JPH05188354A - 表示デバイス - Google Patents
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- JPH05188354A JPH05188354A JP2175292A JP2175292A JPH05188354A JP H05188354 A JPH05188354 A JP H05188354A JP 2175292 A JP2175292 A JP 2175292A JP 2175292 A JP2175292 A JP 2175292A JP H05188354 A JPH05188354 A JP H05188354A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来にない表示の明るい非発光型表示デバイ
スを提供する。 【構成】 電極３が配設された透光性基板１と電極４が
配設された基板２と、これらの基板間に封入された液体
６とからなる表示デバイスであって、この液体６に電気
的手段により膨潤または収縮する高分子ゲル５が分散さ
れてなる表示デバイスである。好ましい実施例では、液
体７に液晶材料が含有されている。
スを提供する。 【構成】 電極３が配設された透光性基板１と電極４が
配設された基板２と、これらの基板間に封入された液体
６とからなる表示デバイスであって、この液体６に電気
的手段により膨潤または収縮する高分子ゲル５が分散さ
れてなる表示デバイスである。好ましい実施例では、液
体７に液晶材料が含有されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示デバイスに関する。
さらに詳しくは、電気的手段により光変調が可能な表示
デバイスに関する。
さらに詳しくは、電気的手段により光変調が可能な表示
デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より非発光型の表示デバイスにおい
て、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＥＣＤ（エレクトロ
クロミック）などが用いられているが、ＥＣＤはコント
ラストが低い、表示が暗いなどの問題点がある。またＬ
ＣＤはコントラストが低い、視野角が狭い、表示が暗
い、作製工程が複雑などの問題点がある。
て、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＥＣＤ（エレクトロ
クロミック）などが用いられているが、ＥＣＤはコント
ラストが低い、表示が暗いなどの問題点がある。またＬ
ＣＤはコントラストが低い、視野角が狭い、表示が暗
い、作製工程が複雑などの問題点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、従来にない表
示の明るい非発光型表示デバイスを提供することを目的
とする。
術の問題点に鑑みなされたものであって、従来にない表
示の明るい非発光型表示デバイスを提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の表示デバイス
は、電極が配設された一対の基板と、核基板間に封入さ
れた液体からなる表示デバイスであって、前記基板の少
なくとも一方が透光性を有し、前記一対の基板の電極間
に、電気的手段により膨潤または収縮するゲル状高分子
の粒子が前記液体中に分散されてなることを特徴として
いる。
は、電極が配設された一対の基板と、核基板間に封入さ
れた液体からなる表示デバイスであって、前記基板の少
なくとも一方が透光性を有し、前記一対の基板の電極間
に、電気的手段により膨潤または収縮するゲル状高分子
の粒子が前記液体中に分散されてなることを特徴として
いる。
【０００５】本発明の表示デバイスにおいては、液体中
に液晶材料が含有されてなるのが好ましい。また、ゲル
状高分子の粒子が０．１μｍ〜１００μｍであるのがさ
らに望ましい。
に液晶材料が含有されてなるのが好ましい。また、ゲル
状高分子の粒子が０．１μｍ〜１００μｍであるのがさ
らに望ましい。
【０００６】
【作用】本発明の表示デバイスにおいては、電極間の液
体中に分散されたゲル状高分子の膨潤または収縮率が電
圧の印加状態により変化する、すなわち粒子の大きさが
変化し、それに伴い光の透過、散乱状態がおこるので、
光変調を行うことができる。
体中に分散されたゲル状高分子の膨潤または収縮率が電
圧の印加状態により変化する、すなわち粒子の大きさが
変化し、それに伴い光の透過、散乱状態がおこるので、
光変調を行うことができる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例にのみ
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例にのみ
限定されるものではない。
【０００８】図１は本発明の第１実施例における光の透
過状態の説明図、図２は本発明の第１実施例における光
の散乱状態の説明図、図３は本発明の第２実施例におけ
る光の透過状態の説明図、図４は本発明の第２実施例に
おける光の散乱状態の説明図である。図において、１は
一方の基板、２は他方の基板、３は一方の電極、４は他
方の電極、５は高分子ゲル粒子、６は液体、７は液晶含
有液体、８はシールを示す。また、図中の矢印は光の進
行方向を示す。
過状態の説明図、図２は本発明の第１実施例における光
の散乱状態の説明図、図３は本発明の第２実施例におけ
る光の透過状態の説明図、図４は本発明の第２実施例に
おける光の散乱状態の説明図である。図において、１は
一方の基板、２は他方の基板、３は一方の電極、４は他
方の電極、５は高分子ゲル粒子、６は液体、７は液晶含
有液体、８はシールを示す。また、図中の矢印は光の進
行方向を示す。
【０００９】本発明の第１実施例は、図１〜２に示すよ
うに、一対の基板１、２とこの基板１、２の周縁部に配
設されたシール８とから構成されたセル内に高分子ゲル
粒子５が分散された液体６が封入された構造となってい
る。基板１、２のセル内に面する面には電極３、４がそ
れぞれ積層されている。
うに、一対の基板１、２とこの基板１、２の周縁部に配
設されたシール８とから構成されたセル内に高分子ゲル
粒子５が分散された液体６が封入された構造となってい
る。基板１、２のセル内に面する面には電極３、４がそ
れぞれ積層されている。
【００１０】基板１、２は透光性を有するガラス、透明
プラスチックフィルムなどからなる。しかしながら、基
板１または２のいずれか一方は必ずしも透光性を有する
必要はなく、いわゆる反射型表示デバイスの場合は、金
属板、例えばＡ１板、ＳＵＳ板を用いることができる
し、またガラスや透明プラスチックにＡｌ、Ｃｒなどの
金属膜を施し反射効果を高めた基板や、ガラスや透明プ
ラスチックになどに反射膜を施したフィルムをはりつけ
た基板などの非透光性基板も用いることができる。
プラスチックフィルムなどからなる。しかしながら、基
板１または２のいずれか一方は必ずしも透光性を有する
必要はなく、いわゆる反射型表示デバイスの場合は、金
属板、例えばＡ１板、ＳＵＳ板を用いることができる
し、またガラスや透明プラスチックにＡｌ、Ｃｒなどの
金属膜を施し反射効果を高めた基板や、ガラスや透明プ
ラスチックになどに反射膜を施したフィルムをはりつけ
た基板などの非透光性基板も用いることができる。
【００１１】電極３、４としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 な
どの透明導電膜が用いられる。いわゆる反射型表示デバ
イスの場合は、電極４としてこの他にＡｌ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｔａなどの金属薄膜なども用いることができる。
どの透明導電膜が用いられる。いわゆる反射型表示デバ
イスの場合は、電極４としてこの他にＡｌ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｔａなどの金属薄膜なども用いることができる。
【００１２】高分子ゲル５としては、アクリル酸誘導体
や架橋性モノマーをグラフト重合したポリメタクリル酸
メチル、ポリイソブレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテ
ル、ポリビニルアルコール、コラーゲン、カゼイン、セ
ルロースなどが用いられるが、これらの中でも電界応答
性が大きいという点から、アクリルアミド誘導体とアク
リル酸誘導体を主成分として架橋性モノマーを添加して
なる重合体（例えばアクリルアミド−アクリル酸−ジビ
ニルベンゼン共重合体またはアクリル酸−アクリルアミ
ド共重合体）を用いるのが好ましい。この高分子ゲル微
粒子５の作製は、粒子の大きさや架橋法により異なる
が、乳化重合、懸濁重合、分散重合、沈澱重合の各方法
が重合、架橋、微粒子化を同時に行える点で好ましい。
例えば、Ｎ−アクリロキシスクシンイミドとＮ−イソプ
ロピルアクリルアミドに、架橋剤として過硫酸アンモニ
ウム、乳化剤としてＳＰＡＮ２０（ソルビタンモノラウ
リル酸エステル）を加え重合を行った後、塩基下で加水
分解を行うことにより所望のゲル微粒子を得ることがで
きる。
や架橋性モノマーをグラフト重合したポリメタクリル酸
メチル、ポリイソブレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテ
ル、ポリビニルアルコール、コラーゲン、カゼイン、セ
ルロースなどが用いられるが、これらの中でも電界応答
性が大きいという点から、アクリルアミド誘導体とアク
リル酸誘導体を主成分として架橋性モノマーを添加して
なる重合体（例えばアクリルアミド−アクリル酸−ジビ
ニルベンゼン共重合体またはアクリル酸−アクリルアミ
ド共重合体）を用いるのが好ましい。この高分子ゲル微
粒子５の作製は、粒子の大きさや架橋法により異なる
が、乳化重合、懸濁重合、分散重合、沈澱重合の各方法
が重合、架橋、微粒子化を同時に行える点で好ましい。
例えば、Ｎ−アクリロキシスクシンイミドとＮ−イソプ
ロピルアクリルアミドに、架橋剤として過硫酸アンモニ
ウム、乳化剤としてＳＰＡＮ２０（ソルビタンモノラウ
リル酸エステル）を加え重合を行った後、塩基下で加水
分解を行うことにより所望のゲル微粒子を得ることがで
きる。
【００１３】本発明の第２実施例は、液体中に液晶が分
散されている外は、第１実施例と同様である。用いる液
晶にとくに限定はなく、使用温度、たとえば−２０〜＋
８０℃でネマチック配列、コレステリック配列、スメク
チック配列を示すものであるなど、通常の液晶デバイス
様の液晶として使用しうるものであるかぎり使用しう
る。
散されている外は、第１実施例と同様である。用いる液
晶にとくに限定はなく、使用温度、たとえば−２０〜＋
８０℃でネマチック配列、コレステリック配列、スメク
チック配列を示すものであるなど、通常の液晶デバイス
様の液晶として使用しうるものであるかぎり使用しう
る。
【００１４】前記液晶成分の具体例としては、メルク社
などからだされている市販品でもよく、また、例えばｐ
−アルコキシ−ｐ’−アルキルアゾキシベンゼン、ｐ−
アゾキシフェネトールなどのアゾキシ系化合物、ｐ−ア
ルコキシ−ｐ’−アルキルベンジリデンアニリン、ｐ−
アルコキシベンジリデン−ｐ’−アミノケイ皮酸アルキ
ルエステル、ｐ−アルコキシベンジリデン−ｐ’−アル
キルアニリンなどのシッフ塩基系化合物、ｐ−アルキル
−ｐ’−シアノフェニル安息香酸、ｐ−アルコキシ−
ｐ’−アルコキシフェニル安息香酸、コレステリル安息
香酸などのフェニルエステル系化合物、ｐ−アルコキシ
−ｐ’−シアノビフェニル、ｐ−アルキル−ｐ’−シア
ノビフェニル、ｐ−アルコキシ−ｐ’−カルボン酸ビフ
ェニルアルキルエステルなどのビフェニル系化合物、２
−アルコキシフェニル−５−アルキルピリミジン、２−
アルコキシフェニル−５−アルコキシピリミジンなどの
ピリミジン系化合物、さらにはフェニルシクロヘキサン
系化合物、シクロヘキシルシクロヘキサン系化合物、シ
クロヘキシルフェニルエタン系化合物、ジオキサン系化
合物、メチレンオキシ系化合物、オレイン酸系化合物な
どがあげられる。これらは単独でもちいてもよく２種類
以上併用してもよい。
などからだされている市販品でもよく、また、例えばｐ
−アルコキシ−ｐ’−アルキルアゾキシベンゼン、ｐ−
アゾキシフェネトールなどのアゾキシ系化合物、ｐ−ア
ルコキシ−ｐ’−アルキルベンジリデンアニリン、ｐ−
アルコキシベンジリデン−ｐ’−アミノケイ皮酸アルキ
ルエステル、ｐ−アルコキシベンジリデン−ｐ’−アル
キルアニリンなどのシッフ塩基系化合物、ｐ−アルキル
−ｐ’−シアノフェニル安息香酸、ｐ−アルコキシ−
ｐ’−アルコキシフェニル安息香酸、コレステリル安息
香酸などのフェニルエステル系化合物、ｐ−アルコキシ
−ｐ’−シアノビフェニル、ｐ−アルキル−ｐ’−シア
ノビフェニル、ｐ−アルコキシ−ｐ’−カルボン酸ビフ
ェニルアルキルエステルなどのビフェニル系化合物、２
−アルコキシフェニル−５−アルキルピリミジン、２−
アルコキシフェニル−５−アルコキシピリミジンなどの
ピリミジン系化合物、さらにはフェニルシクロヘキサン
系化合物、シクロヘキシルシクロヘキサン系化合物、シ
クロヘキシルフェニルエタン系化合物、ジオキサン系化
合物、メチレンオキシ系化合物、オレイン酸系化合物な
どがあげられる。これらは単独でもちいてもよく２種類
以上併用してもよい。
【００１５】以下、より具体的な実施例に基づいて本発
明をより詳細に説明する。
明をより詳細に説明する。
【００１６】実施例１ 図１に示すように、ＩＴＯからなる電極３と電極４、１
０００Åがスパッタ法により形成されたガラス基板１と
ガラス基板２とを対向させ、４０μｍのポリマービーズ
をスペーサとしてはさみ、さらにその基板１、２の周縁
部にシール８を配設してセルを形成した。一方、高分子
ゲル微粒子５は、Ｎ−アクリロキシスクシンイミドとＮ
−イソプロピルアクリルアミドに、架橋剤として過硫酸
アンモニウム、乳化剤としてＳＰＡＮ２０（ソルビタン
モノラウリル酸エステル）を加え重合を行った後、塩基
下で加水分解を行うことにより得た。得られた微粒子５
のサイズは平均で約１μｍであった。このゲル微粒子５
が水とアセトンを体積比１対１で混合したものに対して
３０重量％含有された液体６を、先に形成されたセル内
に満たし表示デバイスを構成した。
０００Åがスパッタ法により形成されたガラス基板１と
ガラス基板２とを対向させ、４０μｍのポリマービーズ
をスペーサとしてはさみ、さらにその基板１、２の周縁
部にシール８を配設してセルを形成した。一方、高分子
ゲル微粒子５は、Ｎ−アクリロキシスクシンイミドとＮ
−イソプロピルアクリルアミドに、架橋剤として過硫酸
アンモニウム、乳化剤としてＳＰＡＮ２０（ソルビタン
モノラウリル酸エステル）を加え重合を行った後、塩基
下で加水分解を行うことにより得た。得られた微粒子５
のサイズは平均で約１μｍであった。このゲル微粒子５
が水とアセトンを体積比１対１で混合したものに対して
３０重量％含有された液体６を、先に形成されたセル内
に満たし表示デバイスを構成した。
【００１７】このデバイスにおいて、電極３、４に電圧
を印加し、セル内に電界を発生させた。この場合、電極
３が陽極、電極４が陰極のときは、ゲル微粒子５は陽極
側より収縮し、小さくなる。そのため、光散乱に寄与す
る粒子５の占める割合が少なくなり、デバイスは図１の
ようになり、透明になった。逆に、電極３が陰極、電極
４が陽極になるように電圧を印加すると、ゲル微粒子５
は陰極側より膨潤し、大きくなる。そのため、光散乱に
寄与する粒子５の占める割合が多くなり、デバイスは図
２のようになり、光を散乱し、デバイスは白濁状態とな
った。約±３Ｖの電圧印加で可逆的にこの現象が観測さ
れた。
を印加し、セル内に電界を発生させた。この場合、電極
３が陽極、電極４が陰極のときは、ゲル微粒子５は陽極
側より収縮し、小さくなる。そのため、光散乱に寄与す
る粒子５の占める割合が少なくなり、デバイスは図１の
ようになり、透明になった。逆に、電極３が陰極、電極
４が陽極になるように電圧を印加すると、ゲル微粒子５
は陰極側より膨潤し、大きくなる。そのため、光散乱に
寄与する粒子５の占める割合が多くなり、デバイスは図
２のようになり、光を散乱し、デバイスは白濁状態とな
った。約±３Ｖの電圧印加で可逆的にこの現象が観測さ
れた。
【００１８】多数回行ったが、その可逆性に変化は見ら
れなかった。
れなかった。
【００１９】このデバイスの透過率を、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ光を用いて測定したところ、透明状態の時には約９０
％程度の透過率であり、白濁状態では約２％程度であ
り、従来の非発光型の液晶表示素子の透過状態が４５％
程度であることから考えて、約２倍の明るさが得られ
た。
ザ光を用いて測定したところ、透明状態の時には約９０
％程度の透過率であり、白濁状態では約２％程度であ
り、従来の非発光型の液晶表示素子の透過状態が４５％
程度であることから考えて、約２倍の明るさが得られ
た。
【００２０】実施例２ 図３に示すように、ＩＴＯからなる電極３と電極４、１
０００Åがスパッタ法により形成されたガラス基板１と
ガラス基板２とを対向させ、４０μｍのポリマービーズ
をスペーサとしてはさみ、さらにその基板１、２の周縁
部にシール８を配設してセルを形成した。一方、高分子
ゲル微粒子５は、Ｎ−アクリロキシスクシンイミドとＮ
−イソプロピルアクリルアミドに、架橋剤として過硫酸
アンモニウム、乳化剤としてＳＰＡＮ２０（ソルビタン
モノラウリル酸エステル）を加え重合を行った後、塩基
下で加水分解を行うことにより得た。得られた微粒子５
のサイズは平均で約１μｍであった。このゲル微粒子５
がエタノール：液晶ＺＬＩ−１５６５（メルク社、商品
名）＝１：１０になるように調整されたものに対して３
０重量％含有された液体７を、先に形成されたセル内に
満たし表示デバイスを構成した。
０００Åがスパッタ法により形成されたガラス基板１と
ガラス基板２とを対向させ、４０μｍのポリマービーズ
をスペーサとしてはさみ、さらにその基板１、２の周縁
部にシール８を配設してセルを形成した。一方、高分子
ゲル微粒子５は、Ｎ−アクリロキシスクシンイミドとＮ
−イソプロピルアクリルアミドに、架橋剤として過硫酸
アンモニウム、乳化剤としてＳＰＡＮ２０（ソルビタン
モノラウリル酸エステル）を加え重合を行った後、塩基
下で加水分解を行うことにより得た。得られた微粒子５
のサイズは平均で約１μｍであった。このゲル微粒子５
がエタノール：液晶ＺＬＩ−１５６５（メルク社、商品
名）＝１：１０になるように調整されたものに対して３
０重量％含有された液体７を、先に形成されたセル内に
満たし表示デバイスを構成した。
【００２１】このデバイスにおいて、電極３、４に電圧
を印加し、セル内に電界を発生させた。この場合、電極
３が陽極、電極４が陰極のときは、ゲル微粒子５は陽極
側より収縮し、小さくなる。そのため、光散乱に寄与す
る粒子の占める割合が少なくなり、デバイスは図３のよ
うになり、透明になった。その際に液晶は基板に対して
垂直に整列する。逆に、電極３が陰極、電極４が陽極に
なるように電圧を印加すると、ゲル微粒子５は陰極側よ
り膨潤し、大きくなる。そのため、光散乱に寄与する粒
子の占める割合が多くなり、デバイスは図４のようにな
り、光を散乱し、デバイスは白濁状態となった。その
上、セル内に含有された液晶は微粒子５に沿って配列
し、さらに光散乱に寄与する。約±３Ｖの電圧印加で可
逆的にこの現象が観測された。
を印加し、セル内に電界を発生させた。この場合、電極
３が陽極、電極４が陰極のときは、ゲル微粒子５は陽極
側より収縮し、小さくなる。そのため、光散乱に寄与す
る粒子の占める割合が少なくなり、デバイスは図３のよ
うになり、透明になった。その際に液晶は基板に対して
垂直に整列する。逆に、電極３が陰極、電極４が陽極に
なるように電圧を印加すると、ゲル微粒子５は陰極側よ
り膨潤し、大きくなる。そのため、光散乱に寄与する粒
子の占める割合が多くなり、デバイスは図４のようにな
り、光を散乱し、デバイスは白濁状態となった。その
上、セル内に含有された液晶は微粒子５に沿って配列
し、さらに光散乱に寄与する。約±３Ｖの電圧印加で可
逆的にこの現象が観測された。
【００２２】多数回行ったが、その可逆性に変化は見ら
れなかった。
れなかった。
【００２３】このデバイスの透過率を、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ光を用いて測定したところ、透明状態の時には約８５
％程度の透過率であり、白濁状態では約１％程度であ
り、従来の非発光型の液晶表示素子の透過状態が約４５
％程度と約１％の間で表示していることから考えて、約
２倍の明るさが得られ、コントラストも２倍得られた。
ザ光を用いて測定したところ、透明状態の時には約８５
％程度の透過率であり、白濁状態では約１％程度であ
り、従来の非発光型の液晶表示素子の透過状態が約４５
％程度と約１％の間で表示していることから考えて、約
２倍の明るさが得られ、コントラストも２倍得られた。
【００２４】実施例１〜２においては、いわゆる透過型
表示デバイスを例にとり説明してきたが、いわゆる反射
型デバイスにおいても同様である。但し、その場合は、
実施例１〜２において光が透過するときに光が反射する
ことになる。
表示デバイスを例にとり説明してきたが、いわゆる反射
型デバイスにおいても同様である。但し、その場合は、
実施例１〜２において光が透過するときに光が反射する
ことになる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、印
加電圧の極性を変えることにより光の透過と散乱を制御
できる表示デバイスを得ることができるとともに、非発
光型表示デバイスであるにもかかわらず従来にない明る
い表示が得られる。
加電圧の極性を変えることにより光の透過と散乱を制御
できる表示デバイスを得ることができるとともに、非発
光型表示デバイスであるにもかかわらず従来にない明る
い表示が得られる。
【図１】本発明の第１実施例における光の透過状態の説
明図である。
明図である。
【図２】本発明の第１実施例における光の散乱状態の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の第２実施例における光の透過状態の説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の第２実施例における光の散乱状態の説
明図である。
明図である。
１ 一方の基板 ２ 他方の基板 ３ 一方の電極 ４ 他方の電極 ５ 高分子ゲル ６ 液体 ７ 液晶分散液体 ８ シール
Claims (3)
- 【請求項１】 電極が配設された一対の基板と、該基板
間に封入された液体とからなる表示デバイスであって、
前記基板の少なくとも一方が透光性を有し、前記一対の
基板の電極間に、電気的手段により膨潤または収縮する
ゲル状高分子の粒子が前記液体中に分散されてなること
を特徴とする表示デバイス。 - 【請求項２】 前記液体中に液晶材料が含有されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示デバイス。 - 【請求項３】 前記ゲル状高分子の粒子が０．１μｍ〜
１００μｍであることを特徴とする請求項１または２記
載の表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175292A JPH05188354A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175292A JPH05188354A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188354A true JPH05188354A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12063798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175292A Withdrawn JPH05188354A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05188354A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6295167B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-09-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical material and optical device |
| US6785035B2 (en) | 2000-07-25 | 2004-08-31 | Fuji Xerox Co., Ltd | Optical element, optical element composition and method for controlling stimuli-responsive polymer gel |
| US6850356B2 (en) | 2003-06-12 | 2005-02-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical element and method for producing the optical element |
| JP2005239859A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子ゲル組成物、高分子ゲル複合体及びその製造方法、並びに該複合体を備えた光学素子 |
| US7435479B2 (en) | 2003-11-19 | 2008-10-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light-controlling element and method for manufacturing the same |
| US7455903B2 (en) | 2004-12-02 | 2008-11-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical materials and optical elements using the same |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP2175292A patent/JPH05188354A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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