を与え、これにより前記半導体スイッチ
素子を導通状態としてなる請求項１記載のマグネトロン
駆動用電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02752696A JP3183144B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | マグネトロン駆動用電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02752696A JP3183144B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | マグネトロン駆動用電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223580A JPH09223580A (ja) | 1997-08-26 |
| JP3183144B2 true JP3183144B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=12223573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02752696A Expired - Fee Related JP3183144B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | マグネトロン駆動用電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183144B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104730969A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 重庆中科芯亿达电子有限公司 | 一种微波炉专用驱动控制集成电路 |
| JP2018130944A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | イマジニアリング株式会社 | 印刷装置 |
-
1996
- 1996-02-15 JP JP02752696A patent/JP3183144B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09223580A (ja) | 1997-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5012161A (en) | Power factor correction circuit | |
| JP6979981B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JP2002209381A (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータとその制御方法 | |
| US6856098B2 (en) | Converter for converting an AC power main voltage to a voltage suitable for driving a lamp | |
| US7489531B2 (en) | Inverter with improved overcurrent protection circuit, and power supply and electronic ballast therefor | |
| JP3233138B2 (ja) | インバータ回路 | |
| US5687065A (en) | Pre-regulator with light switch to limit voltage ringing on turn-off | |
| JP3183144B2 (ja) | マグネトロン駆動用電源 | |
| JP3206521B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JP2001211658A (ja) | 相補形スイッチを有するハロゲン電力変換器 | |
| JP2001185391A (ja) | 単一スイッチ型電子式安定器 | |
| JP3231935B2 (ja) | インバータ電源装置 | |
| US6633139B2 (en) | Converter for converting an AC power main voltage to a voltage suitable for driving a lamp | |
| JP3158816B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JPH10309078A (ja) | スイッチング型直流電源装置 | |
| JP3511912B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JP3786335B2 (ja) | ランプ用電源装置 | |
| JPS61233992A (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JP3306719B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
| JP3336042B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
| JP3275507B2 (ja) | 放電ランプ点灯装置 | |
| JP3123385B2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JPH0589956A (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JP2011054453A (ja) | マグネトロン駆動用電源 | |
| JPH0594892A (ja) | 電源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |