JP3141355B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP3141355B2
JP3141355B2 JP03138897A JP13889791A JP3141355B2 JP 3141355 B2 JP3141355 B2 JP 3141355B2 JP 03138897 A JP03138897 A JP 03138897A JP 13889791 A JP13889791 A JP 13889791A JP 3141355 B2 JP3141355 B2 JP 3141355B2
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、パッケージに搭載す
る半導体チップ、特に固体撮像素子チップの電極の接続
構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在では、半導体チップ、特に固体撮像
素子チップを搭載するパッケージの外部リードは、固体
撮像素子チップの電極の数と同数設けられ、このような
パッケージに固体撮像素子チップを搭載し、そのチップ
の各電極とそのパッケージの各外部リードを接続するよ
うにしている。そのような固体撮像装置を実装基板上に
実装した時、その固体撮像素子チップの或る接地電極
は、その実装基板上で、他の接地電極と短絡して共通化
を図っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子機器、特
にビデオカメラが超小型化されるにしたがって、機械部
品と共に電子部品の小型化が要請されており、そして超
高密度化実装に適合できる電子部品の開発が要請されて
いる。所が前記固体撮像装置のような半導体装置では、
半導体チップの電極の数だけ外部リードが設けられてい
るので、半導体装置そのものを小型化できないばかり
か、実装基板上でも比較的広い実装面積を必要とし、電
子機器の超小型化を難しくしているという問題が生じて
いる。そこでこの発明は、この課題を解決しようとする
ものである。
【0004】
【課題を解決する手段】それ故、この発明では、複数の
電極を備えたチップを、複数の外部及び内部リードを備
えた積層パッケージに搭載するにあたり、その半導体チ
ップの複数の電極の内、接地電極、電極のような同一機
能の電極どうしを、その同一機能の電極と対応する内部
リードどうしを接続する共通の内部リードを形成した基
板を普通の内部リードを形成した基板とは別に設けるこ
とによりまとめるようにして、前記問題点を解決した。
【0005】
【作用】従って、この発明の半導体装置の外部リード数
を、半導体チップの電極数より削減できるようになっ
た。
【0006】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面と共に詳述す
る。図1はこの発明の実施例である半導体装置の平面図
であり、図2は図1のX−Z線上における一部断面側面
図であり、図3は図1のY−Z線上における断面図であ
り、図4はこの発明の半導体装置に用いられる実施例で
ある積層パッケージの分解斜視図であり、そして図5は
図4の積層パッケージの内部リードの接続を説明するた
めの断面図である。
【0007】先ず、図1乃至図3を用いてこの発明の半
導体装置を説明する。なお、半導体チップとして、実施
例では固体撮像素子チップを例に挙げ、説明する。これ
らの図において、この発明の半導体装置は、大きく分け
て固体撮像素子チップ10、積層パッケージ20及び透
明リッド40からなる。固体撮像素子チップ10には、
その表面両側端部の各々に複数の電極パッド11及び1
2が整列して形成されている。この実施例では、説明の
便宜上、各々10個の電極パッドが形成された固体撮像
素子チップ10を示している。これらの電極パッド1
1、12の内、電極パッド11a、11b及び12a、
12bを接地電極パッドとする。積層パッケージ20
は、積層された、セラミック材の4種類の基板21、2
2、23及び24と、前記20個の電極パッド11に対
応した内部リード31及び32と、後述するが、この発
明の特徴である片側9個の外部リード41及び42から
構成されている。これらの内部リード31及び32と外
部リード41及び42とは積層パッケージ20の側面で
接続されている。また、前記各電極パッド11と内部リ
ード31及び32とは導電ワイヤ43で接続されてい
る。
【0008】次に、図4を用いて積層パッケージ20の
構造及び構成を詳述する。この実施例の中空の積層パッ
ケージ20は4種類4枚の基板21、22、23及び2
4で構成したものを図示している。いずれの基板も外形
寸法は同一である。先ず、第1層目の基板21は平板か
らなり、その表面には、図1の接地電極パッド11a及
び11bを接続する内部メタライズ配線13と、図1の
接地電極パッド12a及び12bを接続する内部メタラ
イズ配線14とが形成されている。これらの内部メタラ
イズ配線13、14の一端は平板21の側面で終端して
いて、一本の外部リード41及び42と接続される。次
の第2層目の基板22は、その厚さが固体撮像素子チッ
プ10の厚みとほぼ同等かそれよりも厚く、中央部分に
は固体撮像素子チップ10が十分に挿入できる、長さL
a、幅Lbの長方形の孔25が開けられている。そして
その各長辺の表面には、固体撮像素子チップ10に形成
された前記接地電極パッド11a、11b、12a及び
12bを含む20個の電極パッド11及び12が接続さ
れる、合わせて20本の内部リード31及び32が内部
メタライズ配線されている。そして接地電極パッド11
a、11b、12a及び12bがそれぞれ接続される接
地電極用内部リード31a、31b、32a及び32b
を除く他の内部リード31及び32の一端は基板22の
長辺の側面で終端していて、外部リード41及び42と
接続される。また接地電極用内部リード31a、31
b、32a及び32bの端部には、それぞれのリードを
他の層、即ち、基板21に形成した内部リード31及び
32に接続するための孔33a、33b、34a及び3
4bが開けられている。これらの接地電極用内部リード
31a、31b及び32a、32bは、基板21の内部
メタライズ配線13及び14に、前記孔33a、33b
及び34a、34bを、例えば、銀粒子入りペーストで
満たし、これを加熱溶融することにより、電気的に接続
される。次の第3層目の基板23は、導電ワイヤ43が
保護される空間が保てる厚さで、その中央部に、基板2
2の長辺の長さと同一寸法の長さLaとその短辺の長さ
Lbより長い長さLcの面積の、そして同一の位置関係
で孔26が形成されている。このような孔26を形成す
ることにより、この基板23の両長辺部から、基板22
の両長辺に形成した内部リード31及び32を露出させ
ることができ、これらの内部リード31及び32に導電
ワイヤ43を接続できるようになる。更に次の第4層目
の基板24にも、その中央部に、孔25、26と相似形
の孔27が形成されているが、その長辺Ld及び短辺L
eはそれぞれ基板23の孔26の長辺La及び短辺Lc
よりも長く、即ち、孔27は孔26よりも一周り大きく
形成されていて、積層パッケージ20を上方から見た場
合に、第3層目の基板23とこの第4層目の基板24と
で四辺に段部28(図1、2、3)が形成されるように
構成される。この段部28は透明リッド40を受け、そ
の透明リッド40と固体撮像素子チップ10の表面との
間に導電ワイヤ43をクリヤできる空間を形成する役割
をしている。
【0009】以上説明したような形状の4枚の基板2
1、22、23及び24を接着し、積層すると、中央部
に凹部29(図2、3)が形成され、その底面(基板2
1の上面)に固体撮像素子チップ10を搭載することが
できる。基板22に形成された接地電極用内部リード3
1a、31b、32a及び32bは、前記のように、孔
33a、33b、34a及び34bに導電材を介して、
図5に示したように、基板21に形成された内部メタラ
イズ配線13及び14に接続される。そして、これらの
内部メタライズ配線13、14の終端、及び内部リード
31及び32の各終端に外部リード41及び42を接続
する。
【0010】このような構成の積層パッケージ20の底
面に導電性エポキシ樹脂で、前述のように、固体撮像素
子チップ10を搭載し、各10個の電極パッド11及び
12をそれぞれ内部リード31及び32に導電ワイヤ4
3で接続すると、これらの内部リード31及び32に接
続された各外部リード41及び42の本数は、前述した
内部メタライズ配線13及び14の存在により、前記内
部リード31及び32の本数より1本少ない各9本で構
成することができる。
【0011】前記説明では、各基板21乃至24は単板
で構成されているように図示し、説明してきたが、これ
らの各基板は単一厚さの薄板を数枚重ねて構成し、所望
の厚さにしてもよい。また、基板23と基板24とは一
体に形成してもよい。更にまた、前記実施例では、接地
電極パッドを共通化した例について説明したが、電源電
極パッドを共通化してもよく、或いは両者を共に共通化
してもよく、更にはこれらの内部リードを異なる層の基
板に形成し、スルーホールで内部メタライズ配線に接
続、共通化することもでき、一層外部リードを削減する
ことができる。
【0012】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体装置の外部リード数を、半導体チップの電極数より削
減することができ、従って、パッケージの小型化及び軽
量化が計れるので実装基板も縮小することができ、最終
製品である電子機器の小型化、軽量化が可能になる。ま
た、パッケージ内部及び実装基板の配線の簡略化ができ
るので、外部からのノイズを受けにくくなる。更にま
た、高速化デバイスに対しては、配線の短線化によりリ
ンギングノイズ等のインダクタンス成分のノイズを減少
することもできるなど、数々の優れた効果がえられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例である半導体装置の平面図で
ある。
【図2】図1のX−Z線上における一部断面側面図であ
る。
【図3】図1のY−Z線上における断面図である。
【図4】この発明の半導体装置に用いられる実施例であ
る積層パッケージの分解斜視図である。
【図5】図4の積層パッケージの内部リードの接続を説
明するための断面図である。
【符号の説明】
10 固体撮像素子チップ 11 電極パッド 11a 接地電極パッド 11b 接地電極パッド 12 電極パッド 12a 接地電極パッド 12b 接地電極パッド 13 内部メタライズ配線 14 内部メタライズ配線 20 積層パッケージ 21 基板 22 基板 23 基板 24 基板 25 孔 26 孔 27 孔 28 段部 29 凹部 31 内部リード 31a 接地電極用内部リード 31b 接地電極用内部リード 32 内部リード 32a 接地電極用内部リード 32b 接地電極用内部リード 33a 孔 33b 孔 34a 孔 34b 孔 40 透明リッド 41 外部リード 42 内部リード 43 導電ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八嶋 淳二 東京都品川区北品川6丁目7番35号ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−60061(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の電極を備えた半導体チップを、複数
    の外部及び内部リードを備えた積層パッケージに搭載
    た半導体装置において、 上記積層パッケージは、上記半導体チップの各電極と直
    接接続される内部リードを備えた少なくとも一層の基板
    と、上記半導体チップの各電極の内、接地電極、電源電
    極のような同一機能の電極と対応する前記内部リード同
    士を互いに接続してまとめる共通の内部リードを備えた
    少なくとも一層の基板とが積層されてなり、 上記接地電極、電源電極のような同一機能の電極が前記
    共通の内部リードを介して外部リードに接続されるよう
    にして 前記半導体チップの電極数よりも前記積層パッケ
    ージの外部リード数の方を少なくなるように構成したこ
    とを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】前記半導体チップが固体撮像素子チップで
    あり、 そして、前記積層パッケージは、該固体撮像素子チップ
    の接地電極及び又は電源電極をまとめて接続できる内部
    リードを備えた、少なくとも一層の基板と、前記固体撮
    像素子チップの他の電極を接続できる内部リードと前記
    固体撮像素子チップを挿入し得る空間が設けられた、前
    記基板とは異なる少なくとも一層の基板と、更に前記固
    体撮像素子チップの表面を覆う透明リッドを嵌め込める
    少なくとも一層の基板とからなることを特徴とする請求
    項1記載の半導体装置。
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