JP3152474B2 - 発光ダイオ−ド - Google Patents
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- JP3152474B2 JP3152474B2 JP1211592A JP1211592A JP3152474B2 JP 3152474 B2 JP3152474 B2 JP 3152474B2 JP 1211592 A JP1211592 A JP 1211592A JP 1211592 A JP1211592 A JP 1211592A JP 3152474 B2 JP3152474 B2 JP 3152474B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐湿特性にすぐれ寿命の
長い構造を備え、アルミニウムを含む化合物半導体から
なる発光ダイオ−ドに関する。
長い構造を備え、アルミニウムを含む化合物半導体から
なる発光ダイオ−ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガリウム・アルミニウム・ヒ素
（ＧａＡｌＡｓ）層等を有する、アルミニウムを含む化
合物半導体発光ダイオ−ドは、例えば特開平１−２２６
１８１号に示されるように、耐湿特性を高めるとともに
光取出し効率を向上させるためにその素子表面に窒素ケ
イ素膜などからなる絶縁層（被膜）が形成されていた。
これは、アルミニウムを含む化合物半導体特有の問題と
して、主としてアルミニウムの酸化物または水酸化物が
表面に形成されやすく、このため、光吸収層が形成され
るばかりでなく、湿度に対して素子劣化・輝度低下もも
たらされ、これにより素子の寿命が著しく短くなること
の対策としてなされているものである。
（ＧａＡｌＡｓ）層等を有する、アルミニウムを含む化
合物半導体発光ダイオ−ドは、例えば特開平１−２２６
１８１号に示されるように、耐湿特性を高めるとともに
光取出し効率を向上させるためにその素子表面に窒素ケ
イ素膜などからなる絶縁層（被膜）が形成されていた。
これは、アルミニウムを含む化合物半導体特有の問題と
して、主としてアルミニウムの酸化物または水酸化物が
表面に形成されやすく、このため、光吸収層が形成され
るばかりでなく、湿度に対して素子劣化・輝度低下もも
たらされ、これにより素子の寿命が著しく短くなること
の対策としてなされているものである。
【０００３】その後のランプその他の組立て工程での衝
撃などにより、前記絶縁層が、前記素子表面との密着不
良を生じたり損傷したりする。このため、前記絶縁層の
存在にもかかわらず、前記密着不良や損傷部分を中心と
した前記素子表面に、前述したアルミニウムの酸化物や
水酸化物が広がっていき、やはり前記素子の寿命が短く
なってしまうという事態がしばしば生じていた。そし
て、このような現象は、とりわけ前記素子の周縁部にメ
サエッチングによる段部が形成される構造において、該
段部のエッジ部分を中心とするものが多かった。
撃などにより、前記絶縁層が、前記素子表面との密着不
良を生じたり損傷したりする。このため、前記絶縁層の
存在にもかかわらず、前記密着不良や損傷部分を中心と
した前記素子表面に、前述したアルミニウムの酸化物や
水酸化物が広がっていき、やはり前記素子の寿命が短く
なってしまうという事態がしばしば生じていた。そし
て、このような現象は、とりわけ前記素子の周縁部にメ
サエッチングによる段部が形成される構造において、該
段部のエッジ部分を中心とするものが多かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上述
の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわち半導体素
子表面の内部にガリウム酸化物を含む熱酸化物層を備え
ることにより、耐湿特性にすぐれ寿命の長い、アルミニ
ウムを含む化合物発光ダイオ−ドを提供する。また本発
明は表面内部に設けられた熱酸化物層上に絶縁層を設け
る事によって、さらに優れた耐湿特性と長寿命を有する
アルミニウムを含む化合物発光ダイオ−ドを提供するも
のである。
の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわち半導体素
子表面の内部にガリウム酸化物を含む熱酸化物層を備え
ることにより、耐湿特性にすぐれ寿命の長い、アルミニ
ウムを含む化合物発光ダイオ−ドを提供する。また本発
明は表面内部に設けられた熱酸化物層上に絶縁層を設け
る事によって、さらに優れた耐湿特性と長寿命を有する
アルミニウムを含む化合物発光ダイオ−ドを提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、積層された複数のＧａＡｌＡｓ層と、そ
のＧａＡｌＡｓ層から成る半導体素子の表面と裏面にそ
れぞれ形成された電極と、少なくともその電極の部分を
除いた表面の内部に形成されかつガリウム酸化物を含む
熱酸化物層とを設ける。
決するために、積層された複数のＧａＡｌＡｓ層と、そ
のＧａＡｌＡｓ層から成る半導体素子の表面と裏面にそ
れぞれ形成された電極と、少なくともその電極の部分を
除いた表面の内部に形成されかつガリウム酸化物を含む
熱酸化物層とを設ける。
【０００６】本発明はまた、積層された複数のＧａＡｌ
Ａｓ層と、そのＧａＡｌＡｓ層から成る半導体素子の表
面と裏面にそれぞれ形成された電極と、前記半導体素子
の周縁部に形成された段部と、少なくとも前記電極の部
分を除いた前記表面の内部と前記段部の内部に形成され
かつガリウム酸化物を含む熱酸化物層とを設ける。
Ａｓ層と、そのＧａＡｌＡｓ層から成る半導体素子の表
面と裏面にそれぞれ形成された電極と、前記半導体素子
の周縁部に形成された段部と、少なくとも前記電極の部
分を除いた前記表面の内部と前記段部の内部に形成され
かつガリウム酸化物を含む熱酸化物層とを設ける。
【０００７】本発明はさらに望ましくは、前記表面部分
に形成された前記熱酸化物層上に絶縁層を設けるもので
ある。
に形成された前記熱酸化物層上に絶縁層を設けるもので
ある。
【０００８】
【作用】本発明は上述の様に、表面内部に熱酸化物層を
形成し物理的な表面被膜とし、さらにガリウム酸化物形
成に伴うヒ化アルミニウムにより、アルミニウムの酸化
促進を抑制する。さらにその熱酸化物層の上に絶縁層を
形成する事により、絶縁層に接触する素子表面を安定さ
せ、その製造途中での劣化を防止する。また段部を有す
る発光ダイオ−ドに於て、劣化し易い段部の内部に熱酸
化物層を形成する事により、その段部の素子表面を安定
させ、劣化を防止する。さらにその熱酸化物層上に絶縁
層を形成する事により、絶縁層と段部表面との密着性が
向上し、耐湿性が向上し寿命が長くなる。
形成し物理的な表面被膜とし、さらにガリウム酸化物形
成に伴うヒ化アルミニウムにより、アルミニウムの酸化
促進を抑制する。さらにその熱酸化物層の上に絶縁層を
形成する事により、絶縁層に接触する素子表面を安定さ
せ、その製造途中での劣化を防止する。また段部を有す
る発光ダイオ−ドに於て、劣化し易い段部の内部に熱酸
化物層を形成する事により、その段部の素子表面を安定
させ、劣化を防止する。さらにその熱酸化物層上に絶縁
層を形成する事により、絶縁層と段部表面との密着性が
向上し、耐湿性が向上し寿命が長くなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１と図２に従
って説明する。図１は、本発明の効果が最も大きく認め
られたダブルヘテロ・ガリウム・アルミニウム・ヒ素
（ＧａＡｌＡｓ）発光ダイオ−ドの模式図であり、図２
はその発光ダイオ−ドの製造工程を示す図である。これ
らの図に於て、例えば、第１のＧａＡｌＡｓ層としての
ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１と、第２のＧａＡｌＡｓ層として
のｎ−ＧａＡｌＡｓ層２と、これら両ＧａＡｌＡｓ層
１，２に挟まれたｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３とが設けら
れている。これらの層から成る半導体素子の周縁部に段
部４が設けられている。そして半導体素子の表面と裏面
上にそれぞれｎ電極５およびｐ電極６が設けられてい
る。
って説明する。図１は、本発明の効果が最も大きく認め
られたダブルヘテロ・ガリウム・アルミニウム・ヒ素
（ＧａＡｌＡｓ）発光ダイオ−ドの模式図であり、図２
はその発光ダイオ−ドの製造工程を示す図である。これ
らの図に於て、例えば、第１のＧａＡｌＡｓ層としての
ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１と、第２のＧａＡｌＡｓ層として
のｎ−ＧａＡｌＡｓ層２と、これら両ＧａＡｌＡｓ層
１，２に挟まれたｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３とが設けら
れている。これらの層から成る半導体素子の周縁部に段
部４が設けられている。そして半導体素子の表面と裏面
上にそれぞれｎ電極５およびｐ電極６が設けられてい
る。
【００１０】ガリウム酸化物を含む熱酸化物層７が、前
記素子表面と前記段部４の露出部を中心として設けられ
ている。絶縁層８は窒化ケイ素等からなり、この絶縁層
８は前記素子の表面の熱酸化物層７に積層されている。
該絶縁層８は前記段部４にも設けられた方がよいが、こ
れが設けられていなくとも後述するような相応の効果が
ある。よって、絶縁層８が設けられる場合の作業性を考
慮したとき、この絶縁層８は必ずしも設けられなくて良
い。
記素子表面と前記段部４の露出部を中心として設けられ
ている。絶縁層８は窒化ケイ素等からなり、この絶縁層
８は前記素子の表面の熱酸化物層７に積層されている。
該絶縁層８は前記段部４にも設けられた方がよいが、こ
れが設けられていなくとも後述するような相応の効果が
ある。よって、絶縁層８が設けられる場合の作業性を考
慮したとき、この絶縁層８は必ずしも設けられなくて良
い。
【００１１】このような発光ダイオ−ドは、例えば以下
のようにして形成される。まず、ＧａＡｓ基板９の上
に、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１と、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層
３と、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２とが順次エピタキシャル法
により形成され、その表面上に図２（ａ）に示すよう
に、窒化ケイ素等からなる絶縁層８０が形成され、この
後電極を付ける部分５０に対応する絶縁層８０の一部が
除去される。もっとも、この絶縁層８０が形成される前
に、予め４５５〜４８０℃で前記ウエハに熱処理が施さ
れることにより、前記ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２の表面上
に、熱酸化物層７が形成されていることが、後述する理
由により、より好ましい。
のようにして形成される。まず、ＧａＡｓ基板９の上
に、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１と、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層
３と、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２とが順次エピタキシャル法
により形成され、その表面上に図２（ａ）に示すよう
に、窒化ケイ素等からなる絶縁層８０が形成され、この
後電極を付ける部分５０に対応する絶縁層８０の一部が
除去される。もっとも、この絶縁層８０が形成される前
に、予め４５５〜４８０℃で前記ウエハに熱処理が施さ
れることにより、前記ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２の表面上
に、熱酸化物層７が形成されていることが、後述する理
由により、より好ましい。
【００１２】前記電極を付ける部分５０に対応する前記
絶縁層８０の一部の除去は、例えばＣＦｘドライエッチ
ングなどにより行われる。この時、前記ｎ−ＧａＡｌＡ
ｓ層２の表面部に前記熱酸化物層７が形成されていて
も、この熱酸化物層７は前記ドライエッチングにより除
去されるので、前記電極のオーミック化に支障はない。
そして、図２（ｂ）に示すように、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２上にｎ電極５が形成される。その後、必要に応じて前
記ｐ−ＧａＡｓ基板９が除去されて、この除去により露
出した前記ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１の裏面上にｐ電極６が
形成される。（図２ (ｃ）参照）なお、前記ｐ−ＧａＡ
ｓ基板９が除去されないときには、このｐ−ＧａＡｓ基
板９の裏面上に前記ｐ電極６が形成される。（図示省
略）前記両電極５，６の形状や、その個数または配置
は、電流分布や光取出方向等を考慮して定められること
は従来通りである。
絶縁層８０の一部の除去は、例えばＣＦｘドライエッチ
ングなどにより行われる。この時、前記ｎ−ＧａＡｌＡ
ｓ層２の表面部に前記熱酸化物層７が形成されていて
も、この熱酸化物層７は前記ドライエッチングにより除
去されるので、前記電極のオーミック化に支障はない。
そして、図２（ｂ）に示すように、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２上にｎ電極５が形成される。その後、必要に応じて前
記ｐ−ＧａＡｓ基板９が除去されて、この除去により露
出した前記ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１の裏面上にｐ電極６が
形成される。（図２ (ｃ）参照）なお、前記ｐ−ＧａＡ
ｓ基板９が除去されないときには、このｐ−ＧａＡｓ基
板９の裏面上に前記ｐ電極６が形成される。（図示省
略）前記両電極５，６の形状や、その個数または配置
は、電流分布や光取出方向等を考慮して定められること
は従来通りである。
【００１３】その後、素子の大きさに合わせて、前記ｎ
−ＧａＡｌＡｓ層２の表面からメサエッチングが行われ
て、前記段部４に相当する凹みが形成され（図２
（ｄ））、続いて、前記電極のオーミック処理を兼ねた
アニール処理が施されて、露出した前記段部４の表面部
に熱酸化物層７が形成され、素子分離が行われる。前記
アニール処理は、前記熱酸化物層７が形成されるに十分
な程度に行わなければならず例えば４５５〜４９０℃で
５〜３０分間行われる。もっとも、この時の加熱温度が
過度に高くなると、前記電極に悪影響が生じるので好ま
しくない。
−ＧａＡｌＡｓ層２の表面からメサエッチングが行われ
て、前記段部４に相当する凹みが形成され（図２
（ｄ））、続いて、前記電極のオーミック処理を兼ねた
アニール処理が施されて、露出した前記段部４の表面部
に熱酸化物層７が形成され、素子分離が行われる。前記
アニール処理は、前記熱酸化物層７が形成されるに十分
な程度に行わなければならず例えば４５５〜４９０℃で
５〜３０分間行われる。もっとも、この時の加熱温度が
過度に高くなると、前記電極に悪影響が生じるので好ま
しくない。
【００１４】このような熱酸化物層７は、例えば前記素
子の表面部において、ガリウムとアルミニウムがほぼ１
００％酸化され、ヒ素も高い比率で酸化されている。こ
の点に関して、前記素子が自然状態に放置されていたと
きにも、該素子の表面部に酸化が起こるが、この場合
は、アルミニウムが１００％酸化されるとともに、ガリ
ウムが多少酸化されるが、ヒ素はほとんど酸化されな
い。しかも、このような自然酸化は、素子の最表面部の
みに於てであって、前記素子の表面部が０．００１〜
０．００９μｍ除去された部位には、アルミニウムの酸
化しか認められない。一方、本発明にあっては、前記部
位においても、ヒ素の酸化比率が低下するのみでアルミ
ニウムとガリウムの酸化率はほとんど低下していない。
したがって、本発明の場合には、ガリウムの酸化物を含
む熱酸化物層７が得られているということができ、これ
を確認するには、例えば通常の元素分析において、予め
素子スパッタして素子表面を削った後に、その分析をす
れば容易に確認できる。
子の表面部において、ガリウムとアルミニウムがほぼ１
００％酸化され、ヒ素も高い比率で酸化されている。こ
の点に関して、前記素子が自然状態に放置されていたと
きにも、該素子の表面部に酸化が起こるが、この場合
は、アルミニウムが１００％酸化されるとともに、ガリ
ウムが多少酸化されるが、ヒ素はほとんど酸化されな
い。しかも、このような自然酸化は、素子の最表面部の
みに於てであって、前記素子の表面部が０．００１〜
０．００９μｍ除去された部位には、アルミニウムの酸
化しか認められない。一方、本発明にあっては、前記部
位においても、ヒ素の酸化比率が低下するのみでアルミ
ニウムとガリウムの酸化率はほとんど低下していない。
したがって、本発明の場合には、ガリウムの酸化物を含
む熱酸化物層７が得られているということができ、これ
を確認するには、例えば通常の元素分析において、予め
素子スパッタして素子表面を削った後に、その分析をす
れば容易に確認できる。
【００１５】ちなみに本発明に於て、前記素子表面から
深さ０．０１μｍに於ける化合物半導体素子の平均酸化
率はほぼ５０〜９５％で、より好ましくは８０〜９５％
であり、効果の確認できない場合の同条件の平均酸化率
は４０％以下であった。このような熱酸化物層７の形成
により、前記発光ダイオ−ドの耐湿特性が向上して、そ
の劣化が少なくなることが判明しているが、その理由に
ついては、現在のところ明確には分かっていない。しか
しながら前記熱処理により素子の最表面部における過剰
のヒ素が飛散し、かつ前記ガリウム酸化物によって素子
の内部のヒ素の分散が抑えられ、また、前記ガリウム酸
化物層による物理的な表面被覆とガリウム酸化物形成に
伴うヒ化アルミニウムのペアの安定化により、アルミニ
ウムの移動・析出が抑えられこれによってアルミニウム
の酸化促進が抑制されているものと推測される。したが
って、上述した製造の初期においても熱熱酸化層が設け
られる方がよいというのも、このガリウム酸化物を含む
酸化物層によって、絶縁被膜に接触する素子表面が安定
化し、その製造途中での劣化原因を除去することが期待
できるからである。
深さ０．０１μｍに於ける化合物半導体素子の平均酸化
率はほぼ５０〜９５％で、より好ましくは８０〜９５％
であり、効果の確認できない場合の同条件の平均酸化率
は４０％以下であった。このような熱酸化物層７の形成
により、前記発光ダイオ−ドの耐湿特性が向上して、そ
の劣化が少なくなることが判明しているが、その理由に
ついては、現在のところ明確には分かっていない。しか
しながら前記熱処理により素子の最表面部における過剰
のヒ素が飛散し、かつ前記ガリウム酸化物によって素子
の内部のヒ素の分散が抑えられ、また、前記ガリウム酸
化物層による物理的な表面被覆とガリウム酸化物形成に
伴うヒ化アルミニウムのペアの安定化により、アルミニ
ウムの移動・析出が抑えられこれによってアルミニウム
の酸化促進が抑制されているものと推測される。したが
って、上述した製造の初期においても熱熱酸化層が設け
られる方がよいというのも、このガリウム酸化物を含む
酸化物層によって、絶縁被膜に接触する素子表面が安定
化し、その製造途中での劣化原因を除去することが期待
できるからである。
【００１６】次に本発明の第２実施例を図３に従い説明
する。図３は、ダブルヘテロ接合、メサタイプでない発
光ダイオ−ドの模式図である。例えば、ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層１ａと、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２ａと、これら両Ｇａ
ＡｌＡｓ層１ａ，２ａに挟まれたｐ−ＧａＡｌＡｓ活性
層３ａとが設けられ、その半導体素子の表裏面上にｎ電
極５ａおよびｐ電極６ａが設けられている。７ａはガリ
ウム酸化物を含む熱酸化物層を示しており、この熱酸化
物層７ａは前記素子表裏面とチップ側面１０ａの露出部
を中心として設けられている。絶縁層８ａは窒化ケイ素
等からなる絶縁層（被膜）を示しており、この絶縁層８
ａは、前記素子の表面の熱酸化物層７ａ上に積層されて
いる。
する。図３は、ダブルヘテロ接合、メサタイプでない発
光ダイオ−ドの模式図である。例えば、ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層１ａと、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２ａと、これら両Ｇａ
ＡｌＡｓ層１ａ，２ａに挟まれたｐ−ＧａＡｌＡｓ活性
層３ａとが設けられ、その半導体素子の表裏面上にｎ電
極５ａおよびｐ電極６ａが設けられている。７ａはガリ
ウム酸化物を含む熱酸化物層を示しており、この熱酸化
物層７ａは前記素子表裏面とチップ側面１０ａの露出部
を中心として設けられている。絶縁層８ａは窒化ケイ素
等からなる絶縁層（被膜）を示しており、この絶縁層８
ａは、前記素子の表面の熱酸化物層７ａ上に積層されて
いる。
【００１７】この発光ダイオ−ドの形成にあたっては、
例えば、図示しないｐ−ＧａＡｓ基板の上に、前記ｐ−
ＧａＡｌＡｓ層１ａ、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３ａおよ
びｎ−ＧａＡｌＡｓ層２ａがエピタキシャル法にて形成
される。この後、該ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２ａの表面に、
前記絶縁層８ａが形成されるとともに、ｎ電極５ａが形
成される。次に、前記ｐ−ＧａＡｓ基板が必要に応じて
除去され、その素子裏面にｐ電極６ａが形成された後、
素子分離が行われる。そして、前記チップ側面１０ａに
１〜１０μｍ程度のエッチングが行われ、前記素子分離
で発生したクラックや結晶欠陥が取り除かれる。続い
て、オーミック処理を兼ねたアニール処理が行われ、素
子の露出部に熱酸化物層７ａが形成される。なお、本例
のようなｐ−ＧａＡｓ基板が有る発光ダイオ−ドでは、
ＰＮ接合面からの発光が、このｐ−ＧａＡｓ基板に一部
吸収されるので、外部への光取出し効率が下がる。
例えば、図示しないｐ−ＧａＡｓ基板の上に、前記ｐ−
ＧａＡｌＡｓ層１ａ、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層３ａおよ
びｎ−ＧａＡｌＡｓ層２ａがエピタキシャル法にて形成
される。この後、該ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２ａの表面に、
前記絶縁層８ａが形成されるとともに、ｎ電極５ａが形
成される。次に、前記ｐ−ＧａＡｓ基板が必要に応じて
除去され、その素子裏面にｐ電極６ａが形成された後、
素子分離が行われる。そして、前記チップ側面１０ａに
１〜１０μｍ程度のエッチングが行われ、前記素子分離
で発生したクラックや結晶欠陥が取り除かれる。続い
て、オーミック処理を兼ねたアニール処理が行われ、素
子の露出部に熱酸化物層７ａが形成される。なお、本例
のようなｐ−ＧａＡｓ基板が有る発光ダイオ−ドでは、
ＰＮ接合面からの発光が、このｐ−ＧａＡｓ基板に一部
吸収されるので、外部への光取出し効率が下がる。
【００１８】次に本発明の第３実施例を図４に従い説明
する。図４は、シングルヘテロ、メサタイプの発光ダイ
オ−ドの模式図である。ｐ−ＧａＡｓ基板１１の上に、
ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１２と、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３が
設けられ、その半導体素子の表裏面上にｎ電極１５およ
びｐ電極１６が設けられている。ガリウム酸化物を含む
熱酸化物層１８が前記素子表面と段部１７の露出部を中
心として設けられている。窒化ケイ素等からなる絶縁層
（被膜）１４が前記素子表面の熱酸化物層１８に積層さ
れている。
する。図４は、シングルヘテロ、メサタイプの発光ダイ
オ−ドの模式図である。ｐ−ＧａＡｓ基板１１の上に、
ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１２と、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３が
設けられ、その半導体素子の表裏面上にｎ電極１５およ
びｐ電極１６が設けられている。ガリウム酸化物を含む
熱酸化物層１８が前記素子表面と段部１７の露出部を中
心として設けられている。窒化ケイ素等からなる絶縁層
（被膜）１４が前記素子表面の熱酸化物層１８に積層さ
れている。
【００１９】この発光ダイオ−ドの形成にあたっては、
前記ｐ−ＧａＡｓ基板１１の上に、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層
１２とｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３がエピタキシャル法にて
形成された後、このｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３の表面に前
記絶縁層１４が形成される。次に、前記ｎ電極１５を設
ける部分の絶縁層が除去された後、ここにｎ電極１５が
形成される。そして、前記素子表面に前記ｐ電極１６が
形成された後、前記ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３からｐ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層１２にかけてメサエッチングが行われて、
前記段部１７が形成される。続いて、電極のオーミック
処理を兼ねたアニール処理が行われ、その露出部に前記
酸化物層１８が形成された後、素子分離が行われる。な
お、本例のようなシングルヘテロ発光ダイオ−ドでは、
前記ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１２とｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３
のそれぞれのアルミニウムの混晶比が異なるように形成
される。
前記ｐ−ＧａＡｓ基板１１の上に、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層
１２とｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３がエピタキシャル法にて
形成された後、このｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３の表面に前
記絶縁層１４が形成される。次に、前記ｎ電極１５を設
ける部分の絶縁層が除去された後、ここにｎ電極１５が
形成される。そして、前記素子表面に前記ｐ電極１６が
形成された後、前記ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３からｐ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層１２にかけてメサエッチングが行われて、
前記段部１７が形成される。続いて、電極のオーミック
処理を兼ねたアニール処理が行われ、その露出部に前記
酸化物層１８が形成された後、素子分離が行われる。な
お、本例のようなシングルヘテロ発光ダイオ−ドでは、
前記ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１２とｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３
のそれぞれのアルミニウムの混晶比が異なるように形成
される。
【００２０】次に本発明の第４実施例を図５に従い説明
する。図５は、シングルヘテロ、メサタイプでない発光
ダイオ−ドの模式図である。この発光ダイオ−ドは例え
ば、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１２ａとｎ−ＧａＡｌＡｓ層１
３ａとを具備するとともに、その半導体素子の表裏面上
にｎ電極１５ａとｐ電極１６ａが設けられている。ガリ
ウム酸化物を含む熱酸化物層１８ａが前記素子表裏面と
チップ側面１９ａの露出部を中心として設けられてい
る。窒化ケイ素等からなる絶縁層（被膜）を示してお
り、この絶縁層１４ａは、前記素子の表面の熱酸化物層
１８ａ上に積層されている。
する。図５は、シングルヘテロ、メサタイプでない発光
ダイオ−ドの模式図である。この発光ダイオ−ドは例え
ば、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１２ａとｎ−ＧａＡｌＡｓ層１
３ａとを具備するとともに、その半導体素子の表裏面上
にｎ電極１５ａとｐ電極１６ａが設けられている。ガリ
ウム酸化物を含む熱酸化物層１８ａが前記素子表裏面と
チップ側面１９ａの露出部を中心として設けられてい
る。窒化ケイ素等からなる絶縁層（被膜）を示してお
り、この絶縁層１４ａは、前記素子の表面の熱酸化物層
１８ａ上に積層されている。
【００２１】この発光ダイオ−ドの形成にあたっては、
前記ｐ−ＧａＡｓ基板１１ａの上にｐ−ＧａＡｌＡｓ層
１２ａとｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３ａがエピタキシャル法
にて形成された後、このｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３ａの表
面に前記絶縁層１４ａが形成される。続いて、前記ｎ電
極１５ａを設ける部分の絶縁層１４ａが除去された後こ
こにｎ電極１５ａが形成される。そして前記素子の裏面
にｐ電極１６ａが形成された後、素子分離が行われる。
次に、前記チップ側面１９ａに１〜１０μｍ程度のエッ
チングが行われ、前記素子分離で発生したクラックや結
晶欠陥が取り除かされる。続いて、オーミック処理を兼
ねたアニール処理が行われて、その露出部に熱酸化物層
１８ａが形成される。なお、前記のエッチングが施され
る時、前記ｐ−ＧａＡｓ基板１１ａより、ｐ−ＧａＡｌ
Ａｓ層１２ａとｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３ａの方がエッチ
ングされやすいので、前記チップ側面１９ａは図示のよ
うに傾く。
前記ｐ−ＧａＡｓ基板１１ａの上にｐ−ＧａＡｌＡｓ層
１２ａとｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３ａがエピタキシャル法
にて形成された後、このｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３ａの表
面に前記絶縁層１４ａが形成される。続いて、前記ｎ電
極１５ａを設ける部分の絶縁層１４ａが除去された後こ
こにｎ電極１５ａが形成される。そして前記素子の裏面
にｐ電極１６ａが形成された後、素子分離が行われる。
次に、前記チップ側面１９ａに１〜１０μｍ程度のエッ
チングが行われ、前記素子分離で発生したクラックや結
晶欠陥が取り除かされる。続いて、オーミック処理を兼
ねたアニール処理が行われて、その露出部に熱酸化物層
１８ａが形成される。なお、前記のエッチングが施され
る時、前記ｐ−ＧａＡｓ基板１１ａより、ｐ−ＧａＡｌ
Ａｓ層１２ａとｎ−ＧａＡｌＡｓ層１３ａの方がエッチ
ングされやすいので、前記チップ側面１９ａは図示のよ
うに傾く。
【００２２】次に本発明の第５実施例を図６に従い説明
する。図６は、ホモＰＮ接合、メサタイプの発光ダイオ
−ドの模式図である。この発光ダイオ−ドは、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２０の上に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２１と、ｐ−
ＧａＡｌＡｓ層２２を具備するとともに、その半導体素
子の表裏面上に、ｐ電極２４およびｎ電極２５が設けら
れている。ガリウム酸化物を含む熱酸化物層２７が前記
素子表面と段部２６の露出部を中心として設けられてい
る。窒化ケイ素等からなる絶縁層（被膜）２３は前記素
子表面の熱酸化物層２７に積層されている。
する。図６は、ホモＰＮ接合、メサタイプの発光ダイオ
−ドの模式図である。この発光ダイオ−ドは、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２０の上に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２１と、ｐ−
ＧａＡｌＡｓ層２２を具備するとともに、その半導体素
子の表裏面上に、ｐ電極２４およびｎ電極２５が設けら
れている。ガリウム酸化物を含む熱酸化物層２７が前記
素子表面と段部２６の露出部を中心として設けられてい
る。窒化ケイ素等からなる絶縁層（被膜）２３は前記素
子表面の熱酸化物層２７に積層されている。
【００２３】この発光ダイオ−ドの形成にあたっては、
前記ｎ−ＧａＡｓ基板２０の上に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２１とｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２がエピタキシャル法にて
形成された後、このｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２の表面に前
記絶縁層２３が形成される。次に、ｐ電極２４を設ける
部分の絶縁層２３が除去された後、ここにｐ電極２４が
形成される。そして、前記素子裏面にｎ電極２５が形成
された後、前記ｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２からｎ−ＧａＡ
ｌＡｓ層２１にかけてメサエッチングが行われ前記段部
２６が形成される。続いて、電極のオーミック処理を兼
ねたアニール処理が行われその露出部に前記熱酸化物層
２７が形成された後、素子分離が行われる。
前記ｎ−ＧａＡｓ基板２０の上に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２１とｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２がエピタキシャル法にて
形成された後、このｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２の表面に前
記絶縁層２３が形成される。次に、ｐ電極２４を設ける
部分の絶縁層２３が除去された後、ここにｐ電極２４が
形成される。そして、前記素子裏面にｎ電極２５が形成
された後、前記ｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２からｎ−ＧａＡ
ｌＡｓ層２１にかけてメサエッチングが行われ前記段部
２６が形成される。続いて、電極のオーミック処理を兼
ねたアニール処理が行われその露出部に前記熱酸化物層
２７が形成された後、素子分離が行われる。
【００２４】なお、本実施例のようなホモＰＮ接合発光
ダイオ−ドでは、前記ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２１とｐ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層２２のそれぞれのアルミの混晶比がほぼ同
じになるように形成される。また、図示のように、ｎ電
極２５が部分的にストライプ形状に形成されることによ
って、実施例３，４より電極の面積が小さくなる。ゆえ
に、ＰＮ接合面からの発光が前記ｎ電極２５に吸収され
る量が減るので、外部への光取出し効率が増える。
ダイオ−ドでは、前記ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２１とｐ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層２２のそれぞれのアルミの混晶比がほぼ同
じになるように形成される。また、図示のように、ｎ電
極２５が部分的にストライプ形状に形成されることによ
って、実施例３，４より電極の面積が小さくなる。ゆえ
に、ＰＮ接合面からの発光が前記ｎ電極２５に吸収され
る量が減るので、外部への光取出し効率が増える。
【００２５】次に本発明の第６実施例を図７に従い説明
する。図７は、ホモＰＮ接合、メサタイプでない発光ダ
イオ−ドの模式図である。この発光ダイオ−ドは、例え
ばｎ−ＧａＡｓ基板２０ａの上に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２１ａとｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２ａとを具備するととも
に、その半導体素子の表裏面上にｐ電極２４ａおよびｎ
電極２５ａが設けられている。ガリウム酸化物を含む熱
酸化物層２７ａが前記素子表裏面とチップ側面２８ａの
露出部を中心として設けられている。窒化ケイ素等から
なる絶縁層（被膜）２３ａは、前記素子の表面の酸化物
層２７ａ上に積層されている。
する。図７は、ホモＰＮ接合、メサタイプでない発光ダ
イオ−ドの模式図である。この発光ダイオ−ドは、例え
ばｎ−ＧａＡｓ基板２０ａの上に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２１ａとｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２ａとを具備するととも
に、その半導体素子の表裏面上にｐ電極２４ａおよびｎ
電極２５ａが設けられている。ガリウム酸化物を含む熱
酸化物層２７ａが前記素子表裏面とチップ側面２８ａの
露出部を中心として設けられている。窒化ケイ素等から
なる絶縁層（被膜）２３ａは、前記素子の表面の酸化物
層２７ａ上に積層されている。
【００２６】この発光ダイオ−ドの形成にあたっては、
前記ｎ−ＧａＡｓ基板２０ａの上にｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２１ａとｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２ａがエピタキシャル法
にて形成された後、このｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２ａの表
面に前記絶縁層２３ａが形成される。次に、電極２４ａ
を設ける部分の絶縁層２３ａが除去された後、ここに電
極２４ａが形成される。そして、前記素子裏面に前記ｎ
電極２５ａが形成された後、素子分離が行われる。続い
て、前記チップ側面２８ａに１〜１０μｍ程度のエッチ
ングが施され、前記素子分離で発生したクラックや結晶
欠陥が取り除かれる。続いて、オーミック処理を兼ねた
アニール処理が行われ、その露出部に前記熱酸化物層２
７ａが形成される。
前記ｎ−ＧａＡｓ基板２０ａの上にｎ−ＧａＡｌＡｓ層
２１ａとｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２ａがエピタキシャル法
にて形成された後、このｐ−ＧａＡｌＡｓ層２２ａの表
面に前記絶縁層２３ａが形成される。次に、電極２４ａ
を設ける部分の絶縁層２３ａが除去された後、ここに電
極２４ａが形成される。そして、前記素子裏面に前記ｎ
電極２５ａが形成された後、素子分離が行われる。続い
て、前記チップ側面２８ａに１〜１０μｍ程度のエッチ
ングが施され、前記素子分離で発生したクラックや結晶
欠陥が取り除かれる。続いて、オーミック処理を兼ねた
アニール処理が行われ、その露出部に前記熱酸化物層２
７ａが形成される。
【００２７】なお、上述の実施例３から６では、ＧａＡ
ｓ基板１１，１１ａ，２０，２０ａが形成されている
が、必要に応じてこれらＧａＡｓ基板は除去してもよ
く、この場合は、露出したｐまたはｎ−ＧａＡｌＡｓ層
１２，１２ａ，２１，２１ａの裏面に、電極１６，１６
ａ，２５，２５ａが形成される。また上述の各実施例で
は電極５，５ａ，１５，１５ａ，２４，２４ａ，６，６
ａ，２５，２５ａが設けられた部分を除く表面と裏面、
および側面内部にガリウム酸化物を含む熱酸化物層７，
７ａ，１８，１８ａ，２７，２７ａが設けられている。
しかし少なくとも、表面側の前記電極が設けられた部分
を除く表面の内部に、熱酸化物層７，７ａ，１８，１８
ａ，２７，２７ａを設ける事により、耐湿特性が向上
し、かつ半導体素子の劣化が抑制できる。これは裏面や
側面より表面が最も耐湿性が劣化し易いので、その表面
の内部に熱酸化物層を設ける事により保護するからであ
る。具体的には後述の経時特性に於て、上述の各実施例
の発光ダイオ−ドと電極を除いた表面内部に熱酸化物層
を設けた発光ダイオ−ドとの差異はほとんどない。
ｓ基板１１，１１ａ，２０，２０ａが形成されている
が、必要に応じてこれらＧａＡｓ基板は除去してもよ
く、この場合は、露出したｐまたはｎ−ＧａＡｌＡｓ層
１２，１２ａ，２１，２１ａの裏面に、電極１６，１６
ａ，２５，２５ａが形成される。また上述の各実施例で
は電極５，５ａ，１５，１５ａ，２４，２４ａ，６，６
ａ，２５，２５ａが設けられた部分を除く表面と裏面、
および側面内部にガリウム酸化物を含む熱酸化物層７，
７ａ，１８，１８ａ，２７，２７ａが設けられている。
しかし少なくとも、表面側の前記電極が設けられた部分
を除く表面の内部に、熱酸化物層７，７ａ，１８，１８
ａ，２７，２７ａを設ける事により、耐湿特性が向上
し、かつ半導体素子の劣化が抑制できる。これは裏面や
側面より表面が最も耐湿性が劣化し易いので、その表面
の内部に熱酸化物層を設ける事により保護するからであ
る。具体的には後述の経時特性に於て、上述の各実施例
の発光ダイオ−ドと電極を除いた表面内部に熱酸化物層
を設けた発光ダイオ−ドとの差異はほとんどない。
【００２８】次に、上述の各実施例の作用効果を図８に
示す特性図によって説明する。図８の特性図は、前述の
ように構成された各発光ダイオ−ドを連続通電した結果
を示すものである。アルミニウムを含む発光ダイオ−ド
は特に耐湿特性が悪いと言われているので、この特性図
においては、８０℃で湿度９６％の試験室において３０
ｍＡの電流を連続して流し続けた時の、通電初期の光度
を１００とした経時特性が示されている。
示す特性図によって説明する。図８の特性図は、前述の
ように構成された各発光ダイオ−ドを連続通電した結果
を示すものである。アルミニウムを含む発光ダイオ−ド
は特に耐湿特性が悪いと言われているので、この特性図
においては、８０℃で湿度９６％の試験室において３０
ｍＡの電流を連続して流し続けた時の、通電初期の光度
を１００とした経時特性が示されている。
【００２９】この特性図において、実線で示す特性Ａ
は、本発明における熱酸化物層７，７ａ，１８，１８
ａ，２７，２７ａと絶縁層８，８ａ，１４，１４ａ，２
３，２３ａを有する発光ダイオ−ドのロット平均光度を
示し、破線で示す特性Ｂは、平均酸化率７５％の前記熱
酸化物層を持ち前記絶縁層を持たない発光ダイオ−ドの
特性を示している。段部４，１７，２６を持たない発光
ダイオ−ドにあっては、前記絶縁層がなくても前記特性
Ａと特性Ｂとの中間的特性が得られる。１点鎖線で示す
特性Ｃは従来の発光ダイオ−ドの特性を示す。
は、本発明における熱酸化物層７，７ａ，１８，１８
ａ，２７，２７ａと絶縁層８，８ａ，１４，１４ａ，２
３，２３ａを有する発光ダイオ−ドのロット平均光度を
示し、破線で示す特性Ｂは、平均酸化率７５％の前記熱
酸化物層を持ち前記絶縁層を持たない発光ダイオ−ドの
特性を示している。段部４，１７，２６を持たない発光
ダイオ−ドにあっては、前記絶縁層がなくても前記特性
Ａと特性Ｂとの中間的特性が得られる。１点鎖線で示す
特性Ｃは従来の発光ダイオ−ドの特性を示す。
【００３０】
【発明の効果】本発明は上述の様に、表面内部に熱酸化
物層を形成するので、自然酸化と異なり表面内部を十分
酸化させ、物理的な表面被膜をなしさらにガリウム酸化
物形成に伴うヒ化ガリウムにより、アルミニウムの酸化
促進を抑制する。具体的には、メサタイプでない発光ダ
イオ−ドでは特性ＡとＢの中間の特性を、メサタイプの
発光ダイオ−ドでは特性Ｂを示し、耐湿特性と寿命特性
が向上する。
物層を形成するので、自然酸化と異なり表面内部を十分
酸化させ、物理的な表面被膜をなしさらにガリウム酸化
物形成に伴うヒ化ガリウムにより、アルミニウムの酸化
促進を抑制する。具体的には、メサタイプでない発光ダ
イオ−ドでは特性ＡとＢの中間の特性を、メサタイプの
発光ダイオ−ドでは特性Ｂを示し、耐湿特性と寿命特性
が向上する。
【００３１】本発明は表面内部または段部内部の熱酸化
物層上に絶縁層を形成するので、半導体素子表面が安定
し、絶縁層と半導体素子表面との密着性が向上し、従来
の様な絶縁層の損傷がなくなる。故にその耐湿性が向上
し、半導体素子の劣化が遅くなり寿命が長くなる。具体
的には、メサタイプでない発光ダイオ−ドもメサタイプ
の発光ダイオ−ドも特性Ａを示し、耐湿特性と寿命特性
がさらに向上する。
物層上に絶縁層を形成するので、半導体素子表面が安定
し、絶縁層と半導体素子表面との密着性が向上し、従来
の様な絶縁層の損傷がなくなる。故にその耐湿性が向上
し、半導体素子の劣化が遅くなり寿命が長くなる。具体
的には、メサタイプでない発光ダイオ−ドもメサタイプ
の発光ダイオ−ドも特性Ａを示し、耐湿特性と寿命特性
がさらに向上する。
【００３２】特に段部を有するメサタイプの発光ダイオ
−ドでは、従来損傷し易かった段部が熱酸化物層と絶縁
層により保護されて、非常によい特性Ａを得る事ができ
る。さらにメサタイプはメサ形状を有しているので、素
子分離のときにクラックや結晶欠陥を生じない。
−ドでは、従来損傷し易かった段部が熱酸化物層と絶縁
層により保護されて、非常によい特性Ａを得る事ができ
る。さらにメサタイプはメサ形状を有しているので、素
子分離のときにクラックや結晶欠陥を生じない。
【図１】本発明の第１実施例の発光ダイオ−ドの模式図
である。
である。
【図２】本発明の第１実施例の発光ダイオ−ドの製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例の発光ダイオ−ドの模式図
である。
である。
【図４】本発明の第３実施例の発光ダイオ−ドの模式図
である。
である。
【図５】本発明の第４実施例の発光ダイオ−ドの模式図
である。
である。
【図６】本発明の第５実施例の発光ダイオ−ドの模式図
である。
である。
【図７】本発明の第６実施例の発光ダイオ−ドの模式図
である。
である。
【図８】本発明に係る前記各発光ダイオ−ドの特性を示
す線図である。
す線図である。
1,1a,12,12a,22,22a ｐ−ＧａＡｌＡｓ層 2,2a,13,13a,21,21a ｎ−ＧａＡｌＡｓ層 3,3a 活性層 4,17,26 段部 5,5a,15,15a,25,25a ｎ電極 6,6a,16,16a,24,24a ｐ電極 7,7a,18,18a,27,27a 熱酸化物層 8,8a,14,14a,23,23a 絶縁層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−93584（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−131782（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−226181（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−20383（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−103685（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−17398（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01L 21/316
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層、ＰＮ接合などの発光領域の一部
を露出させて積層された複数のＧａＡｌＡｓ層と、その
ＧａＡｌＡｓ層からなる半導体素子の表面と裏面にそれ
ぞれ設けられた電極と、発光領域の露出部分を含むよう
に素子の表面であって電極の部分を除く表面の内部に設
けられたガリウム酸化物を含む熱酸化物層とを具備した
事を特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記表面部分に設けられた前記熱酸化物
層上に絶縁層を形成した事を特徴とする請求項１の発光
ダイオ−ド。 - 【請求項３】 積層された複数のＧａＡｌＡｓ層と、そ
のＧａＡｌＡｓ層から成る半導体素子の表面と裏面にそ
れぞれ設けられた電極と、前記半導体素子の周縁部に設
けられた段部と、少なくとも前記電極の部分を除いた前
記表面の内部と前記段部の内部に設けられかつガリウム
酸化物を含む熱酸化物層とを具備した事を特徴とする発
光ダイオ−ド。 - 【請求項４】 前記表面部分に設けられた前記熱酸化物
層上に絶縁層を形成した事を特徴とする請求項３の発光
ダイオ−ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211592A JP3152474B2 (ja) | 1991-01-29 | 1992-01-27 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP933391 | 1991-01-29 | ||
| JP3-9333 | 1991-01-29 | ||
| JP1211592A JP3152474B2 (ja) | 1991-01-29 | 1992-01-27 | 発光ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541540A JPH0541540A (ja) | 1993-02-19 |
| JP3152474B2 true JP3152474B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=26344035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211592A Expired - Fee Related JP3152474B2 (ja) | 1991-01-29 | 1992-01-27 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152474B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6825501B2 (en) * | 1997-08-29 | 2004-11-30 | Cree, Inc. | Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications |
| JPH1197742A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| US6201264B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-03-13 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP1211592A patent/JP3152474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0541540A (ja) | 1993-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |