JP3134092B2 - 酸化ジルコニウム系焼結体およびその製造方法 - Google Patents
酸化ジルコニウム系焼結体およびその製造方法Info
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な結晶粒で構成され、機械的特性と加工性を両立させた
新規な酸化ジルコニウム系焼結体に関するものであり、
更に詳しくは、本発明は、中低温域で優れた特性を有す
る微細粒径を持つ酸化ジルコニウム系セラミックス焼結
体およびその製造方法に関する。
性、耐磨耗性に優れているため、各種の用途に使用され
ている。しかし、セラミックスは、脆いことや加工性に
劣るためにその使用が限定されている。このような問題
を解決するために、従来、セラミックスの強度や加工性
等の向上を図る試みが種々行われている。たとえば、特
開昭61−59267においては、Al2 O3 セラミッ
クス材料の中に第2相を分散させその強度・靭性を向上
させている。しかし、セラミックス材料の中に第2相を
分散させた場合、室温特性は向上するものの加工性が減
少しており、実材料として用いられるためには更なる加
工性の向上が望まれる。また、加工性能に関しては、特
開平1−242461には、Al2 O3 セラミックスに
おいて塑性加工が可能であるセラミックスについて開示
されており、更に、特公平7−26747には、ZrO
2 セラミックスにおいて塑性加工したセラミックスピス
トンリングが開示されている。しかし、いずれの場合
も、その変形温度は1200℃以上であり、安価に実用
化することは非常に困難であった。更に、変形温度を低
下させるために、粒界にガラス相を添加することによっ
て変形温度を低下させる手法が報告されている。しか
し、該方法は、高温のみならず、室温の材料機械的特性
を減じるために好ましくない。
で、本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、中低温域で
優れた特性を有し、かつ加工性能が向上化した新しい酸
化ジルコニウム系セラミックス焼結体を製造することを
目標として鋭意研究を積み重ねた結果、原料粉末にゾル
ーゲル法および/または共沈法で作製された粉末を用
い、該粉末を100℃/min以上の昇温速度で焼結す
ることにより所期の目的を達成し得ることを見出し、本
発明を完成するに至った。本発明は、上記のような実用
化への課題を解決するものであって、均一で非常に微細
な結晶粒で構成され、強度などの機械的特性と加工性を
両立させた酸化物系焼結体およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
に、本発明では、以下の技術的手段が採用される。 (1)原料粉末にゾル−ゲル法および/または共沈法で
作製された20nm以下の結晶粒から構成される酸化ジ
ルコニウム、または酸化ジルコニウム−アルミナ結晶粉
末またはアモルファス粉末を用い、該粉末を100℃/
min以上の昇温速度で焼結することにより得られる、
1200℃以下の低温で変形可能な酸化ジルコニウム系
焼結体であって、焼結体の全ての結晶粒径が100nm
以下であり、相対密度が95%以上であり、高温安定相
である正方晶を常温において含むことを特徴とする酸化
ジルコニウム系焼結体。 (2)焼結体の全ての結晶粒径が50nm以下であり、
相対密度が95%以上であり、高温安定相である正方晶
を常温において含むことを特徴とする前記(1)記載の
酸化ジルコニウム系焼結体。 (3)焼結体の全ての結晶粒径が100nm以下であ
り、0.1vol%〜30vol%の分散相が含まれる
ことを特徴とする上記(1)または(2)記載の酸化ジ
ルコニウム系焼結体。 (4)分散相がAl2 O3 であることを特徴とする上記
(3)記載の酸化ジルコニウム系焼結体。 (5)1200℃以下の温度で塑性加工が可能であるこ
とを特徴とする上記(1)または(2)記載の酸化ジル
コニウム系焼結体。 (6)上記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の酸化
ジルコニウム系焼結体の製造方法であって、原料粉末に
ゾル−ゲル法および/または共沈法で作製された20n
m以下の結晶粒から構成される酸化ジルコニウム、また
は酸化ジルコニウム−アルミナの結晶粉末またはアモル
ファス粉末を用い、該粉末を100℃/min以上の昇
温速度で焼結することを特徴とする酸化ジルコニウム系
焼結体の製造方法。
ある正方晶を常温において含み、粒径は100nm以
下、好ましくは50nm以下の結晶粒で構成されてい
る。このように均一かつ微細な組織が達成されることに
より、焼結体に劇的な加工特性の変化がもたらされる。
本発明の範囲内に粒径を制御し、かつ密度を95%以上
としたときにはその酸化物系材料において従来にない低
温での変形が可能になる。
ついて説明すると、本発明の焼結体は、1200℃以下
での低温で変形させることができる。本発明の上記粒径
より大きくしたときは、この温度域では変形加工の速度
が極めて遅くなったり、加工中に破壊することがある。
また、密度が95%以下の場合は変形中にポアーが成長
し、同じく機械的特性を減ずる。
変形すると、表面成分の拡散・揮発により表面の面粗度
が低下するか、変形冶具と反応し、機械的特性が減じる
ことがあったが、本発明の焼結体は、低温域で加工可能
であることから、本発明によって、機械的特性を損なわ
ない材料を得ることができる。また、この温度域で変形
させることにより、従来冶具として用いていた高価なセ
ラミックス製の冶具を用いる必要がなく、セラミックス
部品のコストを大幅に減少させることが可能となる。
は0.1vol%〜30vol%の第2相を添加分散さ
せることが有効である。その際の添加物としては、機械
的特性に優れたAl2 O3 が挙げられる。この添加範囲
内では均一微細な酸化アルミニウムを固溶した酸化ジル
コニウム系焼結体を作製することが可能であり、その特
性を改善することができる。また、各々の材料において
分散相が30vol%以上になると第2相成分がパーコ
レーションを起こしたり、高密度を達成するのが困難に
なるために好ましくない。
m以下(好ましくは10nm以下)の結晶粒から構成さ
れる結晶粉末またはアモルファス粉末を使用する。該原
料粉末としては、Zr、Y、Alのアルコキシド粉末や
塩化物が使用される。また、粒径や使用目的に応じて0
〜4mol%の酸化イットリウムを適宜加える。このよ
うな微細な粉末としてはゾル/ゲル法、共沈法から作製
される粉末が望ましい。これらの粉末では、凝集の少な
い数nmの粉末を得ることが可能であり、かつ不純物の
混入が少ない。また、これらの得られた粉末はその凝集
やC等の不純物の混在、成形のしやすさなどを考慮し、
適宜、大気炉やボールミル等により仮焼や解砕・混合を
行う。
とも50℃/min以上の昇温速度で行うことが望まし
い。上記昇温速度で行うことにより、焼結体の緻密化が
促進され、かつ粒成長を抑制することができる。本材料
の焼結方法としては、例えば、HIP、放電プラズマ等
が例示され、いずれを用いてもよいが、HIPにおいて
はその製造工程が複雑なことや装置において昇温速度が
あげられないこともあり、より好ましくは放電プラズマ
焼結(SPS)を用いる。この焼結法を用いることによ
り、粒子表面にある水酸基を除去することができ、粒子
が活性化されると共に放電により粒子間に電界拡散が発
生し、低温で焼結を進行させることができるため、簡便
な手法で焼結体が得られる。
明するが、本発明は該実施例により何ら限定されるもの
ではない。 実施例1 Zr(iso−OPr)4 に、3mol%のY(iso
−OPr)3 、および表1に示すAl2 O3 のvol%
になるようにAl(iso−OPr)3 のアルコキシド
粉末を加えた。これらをイソプロパノール中で溶解させ
沸煮させた後、アンモニア水を滴下させ、加水分解を行
い、アモルファス粉末を得た。これらを所定の温度で仮
焼した後、ボールミルにて粉砕し、表1に示す条件で放
電プラズマ焼結機において30MPa、またはHIPに
おいて加圧力100MPaの条件で焼結した。また、得
られた焼結体は1000℃、10minで熱エッチング
を施し、FE−SEM観察により粒径測定を行った。比
較例(表1中、※を付したNo.のもの)として、分散
相の添加量、焼結温度および昇温速度を表1に示す条件
にした以外は、上記実施例と同様に処理して焼結体を製
造し、同様の測定を行った。上記焼結体の密度、粒径を
表1に示す。
いて毎分100℃以上で昇温することによって、密度9
5%以上、粒径100nm以下が達成されていることが
わかる。なおHIPにおいては、装置構造から毎分10
0℃という高い昇温速度の実現は困難であることに加
え、SPS焼結の方が高密度で粒径が細かいことがわか
る。また、Al2 O3 の添加量を増加させた場合、その
密度が低下することが示される。次に、焼結した材料か
らφ10×1mmの円盤を切り出し、外部リング6m
m、内部リング1mmの条件でASTM F−394−
78 のリング オン リングの試験法で強度測定を行
った。また、10×5×5mmの試験片に加工した後、
所定の温度にて圧縮試験を行った。その結果を表2に示
す。
形時でも良好な形態を保った。
に表3に示すAl2 O3 のvol%になるようにAlC
l3 を加えたHCl水溶液の中に溶解させNH4 OH中
に滴下した。水洗した後に900−1100℃の温度で
仮焼し、粉末を得、実施例1と同様な処理を行った。焼
結した材料は、実施例1同様に強度試験と初期歪み速度
1×10-4s-1で圧縮試験を行った。その結果を表4に
示す。
良好な形態を保った。
の全ての結晶粒径100nm以下であり、相対密度が9
5%以上であることを特徴とする常温で正方晶を含む酸
化ジルコニウム系焼結体に係るものであり、本発明によ
れば、均一で非常に微細な結晶粒で構成され、機械的特
性と加工性を両立させた酸化ジルコニウム系焼結体およ
びその製造方法を提供できる、また、酸化ジルコニウム
系焼結体の変形温度を低下させることができる、更に、
中低温で優れた特性を有する酸化ジルコニウム系セラミ
ックス焼結体を作製することができる、等の効果が得ら
れる。
Claims (6)
- 【請求項1】 原料粉末にゾル−ゲル法および/または
共沈法で作製された20nm以下の結晶粒から構成され
る酸化ジルコニウム、または酸化ジルコニウム−アルミ
ナ結晶粉末またはアモルファス粉末を用い、該粉末を1
00℃/min以上の昇温速度で焼結することにより得
られる、1200℃以下の低温で変形可能な酸化ジルコ
ニウム系焼結体であって、焼結体の全ての結晶粒径が1
00nm以下であり、相対密度が95%以上であり、高
温安定相である正方晶を常温において含むことを特徴と
する酸化ジルコニウム系焼結体。 - 【請求項2】 焼結体の全ての結晶粒径が50nm以下
であり、相対密度が95%以上であり、高温安定相であ
る正方晶を常温において含むことを特徴とする請求項1
記載の酸化ジルコニウム系焼結体。 - 【請求項3】 焼結体の全ての結晶粒径が100nm以
下であり、0.1vol%〜30vol%の分散相が含
まれることを特徴とする請求項1または2記載の酸化ジ
ルコニウム系焼結体。 - 【請求項4】 分散相がAl2 O3 であることを特徴と
する請求項3記載の酸化ジルコニウム系焼結体。 - 【請求項5】 1200℃以下の温度で塑性加工が可能
であることを特徴とする請求項1または2記載の酸化ジ
ルコニウム系焼結体。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の酸
化ジルコニウム系焼結体の製造方法であって、原料粉末
にゾル−ゲル法および/または共沈法で作製された20
nm以下の結晶粒から構成される酸化ジルコニウム、ま
たは酸化ジルコニウム−アルミナ結晶粉末またはアモル
ファス粉末を用い、該粉末を100℃/min以上の昇
温速度で焼結することを特徴とする酸化ジルコニウム系
焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP09325266A JP3134092B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 酸化ジルコニウム系焼結体およびその製造方法 |
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JP09325266A JP3134092B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 酸化ジルコニウム系焼結体およびその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH11147762A JPH11147762A (ja) | 1999-06-02 |
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JP09325266A Expired - Lifetime JP3134092B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 酸化ジルコニウム系焼結体およびその製造方法 |
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-
1997
- 1997-11-11 JP JP09325266A patent/JP3134092B2/ja not_active Expired - Lifetime
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