JP3146945B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光散乱型の液晶表示装
置の構造及び製法に関する。
置の構造及び製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光散乱型の液晶表示装置とは、例えば、
フラットパネルディスプレイ９３，ｐｐ．１９７−１９
９(１９９３)．に記載されているように、一般にネマテ
ィック液晶からなる微小な液滴を高分子媒体中に分散さ
せた、いわゆる高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）による入
射光の散乱・吸収を利用して表示を形成する薄型の表示
装置である。この表示装置は偏光板を必要としないの
で、従来の捩じれネマティック液晶（ＴＮＬＣ）を用い
た表示装置よりも３倍近い明るさが得られる。従って、
バックライトの消費電力が低く電池駆動も可能なため、
携帯端末等への応用が期待されている。
フラットパネルディスプレイ９３，ｐｐ．１９７−１９
９(１９９３)．に記載されているように、一般にネマテ
ィック液晶からなる微小な液滴を高分子媒体中に分散さ
せた、いわゆる高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）による入
射光の散乱・吸収を利用して表示を形成する薄型の表示
装置である。この表示装置は偏光板を必要としないの
で、従来の捩じれネマティック液晶（ＴＮＬＣ）を用い
た表示装置よりも３倍近い明るさが得られる。従って、
バックライトの消費電力が低く電池駆動も可能なため、
携帯端末等への応用が期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術の表示装置では、印加電圧に対する透過率の変化
（しきい値特性）が緩慢であるため、直交した対向電極
のみを用いたいわゆる時分割駆動ができず、対向電極の
各交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭＩＭ等のスイ
ッチング素子を配置したいわゆるアクティブマトリクス
駆動が必須になる。これらの駆動方式では、消費電力が
増加すると共に、装置が複雑化して製造コストが増加す
る。
来技術の表示装置では、印加電圧に対する透過率の変化
（しきい値特性）が緩慢であるため、直交した対向電極
のみを用いたいわゆる時分割駆動ができず、対向電極の
各交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭＩＭ等のスイ
ッチング素子を配置したいわゆるアクティブマトリクス
駆動が必須になる。これらの駆動方式では、消費電力が
増加すると共に、装置が複雑化して製造コストが増加す
る。
【０００４】ＰＤＬＣのしきい値特性が緩慢な理由は、
高分子媒体及び前記媒体中に分散した液晶滴からなる光
散乱層において、液晶滴のサイズ分布が不均一であり、
また任意の光散乱層断面における液晶と媒体との厚さの
比率にバラツキがあるためである。これは以下の様にし
て理解できる。ＰＤＬＣのしきい値特性は高分子媒体中
に分散した多数の液晶滴のしきい値特性が平均化された
ものである。一つの液晶滴が示す配向変化のしきい値電
圧は、液晶滴サイズで決まる（サイズの減少に伴い増加
する）。また、光制御層への印加電圧のうち、実際に液
晶滴へ印加される電圧の大きさは、光散乱層断面におけ
る液晶と媒体との厚さの比率で決まる。従って、液晶滴
サイズ及び前記の比率にバラツキがあると、液晶滴が個
別に配向変化を引き起こし、光散乱層全体としてのしき
い値特性が緩慢になる。
高分子媒体及び前記媒体中に分散した液晶滴からなる光
散乱層において、液晶滴のサイズ分布が不均一であり、
また任意の光散乱層断面における液晶と媒体との厚さの
比率にバラツキがあるためである。これは以下の様にし
て理解できる。ＰＤＬＣのしきい値特性は高分子媒体中
に分散した多数の液晶滴のしきい値特性が平均化された
ものである。一つの液晶滴が示す配向変化のしきい値電
圧は、液晶滴サイズで決まる（サイズの減少に伴い増加
する）。また、光制御層への印加電圧のうち、実際に液
晶滴へ印加される電圧の大きさは、光散乱層断面におけ
る液晶と媒体との厚さの比率で決まる。従って、液晶滴
サイズ及び前記の比率にバラツキがあると、液晶滴が個
別に配向変化を引き起こし、光散乱層全体としてのしき
い値特性が緩慢になる。
【０００５】本発明の目的は、印加電圧に対する液晶の
透過率の変化が急峻な液晶表示装置及びその製造方法を
提供することにある。
透過率の変化が急峻な液晶表示装置及びその製造方法を
提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、光散乱型の液晶を用
いて時分割駆動が可能な液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。
いて時分割駆動が可能な液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置に
よれば、液晶層は一定厚の媒体で被覆された液晶滴から
なる均一サイズの液晶マイクロカプセルが２次元結晶配
列した複数の単粒子層が積層されている。
よれば、液晶層は一定厚の媒体で被覆された液晶滴から
なる均一サイズの液晶マイクロカプセルが２次元結晶配
列した複数の単粒子層が積層されている。
【０００８】この液晶マイクロカプセルは好ましくは、
ネマチック液晶をゼラチン及びアラビアゴムからなる媒
体で被覆して作成する。また、ネマチック液晶に光吸収
性色素を添加しても良い。
ネマチック液晶をゼラチン及びアラビアゴムからなる媒
体で被覆して作成する。また、ネマチック液晶に光吸収
性色素を添加しても良い。
【０００９】また、単粒子層には、その表面を平坦化
し、液晶マイクロカプセル間の間隙を充填する充填媒体
を用いる。この充填媒体は液晶マイクロカプセルを被覆
する媒体と同様な材料が好ましく、ゼラチン及びアラビ
アゴムが用いられる。
し、液晶マイクロカプセル間の間隙を充填する充填媒体
を用いる。この充填媒体は液晶マイクロカプセルを被覆
する媒体と同様な材料が好ましく、ゼラチン及びアラビ
アゴムが用いられる。
【００１０】
【作用】単粒子層においては、液晶滴サイズが均一であ
り、光散乱層の任意の断面における媒体と液晶の厚さの
比率がほぼ一定になる。従って、等しい印加電圧におい
て全液晶滴が同時に配向変化するため、印加電圧に対す
る液晶の透過率の変化（しきい値特性）が急峻になる。
り、光散乱層の任意の断面における媒体と液晶の厚さの
比率がほぼ一定になる。従って、等しい印加電圧におい
て全液晶滴が同時に配向変化するため、印加電圧に対す
る液晶の透過率の変化（しきい値特性）が急峻になる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明による実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１２】図１に、本発明の液晶表示装置の要部断面
を示す。厚さ約１mmのコーニング７０５９ガラスまたは
プラスチック板からなる基板１１上に、下部走査電極１
２，液晶マイクロカプセル１３が２次元結晶配列（稠密
配列）した単粒子層１４の積層膜及び前記積層膜の間隙
を充填する媒体１５からなる光散乱層１６，上部信号電
極１７が順次積層されている。図からわかるように、厚
さ一定の媒体に被覆された液晶滴からなる均一サイズの
液晶マイクロカプセルが平面上に稠密に配列された単粒
子層の積層膜から構成されるため、液晶滴サイズが均一
であると共に、任意の断面における液晶と媒体の厚さの
比率が等しい光散乱層が構成されている。
を示す。厚さ約１mmのコーニング７０５９ガラスまたは
プラスチック板からなる基板１１上に、下部走査電極１
２，液晶マイクロカプセル１３が２次元結晶配列（稠密
配列）した単粒子層１４の積層膜及び前記積層膜の間隙
を充填する媒体１５からなる光散乱層１６，上部信号電
極１７が順次積層されている。図からわかるように、厚
さ一定の媒体に被覆された液晶滴からなる均一サイズの
液晶マイクロカプセルが平面上に稠密に配列された単粒
子層の積層膜から構成されるため、液晶滴サイズが均一
であると共に、任意の断面における液晶と媒体の厚さの
比率が等しい光散乱層が構成されている。
【００１３】上記の液晶表示装置の製法を以下に示す。
まず、均一サイズの液晶マイクロカプセル１３は、以下
の様にして形成される。ゼラチンとアラビアゴムからな
る親水性のポリマー溶液中に、ネマティック液晶を懸濁
して、粒径３μｍ以上の微粒子に分散させる。従来技術
であるコアセルベーション法を用いて、前記液晶微粒子
の表面にゼラチンとアラビアゴムからなる厚さ約１μｍ
の被膜を形成する。アルデヒド等の硬化剤を溶液中に添
加することにより、上記被膜を硬化して、液晶マイクロ
カプセル１３が完成する。細孔径５μｍの多孔質フィル
タ（旭硝子製ＭＰＧ）を通過させることにより、粒径が
５μｍに均一化された液晶マイクロカプセルを精選す
る。この方法以外でも、例えば細孔径３μｍの前記多孔
質フィルタを通過させて粒径が３μｍに均一化されたネ
マチック液晶微粒子を、前記親水性ポリマー懸濁溶液中
で、コアセルベーション法を用いて被膜すれば、粒径が
５μｍに揃った液晶マイクロカプセルを形成できる。
まず、均一サイズの液晶マイクロカプセル１３は、以下
の様にして形成される。ゼラチンとアラビアゴムからな
る親水性のポリマー溶液中に、ネマティック液晶を懸濁
して、粒径３μｍ以上の微粒子に分散させる。従来技術
であるコアセルベーション法を用いて、前記液晶微粒子
の表面にゼラチンとアラビアゴムからなる厚さ約１μｍ
の被膜を形成する。アルデヒド等の硬化剤を溶液中に添
加することにより、上記被膜を硬化して、液晶マイクロ
カプセル１３が完成する。細孔径５μｍの多孔質フィル
タ（旭硝子製ＭＰＧ）を通過させることにより、粒径が
５μｍに均一化された液晶マイクロカプセルを精選す
る。この方法以外でも、例えば細孔径３μｍの前記多孔
質フィルタを通過させて粒径が３μｍに均一化されたネ
マチック液晶微粒子を、前記親水性ポリマー懸濁溶液中
で、コアセルベーション法を用いて被膜すれば、粒径が
５μｍに揃った液晶マイクロカプセルを形成できる。
【００１４】次に均一粒径の液晶マイクロカプセル１３
（以下、ＬＣＭＣと記す）を、以下の様にして平面上に
稠密に配列することにより、単粒子層１４を形成する。
基板には、複数の帯状透明電極からなる下部走査電極１
２が形成された厚さ１mmのガラス基板１１を用いる。下
部走査電極１２はインジウムが５％添加された錫酸化物
（ＩＴＯ）をスパッタ法で厚さ約１４０ｎｍ堆積、加工
して形成する。この基板を、上記のＬＣＭＣが懸濁され
た純水溶液中に浸した後、溶液が一定速度で蒸発する環
境において、基板を一定速度で垂直に引き上げると、基
板表面上に単粒子層１４が形成される。
（以下、ＬＣＭＣと記す）を、以下の様にして平面上に
稠密に配列することにより、単粒子層１４を形成する。
基板には、複数の帯状透明電極からなる下部走査電極１
２が形成された厚さ１mmのガラス基板１１を用いる。下
部走査電極１２はインジウムが５％添加された錫酸化物
（ＩＴＯ）をスパッタ法で厚さ約１４０ｎｍ堆積、加工
して形成する。この基板を、上記のＬＣＭＣが懸濁され
た純水溶液中に浸した後、溶液が一定速度で蒸発する環
境において、基板を一定速度で垂直に引き上げると、基
板表面上に単粒子層１４が形成される。
【００１５】図３に、単粒子層１４の形成過程を示す。
懸濁溶液３１表面とガラス基板１１が接する部分（基板
／溶液／空気が接する部分）では、基板表面のぬれ性に
よって、基板表面に沿ってＬＣＭＣ１３を含んだ懸濁溶
液３１が引き上げられる。部分的に溶液に浸ったＬＣＭ
Ｃ１３間には表面張力由来の引力（横毛管力）が働く。
蒸発が誘起する溶液の流れに運ばれて、ＬＣＭＣが基板
／溶液／空気の接部に集積し、単粒子膜１４が形成され
る（移流集積法）。
懸濁溶液３１表面とガラス基板１１が接する部分（基板
／溶液／空気が接する部分）では、基板表面のぬれ性に
よって、基板表面に沿ってＬＣＭＣ１３を含んだ懸濁溶
液３１が引き上げられる。部分的に溶液に浸ったＬＣＭ
Ｃ１３間には表面張力由来の引力（横毛管力）が働く。
蒸発が誘起する溶液の流れに運ばれて、ＬＣＭＣが基板
／溶液／空気の接部に集積し、単粒子膜１４が形成され
る（移流集積法）。
【００１６】次に、単粒子層で被覆されたガラス基板上
に、ゼラチンとアラビアゴムからなる媒体１５をスピン
コーティングにより均一塗布することにより、単粒子層
１４表面を平坦化すると共に、カプセル／基板間及び各
カプセル間の間隙を媒体１５で充填する。媒体を熱また
は光照射により固化した後、上記の単粒子膜形成プロセ
スを繰り返すことにより、液晶マイクロカプセル１３の
単粒子層１４の積層膜からなる光散乱層１６を形成す
る。さらにその上にスパッタ法により室温でITO膜を形
成、下部電極に直交するように帯状にパターニングして
上部信号電極１７を形成する。
に、ゼラチンとアラビアゴムからなる媒体１５をスピン
コーティングにより均一塗布することにより、単粒子層
１４表面を平坦化すると共に、カプセル／基板間及び各
カプセル間の間隙を媒体１５で充填する。媒体を熱また
は光照射により固化した後、上記の単粒子膜形成プロセ
スを繰り返すことにより、液晶マイクロカプセル１３の
単粒子層１４の積層膜からなる光散乱層１６を形成す
る。さらにその上にスパッタ法により室温でITO膜を形
成、下部電極に直交するように帯状にパターニングして
上部信号電極１７を形成する。
【００１７】図２に、本発明の液晶表示装置の透過率の
実効値電圧依存性を従来装置と比較して示す。しきい値
特性が従来装置よりも急峻になっており、本発明の効果
は明らかである。
実効値電圧依存性を従来装置と比較して示す。しきい値
特性が従来装置よりも急峻になっており、本発明の効果
は明らかである。
【００１８】図４に、本発明を適用した液晶表示装置の
構成を示す。１１は基板、１２はＩＴＯからなる複数の
下部走査電極、４１は走査回路、１６は光散乱層、１７
はＩＴＯからなる複数の上部信号電極、４２は信号回
路、である。上記構成の液晶表示装置において、時分割
駆動可能な走査電極数は、図２に示した透過率−電圧依
存性の急峻さで決まる。図２に示すように、透過率が増
加し始める直前の実効値電圧を非選択電圧Ｖns，透過率
が最大になる実効電圧を選択電圧Ｖs 、として、透過率
−電圧依存性の急峻さをＶs／Ｖns で定義すると、時分
割駆動可能な走査電極数Ｎは、
構成を示す。１１は基板、１２はＩＴＯからなる複数の
下部走査電極、４１は走査回路、１６は光散乱層、１７
はＩＴＯからなる複数の上部信号電極、４２は信号回
路、である。上記構成の液晶表示装置において、時分割
駆動可能な走査電極数は、図２に示した透過率−電圧依
存性の急峻さで決まる。図２に示すように、透過率が増
加し始める直前の実効値電圧を非選択電圧Ｖns，透過率
が最大になる実効電圧を選択電圧Ｖs 、として、透過率
−電圧依存性の急峻さをＶs／Ｖns で定義すると、時分
割駆動可能な走査電極数Ｎは、
【００１９】
【数１】
【００２０】で与えられる。図５に、上式から求まる走
査電極数のＶs／Ｖns 依存性を示す。Ｖs／Ｖns が小さ
くなるほど、即ち、透過率−電圧特性におけるしきい値
特性が急峻になるほど、走査電極数が増加する。従っ
て、本発明によりしきい値特性が急峻化することによっ
て、ＰＤＬＣにおいて時分割駆動できる走査電極数が増
加することは明らかである。
査電極数のＶs／Ｖns 依存性を示す。Ｖs／Ｖns が小さ
くなるほど、即ち、透過率−電圧特性におけるしきい値
特性が急峻になるほど、走査電極数が増加する。従っ
て、本発明によりしきい値特性が急峻化することによっ
て、ＰＤＬＣにおいて時分割駆動できる走査電極数が増
加することは明らかである。
【００２１】図６に本発明の液晶表示装置における、選
択電圧と非選択電圧の比Ｖs／Ｖｎｓの基板引上げ速度
依存性を示す。基板引上げ速度の減少に伴って、Ｖｓ／
Ｖnsが減少する。従って、図４において走査電極数をＮ
にするためには、Ｖs／Ｖns （Ｎ）を与える速度（最
大引上げ速度）以下の速度で基板を引上げる。但し、引
上げ速度を必要以上に下げると、光制御層の形成時間が
長くなり、実用的ではない。実際には、最大引上げ速度
の９０％程度の速度を用いる。
択電圧と非選択電圧の比Ｖs／Ｖｎｓの基板引上げ速度
依存性を示す。基板引上げ速度の減少に伴って、Ｖｓ／
Ｖnsが減少する。従って、図４において走査電極数をＮ
にするためには、Ｖs／Ｖns （Ｎ）を与える速度（最
大引上げ速度）以下の速度で基板を引上げる。但し、引
上げ速度を必要以上に下げると、光制御層の形成時間が
長くなり、実用的ではない。実際には、最大引上げ速度
の９０％程度の速度を用いる。
【００２２】上述で引上げ速度の増加に伴って透過率−
電圧特性の立上りが緩慢になるのは、図７に示すように
引上げ速度が速すぎると、単粒子層中における液晶マイ
クロカプセル（ＬＣＭＣ）の配列が乱雑化するためであ
る。即ち、液晶表示装置の透過率−電圧特性と単粒子層
の配列乱れは、１対１の関係にある。従って、このＬＣ
ＭＣの配列乱れを基板引上げ中に計測、制御することに
よって、液晶表示装置の透過率−電圧特性を制御でき
る。単粒子層の配列乱れの計測には、その反射光強度が
利用できる。図８に示すように、配列乱れの増加に伴っ
て、反射光強度が減少する。従って、単粒子層の配列欠
陥に対応する反射光強度を実時間モニターすれば、自動
的に配列欠陥の修正が可能な光散乱層の製造装置を構成
できる。図９は、基板引上げ装置９１，反射光強度モニ
タ９２，基板引上げ速度制御装置９３からなる光制御層
の製造装置である。即ち、反射光強度モニタ９２が、単
粒子層１４にアルゴンレーザからの入射光９４を照射
し、単粒子層１４からの反射光９５の強度を逐次測定し
ながら、基板引上げ装置９１によって基板１１を懸濁液
３１から引き上げる。反射光強度がある指定値よりも低
い部分が生じた場合には、その部分が再び懸濁液中に浸
るまで、基板１１を引き下げる。懸濁液３１中に基板１
１を一定時間保持することにより、基板１１上に集積し
た液晶マイクロカプセル１３が離脱する。再び基板１１
を一定速度で引き上げて、基板１１表面上に液晶マイク
ロカプセル１３を集積する。以上のプロセスを繰り返し
て、単粒子層１４全面において反射光強度が指定値以上
になるようにする。基板引上げ速度制御装置９３により
以上のプロセスが自動的に行われる。以上のようにすれ
ば、基板引上げ中に単粒子層１４に発生する配列乱れを
自動的に修正可能な光散乱層の製造装置が構成できた。
電圧特性の立上りが緩慢になるのは、図７に示すように
引上げ速度が速すぎると、単粒子層中における液晶マイ
クロカプセル（ＬＣＭＣ）の配列が乱雑化するためであ
る。即ち、液晶表示装置の透過率−電圧特性と単粒子層
の配列乱れは、１対１の関係にある。従って、このＬＣ
ＭＣの配列乱れを基板引上げ中に計測、制御することに
よって、液晶表示装置の透過率−電圧特性を制御でき
る。単粒子層の配列乱れの計測には、その反射光強度が
利用できる。図８に示すように、配列乱れの増加に伴っ
て、反射光強度が減少する。従って、単粒子層の配列欠
陥に対応する反射光強度を実時間モニターすれば、自動
的に配列欠陥の修正が可能な光散乱層の製造装置を構成
できる。図９は、基板引上げ装置９１，反射光強度モニ
タ９２，基板引上げ速度制御装置９３からなる光制御層
の製造装置である。即ち、反射光強度モニタ９２が、単
粒子層１４にアルゴンレーザからの入射光９４を照射
し、単粒子層１４からの反射光９５の強度を逐次測定し
ながら、基板引上げ装置９１によって基板１１を懸濁液
３１から引き上げる。反射光強度がある指定値よりも低
い部分が生じた場合には、その部分が再び懸濁液中に浸
るまで、基板１１を引き下げる。懸濁液３１中に基板１
１を一定時間保持することにより、基板１１上に集積し
た液晶マイクロカプセル１３が離脱する。再び基板１１
を一定速度で引き上げて、基板１１表面上に液晶マイク
ロカプセル１３を集積する。以上のプロセスを繰り返し
て、単粒子層１４全面において反射光強度が指定値以上
になるようにする。基板引上げ速度制御装置９３により
以上のプロセスが自動的に行われる。以上のようにすれ
ば、基板引上げ中に単粒子層１４に発生する配列乱れを
自動的に修正可能な光散乱層の製造装置が構成できた。
【００２３】図１０は、本発明の液晶表示装置を用いた
反射型表示装置の断面構造である。膜厚約１００ｎｍの
Ａｌ薄膜からなる反射板１０１がスパッタリング法で形
成されたコーニング７０５６またはプラスチック板から
なる基板１１上に、図４に示した本発明の液晶表示装置
を形成する。本発明においては、液晶滴中に可視光を吸
収する光吸収性色素が添加されており、いわゆるゲスト
ホストモードで画像表示を行う。即ち、通常の光散乱時
において、光吸収性色素による入射光吸収によって実現
される暗状態と、通常の透過状態において、透過光が反
射板によって反射されることによって実現される明状態
を利用して画像が表示される。
反射型表示装置の断面構造である。膜厚約１００ｎｍの
Ａｌ薄膜からなる反射板１０１がスパッタリング法で形
成されたコーニング７０５６またはプラスチック板から
なる基板１１上に、図４に示した本発明の液晶表示装置
を形成する。本発明においては、液晶滴中に可視光を吸
収する光吸収性色素が添加されており、いわゆるゲスト
ホストモードで画像表示を行う。即ち、通常の光散乱時
において、光吸収性色素による入射光吸収によって実現
される暗状態と、通常の透過状態において、透過光が反
射板によって反射されることによって実現される明状態
を利用して画像が表示される。
【００２４】以上のような時分割駆動が可能な以上の反
射型液晶表示装置は、装置構成が単純なため、価格を低
く押さえることができる。また、バックライト不要のた
め消費電力も低く、電池でも駆動できる。以上の特徴を
有するため、本表示装置は、電池駆動が必須な個人携帯
情報端末や洗濯機や炊飯器等の電化製品のインジケータ
等の表示装置として活用できる。
射型液晶表示装置は、装置構成が単純なため、価格を低
く押さえることができる。また、バックライト不要のた
め消費電力も低く、電池でも駆動できる。以上の特徴を
有するため、本表示装置は、電池駆動が必須な個人携帯
情報端末や洗濯機や炊飯器等の電化製品のインジケータ
等の表示装置として活用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば透過
率−実効電圧依存性におけるしきい値特性が急峻で、時
分割駆動可能な光散乱型液晶表示装置及びその製造装置
が提供できる。
率−実効電圧依存性におけるしきい値特性が急峻で、時
分割駆動可能な光散乱型液晶表示装置及びその製造装置
が提供できる。
【図１】液晶表示装置の断面図。
【図２】透過率の実効電圧依存性を示す図。
【図３】単粒子層の形成過程を示す図。
【図４】液晶表示装置の構成を示す図。
【図５】走査電極数のＶs／Ｖns 依存性を示す図。
【図６】Ｖs／Ｖns の基板引上げ速度依存性を示す図。
【図７】基板引上げ速度と単粒子層配列の関係を示す
図。
図。
【図８】反射光強度の配列乱れ依存性を示す図。
【図９】光散乱層製造装置の構成を示す図。
【図１０】反射型表示装置の断面構造を示す図。
１１…基板、１２…下部走査電極、１３…液晶マイクロ
カプセル、１４…単粒子層、１５…媒体、１６…光散乱
層、１７…上部信号電極、２１…選択電圧、２２…非選
択電圧、３１…懸濁溶液、４１…走査回路、４２…信号
回路、９１…基板引上げ装置、９２…反射光強度モニ
タ、９３…基板引上げ速度制御装置、９４…入射光、９
５…反射光、１０１…反射板。
カプセル、１４…単粒子層、１５…媒体、１６…光散乱
層、１７…上部信号電極、２１…選択電圧、２２…非選
択電圧、３１…懸濁溶液、４１…走査回路、４２…信号
回路、９１…基板引上げ装置、９２…反射光強度モニ
タ、９３…基板引上げ速度制御装置、９４…入射光、９
５…反射光、１０１…反射板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長江 慶治 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (56)参考文献 特開 平６−51288（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−111921（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−202711（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−348317（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−140125（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1334
Claims (8)
- 【請求項１】対向面に電極を有する少なくとも一方が透
明な一対の基板と、 この一対の基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示
装置であって、 前記液晶層は、一定厚の媒体で被覆された液晶滴からな
る均一サイズの液晶マイクロカプセルが２次元結晶配列
した複数の単粒子層が積層されていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記液晶マイクロカプ
セルはネマチック液晶からなることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項３】請求項２において、前記ネマチック液晶は
ゼラチン及びアラビアゴムからなる媒体で被覆されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項２において、前記ネマチック液晶は
光吸収性色素が添加されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項５】請求項４において、前記ネマチック液晶は
ゼラチン及びアラビアゴムからなる媒体で被覆されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 純水に均一粒径の液晶マイクロカプセルを
懸濁し、 前記懸濁溶液中に浸した基板を一定速度で引き上げるこ
とにより、前記基板上に前記液晶マイクロカプセルを２
次元結晶配列させ単粒子層を形成し、 前記単粒子層上に充填媒体を均一塗布することにより、
単粒子層表面を平坦化すると共に、前記液晶マイクロカ
プセルと前記基板間及び各液晶マイクロカプセル間の隙
間をこの充填媒体で充填し、 前記充填媒体が充填された前記単粒子層を複数積層する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６おいて、前記基板を引き上げる一
定速度は、所定の透過率−電圧特性の急峻性が満たされ
るように制御され、前記液晶マイクロカプセルの２次元
結晶配列分布が均一化されることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６において、前記懸濁液面直上にお
ける前記液晶マイクロカプセル単粒子層の反射光強度を
前記基板引上げ中に計測し、前記反射光強度が所定値以
上になるように基板引上げ速度を制御し、 前記反射光強度が所定値以下の部分が検出された場合に
は、前記基板を一旦懸濁液中に引下げて前記基板上に集
積した液晶マイクロカプセルを脱離後、再び基板を一定
速度で引上げて、反射率が指定値以上になるように液晶
マイクロカプセルを配列し直すことを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
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ID=17071160
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| JP24123195A Expired - Fee Related JP3146945B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| JP2006045376A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 表示媒体 |
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| JP5452111B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2014-03-26 | トッパン・フォームズ株式会社 | 液晶マイクロカプセル積層体及び表示装置 |
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| JP6959361B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2021-11-02 | イー インク コーポレイション | ゼラチン結合剤中にカプセルに包まれた顔料を含む電気光学媒体 |
| GB201914105D0 (en) | 2019-09-30 | 2019-11-13 | Vlyte Innovations Ltd | A see-through electrophoretic device having a visible grid |
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| KR930703624A (ko) * | 1991-02-11 | 1993-11-30 | 허버트 지. 버카드 | 캡슐화된 액정 물질의 제조방법 |
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| JPH05341268A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置およびその作製方法 |
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| US5585947A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-17 | Raychem Corporation | Method of making liquid crystal composite which has interfacial material disposed between liquid crystal and encapsulating medium |
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1995
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-
1996
- 1996-09-09 US US08/709,738 patent/US5784136A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-20 KR KR1019960041011A patent/KR970016678A/ko not_active Application Discontinuation
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