JP3178052B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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Description
であり,特に,多層の導電層を直交する方向から導電性
接続部材(プラグ)を介して接続する3次元LSIなど
のプラグイン方式半導体装置に関する。
い,トランジスタの多層化の研究,開発が活発に行われ
ている。特に,メモリ素子における集積度を向上させる
ために,スタテックRAMにおいては,高抵抗部をTF
T(Thin Film Transistor)で形成してセル面積を縮小
する試みがなされている。たとえば,平面部のみにCM
OSを形成する場合には約80%のセル面積の縮小が可
能といわれている(たとえば,Oyama, et.al,"HIGH DEN
SITY DUAL-ACTIVE-LAYER(DUAL)-CMOS STRUCTURE WITH V
ERTICAL TUNGSTEN PLUG-IN WIRINGS,IEDM90-59-62, 参
照) 。
られており,図8に示すようなプラグイン方式の構造に
すると,約56%の縮小が可能であることが報告されて
いる(上記文献参照)。図8に示すプラグイン方式半導
体記憶装置は,半導体基板1に形成されたソース領域
3,ドレーン領域5およびゲート層15を有する通常の
MOSトランジスタと,その上部のポリシリコン層23
にに形成されたソース領域31,ドレーン領域33およ
びゲート層29を有するTFTとを有し,上部導電層4
1からドレーン領域5まで,たとえば,タングステンの
導電性プラグ71が貫挿されている。上部導電層41に
接続された導電性プラグ71は,半導体層であるTFT
ドレーン領域33に接触し,MOSドレーン領域5に接
続されている。
FTドレーン領域33と接触する接触面Cは導電性プラ
グ71の円周と,ポリシリコン層23の厚さTで規定さ
れる。すなわち,コンタクト面積は,4x(厚さT)x
(導電性プラグ71の直径D)に比例する。図9に示す
ように,コンタクト抵抗値は厚さTに反比例する。厚さ
TはTFTを形成するポリシリコン層23の厚さである
から非常に薄い。その結果,接触抵抗値が大きいという
問題がある。この接触抵抗値の大きさは動作速度を低下
させ,駆動電力を増大させる。以上の例は3次元構造の
LSIとして,プラグイン方式半導体記憶装置を例示し
たが,導電性プラグと半導体層との接続に限らず,導電
性プラグを用いて垂直方向に導電層と接続を行う場合も
上記同様の問題に遭遇する。
場合でも,導電性プラグ(導電性部材)と半導体層また
は導電層との接触抵抗値を増大させない半導体装置を提
供することを目的とする。また本発明は上記半導体装置
を製造する方法を提供することを目的とする。
め,本発明によれば,上下に配置された導電層または半
導体層を上層の導電層または半導体層を貫通する導電性
接続部材によって接続する半導体装置において,上記上
層の導電層または半導体層のうち上記導電性接続部材に
接続する部分の周囲のみ厚く形成されていることを特徴
とする半導体装置が提供される。特定的には,上記半導
体装置は上記導電性接続部材と接触する部分を有するト
ランジスタを有し,上記上層の導電性接続部材と直交方
向に接続される半導体層はトランジスタのドレーンまた
はソースである。
造する第1の形態とし,上下に配置された導電層または
半導体層を上層の導電層または半導体層を貫通する導電
性接続部材によって接続する半導体装置の製造方法にお
いて,上記上層の導電層または半導体層の厚さを所定の
厚さより厚く形成し,上記導電性接続部材が接続される
部分の周囲の導電層または半導体層の厚さを所定の厚さ
に維持したまま,その他の部分を通常の厚さまで薄く形
成し,上記導電層または半導体層のうち上記導電性接続
部材が接続される近傍のみ厚く形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法が提供される。
製造する第2の形態として,絶縁層を介して上下に配置
された導電層または半導体層を上層の導電層または半導
体層を貫通する導電性接続部材によって接続する半導体
装置の製造方法において,上記絶縁層の上記上層の導電
層または半導体層が上記導電性接続部材と接触する部分
の周囲の領域を凹陥させ,該凹陥部に導電性材料または
半導体材料を充満させるとともに他の領域を所定の厚さ
薄膜化して所定の厚さの導電層または半導体層を形成
し,上記導電層または半導体層のうち上記導電性接続部
材が接続される近傍のみ厚く形成することを特徴とする
半導体装置の製造方法が提供される。
層の厚さをその導電性接続部材と接触する近傍のみ厚く
して,導電性接続部材との接触面を大きくする。これに
より,接触面におけるコンタクト抵抗値が小さくなる。
さらに,接触面が大きいので機械的,電気的に安定な接
続が確立される一方,半導体層または導電層の厚さは導
電性接続部材と接触する部分の近傍のみ厚くしているの
で,半導体装置として,平面方向および高さ方向の寸法
が問題とはならない。
たは導電層の肉厚部の形成方法は,予め厚く形成し,そ
の後,上記導電性接続部材の接触する近傍を除いて,そ
の回りをエッチバックして薄くする。あるいは,上記肉
厚部の形成は,上記半導体層または導電層が形成される
層の下部層に凹陥部を形成して,その凹陥部に充満さ
せ,さらに下部層の上に上記半導体層または導電層を厚
めに形成し,一律にエッチバックさせ,凹陥部の半導体
層または導電層の厚さが厚くなるようにして形成する。
RAMなどのプラグイン方式半導体記憶装置を述べる。
図1は本発明の実施例としてのプラグイン方式半導体記
憶装置の部分断面図である。このプラグイン方式半導体
記憶装置は,図8に示したプラグイン方式半導体記憶装
置と同様,下層にソース領域3,ドレーン領域5および
ゲート層15を有する通常のMOSトランジスタが形成
され,その上層にポリシリコン層23に形成されたソー
ス領域31およびドレーン領域33,および,ゲート層
29を有するTFTが形成されている。ドレーン領域5
と上部導電層41とがタングステンの導電性プラグ(導
電性部材)39で接続され,その中間のTFTドレーン
領域33が接触面Aで導電性プラグ39に接続されてい
る。
置の構造について詳細に述べる。半導体基板1の上に形
成されたLOCOSとしてのSi O2の絶縁層9A,9
Bの間に,その上にSi O2 の第3の絶縁層17A,1
7Bが形成され半導体基板1に形成されたソース領域3
およびドレーン領域5,さらに,Si O2 の第1の絶縁
層7,および,Si O2 の側壁11A,11Bで絶縁さ
れたMOSトランジスタゲート層15からなる通常のM
OSトランジスタが形成されている。このMOSトラン
ジスタの上にTEOS−Si O2 層19,さらにBPS
G層21が形成されている。BPSG層21の上にポリ
シリコン層23が形成され,MOSトランジスタのソー
ス領域3およびドレーン領域5のそれぞれの上部に,T
FTソース領域31およびTFTドレーン領域33が形
成されている。またMOSトランジスタゲート層15の
上部にTFTゲート層29が形成され,TFTが形成さ
れている。TFTは上層膜35で被覆され,上層膜35
の上に上部導電層41が形成され,この上部導電層41
とドレーン領域5との間に後述するプラグインコンタク
ト穴37が形成され,そこにタングステンが導入されて
導電性プラグ39が形成されている。
コン肉厚層23Aの厚さt1は,その他のポリシリコン
層23の厚さt2よりも厚く形成されており,図8に示
した接触面Cより大きな接触面が確立されている。その
結果として,本発明の主題としている導電性プラグ39
とポリシリコン層23とのコンタクト抵抗値は,従来に
比較して小さくなる。一方,ポリシリコン層23にポリ
シリコン肉厚層23Aを形成しても,導電性プラグ39
と接触する近傍が部分的に厚く形成されているだけであ
り,プラグイン方式半導体記憶装置の平面の寸法が大き
くなったり,高さ方向の寸法が大きくなることもない。
グイン方式半導体記憶装置の第1の製造方法について述
べる。図2(A)に示すように,MOSトランジスタが
形成される。その概要を述べると,シリコン半導体基板
1の上部にLOCOS絶縁層9A,9Bを形成し,ゲー
ト層15,および,ソース領域3およびドレーン領域5
の拡散層を形成してMOSトランジスタを形成する。図
2(B)に示すように,前面に50Å程度の厚さの熱酸
化膜(Si O2 )を形成する。次いで,前面にチタン
(Ti)をデポジションする。さらに2ステップ・アニー
ル法によりソース領域3およびドレーン領域5の上のみ
にSITOX(Silicidation Through Oxide)−TiS
i2 (チタンシリサイド)で被覆する。SITOX−T
iSi2 はAlに対してバリヤ性を有する膜である(た
とえば,Sumi,et.al,"New Soilicidation Technology b
y SITOX(Silicidation Through Oxide) and Its Impact
on Sub-half Micron MOS Device",IEDM 90-249 -252,1
990,IEEE)。その後,図2(C)に示すように,層間膜
を形成する。この例では,2層メタル間絶縁膜として知
られているTEOS(Tetraethoxysilane)を用いたCV
D酸化膜19(TEOS−Si O2 層19)をデポジシ
ョンして平坦化し,さらにその上にBPSG層21をデ
ポジションして層間膜を形成する。その後,層間膜のパ
ターニングを行う。
の上にTFT形成用のポリシリコン層23を厚く,たと
えば,その厚さt1を0.3〜0.4μm程度にデポジ
ションし,パターニングする。次いで,図3(A)に示
すように,図1に示したプラグインコンタクト部をレジ
スト膜25で被覆して,前面をエッチバックして,レジ
スト膜25の下部を除くその他のポリシリコン層23を
厚さt2,たとえば,80nm程度まで薄くする。これ
により,TFTのTFTソース領域31およびTFTド
レーン領域33となるポリシリコン層23の厚さはt2
になるが,ポリシリコン層23のプラグインコンタクト
部となるポリシリコン肉厚層23Aの厚さt1は0.3
〜0.4μm程度に維持されている。
厚層23A以外の部分のポリシリコン層23を薄膜化し
て,再度パターニングしてTFT用基板を形成する。薄
膜化ポリシリコン層23の上にTFT絶縁層27を形成
し,その上にTFTゲート層29を形成する。その後,
領域31,33にイオンを注入して,TFTドレーン領
域33およびTFTドレーン領域33を形成する。
部層間膜35を形成する。さらに,上記ポリシリコン肉
厚層23Aを貫通するようにパターニングして,プラグ
インコンタクト穴37を形成する。このプラグインコン
タクト穴37は,上部層間膜35,ポリシリコン肉厚層
23A,BPSG層21,TEOS−Si O2 層19,
および,第3の絶縁層17Bを貫通してドレーン領域5
に至る。
タクト穴37に,タングステン(W)をCVDデポジシ
ョンし,プラグインコンタクト穴37にタングステンを
導入し,さらにその上部をエッチバックしてWプラグを
形成する。導電性プラグ39の上部,および,上部層間
膜35の上に上部導電層41を形成する。以上の工程に
より,図1に示したと同様のプラグイン方式半導体記憶
装置が形成できた。
記憶装置は,図1に示したプラグイン方式半導体記憶装
置と同様,導電性プラグ39がポリシリコン層23と接
触する接触面Aが大きくされている。したがって,上述
した接触抵抗の値を小さくできる。接触面が大いので安
定した接触が確立できる。また,ポリシリコン肉厚層2
3Aは局部的に形成されているから,寸法的に集積度を
低下させる問題は生じない。
例として,図5〜図7を参照して,プラグイン方式半導
体記憶装置の導電性プラグ39と接触するポリシリコン
層23の厚さを局部的に厚くする他の製造方法を述べ
る。図5(A)に示すように,下部MOSトランジスタ
を形成し,その上にTEOS−SiO2層19とBPS
G層21からなる層間膜を形成する。以上の工程は,図
2(A)〜(C)を参照して述べた第1実施例の半導体
装置製造方法と同様である。次いで,BPSG層21の
上で,プラグインコンタクト部に該当する領域の周囲に
レジスト膜51を被覆し,破線で示す凹陥部50が形成
されるように,ドライ方式でエッチバックする。TEO
S−SiO2層19とBPSG層21との層間膜の厚さ
は0.4μm程度あったが,エッチバックによって0.
2μm程度になる。すなわち,凹陥部50の深さは,た
とえば,0.2μm程度となる。
を覆って,BPSG層21の上にTFT基板となるポリ
シリコン層23を0.3μm程度デポジションする。こ
れにより,凹陥部50内にポリシリコン凹陥層23Bが
形成される。破線で示すように,ポリシリコン層23を
厚さt2,たとえば,80nm程度でTFT用基板とし
てた好適な厚さまでエッチバックする。このエッチバッ
クによっても,ポリシリコン凹陥層23Bはその厚さが
維持されている。図5(C)に示すように,薄膜化した
ポリシリコン層23にTFT絶縁層27を形成し,その
上にTFTゲート層29を形成し,TFTゲート層29
の近傍のポリシリコン層23にイオン注入して,TFT
ソース領域31およびTFTドレーン領域33を形成し
てTFTを形成する。
部層間膜35を形成する。次いで,プラグインコンタク
ト部となる上部60を除いて上部層間膜35の上にレジ
スト膜61を被覆する。図6(B)に示すように,プラ
グインコンタクト上部60からパターニングしてプラグ
インコンタクト穴63を形成する。このプラグインコン
タクト穴63の形成工程は,上記プラグインコンタクト
穴37の形成工程と同様である。
穴63にタングステンを導入し,導電性プラグ39を形
成し,さらにその上部をパターニングする。上部層間膜
35の上から上部導電層41をデポジションする。図7
に示したプラグイン方式半導体記憶装置の構成も図1に
示したプラグイン方式半導体記憶装置と同様である。す
なわち,この実施例によっても,導電性プラグ39と接
触する接触面Bの垂直方向の長さが長くなっており,導
電性プラグ39に接触するポリシリコン層23の接触面
Bを大きくすることができる。その結果として,接触抵
抗値を小さくできる。
性プラグ39で接続する例を示したが,TFTは複数層
に形成され,それらのTFTを順次導電性プラグ39で
接続することも可能である。導電性プラグ39の材料と
しては,タングステンの他に適切な導電性材料,たとえ
ば,ポリシリコンなど導入してもよい。また,上述した
プラグイン方式半導体記憶装置における各層,各部の材
料は例示であって,本発明はこれらの材料を用いた例示
に限定されるものではない。
体記憶装置に限定されるものではなく,上述したTFT
のTFTドレーン領域33などの半導体層を導電性プラ
グ39で接続する例に代えて,多層化導電層をバイアホ
ール(またはビアホール)で接続するような場合にも,
上述したように,バイアホールと接続する導電層の厚さ
を局部的に厚くしてその接触抵抗値を小さくすることが
できる。すなわち,本発明は半導体層との接続に限定さ
れず,導電層との接続にも適用できる。
較的簡単なプロセスで導電性接続部材の接触する層の接
触部の近傍に局部的な肉厚部を形成することにより,半
導体層または導電層と直交する方向を指向して形成され
る導電性プラグなどの導電性接続部材と半導体層または
導電層との接触抵抗を下げないで,導電性接続部材と半
導体層または導電層とを接続できる。また本発明によれ
ば,接触関係は大きな接触面を保って維持されているか
ら,電気的,機構的に安定な接触が確立できる。
方式半導体記憶装置の部分断面図である。
を図解する第1の部分図である。
を図解する第2の部分図である。
を図解する第3の部分図である。
を図解する第1の部分図である。
を図解する第2の部分図である。
を図解する第3の部分図である。
である。
特性図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 上下に配置された導電層または半導体層
を上層の導電層または半導体層を貫通する導電性接続部
材によって接続する半導体装置において, 上記上層の導電層または半導体層のうち上記導電性接続
部材に接続する部分の周囲のみ厚く形成されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 上記半導体装置は上記導電性接続部材と
接触する部分を有するトランジスタを有し, 上記上層の導電性接続部材と直交方向に接続される半導
体層はトランジスタのドレーンまたはソースである請求
項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 上下に配置された導電層または半導体層
を上層の導電層または半導体層を貫通する導電性接続部
材によって接続する半導体装置の製造方法において, 上記上層の導電層または半導体層の厚さを所定の厚さよ
り厚く形成し, 上記導電性接続部材が接続される部分の周囲の導電層ま
たは半導体層の厚さを所定の厚さに維持したまま,その
他の部分を通常の厚さまで薄く形成し, 上記導電層または半導体層のうち上記導電性接続部材が
接続される近傍のみ厚く形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項4】 絶縁層を介して上下に配置された導電層
または半導体層を上層の導電層または半導体層を貫通す
る導電性接続部材によって接続する半導体装置の製造方
法において,上記絶縁層の 上記上層の導電層または半導体層が上記導
電性接続部材と接触する部分の周囲の領域を凹陥させ, 該凹陥部に導電性材料または半導体材料を充満させると
ともに他の領域を所定の厚さ薄膜化して所定の厚さの導
電層または半導体層を形成し, 上記導電層または半導体層のうち上記導電性接続部材が
接続される近傍のみ厚く形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
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JP35226691A JP3178052B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体装置とその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP35226691A JP3178052B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体装置とその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH05167007A JPH05167007A (ja) | 1993-07-02 |
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Family
ID=18422885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP35226691A Expired - Lifetime JP3178052B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
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1991
- 1991-12-13 JP JP35226691A patent/JP3178052B2/ja not_active Expired - Lifetime
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