JP3147695B2 - ダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマｃｖｄ法及び装置 - Google Patents
ダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマｃｖｄ法及び装置Info
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- JP3147695B2 JP3147695B2 JP03062295A JP3062295A JP3147695B2 JP 3147695 B2 JP3147695 B2 JP 3147695B2 JP 03062295 A JP03062295 A JP 03062295A JP 3062295 A JP3062295 A JP 3062295A JP 3147695 B2 JP3147695 B2 JP 3147695B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は成膜用原料ガスをプラズ
マ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上にダイア
モンド状炭素膜形成を行うプラズマＣＶＤ法及び装置に
関する。
マ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上にダイア
モンド状炭素膜形成を行うプラズマＣＶＤ法及び装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にプラズマＣＶＤ法は半導体利用の
センサ等の各種半導体デバイスの製造、太陽電池や液晶
表示装置等に用いる各種薄膜デバイスの製造、耐摩耗性
等が要求される機械部品や工具等の基体への耐摩耗性等
を有する膜の形成、スピーカ振動板への炭素膜の形成、
装飾品のコーティング等に広く利用されている。このプ
ラズマＣＶＤ法を実施する装置は各種知られているが、
その代表的なものの一つを例示すると、図５に示すプラ
ズマＣＶＤ装置がある。
センサ等の各種半導体デバイスの製造、太陽電池や液晶
表示装置等に用いる各種薄膜デバイスの製造、耐摩耗性
等が要求される機械部品や工具等の基体への耐摩耗性等
を有する膜の形成、スピーカ振動板への炭素膜の形成、
装飾品のコーティング等に広く利用されている。このプ
ラズマＣＶＤ法を実施する装置は各種知られているが、
その代表的なものの一つを例示すると、図５に示すプラ
ズマＣＶＤ装置がある。
【０００３】図５に示す装置は平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置として知られているもので、成膜室として用いら
れる真空容器１を有し、その中に被成膜基体Ｓ１を設置
する基体ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。電極２は、通常、接地電極と
され、また、この上に配置される基体Ｓ１を成膜温度に
加熱するヒータ２１を付設してある。なお、輻射熱で基
体Ｓ１を加熱するときは、ヒータ２１は電極２から分離
される。
Ｄ装置として知られているもので、成膜室として用いら
れる真空容器１を有し、その中に被成膜基体Ｓ１を設置
する基体ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。電極２は、通常、接地電極と
され、また、この上に配置される基体Ｓ１を成膜温度に
加熱するヒータ２１を付設してある。なお、輻射熱で基
体Ｓ１を加熱するときは、ヒータ２１は電極２から分離
される。
【０００４】電極３は、電極２との間に導入される成膜
用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズマ化さ
せるための電力印加電極で、図示の例ではマッチングボ
ックス３１を介して高周波電源３２を接続してある。ま
た、真空容器１には弁５１を介して排気ポンプ５２を接
続してあるとともに、成膜用原料ガスのガス供給部４を
配管接続してある。ガス供給部４には、１又は２以上の
マスフローコントローラ４１１、４１２・・・・及び弁
４２１、４２２・・・・を介して、成膜用原料ガスを供
給するガス源４３１、４３２・・・・が含まれている。
用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズマ化さ
せるための電力印加電極で、図示の例ではマッチングボ
ックス３１を介して高周波電源３２を接続してある。ま
た、真空容器１には弁５１を介して排気ポンプ５２を接
続してあるとともに、成膜用原料ガスのガス供給部４を
配管接続してある。ガス供給部４には、１又は２以上の
マスフローコントローラ４１１、４１２・・・・及び弁
４２１、４２２・・・・を介して、成膜用原料ガスを供
給するガス源４３１、４３２・・・・が含まれている。
【０００５】この平行平板型プラズマＣＶＤ装置による
と、成膜対象基体Ｓ１が図示しない基体搬送装置により
真空容器１内に搬入されて電極２上に設置され、該容器
１内が弁５１の操作と排気ポンプ５２の運転にて所定成
膜真空度とされるとともに、ガス供給部４から成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電力が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基体Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。
と、成膜対象基体Ｓ１が図示しない基体搬送装置により
真空容器１内に搬入されて電極２上に設置され、該容器
１内が弁５１の操作と排気ポンプ５２の運転にて所定成
膜真空度とされるとともに、ガス供給部４から成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電力が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基体Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。
【０００６】例えば、容器１内圧力を数１００ｍＴｏｒ
ｒ程度とし、基体ホルダ電極２をヒータ２１で加熱し、
この上に基体Ｓ１を設置し、ガス供給部４からメタン
（ＣＨ 4 ）ガス、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）ガス等の炭化水素
化合物ガス単体、又はこのような炭化水素化合物ガスと
水素（Ｈ2 ）ガスを所定量導入して電極３に例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると、該ガスがプ
ラズマ化され、基体Ｓ１上に炭素薄膜が形成される。
ｒ程度とし、基体ホルダ電極２をヒータ２１で加熱し、
この上に基体Ｓ１を設置し、ガス供給部４からメタン
（ＣＨ 4 ）ガス、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）ガス等の炭化水素
化合物ガス単体、又はこのような炭化水素化合物ガスと
水素（Ｈ2 ）ガスを所定量導入して電極３に例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると、該ガスがプ
ラズマ化され、基体Ｓ１上に炭素薄膜が形成される。
【０００７】その場合基体Ｓ１の処理温度を変えること
により膜質を制御できる。例えば、ポリイミド樹脂等の
合成樹脂基体上に成膜するときは基体の耐熱性を考慮し
て１００℃程度以下の基体温度とされ、このときにはダ
イアモンド状の炭素〔ＤＬＣ（Diamond Like Carbon )
〕膜が形成される。このＤＬＣ膜はスピーカの振動板
のコーティングや装飾品のコーティング等に利用され
る。
により膜質を制御できる。例えば、ポリイミド樹脂等の
合成樹脂基体上に成膜するときは基体の耐熱性を考慮し
て１００℃程度以下の基体温度とされ、このときにはダ
イアモンド状の炭素〔ＤＬＣ（Diamond Like Carbon )
〕膜が形成される。このＤＬＣ膜はスピーカの振動板
のコーティングや装飾品のコーティング等に利用され
る。
【０００８】基体処理温度を上昇させると炭素膜硬度は
上昇する。従って切削工具、各種機械部品等の表面硬度
を改善するためにそれらに硬質炭素膜をコーティングす
るときは、処理温度は５００℃以上に設定されるが、こ
のように基体処理温度を高温に設定しようとするとき
は、前記平行平板型のプラズマＣＶＤ法及び装置による
よりも、一般的にはＥＣＲプラズマＣＶＤ法及び装置、
又は熱フィラメントＣＶＤ法及び装置が用いられる。
上昇する。従って切削工具、各種機械部品等の表面硬度
を改善するためにそれらに硬質炭素膜をコーティングす
るときは、処理温度は５００℃以上に設定されるが、こ
のように基体処理温度を高温に設定しようとするとき
は、前記平行平板型のプラズマＣＶＤ法及び装置による
よりも、一般的にはＥＣＲプラズマＣＶＤ法及び装置、
又は熱フィラメントＣＶＤ法及び装置が用いられる。
【０００９】ＥＣＲプラズマＣＶＤではＥＣＲ共鳴点に
成膜対象基体を設置することで該基体を８００℃程度ま
で加熱することができ、そのような高温成膜操作により
前記の平行平板型プラズマＣＶＤによる成膜のときより
良質のＤＬＣ膜を容易に形成することができ、ダイアモ
ンド膜を形成することもできる。熱フィラメントＣＶＤ
では熱フィラメントによる輻射熱で基体温度を９００〜
１１００℃程度まで加熱することができ、そのような高
温成膜操作により良質のＤＬＣ膜やダイアモンド膜を容
易に形成することができる。
成膜対象基体を設置することで該基体を８００℃程度ま
で加熱することができ、そのような高温成膜操作により
前記の平行平板型プラズマＣＶＤによる成膜のときより
良質のＤＬＣ膜を容易に形成することができ、ダイアモ
ンド膜を形成することもできる。熱フィラメントＣＶＤ
では熱フィラメントによる輻射熱で基体温度を９００〜
１１００℃程度まで加熱することができ、そのような高
温成膜操作により良質のＤＬＣ膜やダイアモンド膜を容
易に形成することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマＣ
ＶＤによると、プラズマ中の気相反応により発生するパ
ーティクルがダストとなって成膜対象基体の表面に形成
される膜に付着したり、その中に混入したりして膜質を
悪化させるという問題がある。しかしＥＣＲプラズマＣ
ＶＤや熱フィラメントＣＶＤによる高温成膜では平行平
板型のプラズマＣＶＤによる比較的低温での成膜の場合
よりもパーティクルの発生は少ない。
ＶＤによると、プラズマ中の気相反応により発生するパ
ーティクルがダストとなって成膜対象基体の表面に形成
される膜に付着したり、その中に混入したりして膜質を
悪化させるという問題がある。しかしＥＣＲプラズマＣ
ＶＤや熱フィラメントＣＶＤによる高温成膜では平行平
板型のプラズマＣＶＤによる比較的低温での成膜の場合
よりもパーティクルの発生は少ない。
【００１１】以上のことから炭素膜を形成するときに
は、成膜対象基体の材質が耐熱性であれば平行平板型プ
ラズマＣＶＤよりもＥＣＲプラズマＣＶＤや熱フィラメ
ントＣＶＤを採用する方が好ましいことが多いが、基体
材質が高温に耐えられない合成樹脂のような場合には平
行平板型プラズマＣＶＤにより比較的低温で成膜しなけ
ればならない。そうすると前述のようにパーティクルの
発生量が多くなるし、また成膜速度を上げようとして印
加する高周波電力を大きくするとパーティクルの発生量
が増加するので成膜速度の向上にも限界がある。
は、成膜対象基体の材質が耐熱性であれば平行平板型プ
ラズマＣＶＤよりもＥＣＲプラズマＣＶＤや熱フィラメ
ントＣＶＤを採用する方が好ましいことが多いが、基体
材質が高温に耐えられない合成樹脂のような場合には平
行平板型プラズマＣＶＤにより比較的低温で成膜しなけ
ればならない。そうすると前述のようにパーティクルの
発生量が多くなるし、また成膜速度を上げようとして印
加する高周波電力を大きくするとパーティクルの発生量
が増加するので成膜速度の向上にも限界がある。
【００１２】そこで本発明は、例えば平行平板型プラズ
マＣＶＤ法及び装置による成膜のように比較的低温での
プラズマＣＶＤによる成膜においても膜質を悪化させる
パーティクルの発生を抑制することができるとともに成
膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて
成膜することができるダイアモンド状炭素膜形成のため
のプラズマＣＶＤ法及び装置を提供することを課題とす
る。
マＣＶＤ法及び装置による成膜のように比較的低温での
プラズマＣＶＤによる成膜においても膜質を悪化させる
パーティクルの発生を抑制することができるとともに成
膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて
成膜することができるダイアモンド状炭素膜形成のため
のプラズマＣＶＤ法及び装置を提供することを課題とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するため研究を重ねたところ、原料ガスのプラズマ化
を、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該
周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の範囲
の変調周波数で振幅変調を施した状態の電力を印加する
ことで行えば、パーティクルの発生が抑制され、成膜速
度も著しく低下することなく、或いは向上することを見
出した。また、その場合、かかる第１の振幅変調に、さ
らに、該変調周波数の１００倍未満で１００分の１より
大きい変調周波数で第２の振幅変調を施した状態の電力
を印加すれば一層成膜速度が向上することを見出した。
決するため研究を重ねたところ、原料ガスのプラズマ化
を、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該
周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の範囲
の変調周波数で振幅変調を施した状態の電力を印加する
ことで行えば、パーティクルの発生が抑制され、成膜速
度も著しく低下することなく、或いは向上することを見
出した。また、その場合、かかる第１の振幅変調に、さ
らに、該変調周波数の１００倍未満で１００分の１より
大きい変調周波数で第２の振幅変調を施した状態の電力
を印加すれば一層成膜速度が向上することを見出した。
【００１４】本発明はかかる知見に基づくもので、前記
課題を解決するため、次のプラズマＣＶＤ法及び装置を
提供するものである。（１） 成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ
化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を
行うプラズマＣＶＤ法において、前記原料ガスとしてダ
イアモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を形成するための炭化
水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれ
と共にダイアモンド状炭素膜を形成するための該炭化水
素化合物ガスとは異なる種類のガスを用いるとともに、
該原料ガスのプラズマ化を、１０ＭＨｚ以上の所定周波
数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の１
以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を
施した状態の高周波電力を印加することで行うように
し、且つ、該振幅変調を電力印加のオンオフを伴うパル
ス変調又はパルス状の変調とするダイアモンド状炭素膜
形成のためのプラズマＣＶＤ法。（２） 成膜用原料ガス供給部から供給される成膜用原料
ガスを高周波電力印加手段による高周波電力の印加によ
りプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上
に膜形成を行うプラズマＣＶＤ装置において、前記高周
波電力印加手段が、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本
高周波電力に該所定周波数の１００００分の１以上、１
０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施し、且
つ、該振幅変調を電力印加のオンオフを伴うパルス変調
又はパルス状の変調で施した状態の高周波電力を印加す
るものであり、前記原料ガス供給部が原料ガスとしてダ
イアモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を形成するための炭化
水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれ
と共にダイアモンド状炭素膜を形成するための該炭化水
素化合物ガスとは異なる種類のガスを供給するものであ
るダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ装
置。（３） 前記方法及び装置において、前記原料ガスのプラ
ズマ化を１０ＭＨｚ以上、２００ＭＨｚ以下の所定周波
数の基本高周波電力に前記の振幅変調を施した状態の高
周波電力を印加することで行うプラズマＣＶＤ法及び装
置。この場合、プラズマＣＶＤ装置では、高周波電力印
加手段をそのような基本高周波電力に前記の振幅変調を
施した状態の高周波電力を印加できるものとする。（４）前記（１）、（３） の方法及び（２）、（３）の
装置において、前記原料ガスのプラズマ化を、前記基本
高周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波
数の１００倍未満で１００分の１より大きい変調周波数
で第２の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加によ
り行うようにし、該第２の振幅変調を電力印加のオンオ
フを伴うパルス変調又はパルス状の変調とするプラズマ
ＣＶＤ法及び装置。この場合、プラズマＣＶＤ装置で
は、高周波電力印加手段をそのような第１、第２の振幅
変調を施した状態の電力を印加できるものとする。
課題を解決するため、次のプラズマＣＶＤ法及び装置を
提供するものである。（１） 成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ
化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を
行うプラズマＣＶＤ法において、前記原料ガスとしてダ
イアモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を形成するための炭化
水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれ
と共にダイアモンド状炭素膜を形成するための該炭化水
素化合物ガスとは異なる種類のガスを用いるとともに、
該原料ガスのプラズマ化を、１０ＭＨｚ以上の所定周波
数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の１
以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を
施した状態の高周波電力を印加することで行うように
し、且つ、該振幅変調を電力印加のオンオフを伴うパル
ス変調又はパルス状の変調とするダイアモンド状炭素膜
形成のためのプラズマＣＶＤ法。（２） 成膜用原料ガス供給部から供給される成膜用原料
ガスを高周波電力印加手段による高周波電力の印加によ
りプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上
に膜形成を行うプラズマＣＶＤ装置において、前記高周
波電力印加手段が、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本
高周波電力に該所定周波数の１００００分の１以上、１
０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施し、且
つ、該振幅変調を電力印加のオンオフを伴うパルス変調
又はパルス状の変調で施した状態の高周波電力を印加す
るものであり、前記原料ガス供給部が原料ガスとしてダ
イアモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を形成するための炭化
水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれ
と共にダイアモンド状炭素膜を形成するための該炭化水
素化合物ガスとは異なる種類のガスを供給するものであ
るダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ装
置。（３） 前記方法及び装置において、前記原料ガスのプラ
ズマ化を１０ＭＨｚ以上、２００ＭＨｚ以下の所定周波
数の基本高周波電力に前記の振幅変調を施した状態の高
周波電力を印加することで行うプラズマＣＶＤ法及び装
置。この場合、プラズマＣＶＤ装置では、高周波電力印
加手段をそのような基本高周波電力に前記の振幅変調を
施した状態の高周波電力を印加できるものとする。（４）前記（１）、（３） の方法及び（２）、（３）の
装置において、前記原料ガスのプラズマ化を、前記基本
高周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波
数の１００倍未満で１００分の１より大きい変調周波数
で第２の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加によ
り行うようにし、該第２の振幅変調を電力印加のオンオ
フを伴うパルス変調又はパルス状の変調とするプラズマ
ＣＶＤ法及び装置。この場合、プラズマＣＶＤ装置で
は、高周波電力印加手段をそのような第１、第２の振幅
変調を施した状態の電力を印加できるものとする。
【００１５】本発明方法及び装置において、変調前の基
本高周波電力の波形は、サイン波、矩形波、のこぎり
波、三角波等であることが考えられる。本発明方法及び
装置において、基本高周波電力として周波数が１０ＭＨ
ｚ以上のものを採用するのは、周波数が１０ＭＨｚより
低い場合、効率の良いプラズマ生成が困難だからであ
る。
本高周波電力の波形は、サイン波、矩形波、のこぎり
波、三角波等であることが考えられる。本発明方法及び
装置において、基本高周波電力として周波数が１０ＭＨ
ｚ以上のものを採用するのは、周波数が１０ＭＨｚより
低い場合、効率の良いプラズマ生成が困難だからであ
る。
【００１６】本発明方法及び装置において、第１振幅変
調は前記基本高周波電力の周波数の１００００分の１以
上、１０分の１以下の範囲に設定するが、これは該基本
高周波電力の周波数の１００００分の１より低いと、プ
ラズマを発生させる電力印加の振幅変調の割合が少ない
ため、膜堆積に寄与する反応種を生成させることとダス
ト発生の原因となる反応種の生成を抑制することをほぼ
並行して行うことが困難であり、該基本高周波電力の周
波数の１０分の１より高いと、安定したプラズマを発生
させることが困難になるからである。
調は前記基本高周波電力の周波数の１００００分の１以
上、１０分の１以下の範囲に設定するが、これは該基本
高周波電力の周波数の１００００分の１より低いと、プ
ラズマを発生させる電力印加の振幅変調の割合が少ない
ため、膜堆積に寄与する反応種を生成させることとダス
ト発生の原因となる反応種の生成を抑制することをほぼ
並行して行うことが困難であり、該基本高周波電力の周
波数の１０分の１より高いと、安定したプラズマを発生
させることが困難になるからである。
【００１７】また、前記の方法及び装置において、基
本高周波電力として周波数が１０ＭＨｚ以上２００ＭＨ
ｚ以下のものを採用するのは、２００ＭＨｚより高い場
合、変調を加えたとしても従来方法及び装置によるより
プラズマ生成の効率が向上せず、また電源コストが増大
するからである。また、前記の方法及び装置におい
て、第２振幅変調の周波数が第１振幅変調周波数の１０
０倍以上であると第２振幅変調による十分な効果が得ら
れず、また１００分の１以下では成膜速度が低下する。
本高周波電力として周波数が１０ＭＨｚ以上２００ＭＨ
ｚ以下のものを採用するのは、２００ＭＨｚより高い場
合、変調を加えたとしても従来方法及び装置によるより
プラズマ生成の効率が向上せず、また電源コストが増大
するからである。また、前記の方法及び装置におい
て、第２振幅変調の周波数が第１振幅変調周波数の１０
０倍以上であると第２振幅変調による十分な効果が得ら
れず、また１００分の１以下では成膜速度が低下する。
【００１８】なお前記第１及び第２の各「振幅変調」
は、パーティクルの発生を効果的に抑制するうえで電力
印加のオンオフを伴う変調（換言すればパルス変調又は
パルス状の変調）としている。この場合デューティ比、
即ち変調波の１周期に占める電力印加のオン時間の割合
（オン／オン＋オフ）は、任意の値に定めることができ
るが、それには限定されないが代表的には５０％程度が
考えられ、この場合、ダストパーティクル発生量の低減
と、成膜速度の著しい低下を伴わない、或いは成膜速度
が向上する成膜が程よく行われる。
は、パーティクルの発生を効果的に抑制するうえで電力
印加のオンオフを伴う変調（換言すればパルス変調又は
パルス状の変調）としている。この場合デューティ比、
即ち変調波の１周期に占める電力印加のオン時間の割合
（オン／オン＋オフ）は、任意の値に定めることができ
るが、それには限定されないが代表的には５０％程度が
考えられ、この場合、ダストパーティクル発生量の低減
と、成膜速度の著しい低下を伴わない、或いは成膜速度
が向上する成膜が程よく行われる。
【００１９】また、振幅変調した状態のガスプラズマ化
用の高周波電力は、代表的には、その原形を所望の高周
波信号を発生させ得る、例えばファンクションジエネレ
ータと一般に称されているもののような、高周波信号発
生器により作り、これを増幅器で増幅して得ることが考
えられるが、周波数が１０ＭＨｚ以上の範囲の基本高周
波電力を生成し、これに振幅変調を施して得ること等も
考えられ、この点について特に制限はない。
用の高周波電力は、代表的には、その原形を所望の高周
波信号を発生させ得る、例えばファンクションジエネレ
ータと一般に称されているもののような、高周波信号発
生器により作り、これを増幅器で増幅して得ることが考
えられるが、周波数が１０ＭＨｚ以上の範囲の基本高周
波電力を生成し、これに振幅変調を施して得ること等も
考えられ、この点について特に制限はない。
【００２０】また、本発明方法及び装置において用いる
炭化水素化合物としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン
（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ブタン（Ｃ4 Ｈ
10）等のアルカン、シクロプロパン（Ｃ3 Ｈ6 ）、シク
ロブタン（Ｃ4 Ｈ8 ）等のシクロアルカン、エチレン
（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロペン（Ｃ3 Ｈ6 ）、ブテン（Ｃ4 Ｈ
8）等のアルケン、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）等のアルキ
ン等を例示することができ、それらのうち１又は２以上
を用いることができる。これらは単独で炭素膜の形成に
用いることができるが、Ｈ2 ガスや不活性ガス（ヘリウ
ムガス（Ｈｅ）、ネオンガス（Ｎｅ）、アルゴンガス
（Ａｒ）又はクリプトンガス（Ｋｒ）等）等の異種ガス
とともに用いて炭素膜を形成することもできる。
炭化水素化合物としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン
（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ブタン（Ｃ4 Ｈ
10）等のアルカン、シクロプロパン（Ｃ3 Ｈ6 ）、シク
ロブタン（Ｃ4 Ｈ8 ）等のシクロアルカン、エチレン
（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロペン（Ｃ3 Ｈ6 ）、ブテン（Ｃ4 Ｈ
8）等のアルケン、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）等のアルキ
ン等を例示することができ、それらのうち１又は２以上
を用いることができる。これらは単独で炭素膜の形成に
用いることができるが、Ｈ2 ガスや不活性ガス（ヘリウ
ムガス（Ｈｅ）、ネオンガス（Ｎｅ）、アルゴンガス
（Ａｒ）又はクリプトンガス（Ｋｒ）等）等の異種ガス
とともに用いて炭素膜を形成することもできる。
【００２１】
【作用】本発明プラズマＣＶＤ法及び装置によると、成
膜用原料ガスのプラズマ化が、１０ＭＨｚ以上の所定周
波数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の
１以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数でパルス変
調又はパルス状変調の振幅変調を施した状態の高周波電
力を印加することで行われ、従来のプラズマＣＶＤに比
べるとパーティクルの発生が十分に抑制されるととも
に、成膜速度を著しく低下させないで、或いは向上させ
て成膜できる。
膜用原料ガスのプラズマ化が、１０ＭＨｚ以上の所定周
波数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の
１以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数でパルス変
調又はパルス状変調の振幅変調を施した状態の高周波電
力を印加することで行われ、従来のプラズマＣＶＤに比
べるとパーティクルの発生が十分に抑制されるととも
に、成膜速度を著しく低下させないで、或いは向上させ
て成膜できる。
【００２２】さらに説明すると、前記施した振幅変調に
より、ダストパーティクル発生の原因となる反応種の生
成が低減する一方、成膜に寄与する反応種の生成は妨げ
られず、このような変調を加えない場合に比べて、十分
満足できる程度にダスト発生が低減し、それにより比較
的低温での成膜でも欠陥の少ない良質の膜を形成するこ
とができ、且つ、成膜速度を著しく低下させないで、或
いは向上させて成膜することができる。
より、ダストパーティクル発生の原因となる反応種の生
成が低減する一方、成膜に寄与する反応種の生成は妨げ
られず、このような変調を加えない場合に比べて、十分
満足できる程度にダスト発生が低減し、それにより比較
的低温での成膜でも欠陥の少ない良質の膜を形成するこ
とができ、且つ、成膜速度を著しく低下させないで、或
いは向上させて成膜することができる。
【００２３】また、かかる振幅変調による高速電子の照
射により良質のダイアモンド状の炭素膜（ＤＬＣ膜）が
形成される。なおここに言う高速電子とは、図４に示す
高周波電力印加状態に関連する電子エネルギ・時間の関
係を示す曲線ａ中、テイル部分ｂが表すもので、非マッ
クスウェル電子のうち高エネルギを有するものを指して
いる。
射により良質のダイアモンド状の炭素膜（ＤＬＣ膜）が
形成される。なおここに言う高速電子とは、図４に示す
高周波電力印加状態に関連する電子エネルギ・時間の関
係を示す曲線ａ中、テイル部分ｂが表すもので、非マッ
クスウェル電子のうち高エネルギを有するものを指して
いる。
【００２４】前記の第１及び第２の振幅変調を施すとき
は、第１振幅変調のみ施す場合よりもパーティクルの発
生が抑制され、成膜速度が向上し、膜質も向上する。こ
れは第２の振幅変調により電子温度が高く維持され、そ
れだけガス分解が一層促進されるからであると考えられ
る。
は、第１振幅変調のみ施す場合よりもパーティクルの発
生が抑制され、成膜速度が向上し、膜質も向上する。こ
れは第２の振幅変調により電子温度が高く維持され、そ
れだけガス分解が一層促進されるからであると考えられ
る。
【００２５】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装
置の１例の概略構成を示している。この装置は、図５に
示す従来装置において高周波電源３２に代えて高周波電
力発生装置３３を採用し、原料ガス供給部４が所定の炭
素膜を形成するための炭化水素ガス単体、又は炭化水素
ガス及びこれと共に所定の炭素膜を形成するための異種
ガス（例えば水素ガス）を供給できるものである点を除
けば、図５に示す装置と同構成のものである。図５に示
す装置におけると同部品には同じ参照符号を付してあ
る。装置３３には、マッチングボックス３１ＡにＲＦ
（radio frequency)パワーアンプ３４を介して接続され
た高周波信号発生器３５が含まれている。高周波電力発
生装置３３、マッチングボックス３１Ａ及び高周波電極
３は高周波電力印加手段を構成している。
る。図１は本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装
置の１例の概略構成を示している。この装置は、図５に
示す従来装置において高周波電源３２に代えて高周波電
力発生装置３３を採用し、原料ガス供給部４が所定の炭
素膜を形成するための炭化水素ガス単体、又は炭化水素
ガス及びこれと共に所定の炭素膜を形成するための異種
ガス（例えば水素ガス）を供給できるものである点を除
けば、図５に示す装置と同構成のものである。図５に示
す装置におけると同部品には同じ参照符号を付してあ
る。装置３３には、マッチングボックス３１ＡにＲＦ
（radio frequency)パワーアンプ３４を介して接続され
た高周波信号発生器３５が含まれている。高周波電力発
生装置３３、マッチングボックス３１Ａ及び高周波電極
３は高周波電力印加手段を構成している。
【００２６】本例によると、高周波電力発生装置３３
は、図２の（Ａ）に示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以
下の所定周波数のサイン波連続高周波電力（基本高周波
電力）に同図（Ｂ）に示すように該周波数の１００００
分の１以上、１０分の１以下の変調周波数で第１の振幅
変調を施し、オン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返
される状態の高周波電力を発生するように設定されてい
る。オン時におけるピークツーピーク電力は一定であ
る。
は、図２の（Ａ）に示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以
下の所定周波数のサイン波連続高周波電力（基本高周波
電力）に同図（Ｂ）に示すように該周波数の１００００
分の１以上、１０分の１以下の変調周波数で第１の振幅
変調を施し、オン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返
される状態の高周波電力を発生するように設定されてい
る。オン時におけるピークツーピーク電力は一定であ
る。
【００２７】このプラズマＣＶＤ装置によると本発明方
法は次のように実施される。すなわち、成膜対象基体Ｓ
１が真空容器１内の電極２上に設置され、ヒータ２１で
所定温度に加熱される一方、該容器１内が弁５１の操作
と排気ポンプ５２の運転にて所定成膜真空度とされ、ガ
ス供給部４から所定量の成膜用ガスが導入される。そし
て高周波電極３に高周波電力発生装置３３から前記のと
おり振幅変調を施した状態の高周波電力が印加され、そ
れによって導入されたガスがプラズマ化され、このプラ
ズマの下で基体Ｓ１表面に所望の炭素膜が形成される。
法は次のように実施される。すなわち、成膜対象基体Ｓ
１が真空容器１内の電極２上に設置され、ヒータ２１で
所定温度に加熱される一方、該容器１内が弁５１の操作
と排気ポンプ５２の運転にて所定成膜真空度とされ、ガ
ス供給部４から所定量の成膜用ガスが導入される。そし
て高周波電極３に高周波電力発生装置３３から前記のと
おり振幅変調を施した状態の高周波電力が印加され、そ
れによって導入されたガスがプラズマ化され、このプラ
ズマの下で基体Ｓ１表面に所望の炭素膜が形成される。
【００２８】このプラズマＣＶＤ法及び装置によると、
振幅変調した高周波電力の印加により原料ガスをプラズ
マ化することで、ダストパーティクル発生の原因となる
反応種の生成が低減する一方、成膜に寄与する反応種の
生成が妨げられることがなく、相対的に増加するため、
ダストパーティクル発生が低減し、それにより膜質が向
上し、さらに成膜速度も向上する。そして比較的低温で
良質のダイアモンド状の炭素膜（ＤＬＣ膜）が形成され
る。
振幅変調した高周波電力の印加により原料ガスをプラズ
マ化することで、ダストパーティクル発生の原因となる
反応種の生成が低減する一方、成膜に寄与する反応種の
生成が妨げられることがなく、相対的に増加するため、
ダストパーティクル発生が低減し、それにより膜質が向
上し、さらに成膜速度も向上する。そして比較的低温で
良質のダイアモンド状の炭素膜（ＤＬＣ膜）が形成され
る。
【００２９】図３は本発明方法の実施に用いるプラズマ
ＣＶＤ装置の他の例を示している。この装置は図１に示
す前記装置における高周波電力発生装置３３を高周波電
力発生装置３６に代えたものであり、他の構成は図１の
装置と同じである。高周波電力発生装置３６は、マッチ
ングボックス３１ＢにＲＦアンプ３４を介して接続され
た高周波信号発生器３７を含んでおり、図２の（Ａ）に
示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下のサイン波連続高
周波電力（基本高周波電力）に同図（Ｂ）に示すように
該周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の変
調周波数で第１の振幅変調を施し、さらに、同図（Ｃ）
に示すように該第１変調の周波数１／（Ｔ１＋Ｔ２）よ
り高く、該周波数の１００倍未満の周波数で第２の振幅
変調を施し、第１振幅変調によるオン時間Ｔ１について
オン時間Ｔ３、オフ時間Ｔ４が順次繰り返される状態の
高周波電力を発生するように設定されているか、或いは
同図（Ｄ）に示すように該第１変調周波数の１００分の
１より高く、該第１変調周波数より低い周波数で第２の
振幅変調を施し、そのオン時間について前記第１変調波
のオン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返される状態
の高周波電力を発生するように設定されている。オン時
におけるピークツーピーク電力は一定である。
ＣＶＤ装置の他の例を示している。この装置は図１に示
す前記装置における高周波電力発生装置３３を高周波電
力発生装置３６に代えたものであり、他の構成は図１の
装置と同じである。高周波電力発生装置３６は、マッチ
ングボックス３１ＢにＲＦアンプ３４を介して接続され
た高周波信号発生器３７を含んでおり、図２の（Ａ）に
示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下のサイン波連続高
周波電力（基本高周波電力）に同図（Ｂ）に示すように
該周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の変
調周波数で第１の振幅変調を施し、さらに、同図（Ｃ）
に示すように該第１変調の周波数１／（Ｔ１＋Ｔ２）よ
り高く、該周波数の１００倍未満の周波数で第２の振幅
変調を施し、第１振幅変調によるオン時間Ｔ１について
オン時間Ｔ３、オフ時間Ｔ４が順次繰り返される状態の
高周波電力を発生するように設定されているか、或いは
同図（Ｄ）に示すように該第１変調周波数の１００分の
１より高く、該第１変調周波数より低い周波数で第２の
振幅変調を施し、そのオン時間について前記第１変調波
のオン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返される状態
の高周波電力を発生するように設定されている。オン時
におけるピークツーピーク電力は一定である。
【００３０】このプラズマＣＶＤ装置によると、前記の
とおりの第１及び第２の振幅変調が施された状態の高周
波電力の印加により原料ガスがプラズマ化される結果、
前記の第１の振幅変調のみを施す場合よりもダストパー
ティクルの発生が抑制されるのみならず、成膜速度が向
上するとともにＤＬＣ膜の膜質が向上する。次に図１の
装置、図３の装置のそれぞれによりＤＬＣ膜を形成した
実験例を示す。 実験例１ 図１の装置によるＤＬＣ膜の形成 成膜条件 基体Ｓ１ ：１００ｍｍ平方のポリイミド樹脂 高周波電力 ：１３．５６ＭＨｚ、 １００Ｗ 振幅変調周波数 ６８ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 電極サイズ ：直径２００ｍｍ 成膜用ガス ：メタン（ＣＨ4 ） １０ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ２００ｓｃｃｍ 基体温度 ：１００℃ 成膜圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ 実験例２ 図３の装置によるＤＬＣ膜の形成 成膜条件 基体Ｓ１ ：１００ｍｍ平方のポリイミド樹脂 高周波電力 ：１３．５６ＭＨｚ、 １００Ｗ 第１振幅変調周波数 ６８ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 第２振幅変調周波数 １ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 成膜用ガス ：メタン（ＣＨ4 ） １０ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ２００ｓｃｃｍ 基体温度 ：１００℃ 成膜圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ また、図５に示す従来装置により、本発明のように振幅
変調を施さない点を除いて他は実験例１と同じ成膜条件
で炭素膜を形成した（比較例１）。
とおりの第１及び第２の振幅変調が施された状態の高周
波電力の印加により原料ガスがプラズマ化される結果、
前記の第１の振幅変調のみを施す場合よりもダストパー
ティクルの発生が抑制されるのみならず、成膜速度が向
上するとともにＤＬＣ膜の膜質が向上する。次に図１の
装置、図３の装置のそれぞれによりＤＬＣ膜を形成した
実験例を示す。 実験例１ 図１の装置によるＤＬＣ膜の形成 成膜条件 基体Ｓ１ ：１００ｍｍ平方のポリイミド樹脂 高周波電力 ：１３．５６ＭＨｚ、 １００Ｗ 振幅変調周波数 ６８ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 電極サイズ ：直径２００ｍｍ 成膜用ガス ：メタン（ＣＨ4 ） １０ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ２００ｓｃｃｍ 基体温度 ：１００℃ 成膜圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ 実験例２ 図３の装置によるＤＬＣ膜の形成 成膜条件 基体Ｓ１ ：１００ｍｍ平方のポリイミド樹脂 高周波電力 ：１３．５６ＭＨｚ、 １００Ｗ 第１振幅変調周波数 ６８ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 第２振幅変調周波数 １ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 成膜用ガス ：メタン（ＣＨ4 ） １０ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ２００ｓｃｃｍ 基体温度 ：１００℃ 成膜圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ また、図５に示す従来装置により、本発明のように振幅
変調を施さない点を除いて他は実験例１と同じ成膜条件
で炭素膜を形成した（比較例１）。
【００３１】以上の成膜結果は次のとおりであった。発
生したダストパーティクル密度はレーザ散乱法（Ｍｉｅ
散乱法）によるプラズマ中のレーザ散乱強度を直径０．
１μｍ以上のパーティクルの密度に換算して示したもの
である。 成膜速度（Å／分） パーティクル密度（個／ｃｍ3 ） 実験例１ ２０００ 約３×１０7 実験例２ ２４００ １×１０7 以下 比較例１ １０００ 約１×１０8 前記実験から、原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の
基本高周波電力に第１の振幅変調を施した状態の高周波
電力印加により行えば、従来よりパーティクルの発生が
抑制されるとともに成膜速度が向上することが判り、ま
た、第２の振幅変調も施せば、パーティクルの発生がさ
らに抑制されるとともに成膜速度がさらに向上すること
が判る。
生したダストパーティクル密度はレーザ散乱法（Ｍｉｅ
散乱法）によるプラズマ中のレーザ散乱強度を直径０．
１μｍ以上のパーティクルの密度に換算して示したもの
である。 成膜速度（Å／分） パーティクル密度（個／ｃｍ3 ） 実験例１ ２０００ 約３×１０7 実験例２ ２４００ １×１０7 以下 比較例１ １０００ 約１×１０8 前記実験から、原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の
基本高周波電力に第１の振幅変調を施した状態の高周波
電力印加により行えば、従来よりパーティクルの発生が
抑制されるとともに成膜速度が向上することが判り、ま
た、第２の振幅変調も施せば、パーティクルの発生がさ
らに抑制されるとともに成膜速度がさらに向上すること
が判る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、例
えば平行平板型プラズマＣＶＤ法及び装置による成膜の
ように比較的低温でのプラズマＣＶＤによる成膜におい
ても膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制するこ
とができるとともに成膜速度を著しく低下させることな
く、或いは向上させて成膜することができるダイアモン
ド状炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ法及び装置を提
供することができる。
えば平行平板型プラズマＣＶＤ法及び装置による成膜の
ように比較的低温でのプラズマＣＶＤによる成膜におい
ても膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制するこ
とができるとともに成膜速度を著しく低下させることな
く、或いは向上させて成膜することができるダイアモン
ド状炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ法及び装置を提
供することができる。
【図１】本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装置
の１例の概略構成を示す図である。
の１例の概略構成を示す図である。
【図２】図（Ａ）は基本高周波電力波形の概略を示す
図、図（Ｂ）は図（Ａ）の高周波電力に第１の振幅変調
を施した状態の高周波電力波形の概略を示す図、図
（Ｃ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の一例の概略を示す図、図
（Ｄ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の他の例の概略を示す図であ
る。
図、図（Ｂ）は図（Ａ）の高周波電力に第１の振幅変調
を施した状態の高周波電力波形の概略を示す図、図
（Ｃ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の一例の概略を示す図、図
（Ｄ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の他の例の概略を示す図であ
る。
【図３】本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装置
の他の例の概略構成を示す図である。
の他の例の概略構成を示す図である。
【図４】プラズマ中の高速電子を説明する図である。
【図５】従来プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す図で
ある。
ある。
１ 真空容器 ２ 基体ホルダを兼ねる接地電極 ３ 高周波電極 ３１、３１Ａ、３１Ｂ マッチングボックス ３３、３６ 高周波電力発生装置 ３４ ＲＦパワーアンプ ３５、３７ 高周波信号発生器 ４ 成膜用原料ガス供給部 ５１ 弁 ５２ 排気ポンプ Ｓ１ 基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/505 C23C 16/27 C30B 29/04 H01L 21/205 H01L 21/31 H05H 1/46
Claims (8)
- 【請求項１】 成膜用原料ガスを高周波電力印加により
プラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に
膜形成を行うプラズマＣＶＤ法において、前記原料ガス
としてダイアモンド状炭素膜を形成するための炭化水素
化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれと共
にダイアモンド状炭素膜を形成するための該炭化水素化
合物ガスとは異なる種類のガスを用いるとともに、該原
料ガスのプラズマ化を、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の
基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の１以
上、１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施
した状態の高周波電力を印加することで行うようにし、
且つ、該振幅変調を電力印加のオンオフを伴うパルス変
調又はパルス状の変調とするダイアモンド状炭素膜形成
のためのプラズマＣＶＤ法。 - 【請求項２】 前記原料ガスのプラズマ化を、１０ＭＨ
ｚ以上２００ＭＨｚ以下の所定周波数の基本高周波電力
に前記の振幅変調を施した状態の高周波電力を印加する
ことで行う請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 - 【請求項３】 前記原料ガスのプラズマ化を、前記基本
高周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波
数の１００倍未満で１００分の１より大きい変調周波数
で第２の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加によ
り行うようにし、該第２の振幅変調を電力印加のオンオ
フを伴うパルス変調又はパルス状の変調とする請求項１
又は２記載のプラズマＣＶＤ法。 - 【請求項４】前記炭化水素化合物のガスとしてメタンガ
スを用いる請求項１、２又は３記載のプラズマＣＶＤ
法。 - 【請求項５】 成膜用原料ガス供給部から供給される成
膜用原料ガスを高周波電力印加手段による高周波電力の
印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して
該基体上に膜形成を行うプラズマＣＶＤ装置において、
前記高周波電力印加手段が、１０ＭＨｚ以上の所定周波
数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の１
以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を
施し、且つ、該振幅変調を電力印加のオンオフを伴うパ
ルス変調又はパルス状の変調で施した状態の高周波電力
を印加するものであり、前記原料ガス供給部が原料ガス
としてダイアモンド状炭素膜を形成するための炭化水素
化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれと共
にダイアモンド状炭素膜を形成するための該炭化水素化
合物ガスとは異なる種類のガスを供給するものであるダ
イアモンド状炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 前記高周波電力印加手段が、１０ＭＨｚ
以上２００ＭＨｚ以下の所定周波数の基本高周波電力に
前記の振幅変調を施した状態の高周波電力を印加するも
のである請求項５記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 前記高周波電力印加手段が、前記基本高
周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波数
の１００倍未満で１００分の１より大きい変調周波数で
第２の振幅変調を施し、且つ、該第２の振幅変調を電力
印加のオンオフを伴うパルス変調又はパルス状の変調で
施した状態の高周波電力を印加するものである請求項５
又は６記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項８】 前記原料ガス供給部は前記炭化水素化合
物のガスとしてメタンガスを供給するものである請求項
５、６又は７記載のプラズマＣＶＤ装置。
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|---|---|---|---|
| JP03062295A JP3147695B2 (ja) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | ダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマｃｖｄ法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233794 | 1994-02-21 | ||
| JP6-22337 | 1994-02-21 | ||
| JP03062295A JP3147695B2 (ja) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | ダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマｃｖｄ法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278822A JPH07278822A (ja) | 1995-10-24 |
| JP3147695B2 true JP3147695B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=26359536
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03062295A Expired - Fee Related JP3147695B2 (ja) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | ダイアモンド状炭素膜形成のためのプラズマｃｖｄ法及び装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3402972B2 (ja) | 1996-11-14 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6893720B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-17 | Nissin Electric Co., Ltd. | Object coated with carbon film and method of manufacturing the same |
| JP3669138B2 (ja) | 1998-03-05 | 2005-07-06 | 日新電機株式会社 | プラズマｃｖｄ法、プラズマｃｖｄ装置及び電極 |
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| US9589799B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-03-07 | Lam Research Corporation | High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power |
| JP7006918B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2022-01-24 | ジャパンクリエイト株式会社 | プラズマｃｖｄ装置及びプラスチック容器の成膜方法 |
-
1995
- 1995-02-20 JP JP03062295A patent/JP3147695B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07278822A (ja) | 1995-10-24 |
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