JP3145846B2 - 電子写真感光体及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体及び電子写真装置Info
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Description
【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体及び電子
写真装置に関する。
写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体としては、セレ
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機光導電性物質が
広く用いられていた。一方、有機光導電性物質を用いた
電子写真感光体としてはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル
に代表される光導電性ポリマ−や２，５−ビス（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−
ルのような低分子の有機光導電性物質を用いたもの、さ
らには、かかる有機光導電性物質と各種染料や顔料を組
み合わせたものなどが知られている。有機光導電性物質
を用いた電子写真感光体は成膜性が良く、塗工によって
生産できるため、極めて生産性が高く安価な電子写真感
光体を提供できる利点を有している。また使用する染料
や顔料などの選択により、感色性を自在にコントロ−ル
できる等の利点を有し、これまで幅広い検討がなされて
きた。特に最近では、有機光導電性染料や顔料を含有し
た電荷発生層と、光導電性ポリマ−や低分子の有機光導
電性物質を含有した電荷輸送層を積層した機能分離型感
光体の開発により、従来の有機電子写真感光体の欠点と
されていた感度や耐久性に著しい改善がなされてきた。
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機光導電性物質が
広く用いられていた。一方、有機光導電性物質を用いた
電子写真感光体としてはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル
に代表される光導電性ポリマ−や２，５−ビス（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−
ルのような低分子の有機光導電性物質を用いたもの、さ
らには、かかる有機光導電性物質と各種染料や顔料を組
み合わせたものなどが知られている。有機光導電性物質
を用いた電子写真感光体は成膜性が良く、塗工によって
生産できるため、極めて生産性が高く安価な電子写真感
光体を提供できる利点を有している。また使用する染料
や顔料などの選択により、感色性を自在にコントロ−ル
できる等の利点を有し、これまで幅広い検討がなされて
きた。特に最近では、有機光導電性染料や顔料を含有し
た電荷発生層と、光導電性ポリマ−や低分子の有機光導
電性物質を含有した電荷輸送層を積層した機能分離型感
光体の開発により、従来の有機電子写真感光体の欠点と
されていた感度や耐久性に著しい改善がなされてきた。
【０００３】これらの光導電性を示す材料としては、例
えばアゾ顔料や特開昭５７−１１９３５５号公報に記載
されるバルビツ−ル酸誘導体またはチオバルビツ−ル酸
誘導体などが公知である。しかしながら、従来のジスア
ゾ顔料や特開昭５７−１１９３５５号公報に記載される
バルビツ−ル酸誘導体またはチオバルビツ−ル酸誘導体
を用いた電子写真感光体は、感度や繰り返し使用時の電
位安定性のメンで十分なものとはいえず、実用化されて
いるのは僅かな材料のみである。また、特開平３−１２
６６０号公報に記載されるバルビツ−ル酸誘導体、チオ
バルビツ−ル酸誘導体を用いた電子写真感光体は感度や
繰り返し使用時の電位安定性が良好で従来の電子写真感
光体に比べ十分実用性はあるが、感度、フォトメモリ−
の点で必ずしも満足するものではなかった。
えばアゾ顔料や特開昭５７−１１９３５５号公報に記載
されるバルビツ−ル酸誘導体またはチオバルビツ−ル酸
誘導体などが公知である。しかしながら、従来のジスア
ゾ顔料や特開昭５７−１１９３５５号公報に記載される
バルビツ−ル酸誘導体またはチオバルビツ−ル酸誘導体
を用いた電子写真感光体は、感度や繰り返し使用時の電
位安定性のメンで十分なものとはいえず、実用化されて
いるのは僅かな材料のみである。また、特開平３−１２
６６０号公報に記載されるバルビツ−ル酸誘導体、チオ
バルビツ−ル酸誘導体を用いた電子写真感光体は感度や
繰り返し使用時の電位安定性が良好で従来の電子写真感
光体に比べ十分実用性はあるが、感度、フォトメモリ−
の点で必ずしも満足するものではなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新規な
電子写真感光体を提供すること、実用的な高感度特性、
フォトメモリ−が小さく繰り返し使用時の安定した電位
特性を有する高耐久な電子写真感光体繰り返し使用時の
安定した電位特性を有する電子写真感光体を提供するこ
と、該電子写真感光体を備えた電子写真装置を提供する
ことである。
電子写真感光体を提供すること、実用的な高感度特性、
フォトメモリ−が小さく繰り返し使用時の安定した電位
特性を有する高耐久な電子写真感光体繰り返し使用時の
安定した電位特性を有する電子写真感光体を提供するこ
と、該電子写真感光体を備えた電子写真装置を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は導電性支持体上
に感光層を有する電子写真感光体において、感光層が下
記一般式（１）で示す化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体から構成される。 一般式（１）
に感光層を有する電子写真感光体において、感光層が下
記一般式（１）で示す化合物を含有することを特徴とす
る電子写真感光体から構成される。 一般式（１）
【化３】 式中、Ｘ1及びＹ1は酸素原子または硫黄原子を表わし、
Ｒ1 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基また
は置換基を有してもよいアシル基を表わし、Ｒ2及びＲ3
は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基
を表わす。
Ｒ1 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基また
は置換基を有してもよいアシル基を表わし、Ｒ2及びＲ3
は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基
を表わす。
【０００６】一般式（１）において、Ｒ1 におけるアル
キル基の具体例としてはとしてはメチル、エチル、プロ
ピル等の基、アシル基の具体例としてはアセチル、ベン
ゾイル等の基、ハロゲン原子の具体例としてはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
キル基の具体例としてはとしてはメチル、エチル、プロ
ピル等の基、アシル基の具体例としてはアセチル、ベン
ゾイル等の基、ハロゲン原子の具体例としてはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０００７】また、上記基の有してもよい置換基として
はメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、ハロゲン
原子、アセチル、ベンゾイル等のアシル基、ジメチルア
ミノ、ジエチルアミノ等のアルキルアミノ基、フェニル
カルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメ
チル等のハロメチル基等が挙げられる。
はメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、ハロゲン
原子、アセチル、ベンゾイル等のアシル基、ジメチルア
ミノ、ジエチルアミノ等のアルキルアミノ基、フェニル
カルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメ
チル等のハロメチル基等が挙げられる。
【０００８】また、本発明は導電性支持体上に感光層を
有する電子写真感光体において、感光層が下記一般式
（２）で示す化合物を含有することを特徴とする電子写
真感光体から構成される。 一般式（２）
有する電子写真感光体において、感光層が下記一般式
（２）で示す化合物を含有することを特徴とする電子写
真感光体から構成される。 一般式（２）
【化４】 式中、Ｘ2及びＹ2は酸素原子または硫黄原子を表わし、
Ｒ4 〜Ｒ9 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有しても
よいアラルキル基または置換基を有してもよいフェニル
基を表わし、Ａｒは置換基を有してもよい芳香族基また
は置換基を有してもよい複素環基を表わす。
Ｒ4 〜Ｒ9 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有しても
よいアラルキル基または置換基を有してもよいフェニル
基を表わし、Ａｒは置換基を有してもよい芳香族基また
は置換基を有してもよい複素環基を表わす。
【０００９】一般式（２）において、Ｒ4 〜Ｒ9 におけ
るアルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル等の基、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フ
ェネチル等の基が挙げられ、Ａｒにおける芳香族基及び
複素環基の具体例としてはベンゼン、ナフタレン、ビフ
ェニル、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン、
ピレン等の芳香族炭化水素、ベンゾフェノン、フルオレ
ノン、ベンゾアンスロン等の芳香族ケトン環、芳香族チ
オケトン環及びそれらのジシアノメチレン誘導体、フラ
ン、チオフェン、ピリジン、インド−ル、ベンゾチアゾ
−ル、カルバゾ−ル、アクリドン、ジベンゾチオフェ
ン、ベンゾオキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアゾ−
ル等の基が挙げられる。
るアルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピ
ル等の基、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フ
ェネチル等の基が挙げられ、Ａｒにおける芳香族基及び
複素環基の具体例としてはベンゼン、ナフタレン、ビフ
ェニル、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン、
ピレン等の芳香族炭化水素、ベンゾフェノン、フルオレ
ノン、ベンゾアンスロン等の芳香族ケトン環、芳香族チ
オケトン環及びそれらのジシアノメチレン誘導体、フラ
ン、チオフェン、ピリジン、インド−ル、ベンゾチアゾ
−ル、カルバゾ−ル、アクリドン、ジベンゾチオフェ
ン、ベンゾオキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、チアゾ−
ル等の基が挙げられる。
【００１０】また、上記基が有してもよい置換基として
はメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、アセチル、ベン
ゾイル等のアシル基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ
等のアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニト
ロ基、シアノ基、トリフルオロメチル等のハロメチル基
等が挙げられる。
はメチル、エチル、プロピル等のアルキル基、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、アセチル、ベン
ゾイル等のアシル基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ
等のアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニト
ロ基、シアノ基、トリフルオロメチル等のハロメチル基
等が挙げられる。
【００１１】表１〜１０に一般式（１）及び（２）で示
す化合物であるバルビツ−ル酸誘導体及びチオバルビツ
−ル酸誘導体の代表例を掲げるが、本発明に用いる材料
はこれらに限定されるものではない。
す化合物であるバルビツ−ル酸誘導体及びチオバルビツ
−ル酸誘導体の代表例を掲げるが、本発明に用いる材料
はこれらに限定されるものではない。
【００１２】表中の各化合物例の記載は、化合物例の全
体構造の記載を省略し、一般式（１）及び（２）で示す
化合物の各基本型を掲げ、各化合物例において、変化す
る部分のみの構造を示すことにより、各化合物例の構造
を示すこととする。なお、一般式（１）で示す化合物を
示す基本型１においては、一般式（１）で示す化合物に
おけるＲ2、Ｒ3を置換基として有してもよい基の部分
を、それぞれＡｒ1、Ａｒ2として表現している。
体構造の記載を省略し、一般式（１）及び（２）で示す
化合物の各基本型を掲げ、各化合物例において、変化す
る部分のみの構造を示すことにより、各化合物例の構造
を示すこととする。なお、一般式（１）で示す化合物を
示す基本型１においては、一般式（１）で示す化合物に
おけるＲ2、Ｒ3を置換基として有してもよい基の部分
を、それぞれＡｒ1、Ａｒ2として表現している。
【００１３】
【表１】
【表２】
【表３】
【００１４】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【表８】
【表９】
【表１０】
【００１５】合成例１（化合物例１の合成） １００ｍｌのナスフラスコに下記アルデヒド化合物２．
４ｇ
４ｇ
【化５】 チオバルビツ−ル酸２．９ｇ、エタノ−ル６０ｍｌを加
え、７０℃で６時間加熱撹拌を行った。得られた反応液
を５０℃まで冷却後ろ過し、エタノ−ル洗浄後乾燥させ
て、化合物例１の化合物を得た。収量４．２ｇ。
え、７０℃で６時間加熱撹拌を行った。得られた反応液
を５０℃まで冷却後ろ過し、エタノ−ル洗浄後乾燥させ
て、化合物例１の化合物を得た。収量４．２ｇ。
【００１６】合成例２（化合物例１５の合成） １００ｍｌのナスフラスコに下記アルデヒド化合物２．
３ｇ
３ｇ
【化６】 チオバルビツ−ル酸１．４ｇ、エタノ−ル６０ｍｌを加
え、７０℃で６時間加熱撹拌を行った。得られた反応液
を５０℃まで冷却後ろ過し、エタノ−ル洗浄後乾燥させ
て、化合物例１５の化合物を得た。収量３．２ｇ。
え、７０℃で６時間加熱撹拌を行った。得られた反応液
を５０℃まで冷却後ろ過し、エタノ−ル洗浄後乾燥させ
て、化合物例１５の化合物を得た。収量３．２ｇ。
【００１７】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
上に一般式（１）または（２）で示す化合物を含有する
感光層を有する。感光層の形態は公知のいかなる形態で
あってもよいが、一般式（１）または（２）で示す化合
物を含有する層を電荷発生層とし、これに電荷輸送物質
を含有する電荷輸送層を積層した機能分離型の感光層が
特に好ましい。
上に一般式（１）または（２）で示す化合物を含有する
感光層を有する。感光層の形態は公知のいかなる形態で
あってもよいが、一般式（１）または（２）で示す化合
物を含有する層を電荷発生層とし、これに電荷輸送物質
を含有する電荷輸送層を積層した機能分離型の感光層が
特に好ましい。
【００１８】電荷発生層は、一般式（１）または（２）
で示す化合物を適当な溶剤中でバインダ−樹脂と共に分
散した塗布液を、導電性支持体上に公知の方法によって
塗布することによって形成することができ、その膜厚は
５μｍ以下、好ましくは０．１〜１μｍの薄膜層とする
ことが望ましい。
で示す化合物を適当な溶剤中でバインダ−樹脂と共に分
散した塗布液を、導電性支持体上に公知の方法によって
塗布することによって形成することができ、その膜厚は
５μｍ以下、好ましくは０．１〜１μｍの薄膜層とする
ことが望ましい。
【００１９】この際に用いられるバインダ−樹脂は、広
範な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマ−から選択
されるが、置換または無置換のポリビニルブチラ−ル、
ポリビニルベンザ−ル、ポリアリレ−ト。ポリカ−ボネ
−ト、ポリエステル、フェノキシ樹脂、セルロ−ス樹
脂、アクリル樹脂、ポリウレタン等が好ましく、置換基
としてはフッ素、臭素等のハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、シア
ノ基等が好ましい。またバインダ−樹脂の使用量は電荷
発生層中の含有率で８０重量％以下、好ましくは４０重
量％以下である。
範な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマ−から選択
されるが、置換または無置換のポリビニルブチラ−ル、
ポリビニルベンザ−ル、ポリアリレ−ト。ポリカ−ボネ
−ト、ポリエステル、フェノキシ樹脂、セルロ−ス樹
脂、アクリル樹脂、ポリウレタン等が好ましく、置換基
としてはフッ素、臭素等のハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、シア
ノ基等が好ましい。またバインダ−樹脂の使用量は電荷
発生層中の含有率で８０重量％以下、好ましくは４０重
量％以下である。
【００２０】また使用する溶剤は前記の樹脂を溶解し、
後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものから選択
することが好ましい。具体的には、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン等のエ−テル類、シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド等のアミド類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル等のエステル類、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素化合物、メタノ−ル、エタノ
−ル、２−プロパノ−ル等のアルコ−ル類、クロロホル
ム、塩化メチレン等の脂肪族炭化水素化合物等が挙げら
れる。
後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものから選択
することが好ましい。具体的には、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン等のエ−テル類、シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド等のアミド類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル等のエステル類、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素化合物、メタノ−ル、エタノ
−ル、２−プロパノ−ル等のアルコ−ル類、クロロホル
ム、塩化メチレン等の脂肪族炭化水素化合物等が挙げら
れる。
【００２１】電荷輸送層は電荷発生層の上または下に積
層され、電界の存在下電荷発生層から電荷キャリアを受
け取り、これを輸送する機能を有している。電荷輸送層
は、電荷輸送物質を必要に応じて適当なバインダ−樹脂
と共に溶剤中に溶解し、塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は一般的には５〜４０μｍ、好ましくは１
５〜３０μｍが好ましい。
層され、電界の存在下電荷発生層から電荷キャリアを受
け取り、これを輸送する機能を有している。電荷輸送層
は、電荷輸送物質を必要に応じて適当なバインダ−樹脂
と共に溶剤中に溶解し、塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は一般的には５〜４０μｍ、好ましくは１
５〜３０μｍが好ましい。
【００２２】電荷輸送物質は電子輸送物質と正孔輸送物
質があり、電子輸送物質としては、例えば、例えば２，
４，７ートリニトロフルオレノン、２，４，５，７ーテ
トラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキ
ノジメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物
質を高分子化したものなどが挙げられ、正孔輸送性物質
としてはピレン、アントラセンなどの多環芳香族化合
物、カルバゾール、インド−ル、イミダゾ−ル、オキサ
ゾ−ル、チアゾ−ル、オキサジアゾ−ル、ピラゾ−ル、
ピラゾリン、チアジアゾ−ル、トリアゾ−ル系化合物な
どの複素環化合物、ｐージエチルアミノベンズアルデヒ
ドーＮ，Ｎージフェニルヒドラゾン、Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾ−
ルなどのヒドラゾン系化合物、α−フェニル−４’−
Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、５−［４−（ジ
−ｐ−トリルアミノ）ベンジリデン］−５Ｈ−ジベンゾ
［ａ，ｄ］シクロヘプテンなどのスチリル系化合物、ベ
ンジジン系化合物、トリアリ−ルメタン系化合物、トリ
フェニルアミンあるいは、これらの化合物から成る基を
主鎖または側鎖に有するポリマ−（例えばポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾ−ル、ポリビニルアントラセンなど）が挙
げられる。これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セ
レンーテルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウム
などの無機材料も用いることができる。また、これらの
電荷輸送物質は１種または２種以上組合せて用いること
ができる。
質があり、電子輸送物質としては、例えば、例えば２，
４，７ートリニトロフルオレノン、２，４，５，７ーテ
トラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキ
ノジメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物
質を高分子化したものなどが挙げられ、正孔輸送性物質
としてはピレン、アントラセンなどの多環芳香族化合
物、カルバゾール、インド−ル、イミダゾ−ル、オキサ
ゾ−ル、チアゾ−ル、オキサジアゾ−ル、ピラゾ−ル、
ピラゾリン、チアジアゾ−ル、トリアゾ−ル系化合物な
どの複素環化合物、ｐージエチルアミノベンズアルデヒ
ドーＮ，Ｎージフェニルヒドラゾン、Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾ−
ルなどのヒドラゾン系化合物、α−フェニル−４’−
Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、５−［４−（ジ
−ｐ−トリルアミノ）ベンジリデン］−５Ｈ−ジベンゾ
［ａ，ｄ］シクロヘプテンなどのスチリル系化合物、ベ
ンジジン系化合物、トリアリ−ルメタン系化合物、トリ
フェニルアミンあるいは、これらの化合物から成る基を
主鎖または側鎖に有するポリマ−（例えばポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾ−ル、ポリビニルアントラセンなど）が挙
げられる。これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セ
レンーテルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウム
などの無機材料も用いることができる。また、これらの
電荷輸送物質は１種または２種以上組合せて用いること
ができる。
【００２３】電荷輸送物質が成膜性を有していないとき
には適当なバインダーを用いることができ、具体的に
は、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリルース
チレンコポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリーＮービニル
カルバゾール、ポリビニルアントラセンなどの有機光導
電性ポリマーなどが挙げられる。
には適当なバインダーを用いることができ、具体的に
は、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリルース
チレンコポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミド、
塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリーＮービニル
カルバゾール、ポリビニルアントラセンなどの有機光導
電性ポリマーなどが挙げられる。
【００２４】感光層が形成される導電性支持体として
は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられ
る。またこうした金属あるいは合金を、真空蒸着法によ
って被膜形成したプラスチック（例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂など）や導電性粒子（例えばカ
ーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダー樹脂
と共にプラスチックまたは金属基板上に被覆した支持体
あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した支持
体などを用いることができる。
は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられ
る。またこうした金属あるいは合金を、真空蒸着法によ
って被膜形成したプラスチック（例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂など）や導電性粒子（例えばカ
ーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダー樹脂
と共にプラスチックまたは金属基板上に被覆した支持体
あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した支持
体などを用いることができる。
【００２５】導電性支持体と感光層の中間にバリヤー機
能と接着機能をもつ下引き層を設けることもできる。下
引き層の膜厚は５μｍ以下、好ましくは０．１〜３μｍ
が適当である。下引き層はカゼイン、ポリビニルアルコ
ール、ニトロセルロース、ポリアミド（ナイロン６、ナ
イロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコ
キシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、酸化アル
ミニウムなどによって形成することができる。
能と接着機能をもつ下引き層を設けることもできる。下
引き層の膜厚は５μｍ以下、好ましくは０．１〜３μｍ
が適当である。下引き層はカゼイン、ポリビニルアルコ
ール、ニトロセルロース、ポリアミド（ナイロン６、ナ
イロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコ
キシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、酸化アル
ミニウムなどによって形成することができる。
【００２６】本発明の別の具体例として、一般式（１）
または（２）で示す化合物と電荷輸送物質を同一層に含
有させた電子写真感光体を挙げることができる。この例
の電子写真感光体は、一般式（１）または（２）で示す
化合物と電荷輸送物質を適当な樹脂溶液中に分散させた
液を導電性支持体上に塗布乾燥して形成することができ
る。
または（２）で示す化合物と電荷輸送物質を同一層に含
有させた電子写真感光体を挙げることができる。この例
の電子写真感光体は、一般式（１）または（２）で示す
化合物と電荷輸送物質を適当な樹脂溶液中に分散させた
液を導電性支持体上に塗布乾燥して形成することができ
る。
【００２７】いずれの電子写真感光体においても、使用
される一般式（１）または（２）で示す化合物の結晶形
は非晶質であっても結晶質であってもよく、また必要に
応じて一般式（１）または（２）で示す化合物を２種類
以上組み合せたり、公知の電荷発生物質と組み合せて使
用することも可能である。
される一般式（１）または（２）で示す化合物の結晶形
は非晶質であっても結晶質であってもよく、また必要に
応じて一般式（１）または（２）で示す化合物を２種類
以上組み合せたり、公知の電荷発生物質と組み合せて使
用することも可能である。
【００２８】本発明の電子写真感光体は電子写真複写機
に利用するのみならず、レーザービ−ムプリンター、Ｃ
ＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版、ファクシミリなどの電子写真応用分野に
も広く用いることができる。
に利用するのみならず、レーザービ−ムプリンター、Ｃ
ＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版、ファクシミリなどの電子写真応用分野に
も広く用いることができる。
【００２９】また、本発明は前記本発明の電子写真感光
体、静電潜像形成手段、形成した静電潜像を現像する手
段及び現像した像を転写材に転写する手段を有すること
を特徴とする電子写真装置から構成される。
体、静電潜像形成手段、形成した静電潜像を現像する手
段及び現像した像を転写材に転写する手段を有すること
を特徴とする電子写真装置から構成される。
【００３０】図１に本発明のドラム型感光体を用いた一
般的な転写式電子写真装置の概略構成を示した。図にお
いて、１は像担持体としてのドラム型感光体であり軸１
ａを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。
該感光体１はその回転過程で帯電手段２によりその周面
に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光
部３にて不図示の像露光手段により光像露光Ｌ（スリッ
ト露光・レ−ザ−ビ−ム走査露光など）を受ける。これ
により感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次形
成されていく。その静電潜像は、次いで現像手段４でト
ナ−現像され、そのトナ−現像像が転写手段５により不
図示の給紙部から感光体１と転写手段５との間に感光体
１の回転と同期取りされて給送された転写材Ｐの面に順
次転写されていく。像転写を受けた転写材Ｐは感光体面
から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受け
て複写物（コピ−）として機外へプリントアウトされ
る。像転写後の感光体１の表面はクリ−ニング手段６に
て転写残りトナ−の除去を受けて清浄面化され、前露光
手段７により除電処理がされて繰り返して像形成に使用
される。感光体１の均一帯電手段２としてはコロナ帯電
装置が一般に広く使用されている。また、転写装置５も
コロナ転写手段が一般に広く使用されている。電子写真
装置として、上述の感光体や現像手段、クリ−ニング手
段などの構成要素のうち、複数のものを装置ユニットと
して一体に結合して構成し、このユニットを装置本体に
対して着脱自在に構成しても良い。例えば、感光体１と
クリ−ニング手段６とを一体化してひとつの装置ユニッ
トとし、装置本体のレ−ルなどの案内手段を用いて着脱
自在の構成にしてもよい。このとき、上記の装置ユニッ
トのほうに帯電手段および／または現像手段を伴って構
成してもよい。また、光像露光Ｌは、電子写真装置を複
写機やプリンタ−として使用する場合には、原稿からの
反射光や透過光を用いる、あるいは、原稿を読み取り信
号化に従って、この信号によりレ−ザ−ビ−ムの走査、
発光ダイオ−ドアレイの駆動、または液晶シャッタ−ア
レイの駆動などを行うことにより行われる。
般的な転写式電子写真装置の概略構成を示した。図にお
いて、１は像担持体としてのドラム型感光体であり軸１
ａを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。
該感光体１はその回転過程で帯電手段２によりその周面
に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光
部３にて不図示の像露光手段により光像露光Ｌ（スリッ
ト露光・レ−ザ−ビ−ム走査露光など）を受ける。これ
により感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次形
成されていく。その静電潜像は、次いで現像手段４でト
ナ−現像され、そのトナ−現像像が転写手段５により不
図示の給紙部から感光体１と転写手段５との間に感光体
１の回転と同期取りされて給送された転写材Ｐの面に順
次転写されていく。像転写を受けた転写材Ｐは感光体面
から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受け
て複写物（コピ−）として機外へプリントアウトされ
る。像転写後の感光体１の表面はクリ−ニング手段６に
て転写残りトナ−の除去を受けて清浄面化され、前露光
手段７により除電処理がされて繰り返して像形成に使用
される。感光体１の均一帯電手段２としてはコロナ帯電
装置が一般に広く使用されている。また、転写装置５も
コロナ転写手段が一般に広く使用されている。電子写真
装置として、上述の感光体や現像手段、クリ−ニング手
段などの構成要素のうち、複数のものを装置ユニットと
して一体に結合して構成し、このユニットを装置本体に
対して着脱自在に構成しても良い。例えば、感光体１と
クリ−ニング手段６とを一体化してひとつの装置ユニッ
トとし、装置本体のレ−ルなどの案内手段を用いて着脱
自在の構成にしてもよい。このとき、上記の装置ユニッ
トのほうに帯電手段および／または現像手段を伴って構
成してもよい。また、光像露光Ｌは、電子写真装置を複
写機やプリンタ−として使用する場合には、原稿からの
反射光や透過光を用いる、あるいは、原稿を読み取り信
号化に従って、この信号によりレ−ザ−ビ−ムの走査、
発光ダイオ−ドアレイの駆動、または液晶シャッタ−ア
レイの駆動などを行うことにより行われる。
【００３１】
実施例１〜６ アルミ基板上にメトキシメチル化ナイロン（平均分子量
３２０００）５ｇとアルコ−ル可溶性共重合ナイロン
（平均分子量２９０００）１０ｇをメタノ−ル９５ｇに
溶解した液をマイヤ−バ−で塗布し、乾燥後の膜厚が１
μｍの下引き層を形成した。
３２０００）５ｇとアルコ−ル可溶性共重合ナイロン
（平均分子量２９０００）１０ｇをメタノ−ル９５ｇに
溶解した液をマイヤ−バ−で塗布し、乾燥後の膜厚が１
μｍの下引き層を形成した。
【００３２】次に、前記の化合物例１の化合物５ｇをシ
クロヘキサノン９５ｇにブチラ−ル樹脂（ブチラ−ル化
度６３モル％）２ｇを溶かした液に加え、サンドミルで
２０時間分散した。この分散液を下引き層の上に乾燥後
の膜厚が０．２０μｍとなるようにマイヤ−バ−で塗布
し電荷発生層を形成した。
クロヘキサノン９５ｇにブチラ−ル樹脂（ブチラ−ル化
度６３モル％）２ｇを溶かした液に加え、サンドミルで
２０時間分散した。この分散液を下引き層の上に乾燥後
の膜厚が０．２０μｍとなるようにマイヤ−バ−で塗布
し電荷発生層を形成した。
【００３３】次いで、下記構造式を有するヒドラゾン化
合物５ｇ
合物５ｇ
【化７】 とポリメチルメタクリレ−ト（数平均分子量１００００
０）５ｇをモノクロルベンゼン４０ｇに溶解し、この液
を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるよう
にマイヤ−バ−で塗布し電荷輸送層を形成して、電子写
真感光体を作成した。これを感光体１とする。
０）５ｇをモノクロルベンゼン４０ｇに溶解し、この液
を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるよう
にマイヤ−バ−で塗布し電荷輸送層を形成して、電子写
真感光体を作成した。これを感光体１とする。
【００３４】化合物例１に代えて、化合物例２、４、
５、７、１０、１２及び１４の化合物を用いた他は、実
施例１と全く同様にして実施例２〜８に対応する電子写
真感光体を作成した。それぞれ感光体２〜８とする。
５、７、１０、１２及び１４の化合物を用いた他は、実
施例１と全く同様にして実施例２〜８に対応する電子写
真感光体を作成した。それぞれ感光体２〜８とする。
【００３５】実施例９〜１４ 実施例１において、化合物例１に代えて、化合物例１
５、１６、１７、２２、２５及び３５の化合物を用い
て、電荷発生層の膜厚を０．１５μｍとなるように形成
し、下記構造式を有するヒドラゾン化合物を用い、
５、１６、１７、２２、２５及び３５の化合物を用い
て、電荷発生層の膜厚を０．１５μｍとなるように形成
し、下記構造式を有するヒドラゾン化合物を用い、
【化８】 電荷輸送層の膜厚を１７μｍとなるように形成した他
は、実施例１と全く同様にして実施例９〜１４に対応す
る電子写真感光体を作成した。それぞれ感光体９〜１４
とする。
は、実施例１と全く同様にして実施例９〜１４に対応す
る電子写真感光体を作成した。それぞれ感光体９〜１４
とする。
【００３６】感光体１〜１４の電子写真感光体を川口電
機（株）製静電複写紙試験装置（ＳＰ−４２８）を用い
て−５ＫＶのコロナ放電で負に帯電し、１秒間暗所放置
した後ハロゲンランプを用いて照度１０ルックスの光で
露光し、帯電特性を評価した。帯電特性としては表面電
位Ｖ0 と暗所放置後の表面電位が１／２に減衰するのに
必要な露光量Ｅ1/2 を測定した。この結果を表１１に示
す。
機（株）製静電複写紙試験装置（ＳＰ−４２８）を用い
て−５ＫＶのコロナ放電で負に帯電し、１秒間暗所放置
した後ハロゲンランプを用いて照度１０ルックスの光で
露光し、帯電特性を評価した。帯電特性としては表面電
位Ｖ0 と暗所放置後の表面電位が１／２に減衰するのに
必要な露光量Ｅ1/2 を測定した。この結果を表１１に示
す。
【表１１】
【００３７】比較例１及び２ 実施例１で用いた化合物例１に代えて、下記構造式で示
す比較化合物Ａ及びＢの化合物を用いた他は、実施例１
と全く同様にして比較例１及び２に対応する電子写真感
光体を作成し、それぞれ、比較感光体１及び２とした。
これらの比較感光体を実施例１と同じ方法で帯電特性を
評価した。結果を表１２に示す。 比較化合物Ａ
す比較化合物Ａ及びＢの化合物を用いた他は、実施例１
と全く同様にして比較例１及び２に対応する電子写真感
光体を作成し、それぞれ、比較感光体１及び２とした。
これらの比較感光体を実施例１と同じ方法で帯電特性を
評価した。結果を表１２に示す。 比較化合物Ａ
【化９】 比較化合物Ｂ
【化１０】
【表１２】
【００３８】これらの結果から、本発明の電子写真感光
体はいずれも十分な帯電能と優れた感度を有しているこ
とが知られる。
体はいずれも十分な帯電能と優れた感度を有しているこ
とが知られる。
【００３９】実施例１５〜２６ 感光体１を−６．５ＫＶのコロナ帯電器、露光光学系、
現像器、転写帯電器、除電露光光学系及びクリ−ナ−を
備えた電子写真複写機のシリンダ−に貼り付けた。
現像器、転写帯電器、除電露光光学系及びクリ−ナ−を
備えた電子写真複写機のシリンダ−に貼り付けた。
【００４０】初期の暗部電位ＶD と明部電位ＶL をそれ
ぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、５千回繰り
返し使用した際の暗部電位の変動量△ＶD と明部電位の
変動量△ＶL を測定した。結果を表１３に示す。なお、
電位の変動量における負記号は、電位の絶対値の低下を
表わし、正記号は電位の絶対値の増加を表わす。
ぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、５千回繰り
返し使用した際の暗部電位の変動量△ＶD と明部電位の
変動量△ＶL を測定した。結果を表１３に示す。なお、
電位の変動量における負記号は、電位の絶対値の低下を
表わし、正記号は電位の絶対値の増加を表わす。
【００４１】感光体２、４、５、６、８、９、１０、１
１、１２、１３及び１４についても同様に評価を行っ
た。結果を表１３に示す。
１、１２、１３及び１４についても同様に評価を行っ
た。結果を表１３に示す。
【表１３】
【００４２】比較例３及び４ 比較感光体１及び２を実施例１５におけると同様の方法
で繰り返し使用時の電位変動量を測定した。結果を表１
４に示す。
で繰り返し使用時の電位変動量を測定した。結果を表１
４に示す。
【表１４】
【００４３】実施例１５〜２６及び比較例３、４の結果
から、本発明の電子写真感光体は、繰り返し使用時の電
位変動が少ないことが知られる。
から、本発明の電子写真感光体は、繰り返し使用時の電
位変動が少ないことが知られる。
【００４４】実施例２７ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレ−トフィルムのアル
ミ面上に０．５μｍの膜厚を有するポリビニルアルコ−
ルの下引き層を形成した。この上に実施例１におけると
同じ化合物例１の化合物の分散液をマイヤ−バ−で塗布
乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。次
いで、下記構造式を有するスチリル化合物５ｇ
ミ面上に０．５μｍの膜厚を有するポリビニルアルコ−
ルの下引き層を形成した。この上に実施例１におけると
同じ化合物例１の化合物の分散液をマイヤ−バ−で塗布
乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。次
いで、下記構造式を有するスチリル化合物５ｇ
【化１１】 とポリカ−ボネ−ト（重量平均分子量５５０００）５ｇ
をテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層
の上に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体を作成した。感光体１５とする。
をテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層
の上に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体を作成した。感光体１５とする。
【００４５】実施例２８ 電荷発生層用塗料として、実施例９における化合物例１
５の分散液を用いた他は、実施例２７と同様にして電子
写真感光体を作成した。感光体１６とする。
５の分散液を用いた他は、実施例２７と同様にして電子
写真感光体を作成した。感光体１６とする。
【００４６】感光体１５及び１６について、帯電特性と
耐久特性を実施例１及び実施例１５と同じ方法によって
測定した。結果を示す。 感光体１５ Ｖ0 ：−７４０Ｖ、Ｅ1/2 ：０．９０ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−１０Ｖ、△ＶL ：０Ｖ 感光体１６ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．２０ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−５Ｖ、△ＶL ：＋５Ｖ
耐久特性を実施例１及び実施例１５と同じ方法によって
測定した。結果を示す。 感光体１５ Ｖ0 ：−７４０Ｖ、Ｅ1/2 ：０．９０ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−１０Ｖ、△ＶL ：０Ｖ 感光体１６ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．２０ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−５Ｖ、△ＶL ：＋５Ｖ
【００４７】実施例２９ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレ−トフィルムのアル
ミ面上に０．５μｍの膜厚を有するポリビニルアルコ−
ルの下引き層を形成した。この上に実施例５におけると
同じ化合物例７の化合物の分散液をマイヤ−バ−で塗布
乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。次
いで、下記構造式を有する化合物５ｇ
ミ面上に０．５μｍの膜厚を有するポリビニルアルコ−
ルの下引き層を形成した。この上に実施例５におけると
同じ化合物例７の化合物の分散液をマイヤ−バ−で塗布
乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。次
いで、下記構造式を有する化合物５ｇ
【化１２】 とポリカ−ボネ−ト（重量平均分子量５５０００）５ｇ
をテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層
の上に塗布乾燥して、膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体を作成した。感光体１７とする。
をテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層
の上に塗布乾燥して、膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体を作成した。感光体１７とする。
【００４８】実施例３０ 電荷発生層用塗料として、実施例１３における化合物例
２５の分散液を用い、電荷発生層の膜厚を２５μｍとな
るように形成した他は、実施例２９と同様にして電子写
真感光体を作成した。感光体１８とする。
２５の分散液を用い、電荷発生層の膜厚を２５μｍとな
るように形成した他は、実施例２９と同様にして電子写
真感光体を作成した。感光体１８とする。
【００４９】感光体１７及び１８について、帯電特性と
耐久特性を実施例１及び実施例９と同じ方法によって測
定した。結果を示す。 感光体１７ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．１５ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−５Ｖ、△ＶL ：＋５Ｖ 感光体１８ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．１５ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−５Ｖ、△ＶL ：＋５Ｖ
耐久特性を実施例１及び実施例９と同じ方法によって測
定した。結果を示す。 感光体１７ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．１５ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−５Ｖ、△ＶL ：＋５Ｖ 感光体１８ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．１５ｌｕｘ・ｓｅｃ △ＶD ：−５Ｖ、△ＶL ：＋５Ｖ
【００５０】実施例３１ 実施例３で作成した電子写真感光体における電荷発生層
と電荷輸送層を逆の順番で塗布した他は、実施例３と同
様にして電子写真感光体を作成した。これを感光体１９
とする。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。た
だし帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋７００Ｖ、Ｅ1/2 ：１．５０ｌｕｘ・ｓｅｃ
と電荷輸送層を逆の順番で塗布した他は、実施例３と同
様にして電子写真感光体を作成した。これを感光体１９
とする。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。た
だし帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋７００Ｖ、Ｅ1/2 ：１．５０ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００５１】実施例３２ 実施例１０で作成した電子写真感光体における電荷発生
層と電荷輸送層を逆の順番で塗布した他は、実施例１０
と同様にして電子写真感光体を作成した。これを感光体
２０とする。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価し
た。ただし帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋７１０Ｖ、Ｅ1/2 ：２．０５ｌｕｘ・ｓｅｃ
層と電荷輸送層を逆の順番で塗布した他は、実施例１０
と同様にして電子写真感光体を作成した。これを感光体
２０とする。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価し
た。ただし帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋７１０Ｖ、Ｅ1/2 ：２．０５ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００５２】実施例３３ 実施例４におけると同様にして電荷発生層まで形成し、
その上に２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン５
ｇとポリ−４，４’−ジオキシジフェニル−２，２−プ
ロパンカ−ボネ−ト（分子量３０００００）５ｇをテト
ラヒドロフラン５０ｇに溶解した液をマイヤ−バ−で塗
布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成して電子
写真感光体を作成した。これを感光体２１とする。実施
例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし帯電は正
帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋６９０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．７０ｌｕｘ・ｓｅｃ
その上に２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン５
ｇとポリ−４，４’−ジオキシジフェニル−２，２−プ
ロパンカ−ボネ−ト（分子量３０００００）５ｇをテト
ラヒドロフラン５０ｇに溶解した液をマイヤ−バ−で塗
布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成して電子
写真感光体を作成した。これを感光体２１とする。実施
例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし帯電は正
帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋６９０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．７０ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００５３】実施例３４ 実施例１２におけると同様にして電荷発生層まで形成
し、その上に２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン５ｇとポリ−４，４’−ジオキシジフェニル−２，２
−プロパンカ−ボネ−ト（分子量３０００００）５ｇを
テトラヒドロフラン５０ｇに溶解した液をマイヤ−バ−
で塗布乾燥して、膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成して
電子写真感光体を作成した。これを感光体２２とする。
実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし帯電
は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋６８０Ｖ、Ｅ1/2 ：３．１５ｌｕｘ・ｓｅｃ
し、その上に２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン５ｇとポリ−４，４’−ジオキシジフェニル−２，２
−プロパンカ−ボネ−ト（分子量３０００００）５ｇを
テトラヒドロフラン５０ｇに溶解した液をマイヤ−バ−
で塗布乾燥して、膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成して
電子写真感光体を作成した。これを感光体２２とする。
実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし帯電
は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋６８０Ｖ、Ｅ1/2 ：３．１５ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００５４】実施例３５ 化合物例９の化合物０．５ｇをシクロヘキサノン９．５
ｇとペイントシェイカ−で５時間分散した。ここへ実施
例１で用いた電荷輸送物質５ｇとポリカ−ボネ−ト５ｇ
をテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を加え、更に
１時間振とうした。調製した塗布液をアルミ基板上にマ
イヤ−バ−で塗布乾燥して膜厚１９μｍの感光層を形成
して電子写真感光体を作成した。これを感光体２３とす
る。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし
帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．７５ｌｕｘ・ｓｅｃ
ｇとペイントシェイカ−で５時間分散した。ここへ実施
例１で用いた電荷輸送物質５ｇとポリカ−ボネ−ト５ｇ
をテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を加え、更に
１時間振とうした。調製した塗布液をアルミ基板上にマ
イヤ−バ−で塗布乾燥して膜厚１９μｍの感光層を形成
して電子写真感光体を作成した。これを感光体２３とす
る。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし
帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋７２０Ｖ、Ｅ1/2 ：１．７５ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００５５】実施例３６ 化合物例３２の化合物０．５ｇをシクロヘキサノン９．
５ｇとペイントシェイカ−で５時間分散した。ここへ実
施例１で用いた電荷輸送物質５ｇとポリカ−ボネ−ト５
ｇをテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を加え、更
に１時間振とうした。調製した塗布液をアルミ基板上に
マイヤ−バ−で塗布乾燥して膜厚１９μｍの感光層を形
成して電子写真感光体を作成した。これを感光体２４と
する。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただ
し帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋６９５Ｖ、Ｅ1/2 ：３．２７ｌｕｘ・ｓｅｃ
５ｇとペイントシェイカ−で５時間分散した。ここへ実
施例１で用いた電荷輸送物質５ｇとポリカ−ボネ−ト５
ｇをテトラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を加え、更
に１時間振とうした。調製した塗布液をアルミ基板上に
マイヤ−バ−で塗布乾燥して膜厚１９μｍの感光層を形
成して電子写真感光体を作成した。これを感光体２４と
する。実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただ
し帯電は正帯電とした。結果を示す。 Ｖ0 ：＋６９５Ｖ、Ｅ1/2 ：３．２７ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００５６】実施例３７〜３９ 実施例１、３及び７で作成した電子写真感光体に白色蛍
光灯を用いて１５００ルックスの光を５分間照射し、照
射５分後の暗部電位と光を照射前の暗部電位との差△Ｖ
PMを測定して、フォトメモリ−の評価を行った。結果を
表１５に示す。
光灯を用いて１５００ルックスの光を５分間照射し、照
射５分後の暗部電位と光を照射前の暗部電位との差△Ｖ
PMを測定して、フォトメモリ−の評価を行った。結果を
表１５に示す。
【００５７】比較例５及び６ 比較例１及び２で作成した電子写真感光体を用いた他
は、実施例３７と同様の評価を行った。結果を表１５に
示す。
は、実施例３７と同様の評価を行った。結果を表１５に
示す。
【表１５】
【００５８】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、高感度特
性、フォトメモリ−が小さく、繰り返し使用時の安定し
た電位特性に優れる高耐久な特性が得られるという顕著
な効果を奏する。この効果は該電子写真感光体を電子写
真装置に適用した場合も同様である。
性、フォトメモリ−が小さく、繰り返し使用時の安定し
た電位特性に優れる高耐久な特性が得られるという顕著
な効果を奏する。この効果は該電子写真感光体を電子写
真装置に適用した場合も同様である。
【図１】一般的な転写式電子写真装置の概略構成図であ
る。
る。
１ 像担持体としてのドラム型感光体（本発明の電子
写真感光体） １ａ 軸 ２ コロナ帯電装置 ３ 露光部 ４ 現像手段 ５ 転写手段 ６ クリ−ニング手段 ７ 前露光手段 ８ 像定着手段 Ｌ 光像露光 Ｐ 像転写を受けた転写材
写真感光体） １ａ 軸 ２ コロナ帯電装置 ３ 露光部 ４ 現像手段 ５ 転写手段 ６ クリ−ニング手段 ７ 前露光手段 ８ 像定着手段 Ｌ 光像露光 Ｐ 像転写を受けた転写材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−12661（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−12660（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−196047（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 5/00 C07D 239/60 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が下記一般式（１）で示す化
合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式（１） 【化１】 式中、Ｘ1及びＹ1は酸素原子または硫黄原子を表わし、
Ｒ1 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基また
は置換基を有してもよいアシル基を表わし、Ｒ2及びＲ3
は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基
を表わす。 - 【請求項２】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が下記一般式（２）で示す化
合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式（２） 【化２】 式中、Ｘ2及びＹ2は酸素原子または硫黄原子を表わし、
Ｒ4 〜Ｒ9 は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有しても
よいアラルキル基または置換基を有してもよいフェニル
基を表わし、Ａｒは置換基を有してもよい芳香族基また
は置換基を有してもよい複素環基を表わす。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子写真感光体、静電潜
像形成手段、形成した静電潜像を現像する手段及び現像
した像を転写材に転写する手段を有することを特徴とす
る電子写真装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の電子写真感光体、静電潜
像形成手段、形成した静電潜像を現像する手段及び現像
した像を転写材に転写する手段を有することを特徴とす
る電子写真装置。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28617893A JP3145846B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28617893A JP3145846B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120947A JPH07120947A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3145846B2 true JP3145846B2 (ja) | 2001-03-12 |
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ID=17700961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28617893A Expired - Fee Related JP3145846B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145846B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689491B1 (en) * | 1999-02-08 | 2004-02-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Luminescent device material, luminescent device using the same, and amine compound |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP28617893A patent/JP3145846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07120947A (ja) | 1995-05-12 |
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