JP3246055B2

JP3246055B2 - 反射型表示装置

Info

Publication number: JP3246055B2
Application number: JP08090693A
Authority: JP
Inventors: 英和小林; 英治千野; 正幸矢崎; 英仁飯坂
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1993-04-07
Filing date: 1993-04-07
Publication date: 2002-01-15
Anticipated expiration: 2017-01-15
Also published as: JPH06294954A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報機器の端末として
のディスプレイ、あるいはテレビ、広告板などに用いら
れる反射型表示装置の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年情報機器の小型軽量化が進み、携帯
型のコンピュータやテレビなどが開発されつつある。そ
れに伴い小型省電力の反射型ディスプレイも開発が盛ん
である。とくに偏光板を用いない明るい反射型ディスプ
レイとして、液晶と高分子を互いに分散したものや、液
晶の電界印加による光散乱を用いたものなど、光散乱を
制御するタイプのディスプレイが開発されつつある（特
公平３−５２８４３、特表昭６１−５０２１２８、ヨー
ロッパ公開特許ＥＰ０４８８１１６Ａ２など）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来開発され
てきた散乱型のディスプレイは、その散乱プロファイル
が紙などの散乱プロファイルと大きく異なり、後方散乱
が極めて小さい。そのため紙などの表示と比べると極め
て暗い、視角依存性が大きいなどの課題を持っている。
また、このような課題を解決すべく反射層を背面に配置
しただけの反射型表示素子も提案されているが、光散乱
自身の影が表示を暗くする課題を持っていた（図２参
照）。また、たいていの場合散乱型表示装置は電界に対
する応答におけるしきい特性が急峻でないために大容量
表示を行う場合、ＭＩＭ素子あるいはＴＦＴ素子のよう
なアクティブ素子を用いる必要があった。ところがアク
ティブ素子は、画素中に形成する必要があり、開口率
（光を有効に利用できる比率）が低くなるため、これを
用いた反射型表示装置は暗くなるという課題も有してい
る。そこで本発明はこのような課題を解決するもので
あり、その目的とするところは、前方散乱の強い表示素
子を用いて、紙の表示と同程度の明るい視角依存性の極
めて小さい大容量表示も可能な反射型表示装置を提供す
るところにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、光散乱状態と
透明あるいは光吸収状態の２状態を切り換える反射型表
示装置において、１画素面積あたりの表示制御部分の面
積の比率を８０％以下とし、また前記画素に２色性色素
を含有した液晶と高分子を配向させた層を用い、画素の
非表示制御部分を表示状態に関わらず光吸収の少ない透
明に近い状態とし、且つ背面に配置した反射層により少
なくとも非表示制御部分から入射した光が表示制御部に
反射することを特徴とする。また、本発明は、光散乱状
態と透明あるいは光吸収状態の２状態を切り換える反射
型表示装置において、１画素面積あたりの表示制御部分
の面積の比率を８０％以下とし、また前記画素に液晶と
高分子を分散させた層を用い、画素の非表示制御部分を
表示状態に関わらず透明に近い状態とし、且つ背面に配
置した反射層により少なくとも非表示制御部分から入射
した光が表示制御部に反射することを特徴とする。ま
た、本発明は、光散乱状態と透明あるいは光吸収状態の
２状態を切り換える反射型表示装置において、１画素面
積あたりの表示制御部分の面積の比率を８０％以下と
し、また前記画素にコレステリック−ネマチック相転移
型液晶を用い、画素の非表示制御部分を表示状態に関わ
らず透明に近い状態とし、且つ背面に配置した反射層に
より少なくとも非表示制御部分から入射した光が表示制
御部に反射することを特徴とする。また、本発明は、前
記いずれかの反射型表示装置において、前記画素の表側
あるいは裏側に、表示制御部分に光を集めるように集光
層を配置したことを特徴とする。

【０００５】

【実施例】図１と図６に本発明の反射型表示素子におけ
る簡単な断面図を示す。これらによれば、表示素子表面
に入射する光線のうち非表示制御部分に入射した光は、
前面に配置したレンズ基板１７（図６）あるいは背面に
配置した（図１）凹型反射層８で集光されて表示制御部
分に入射する。表示制御部分に入射した光は、光散乱時
には表示制御部分で散乱されて散乱光が表にでてくる。
表示制御部分に直接入射した光は表示制御部分で散乱さ
れて、背面の反射板で反射されて表側にでてくる。この
とき表示制御部分に戻る光は２度散乱されるため強度が
落ちる。このため表示制御部分の面積はあまり広いと従
来の反射型表示素子と同様暗くなってしまうので、表面
積に対して表示制御部分の面積を８０％以下とした。ま
た表示制御部分があまり狭いと、散乱能力が落ちて表示
がギラつくので、表面積に対して表示制御部分の面積を
１０％以上とすることが好ましい。このような理由で開
口率を下げても十分明るい表示が得られる。そのため、
現行のアクティブ素子などを組み合わせると極めて明る
い大要領表示を行うことができるのである。

【０００６】（実施例１）本実施例では表示制御部分の
裏側に集光型反射層を配置した反射型表示装置の構成に
おける例を示す。図１に本実施例における反射型表示素
子の簡単な断面図を示した。まず液晶層を挟持する基板
について説明する。

【０００７】図３に示したように、反射側の基板につい
ては、上下左右方向に１００μｍピッチの凹型のくぼみ
を形成した基板９表面に反射層８（ここではアルミニウ
ムを用いたが銀、ニッケルなど反射率の高い金属や誘電
体ミラーなども用いることができる）を形成して、その
上にアクリル樹脂で透明層７を形成して表面を平坦化し
た。このアクリル樹脂層の厚さは基板上に形成したくぼ
みの焦点距離によっており、反射した光が表示制御部分
の中に納まる程度の厚さとする。ここではくぼみの焦点
距離が１００μｍであったので透明層７の厚さを６０μ
ｍ程度とした。ここでは透明な材料としてアクリル樹脂
を用いたが、透明で強度がある材料であれば同様に用い
ることができる（例えば水ガラスなど）。この上にくぼ
みの配列の１方向に沿って、くぼみのピッチに合わせて
幅９０μｍの短冊型の透明電極６を１０μｍおきに形成
した。次に液晶と接する面を配向処理した。

【０００８】表面側の基板については、図４に示すよう
にアクティブ素子３であるＭＩＭ素子を形成して大容量
表示を行えるようにした。図中の破線は１画素の領域を
示す。表示制御電極は透明電極で大きさを７０μｍ×７
０μｍとし、この表示制御電極４を取り囲む非表示制御
部分に透明な配向制御電極２を形成した。その後、液晶
と接する面に液晶が配向するように配向処理を施した。

【０００９】このように用意した２枚の基板を間隙５μ
ｍとして電極側を向かい合わせて固定した。

【００１０】こうして作製した反射型表示装置用パネル
では、入射する光が表示制御部分に集まり、散乱型の液
晶組成物を封入すると、散乱効率が向上する。以下の実
施例４以降においてその例を示す。

【００１１】用いる反射側の基板については、ここに示
した他、様々な作り方が可能である。例えば凹型形状を
作り込んだ基板に透明な充填剤（アクリル樹脂、ガラス
など）を塗布して、その上に電極を形成した薄い透明基
板を張り付けても同様の効果が得られた。また図５に示
したように基板の裏側に凸型形状を作り込み、その凸型
の表面に反射層を形成しても同様の効果が得られた。ま
た表示制御部分に光を集光するための反射層の表面形状
はここに示したようななめらかな形でなくても良い。こ
の基板表面に形成する電極については、対向基板上の少
なくとも表示制御電極４に重なるように形成すれば良
い。以下の実施例中で高分子前駆体を重合する際に非表
示制御部分に電界を印加する必要がない場合は、配向制
御電極を形成する必要がなくなる。また基板と電極の形
状、大きさについては本実施例に限らず、用途に応じて
決めれば良い。

【００１２】用いる表側の基板については、用いるアク
ティブ素子として、ここに示したＭＩＭ素子の他、ラテ
ラル型ＭＩＭ素子、バックツーバック型ＭＩＭ素子、各
種ＴＦＴ素子、各種強誘電体素子など、液晶を大容量駆
動できるものであれば同様に用いることができる。基
板、電極、アクティブ素子の大きさ及び数についてはこ
こに示したものに限らず、用途に応じて決めれば良い。
以下の実施例中で高分子前駆体を重合する際に非表示制
御部分に電界を印加する必要がない場合は、配向制御電
極２を形成する必要がなくなる。また、大容量駆動しな
い場合にはアクティブ素子を作り込む必要はなく、表示
制御電極４については通常の液晶表示装置のような単純
な電極構造でよい。アクティブ素子を作り込む場合に
は、配向処理からアクティブ素子を守るために保護層を
形成することが望ましい。またこの基板の光の入射側の
表面にノングレア処理や無反射処理を施すと、極めて視
認性が向上した。

【００１３】本実施例ではアクティブ素子を光の入射側
の基板に形成したが、もちろん反射側の基板上に形成す
ることも可能である。その場合反射側の基板に、アクテ
ィブ素子を作り込む際の様々な条件に耐える材料を用い
る必要がある。

【００１４】表側の基板と反射側の基板の間隙について
は、用いる液晶材料と用途に応じ決めれば良く、５μｍ
に限らない。

【００１５】電極表面に施す配向処理は、通常の液晶表
示装置に用いる配向処理を用いることができる。そのほ
か、配向膜を形成せずに基板表面をラビングするだけで
も十分液晶を配向させることができる。配向処理につい
ては用いる液晶により必要でない場合や、特殊な処理を
必要とする場合もあるのでその都度他の実施例中で示す
こととする。

【００１６】図１、図２、図３、図４、図５は表示装置
のほんの１部を示す図であり、画素数に制限はない。

【００１７】（実施例２）本実施例では、表示制御部分の表側に集光用レンズ基板
を配置した反射型表示装置の構成における例を示す。図
６に、本実施例の反射型表示装置の簡単な断面図を示
す。

【００１８】まず入射側の基板について説明する。レン
ズ形状（１００μｍ×１００μｍ、焦点距離２００μｍ
程度）を作り込んだ透明なレンズ基板１７（ここではア
クリル樹脂を用いたが、その他の透明な樹脂、ガラスな
どでも良い）に、実施例１の図３と同様に透明電極６を
形成した厚さ０．１ｍｍの透明基板１３を、電極とレン
ズの位置を合わせて、レンズ面と非電極面を向かい合わ
せて張り合わせた。このとき前記２枚の基板の間に接着
剤１２が充填されないように注意した。電極６の形状は
９０μｍの幅で短冊状として１０μｍの隙間をあけて配
列してある。その後液晶と接する面を配向処理した。

【００１９】次に反射側の基板について説明する。実施
例１の図４と同様に、基板１上に表示制御部分として反
射性の電極４（７０μｍ×７０μｍ）を有するアクティ
ブ素子３を形成して、そのまわりに配向制御電極２を配
置して、液晶に接する面を配向処理した。基板１の裏側
に光吸収層１９を配置するか、基板１に光吸収性の材料
を用いるとコントラストが向上した。これら２枚の基板
を、間隙５μｍ程度として固定した。

【００２０】こうして作製した反射型表示装置用パネル
では、入射する光が表示制御部分に集まり、散乱型の液
晶組成物を封入すると、散乱効率が向上する。以下の実
施例４以降においてその例を示す。

【００２１】表側に配置する基板について、形成するレ
ンズの形状と焦点距離については、入射する光がだいた
い表示制御部分に集光するように選べば良いのである
が、視角依存性を良くするには、厳密に表示制御部分に
光が点として集光するようにすることが望ましい。この
際、裏側の反射層で反射した光が表示制御部分に集光し
ても良い。また、レンズと表示制御部分と距離があると
視角依存性が大きくなるので、できるだけ近づけた方が
良く、表示制御部分の大きさのオーダーの距離以下が望
ましい。レンズの構成については図６のほか、図７、図
８、図９などでも良く、またその際、反射層について
は、先に示したように電極４と兼ねることをせず、基板
の裏側に形成しても良いが、表示が２重に見えるため、
視角依存性が大きくなる。先に示したレンズ基板と電極
基板を張り合わせる接着剤は、レンズの頂点あるいは基
板の周辺だけにつけて間隙に入り込まないようにした。
これにより焦点距離の変化を抑えた。この時用いる接着
剤としてできるだけ屈折率の小さなものを用いることが
望ましい。もし十分屈折率が小さければ２枚の基板の間
隙に接着剤を充填しても良い。あるいは接着剤の屈折率
をレンズ基板１７より十分大きくして、レンズ形状を表
裏逆にすることも可能である（図１０）。以下の実施例
中で高分子前駆体を重合する際に非表示制御部分に電界
を印加する必要がない場合は、そのための電極を作り込
む必要がなくなる。この基板の光の入射側の表面にノン
グレア処理や無反射処理を施すと、極めてコントラス
ト、視認性が向上した。レンズ表面、基板表面について
は無反射処理を施しておくと極めて表示が明るくなり、
コントラストが向上した。

【００２２】反射側に配置する基板について、表示制御
部分の電極を透明電極として、基板を挟んで反対側に反
射層を形成しても良い。アクティブ素子回りについては
実施例１と同様の構成を用いることができる。以下の実
施例中で高分子前駆体を重合する際に非表示制御部分に
電界を印加する必要がない場合は、そのための配向制御
電極２を作り込む必要がなくなる。

【００２３】アクティブ素子については、レンズを形成
する基板側に形成してもよいのであるが、基板としてア
クティブ素子を形成する条件に耐える材料を用いる必要
がある。アクティブ素子を形成した基板とレンズ基板を
張り合わせると、レンズ基板に用いる材料については先
の材料を用いることができる。大容量表示を行わない場
合については、アクティブ素子を作り込む必要はなく、
表示制御部分の電極４については通常の液晶表示装置の
ような電極構造とすれば良い。

【００２４】表側の基板と反射側の基板の間隙について
は、用いる液晶材料と用途に応じ決めれば良く、５μｍ
に限らない。

【００２５】電極表面に施す配向処理は、通常の液晶表
示装置に用いる配向処理を用いることができる。そのほ
か、配向膜を形成せずに基板表面をラビングするだけで
も十分液晶を配向させることができる。配向処理につい
ては用いる液晶により必要でない場合や、特殊な処理を
必要とする場合もあるのでその都度他の実施例中で示す
こととする。

【００２６】図６、図７、図８、図９、図１０は表示装
置のほんの１部を示す図であり、画素数に制限はない。

【００２７】（実施例３）本実施例では表示制御部分の
面積を表示装置の表面積の８０％以下とした場合で集光
層を配置しないで反射層だけを配置した例を示す。図１
１に本実施例の反射型表示装置の簡単な断面図を示し
た。

【００２８】入射光側の基板については、実施例１の図
３と同様に、９０μｍの幅で１０μｍの隙間をあけて透
明電極６を形成して、液晶と接する面に配向処理を施し
た。

【００２９】反射側の基板については、実施例１の図４
と同様に、反射層８を形成した面と反対側に表示制御部
分として７０μｍ×７０μｍの透明な電極４を備えたア
クティブ素子を形成して、配向制御電極２を配置した。
反射層と液晶層との距離は、画素の大きさのオーダーと
することが望ましいが、それより厚くても効果はある。
次に液晶と接する面に配向処理を施した。

【００３０】これら２枚の基板を電極面を向かい合わせ
て間隙５μｍを保って固定した。

【００３１】こうして作製した表示装置では斜め方向か
ら入射する光が反射して表示制御部分に入射するため、
前方散乱の強い液晶層を用いると明るく見える。以下の
実施例でその例を示す。

【００３２】表側の基板については、材質は透明であれ
ば良く、電極については透明で電気を通じる材料であれ
ばよい。電極の形状は用途に応じ決めれば良い。以下の
実施例で、この基板の入射側表面にノングレア処理ある
いは無反射処理を施すと、極めて視認性が向上する。

【００３３】反射側の基板については、材質については
表側と同様で、アクティブ素子については実施例１と同
様の構成を用いることができる。アクティブ素子につい
ては表側の基板に形成しても良い。非表示制御部分に電
界を印加しながら高分子前駆体を重合する必要がない場
合には、非表示制御部分に配向制御電極２を形成する必
要はない。大容量表示を行わない場合にはアクティブ素
子を作り込む必要はなく、表示制御部分の電極４は通常
の液晶表示装置の単純な電極構造でよい。反射層の構造
については、主な入射光の方向に合わせて断面について
三角状、鋸歯状などにしても良い（図１２、図１３な
ど）。ただしこれらの図ではアクティブ素子を光入射側
に形成することを前提としている。もちろん図１２、図
１３に示した基板にアクティブ素子を形成しても良い。
表示制御電極４を３角状あるいは鋸歯状の反射層のどの
位置に合わせるかは用途に応じて決めれば良い。

【００３４】表側の基板と反射側の基板の間隙について
は、用いる液晶材料と用途に応じ決めれば良く、５μｍ
に限らない。

【００３５】電極表面に施す配向処理は、通常の液晶表
示装置に用いる配向処理を用いることができる。そのほ
か、配向膜を形成せずに基板表面をラビングするだけで
も十分液晶を配向させることができる。配向処理につい
ては用いる液晶により必要でない場合や、特殊な処理を
必要とする場合もあるのでその都度他の実施例中で示す
こととする。

【００３６】図１１、図１２、図１３は表示装置のほん
の１部を示す図であり、画素数に制限はない。

【００３７】（実施例４）本実施例では、液晶を含む層
５として２色性色素を含んだ液晶と高分子を配向した層
を用いた例を示す。

【００３８】実施例１、実施例２、実施例３で示した表
示装置の間隙に、次のように用意した液晶混合物を封入
した。液晶混合物について説明する。液晶としてＴＬ２
０２（ベース液晶、メルク社製）：Ｓ１０１１（カイラ
ル成分、メルク社製）：Ｓ３４４（２色性色素、三井東
圧染料社製）＝９７：０．５：２．５の重量比率で混合
したものを用いた。高分子前駆体としてターフェニルメ
タクリレートを用い、液晶と高分子前駆体を９５：５で
混合した。これを先の基板間に封入して、アクティブ素
子を形成した基板上の配向制御電極２と対向基板上の電
極６との間に、液晶相にて液晶が応答する飽和電界以上
の電界を印加しながら（表示制御電極４の電位は電極６
の電位に対して液晶が応答しない電位としておく）、紫
外線を照射して高分子前駆体を重合した。これにより表
示制御部分は無電界下で光吸収、その他の部分は透明な
状態とすることができ、電界印加で表示制御部分だけを
光散乱状態とすることができた。こうして作製した反射
型表示装置は、従来の反射型表示装置（図２）に比べて
反射率で１．５倍明るくコピー用紙並の明るさを実現
し、視角においても２倍の視角で正面から±２０度以内
でコピー用紙の５０％の明るさを実現した。

【００３９】また、本実施例では表示制御部分以外の２
色性色素を垂直に配向させるために電界を用いたが、表
示制御部分以外に垂直配向処理を施すことにより、先に
示した配向状態を実現できた。具体的には、水平配向処
理を施した基板にレジストを塗布して、非表示制御部分
だけレジストを除去して垂直配向処理剤（ＬＰ−８Ｔ、
信越シリコン社製など）を塗布する。その後レジストを
全て除去すれば良い。液晶として誘電異方性が負のもの
を用いる場合には、表示制御部分に垂直配向処理を行
い、非表示制御部分に水平配向処理を行えば良いが、先
に示したように電界を印加しながら重合しても良い。そ
の他様々な配向方法を利用できる。

【００４０】液晶、２色性色素、カイラル成分、高分子
材料についてはここに示したものに限らず、混合した状
態で液晶相をとる材料及び比率であり、電界で応答でき
るものであれば用いることができる。液晶については誘
電異方性が負のものも用いることができ、その際は配向
処理を垂直配向処理とする。２色性色素については用い
た方がコントラストは良くなるが、用いずとも表示する
ことはできる。その際、非表示制御部分は電界を印加し
ながら重合しなくても透明となるので、非表示制御部分
に配向制御電極２を配置する必要はない。高分子材料に
ついては高分子前駆体の長さが短いものを用いると生成
する高分子は粒子状となり、高分子前駆体の長さが長い
ものを用いるとゲルネットワーク状となる。たとえばＢ
ＤＨ社製のＣ６Ｈという化合物を用いるとゲルネットワ
ーク状の高分子を作ることができる。どちらの構成でも
本発明を応用できる。また次の実施例で示す液晶と高分
子がランダムに分散している系でも、その系を基板面方
向にずらすことにより液晶と高分子を配向させることが
でき、本実施例を応用できるようになる。

【００４１】（実施例５）本実施例では液晶を含む層５
として液晶と高分子がランダムに分散している層を用い
た例を示す。液晶としてＲＤＰ２１１１２（ロディック
社製）、高分子前駆体としてＭ６２００（東亜合成化学
社製）を７：３で混合し、さらに光重合開始剤を混合し
て、実施例１、実施例２、実施例３で製造した表示装置
に封入して、等方相にて非表示制御部分に電界を印加し
ながら紫外線を照射し、液晶と高分子を相分離して、表
示制御部分を初期的に白濁した状態として、非表示制御
部分を透明な状態とした。

【００４２】こうして製造した反射型表示装置は、実施
例４と同様極めて明るい表示を得ることができ、従来の
１．５倍程度の明るさと２倍程度の広い視角を得ること
ができた。

【００４３】本実施例を用いる場合、実施例１から実施
例３における基板表面の配向処理は必要ではない。

【００４４】液晶及び高分子前駆体の選定に当たって
は、混合した状態で等方相であり、その温度では液晶は
液晶相をとるものが好ましい。なぜなら電界を印加しな
がら高分子前駆体を重合するときに、等方相で高分子前
駆体が重合することにより高分子部分はランダムに重合
する。液晶部分は重合が進み高分子前駆体の含有量が少
なくなるにつれて液晶相をとるようになる。このとき電
界が印加されているために液晶は基板に垂直に配向しな
がら残りの高分子前駆体が重合して液晶の配向状態を保
つ高分子形状となる。そのため重合が完了した後に電界
を除去しても非表示制御部分は透明状態となる。このよ
うな材料を用いずとも、液晶と高分子を相分離した後
に、表示装置使用中に非表示制御部分に液晶が応答する
に十分な電界を印加すると先の例と同様の効果が得られ
た。この場合、通常の高分子分散型液晶に用いる材料で
あれば何でも用いることができた。

【００４５】（実施例６）次に液晶を含む層５として動
的散乱モードを用いた例を示す。実施例１、実施例２、
実施例３で作製した反射型表示装置に、液晶（ＲＤＰ０
０７７５、ロディック社製にテトラヒドロフルオレノ
ン、ジブチルフェロセンをそれぞれ２％加えたもの）を
封入した。ただし動的散乱モードでは比抵抗が低いため
に実施例１から実施例３におけるアクティブ素子では駆
動できない。そのため単純な電極構造のものを用いた。

【００４６】こうして作製した反射型表示装置は従来の
動的散乱モードを用いた反射型表示装置に比べて極めて
明るく視角も広いことが分かった。

【００４７】ここで用いる液晶材料は、液晶としては誘
電異方性が負の液晶を用い、比抵抗を下げるために電解
質あるいは本実施例のような電荷移動錯体を用いる。

【００４８】本実施例では配向制御電極２を形成する必
要はない。

【００４９】（実施例７）次に液晶を含む層５としてコ
レステリック−ネマチック相転移モード用液晶を用いた
場合について例を示す。実施例１から実施例３において
製造した表示装置に、液晶としてＭＪ９１２６１（メル
ク社製）とカイラル成分Ｓ１０１１（メルク社製）の９
９：１混合物を封入した。この場合配向処理は必ずしも
必要ない。また、このモードにおいてはヒステリシス現
象が存在し、ヒステリシス駆動を行うことにより、アク
ティブ素子を用いずとも大容量表示が可能である。この
モードにおいては電界印加で透明、電界除去で散乱する
モードとなる。

【００５０】こうして作製した反射型表示装置は、従来
の相転移モードの反射型表示装置に比べて１．５倍明る
く、視角も２倍以上広いものであった。

【００５１】ここで用いる液晶については、コレステリ
ックピッチｐが液晶層の厚さｄとの関係において、ｄ／
ｐ＞２であることを満たせば良い。通常の相転移モード
に用いられる液晶材料であれば用いることができる。

【００５２】非表示制御部分については使用中は電界を
印加して透明状態としておくことが望ましい。またカイ
ラル成分を少なくすれば配向処理で非表示制御部分を透
明状態とする事もできる。

【００５３】以上実施例を述べたが、散乱を利用した表
示素子であれば本発明を応用できる。また以上の実施例
において、カラーフィルターを組み合わせると容易にカ
ラーディスプレイを作製することができる。また当然の
ことであるが、全ての実施例において表示素子周辺をモ
ールドすることにより信頼性が向上した。

【００５４】

【発明の効果】以上本発明によれば、１画素面積あたり
の表示制御部分の面積の比率を８０％以下とし、背面に
配置した反射層により非表示制御部分から入射した光が
表示制御部分に反射するような構成とする事により、前
方散乱の強い表示素子を用いた場合、紙の表示と同程度
の明るい視角依存性の極めて小さい反射型表示装置を提
供することが可能となった。これによればアクテイブ素
子を用いる場合、反射型として利用する場合に課題とな
っていた開口率を向上させる必要がなく、現行のものを
利用できるため極めて安価に大容量表示装置を製造でき
る。さらには反射型大容量カラーディスプレイも実現可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１における反射型表示装置の断面の１部
分を示す簡単な図である。

【図２】従来の反射型表示装置の断面の１部分を示す簡
単な図である。

【図３】実施例１における反射側基板の構造の１部分を
示す簡単な図である。

【図４】実施例１における入射光側基板の構造の１部分
を示す簡単な図である。

【図５】実施例１における反射側基板の別の構造の１部
分を示す簡単な図である。

【図６】実施例２における反射型表示装置の構造の１部
分を示す簡単な図である。

【図７】実施例２におけるレンズを形成する側の基板の
別の構造の１部分を示す簡単な図である。

【図８】実施例２におけるレンズを形成する側の基板の
別の構造の１部分を示す簡単な図である。

【図９】実施例２におけるレンズを形成する側の基板の
別の構造の１部分を示す簡単な図である。

【図１０】実施例２におけるレンズを形成する側の基板
の別の構造の１部分を示す簡単な図である。

【図１１】実施例３における反射型表示装置の構造の１
部分を示す簡単な図である。

【図１２】実施例３における反射層を形成する側の基板
の別の構造の１部分を示す図である。

【図１３】実施例３における反射層を形成する側の基板
の別の構造の１部分を示す図である。

【符号の説明】

１基板２配向制御電極３アクティブ素子４表示制御電極５液晶を含む層６電極７透明層８反射層９基板１０反射電極１１信号電極１２接着剤１３透明基板１４高屈折層１５レンズアレイ１６支持基板（無くても良い）１７レンズ基板１８レンズアレイ１９光吸収層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者飯坂英仁長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内 (56)参考文献特開平５−249458（ＪＰ，Ａ) 特開平３−278026（ＪＰ，Ａ) 特開平５−27230（ＪＰ，Ａ) 特開平３−175429（ＪＰ，Ａ) 特開平５−273512（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1334 G02F 1/1335 G02F 1/137

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光散乱状態と透明あるいは光吸収状態の
２状態を切り換える反射型表示装置において、１画素面
積あたりの表示制御部分の面積の比率を８０％以下と
し、また前記画素に２色性色素を含有した液晶と高分子
を配向させた層を用い、画素の非表示制御部分を表示状
態に関わらず光吸収の少ない透明に近い状態とし、且つ
背面に配置した反射層により少なくとも非表示制御部分
から入射した光が表示制御部に反射することを特徴とす
る反射型表示装置。
【請求項２】光散乱状態と透明あるいは光吸収状態の
２状態を切り換える反射型表示装置において、１画素面
積あたりの表示制御部分の面積の比率を８０％以下と
し、また前記画素に液晶と高分子を分散させた層を用
い、画素の非表示制御部分を表示状態に関わらず透明に
近い状態とし、且つ背面に配置した反射層により少なく
とも非表示制御部分から入射した光が表示制御部に反射
することを特徴とする反射型表示装置。
【請求項３】光散乱状態と透明あるいは光吸収状態の
２状態を切り換える反射型表示装置において、１画素面
積あたりの表示制御部分の面積の比率を８０％以下と
し、また前記画素にコレステリック−ネマチック相転移
型液晶を用い、画素の非表示制御部分を表示状態に関わ
らず透明に近い状態とし、且つ背面に配置した反射層に
より少なくとも非表示制御部分から入射した光が表示制
御部に反射することを特徴とする反射型表示装置。
【請求項４】前記画素の表側あるいは裏側に、表示制
御部分に光を集めるように集光層を配置したことを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型表示装
置。