JP3156106B2

JP3156106B2 - 探知表示装置

Info

Publication number: JP3156106B2
Application number: JP28437892A
Authority: JP
Inventors: 実半田; 進味岡; 昭彦金近
Original assignee: Furuno Electric Co Ltd
Current assignee: Furuno Electric Co Ltd
Priority date: 1992-10-22
Filing date: 1992-10-22
Publication date: 2001-04-16
Anticipated expiration: 2016-04-16
Also published as: JPH06138213A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、魚群探知機やレーダ装
置などのように、探知信号に基づく画像を表示する探知
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の探知表示装置として、たとえ
ば、魚群探知機を例にとれば、従来は、図１０に示すよ
うに、ＣＲＴの表示画面Ｆを２つの領域Ｆ₁，Ｆ₂に分割
し、一方の表示領域Ｆ₁には超音波の送受波に基づいて
得られる水中断面像を、いわゆるＢスコープとして表示
し、他方の表示領域Ｆ₂には１回の超音波の送受波によ
り得られる特定箇所(本例では表示領域Ｆ₁の右端の最新
の１ライン)Ｌ₀の超音波エコーの振幅情報を、いわゆる
Ａスコープとして表示するようにしたものがある。

【０００３】この装置では、一方の表示領域Ｆ₁のＢス
コープ表示によって水中の魚群等の探知物標の二次元的
な分布状況が把握できるとともに、他方の表示領域Ｆ₂
のＡスコープ表示によって海底近傍に存在する魚群等の
識別が容易になる等の利点を有する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置は、次の問題がある。

【０００５】一方の表示領域Ｆ₁のＢスコープ表示を見
れば探知物標の全体的な分布状況を把握できるものの、
それぞれの位置での超音波エコーの微妙な強度変化が分
かりにくい。すなわち、１ラインＬ₀上の超音波エコー
の強度変化は、他方の表示領域Ｆ₂のＡスコープ表示を
見れば分かるが、たとえば、他のラインＬi上の超音波
エコーの強度変化はＢスコープだけからは十分に把握し
難い。

【０００６】逆に、Ａスコープ表示を見れば超音波エコ
ーの強度変化は分かり易いが、これは１ラインＬ₀分だ
けのものであって、Ｂスコープの表示領域Ｆ₁の全体的
な超音波エコーの強度変化の状況を把握することは困難
である。

【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
もので、探知物標の全体的な分布状況とともに、その分
布状況の下での全体的な超音波エコーの強度変化をも直
感的に把握できるようにして、探知物標の識別等を容易
に行なえるようにすることを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたもので、時系列的に得られる探
知信号を所定周期でサンプリングして得られる探知デー
タを記憶する表示用メモリと、この表示用メモリに記憶
された探知データを画像表示する表示器とを備え、表示
用メモリは、表示器の画素に対応するビット数の記憶素
子がＸ軸およびＹ軸の各方向に沿ってそれぞれ配列され
ている探知表示装置において、次の構成を採る。

【０００９】すなわち、本発明の探知表示装置は、１到
来分の探知データが入力されるたびに、その探知データ
の強度レベルを検出する強度レベル検出手段と、１到来
分の探知データが入力されるたびに、表示用メモリのＸ
軸方向の書き込み位置を所定ビット分だけシフトさせ、
そのシフトさせた位置を基準にして、各探知データを、
所定方向に沿って前記強度レベル検出手段で検出された
強度レベルに応じたビット分だけ偏位させつつ、Ｙ軸方
向に沿って順次時系列的に書き込むとともに、表示用メ
モリに既に書き込まれた探知データを読み出す書込／読
出制御手段と、この書込／読出制御手段によって表示用
メモリから読み出された探知データをその強度レベルに
応じた色相あるいは輝度レベルを有する信号に変換して
表示器に出力する変換手段とを備えている。

【００１０】

【作用】上記構成において、強度レベル検出手段は、１
到来分の探知データが入力されるたびに、その探知デー
タの各強度レベルを検出する。そして、この検出出力が
書込／読出制御手段に送られる。

【００１１】書込／読出制御手段は、１到来分の探知デ
ータが入力されるたびに、表示用メモリのＸ軸方向の書
き込み位置を所定ビット分だけシフトさせ、そのシフト
させた位置を基準にして、各探知データを、所定方向に
沿って強度レベル検出手段で検出された強度レベルに応
じたビット分だけ偏位させつつ、Ｙ軸方向に沿って順次
時系列的に書き込む。したがって、表示用メモリには、
１到来分ごとに探知データが所定のドット分だけシフト
かたちで、Ａスコープ表示状態で書き込まれる。

【００１２】そして、書込／読出制御手段は、たとえ
ば、上記の基準位置を探知データの読出開始位置とし
て、シフトの向きと逆向きに探知信号を順次読み出す。

【００１３】変換手段は、こうして表示用メモリから読
み出された探知データを、その強度レベルに応じた色相
あるいは輝度レベルを有する信号に変換して表示器に出
力する。

【００１４】その結果、表示器の画面上には、画面全体
に渡って各到来分の探知信号ごとに位置がずれた状態で
Ａスコープが順次表示されるので、見掛け上、立体的な
Ｂスコープ表示となる。

【００１５】

【実施例】図１は本発明を魚群探知機に適用した場合の
要部を示すブロック図である。

【００１６】同図において、符号１は探知表示装置の全
体を示し、２は図外の送受波器で超音波を送受波するこ
とにより得られる探知信号を所定周期でサンプリングし
て、その強度レベルに応じた所定ビット数(本例では８
ビット)の量子化された探知データを得るＡ／Ｄ変換
器、４は超音波の送受波に基づく１到来分の探知データ
を記憶するバッファメモリである。このバッファメモリ
４は、図２に示すように、量子化された探知データのビ
ット数に対応して本例では８枚数のメモリプレーン４₀
〜４₇を有し、各メモリプレーン４₀〜４₇は、１到来分
の探知データを時系列的に格納するために、Ｙ軸方向
(深度方向)に沿ってnビット分配列された１×nビットの
メモリ容量を有している。

【００１７】６はバッファメモリ４から転送される探知
データを記憶する表示用メモリである。この表示用メモ
リ６は、図３に示すように、量子化された探知信号のビ
ット数に対応して本例では８枚数のメモリプレーン６₀
〜６₇を備える。各メモリプレーン６₀〜６₇は、後述の
カラーＣＲＴ１４の表示画素に対応して、Ｘ軸方向にm
ビット分、Ｙ軸方向にnビット分の記憶素子がそれぞれ
配列されており、したがって、一枚でm×n×１ビットの
記憶容量を有している。

【００１８】８は表示用メモリ６から読み出された探知
データをその強度レベルに応じた色相を有する色信号に
変換して出力する変換手段であり、この変換手段８は、
本例では、探知データの量子化レベルに応じてＲ，Ｇ，
Ｂの各カラーコードを発生する色変換部１０と、この色
変換部１０からのカラーコードをＲ，Ｇ，Ｂの各色信号
に変換するＤ／Ａ変換器１２r，１２g，１２bからな
る。

【００１９】また、１４は探知データに基づく画像をカ
ラーで表示する表示器で、本例ではカラーＣＲＴで構成
される。そして、このカラーＣＲＴ１４のラスタ走査方
向は、表示用メモリ６のＹ軸方向(深度方向)一致するよ
うに予め設定されている。

【００２０】１６は１到来分の探知データが入力される
たびに、その探知データの各強度レベルを検出する強度
レベル検出部である。

【００２１】１８は書込／読出制御手段であって、たと
えばＣＰＵで構成され、強度レベル検出部１６からの検
出出力に基づいて、１到来分の探知データが入力される
たびに、表示用メモリ６の書き込み／読み出しアドレス
Ａw，Ａrを発生する書込／読出アドレス発生部２０と、
この書込／読出アドレス発生部２０および上記バッファ
メモリ４の書き込み／読み出しの動作タイミング、なら
びにカラーＣＲＴ１４の表示動作タイミングをそれぞれ
制御するタイミング制御部２２とを有する。

【００２２】次に、上記構成の探知表示装置１の動作を
説明する。

【００２３】(１)通常表示の場合図外の送受波器で超音波を送受波することにより得られ
る探知信号は、Ａ／Ｄ変換器２に入力される。Ａ／Ｄ変
換器２は、この探知信号をタイミング制御部２２からの
タイミングクロックに応じて所定周期でサンプリング
し、その強度レベルに応じた所定ビット数(本例では８
ビット)の量子化された探知データを出力する。

【００２４】この探知データは、次段のバッファメモリ
４のＹ軸方向に沿って順次書き込まれる。したがって、
バッファメモリ４には、超音波の送受波に基づく１到来
分(Ｙ軸方向に沿ってnビット分)の探知データが記憶さ
れる。

【００２５】このバッファメモリ４に格納された探知デ
ータは、タイミング制御部２２からのタイミングクロッ
クに応じて読み出され、表示用メモリ６と強度レベル検
出部１６にそれぞれ送られる。

【００２６】強度レベル検出部１６は、１到来分の探知
データが入力されるたびに、その探知データの各強度レ
ベルを検出し、その強度レベルを本例ではk＝０〜１５
までの１６段階のいずれかの値に分け、それらの各値k
を検出出力として書込／読出アドレス発生部２０に順次
与える。

【００２７】書込／読出アドレス発生部２０は、１到来
分の探知データが入力されるたびに、タイミング制御部
２２からのタイミングクロックに同期しつつ、強度レベ
ル検出部１６からの検出出力kに基づいて表示用メモリ
６の書き込みアドレスＡwおよび読み出しアドレスＡrを
発生する。

【００２８】具体的には、図３に示すように、表示用メ
モリ６を構成する各メモリプレーン６₀〜６₇について、
Ｘ軸−Ｙ軸の直交座標系を想定し、各記憶素子のアドレ
スを(Ｘ₀，Ｙ₀)から(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)まで割り当てるもの
とする。

【００２９】いま、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ_n-1)のＹ軸方
向の１ライン分の位置を基準として１到来分(Ｙ軸方向
にnビット分)の探知データを書き込むには、この表示用
メモリ６のデータを順次更新していくために、まず、既
に記憶されている前回のＹ軸方向の１ライン分のデータ
(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ_n-1)をクリアする。

【００３０】次に、Ａ／Ｄ変換器２で最初にサンプリン
グされた一つの探知データについては、その強度レベル
k(＝０〜１５のいずれかの値)に対応した(Ｘ_0+k，Ｙ₀)
の位置を書き込みアドレスとして指定する。たとえば、
図４に示すように、その探知データ(白丸で示す)の強度
レベルがk＝６のときは、(Ｘ₀₊₆，Ｙ₀)の位置にそのデ
ータが書き込まれる。次にサンプリングされた一つの探
知データに対しては、その強度レベルkに応じて
(Ｘ_0+k，Ｙ₁)の位置を書き込みアドレスとして、さら
に、続いてサンプリングされた探知データに対しては、
その強度レベルkに応じて(Ｘ_0+k，Ｙ₂)の位置を書き込
みアドレスとして指定する。以下、同様にして(Ｘ_0+k，
Ｙ_n-1)の位置まで書き込みアドレスとして指定する。し
たがって、１到来分の探知データは、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜
(Ｘ₀，Ｙ_n-1)のＹ軸方向の１ライン分を基準として、そ
の強度レベルkに対応した分だけＸ軸方向に偏位されつ
つ、Ｙ軸方向に沿って順次時系列的に書き込まれる。つ
まり、１到来分の探知データは、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ
_n-1)の１ライン分の位置を基準として、Ａスコープ状態
で書き込まれることになる。

【００３１】そして、この１到来分の探知データの書き
込みと並行して、書込／読出アドレス発生部２０は、探
知データの読み出しを行う。

【００３２】この場合、表示用メモリ６に最新の探知デ
ータを書き込むために設定した(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ
_n-1)のＹ軸方向の１ライン分の位置を読み出し開始アド
レスとして順次指定する。次に、読み出し開始アドレス
をＸ軸に沿って左方向に１ビット分移動させて(Ｘ₁，Ｙ
₀)〜(Ｘ₁，Ｙ_n-1)の１ライン分の読み出しアドレスを指
定し、以降、同様に１ビット分ずつ左方向に読み出しア
ドレスを移動させて最後に(Ｘ_m-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-1，Ｙ
_n-1)の１ライン分の読み出アドレスを指定する。これに
より、カラーＣＲＴ１４には、右側に最新の探知データ
が表示され、これより左側に移行するのに従って古い探
知データが表示されることになる。

【００３３】次に、送受波器で超音波を送受波すること
により、新たに１到来分の探知データが得られた場合に
は、表示用メモリ６のＸ軸方向の書き込み基準となる位
置を所定ビット(本例では１ビット)分だけ右向きにシフ
トする。ここで、表示用メモリ６は有限のアドレス空間
をもち、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ_n-1)よりも右側には実際
にはアドレス位置がないので、本例では、表示用メモリ
６を折り返した形で(Ｘ_m-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)のＹ
軸方向の１ライン分の位置を基準に設定する。

【００３４】そして、このシフトされた(Ｘ_m-1，Ｙ₀)〜
(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)のＹ軸方向の１ライン分の位置を基準に
して１到来分(Ｙ軸方向にnビット分)の新たな探知デー
タを書き込むには、まず、既に記憶されているＹ軸方向
の１ライン分のデータ(Ｘ_m-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)を
クリアする。

【００３５】次に、Ａ／Ｄ変換器２で最初にサンプリン
グされた一つの探知データについては、その強度レベル
kに対応した(Ｘ_m-1+k，Ｙ₀)の位置を書き込みアドレス
として指定する。ただし、m−１−k≧mの場合には、表
示用メモリ６の図中左側に探知データを書き込むべきア
ドレス位置が存在しないので、はみ出し部分を右側に折
り返した形で(Ｘ_m-1+k-m，Ｙ₀)、すなわち(Ｘ_0+k-1，Ｙ
₀)の位置を書き込みアドレスとして指定する。たとえ
ば、図４に示すように、新たな探知データ(黒丸で示す)
の強度レベルがk＝３の場合、そのデータは(Ｘ₀₊₂，
Ｙ₀)の位置に書き込まれる。以下、同様にして
(Ｘ_m-1+k，Ｙ_n-1)の位置まで[ただし、m−１−k≧mの場
合には、(Ｘ_0+k-1，Ｙ_n-1)の位置まで]書き込みアドレ
スとして指定する。したがって、この場合も、１到来分
(Ｙ軸方向にnビット分)の探知データは、(Ｘ_m-1，Ｙ₀)
〜(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)の１ライン分の位置を基準として、Ｘ
軸方向に強度レベルkに応じたビット分だけ偏位されつ
つ、Ｙ軸方向に沿って順次時系列的に書き込まれる。

【００３６】そして、この１到来分の探知データの書き
込みと並行して、書込／読出アドレス発生部２０は、探
知データの読み出しを行う。

【００３７】この場合、表示用メモリ６に最新の探知デ
ータを書き込むための基準として設定した(Ｘ_m-1，Ｙ₁)
〜(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)の１ライン分を順次探知データの読み
出しアドレスとして指定する。次の段階では、表示用メ
モリ６の図中左側に探知データを読み出すべきアドレス
位置が存在しないので、この場合には、探知データを書
き込む場合と逆に、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ_n-1)のＹ軸方
向の１ライン分を探知データの読み出しアドレスとして
順次指定する。以降、Ｘ軸に沿って左方向に１ビット分
ずつ移動させて最後に(Ｘ_m-2，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-2，Ｙ_n-1)の
１ライン分の位置の読み出アドレスを順次指定する。こ
れにより、カラーＣＲＴ１４には、前述の場合と同様
に、右側に最新の探知データが表示され、これより左側
に移行するのに従って古い探知データが表示される。

【００３８】さらに、送受波器で超音波を送受波するこ
とにより、新たに１到来分の探知データが得られた場合
には、表示用メモリ６のＸ軸方向の書き込み位置を右向
きに１ビット分だけシフトするのて、(Ｘ_m-2，Ｙ₀)〜
(Ｘ_m-2，Ｙ_n-1)のＹ軸方向の１ライン分の位置を基準と
して、探知データがＡスコープ状態で書き込まれること
になる。

【００３９】また、探知データの読み出しに際しては、
表示用メモリ６に最新の探知データを書き込むための基
準として設定した(Ｘ_m-2，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-2，Ｙ_n-1)の１ラ
イン分を順次探知データの読み出しアドレスとして指定
する。次に、読み出し開始アドレスをＸ軸に沿って左方
向に１ビット分移動させて(Ｘ_m-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-1，Ｙ
_n-1)の１ライン分の読み出しアドレスを指定した後、引
き続いて(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ_n-1)のＹ軸方向の１ライ
ン分を探知データの読み出しアドレスとして順次指定
し、以降、Ｘ軸に沿って左方向に１ビット分ずつ移動さ
せて最後に(Ｘ_m-3，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-3，Ｙ_n-1)の１ライン分
の位置の読み出アドレスを順次指定する。このようにし
て、１到来分の探知データが(m−１)回分まで得られる
まで上記の書き込み、読み出し動作が繰り返される。そ
して、m回分の探知データが得られた場合には、最初に
説明した(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ_n-1)の１ライン分を探知
データの書き込み基準位置とする初期状態に戻る。

【００４０】このように、表示用メモリ６には、１到来
分の探知データが取り込まれるたびに、そのＸ軸方向の
書き込み位置が所定ビット(本例では１ビット)分だけ右
向きにシフトされ、そのシフトされた位置を基準にし
て、各探知データがいわゆるＡスコープ表示状態で書き
込まれ、その書き込まれた最新の探知データが優先して
先に読み出されることになる。

【００４１】色変換部１０は、表示用メモリ６から読み
出された探知データを、その量子化レベルに応じてＲ，
Ｇ，Ｂの各カラーコードに変換して出力する。そして、
この各Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーコードは、さらに、Ｄ／Ａ変
換器１２r，１２g，１２bによってＲ，Ｇ，Ｂのアナロ
グの各色信号に変換されてカラーＣＲＴ１４に出力され
る。

【００４２】その結果、カラーＣＲＴ１４の画面上に
は、図５に示すように、画面全体に渡って各到来分の探
知信号ごとに位置が所定幅だけシフトした状態でＡスコ
ープが順次カラー表示されるので、見掛け上、立体的な
Ｂスコープ表示となる。

【００４３】(２)塗り潰し表示の場合上記の実施例において、探知データは、図４および図５
に示すように、順次Ｘ軸方向にシフトした状態で線状に
カラー表示されており、したがって、相互に隣接する探
知データの間は、何等データはなくブランクとなってい
る。このため、探知データをカラー表示した場合、この
ブランクの部分が縞状となって画像が見ずらくなるおそ
れがある。

【００４４】これを改善するには、隣接する探知データ
の間をカラーで塗り潰せばよい。そのためには、表示用
メモリ６へ探知データを書き込む際に次の処理を行う。

【００４５】すなわち、いま、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀，Ｙ
_n-1)のＹ軸方向の１ライン分の位置を基準として１到来
分(Ｙ軸方向にnビット分)の探知データを書き込む場
合、最初にサンプリングされた一つの探知データについ
ては、その強度レベルk(＝０〜１５のいずれかの値)に
応じて、Ｘ軸方向に沿って(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k，Ｙ₀)の
位置までに同一の探知データを書き込む。たとえば、図
６に示すように、その探知データの強度レベルがk＝６
のときは、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ₀₊₆，Ｙ₀)の位置に同じ探知
データを書き込む。次にサンプリングされた一つの探知
データに対しては、その強度レベルkに応じて(Ｘ₀，
Ｙ₁)〜(Ｘ_0+k，Ｙ₁)の位置まで同一の探知データを書き
込む。以下、同様にして１到来分のデータを書き込む。

【００４６】続いて、新たに１到来分の探知データが得
られた場合には、表示用メモリ６のＸ軸方向の書き込み
基準となる位置は、(Ｘ_m-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-1，Ｙ_n-1)とな
る。そして、最初にサンプリングされた探知データにつ
いては、その強度レベルkに応じて(Ｘ_m-1，Ｙ₀)，
(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k-1，Ｙ₀)の位置まで同一の探知デー
タをそれ以前に得られた探知データの上に重ね書きす
る。たとえば、図６に示すように、探知データの強度レ
ベルがk＝３の場合、(Ｘ_m-1，Ｙ₀)，(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ
₀₊₂，Ｙ₀)の位置に同一の探知データ(黒丸で示す)を書
き込む。以下、同様にして１到来分のデータを書き込
む。

【００４７】なお、この塗り潰し表示の場合は、古い探
知データの上に新しい探知データが順次重ね書きされる
ので、１ライン分のメモリクリアーは不要となる。

【００４８】(３)透明表示の場合この塗り潰し表示の場合は、新しい探知データ(図６の
黒丸)の強度レベルが古い探知データ(図６の白丸)の強
度レベルよりも大きい場合には、新しい探知データによ
って古い探知データが覆われて見えなくなる。このた
め、古い探知データの強度レベルの変化を把握し難くな
るおそれがある。

【００４９】これを改善するには、上記(２)の塗り潰し
表示を行う際に、新しい探知データが古い探知データの
上に重なる箇所について、古い探知データを線状のＡス
コープ表示としてそのまま残るようにすればよい。その
ためには、図１の構成の探知表示装置１の一部を変更し
て図７に示す構成とする。

【００５０】すなわち、図７において、２４は表示用メ
モリ６に対して並設されたエンベロープメモリ、２６は
エンベロープメモリ２４から読み出される探知データと
バッファメモリ４から出力される探知データの各強度レ
ベルを比較する強度レベル比較部、２８は強度レベル比
較部２６からの比較結果に基づいて、書込／読出アドレ
ス発生部２０から表示用メモリ６に与えられる書き込
み、読み出しのアドレスデータＡw，Ａrを通過または遮
断するゲート部である。

【００５１】上記のエンベロープメモリ２４は、図８に
示すように、表示用メモリ６をオーバレイする状態で設
けられており、したがって、表示用メモリ６を構成する
各メモリプレーン６₀〜６₇と同じ記憶容量(m×n×１)を
有する。そして、このエンベロープメモリ２４に対して
探知データを書き込む場合には、書込／読出アドレス発
生部２０からは、(１)の通常表示の場合と同様の手順で
もって書き込みアドレスが与えられる。つまり、このエ
ンベロープメモリ２４には、図４に示す状態で探知デー
タが書き込まれる。なお、この場合も、エンベロープメ
モリ２４のデータ更新を順次行うために、Ｙ軸方向の１
ライン分のデータがその都度消去される。また、探知デ
ータを読み出す場合には、探知データの書き込み動作に
同期してＸ軸方向の１ライン分ずつライン指定を行うこ
とにより、Ｘ軸方向の１ライン上に探知データが存在す
れば、その探知データが同時に読み出されるようになっ
ている。

【００５２】ここで、バッファメモリ４から１到来分の
探知データが順次読み出された場合、この探知データ
は、エンベロープメモリ２４、強度レベル判別部２６、
およびゲート部２８にそれぞれ加えられる。そして、エ
ンベロープメモリ２４に転送された探知データは、書込
／読出アドレス発生部２０から前述した(１)の通常表示
の場合の動作と同様の書き込みアドレスが指定される結
果、図４に示すようなＡスコープ状態で書き込まれる。
この書き込み動作に平行して、エンベロープメモリ２４
には、書込／読出アドレス発生部２０から探知データの
書き込み動作に同期してライン指定の読み出しアドレス
が与えられる結果、逐次探知データが書き込まれると同
時にＸ軸方向の１ライン上に存在する探知データが一度
に読み出される。たとえば、エンベロープメモリ２４の
(Ｘ₀，Ｙ₀)を基準にして一つの探知データを新たに書き
込む場合には、Ｘ軸方向に(Ｘ₀，Ｙ₀)から(Ｘ_m-1，Ｙ₀)
までの間に存在する探知データが一度に読み出される。
またエンベロープメモリ２４の(Ｘ_m _-1，Ｙ₀)を基準にし
て一つの探知データを新たに書き込む場合には、Ｘ軸方
向に(Ｘ_m-1，Ｙ₀)，(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_m-2，Ｙ₀)までの１
ライン上に存在する探知データが一度に読み出される。

【００５３】そして、エンベロープメモリ２４から読み
出された探知データが強度レベル比較部２６に与えられ
る。強度レベル比較部２６は、バッファメモリ４からの
新たな一つの探知データと、エンベロープメモリ２４か
らの探知データとの各強度レベルを比較する。たとえ
ば、バッファメモリ４から読み出された一つの探知デー
タの強度レベルをkとした場合、この探知データをエン
ベロープメモリ２４の(Ｘ₀，Ｙ₀)の位置を基準にして書
き込むとすれば、その書き込み位置はＸ軸方向にkビッ
ト分だけずれて(Ｘ_0+k，Ｙ₀)になる。そこで、強度レベ
ル比較部２６は、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k-1，Ｙ₀)の間、つ
まり(Ｘ₀，Ｙ₀)を基準にして最新の探知データが書き込
まれるべき位置(Ｘ_0+k，Ｙ₀)よりも一つ手前のアドレス
位置(Ｘ_0+k-1，Ｙ₀)までに、古い探知データが既にセッ
トされているか否かを調べる。

【００５４】そして、たとえば、(Ｘ_0+k-2，Ｙ₀)の位置
に古い一つの探知データがセットされているならば、強
度レベル比較部２６は、ゲート部２８に対して、その該
当するアドレス位置(Ｘ_0+k-2，Ｙ₀)を書き込み禁止アド
レスとして指定し、これをゲート部２８に出力する。

【００５５】ゲート部２８は、新たな探知データを表示
用メモリ６に書き込む際に、書込／読出アドレス発生部
２０から塗り潰し表示用として順次発生される書き込み
アドレスＡw[ここでは、(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k，Ｙ₀)]の
内の一つが、強度レベル比較部２６から与えられた上記
の書き込み禁止アドレス(Ｘ_0+k-2，Ｙ₀)に一致したとき
に、その書き込みアドレスＡwの出力を禁止する。それ
以外の書き込みアドレス(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k-3，Ｙ₀)，
(Ｘ_0+k-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k，Ｙ₀)は、書き込み禁止アドレ
ス(Ｘ_0+k-3，Ｙ₀)に一致しないので、そのままゲート部
２８を通過して表示用メモリ６に与えられる。

【００５６】したがって、表示用メモリ６には、図９に
示すように、Ｘ軸方向に沿って(Ｘ₀，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k-3，
Ｙ₀)、および(Ｘ_0+k-1，Ｙ₀)〜(Ｘ_0+k，Ｙ₀)の位置には
同一の探知データ(黒丸で示す)が書き込まれ、
(Ｘ_0+k-2，Ｙ₀)の位置は、新たな探知データによって重
ね書きされることなく、既に書き込まれている古い探知
データ(白丸で示す)がそのまま残ることになる。

【００５７】このように、透明表示では、新しい探知デ
ータ(図９の黒丸で示す)を塗り潰す場合でも、これによ
って古い探知データ(白丸で示す)が完全に覆われること
なく残るので、古い探知データの強度レベルの変化も把
握することができる。

【００５８】なお、上記の実施例は、変換手段８におい
て、表示用メモリ６から読み出された探知信号をその強
度レベルに応じた色相をもつ色信号に変換するようにし
ているが、強度レベルに応じた輝度レベルを有する単一
色相の輝度信号に変換することもできる。また、この実
施例では、魚群探知機について説明したが、これに限定
されるものではなく、他の探知表示装置、たとえばレー
ダ装置のＰＰＩ表示等においても本発明を適用すること
が可能である。さらに、この実施例に加えて、今までの
Ｂスコープ表示を併記表示することも可能である。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば、表示器の画像表示領域
の全体に渡って各到来分の探知信号ごとに位置が所定幅
だけ順次シフトされた状態でＡスコープが表示されるの
で、見掛け上、立体的なＢスコープ表示となる。したが
って、探知物標の全体的な分布状況とともに、その分布
状況の下での全体的な超音波エコーの強度変化をも同時
に直感的に把握できるようになる。このため、探知物標
の識別等を従来よりも一層容易に行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る探知表示装置の要部を示
すブロック図である。

【図２】図１の探知表示装置のバッファメモリの構成を
示すマップ図である。

【図３】図１の探知表示装置の表示用メモリの構成を示
すマップ図である。

【図４】通常表示のために、表示用メモリに探知データ
を書き込む場合の動作説明に供する説明図である。

【図５】図１の探知表示装置における画像表示例を示す
説明図である。

【図６】塗り潰し表示のために、表示用メモリに探知デ
ータを書き込む場合の動作説明に供する説明図である。

【図７】透明表示のために、図１の探知表示装置を一部
変更した構成を示すブロック図である。

【図８】図７のエンベロープメモリの構成を示すマップ
図である。

【図９】透明表示のために、表示用メモリに探知データ
を書き込む場合の動作説明に供する説明図である。

【図１０】従来の探知表示装置による画像表示例を示す
説明図である。

【符号の説明】

１…探知表示装置、６…表示用メモリ、８…変換手段、
１４…表示器(カラーＣＲＴ)、１６…強度レベル検出
部、１８…書込／読出制御手段。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭61−95266（ＪＰ，Ａ) 特開平５−223935（ＪＰ，Ａ) 特開平４−169885（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01S 7/52 - 7/64 G01S 15/00 - 15/96 G01S 7/04 - 7/26

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】時系列的に得られる探知信号を所定周期
でサンプリングして得られる探知データを記憶する表示
用メモリ(６)と、この表示用メモリ(６)に記憶された探
知データを画像表示する表示器(１４)とを備え、前記表
示用メモリ(６)は、表示器(１４)の画素に対応するビッ
ト数の記憶素子がＸ軸およびＹ軸の各方向に沿ってそれ
ぞれ配列されている探知表示装置において、１到来分の探知データが入力されるたびに、その探知デ
ータの強度レベルを検出する強度レベル検出手段(１６)
と、１到来分の探知データが入力されるたびに、表示用メモ
リ(６)のＸ軸方向の書き込み位置を所定ビット分だけシ
フトさせ、そのシフトさせた位置を基準にして、各探知
データを、所定方向に沿って前記強度レベル検出手段
(１６)で検出された強度レベルに応じたビット分だけ偏
位させつつ、Ｙ軸方向に沿って順次時系列的に書き込む
とともに、表示用メモリ(６)に既に書き込まれた探知デ
ータを読み出す書込／読出制御手段(１８)と、この書込／読出制御手段(１８)によって前記表示用メモ
リ(６)から読み出された探知データをその強度レベルに
応じた色相あるいは輝度レベルを有する信号に変換して
前記表示器(１４)に出力する変換手段(８)と、を備えることを特徴とする探知表示装置。
【請求項２】探知データを偏位させて表示用メモリに
書き込む場合の前記所定方向は、Ｘ軸方向である請求項
１記載の探知表示装置。