JP3132404B2 - 粒状半導体封止材料の製造方法 - Google Patents
粒状半導体封止材料の製造方法Info
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスファー成
形により半導体素子等を封止する封止材料の製造方法に
関するものである。
形により半導体素子等を封止する封止材料の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の封止方法として、エポキ
シ樹脂等の封止材料を用いてトランスファー成形により
封止する方法が汎用されている。このトランスファー成
形に用いる封止材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化
性樹脂、硬化剤及び無機充填材等を配合した後、ロール
又は押し出し機等で加熱しながら混練し、その混練物を
シート状に伸ばして冷却した後粉砕したり、混練物を線
状に押し出して冷却しながら切断して封止材料の粉砕物
を形成し、その粉砕物を所定の重量又は体積計量した
後、円柱状の穴があいた金型に挿入し、加圧することに
よって内部の空気を抜きながら円柱状に成形して製造す
るタブレット状の封止材料を用いることが一般に行われ
ている。
シ樹脂等の封止材料を用いてトランスファー成形により
封止する方法が汎用されている。このトランスファー成
形に用いる封止材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化
性樹脂、硬化剤及び無機充填材等を配合した後、ロール
又は押し出し機等で加熱しながら混練し、その混練物を
シート状に伸ばして冷却した後粉砕したり、混練物を線
状に押し出して冷却しながら切断して封止材料の粉砕物
を形成し、その粉砕物を所定の重量又は体積計量した
後、円柱状の穴があいた金型に挿入し、加圧することに
よって内部の空気を抜きながら円柱状に成形して製造す
るタブレット状の封止材料を用いることが一般に行われ
ている。
【０００３】そして、トランスファー成形する際には、
そのタブレット状の封止材料をトランスファー成形機に
取り付けられた金型に備えたポットに装填し、加熱して
溶融させた後、プランジャーで加圧して、前記金型が備
えるランナー及びゲートを経由して、半導体素子等が配
置された樹脂成形用のキャビティーに封止材料が送ら
れ、更に加熱することにより封止材料を硬化させて封止
する方法が行われている。
そのタブレット状の封止材料をトランスファー成形機に
取り付けられた金型に備えたポットに装填し、加熱して
溶融させた後、プランジャーで加圧して、前記金型が備
えるランナー及びゲートを経由して、半導体素子等が配
置された樹脂成形用のキャビティーに封止材料が送ら
れ、更に加熱することにより封止材料を硬化させて封止
する方法が行われている。
【０００４】なお、生産性向上のために、一つのポット
から複数のキャビティーに封止材料を送るようランナー
等を形成し、一度の封止で複数の半導体装置等となる部
分を封止する、１ポット方式と呼ばれる方法が従来より
一般に行われている。
から複数のキャビティーに封止材料を送るようランナー
等を形成し、一度の封止で複数の半導体装置等となる部
分を封止する、１ポット方式と呼ばれる方法が従来より
一般に行われている。
【０００５】近年、半導体装置の信頼性向上のために、
複数のポットを並べて形成することにより、一つのポッ
トと接続するキャビティーの数を減らし、溶融した封止
材料が送られるランナーの長さを短く形成したマルチポ
ット方式と呼ばれる方法が検討されている。このマルチ
ポット方式の場合、溶融した封止材料が送られるランナ
ーの長さを短く設計することができるため、高粘度の封
止材料まで安定して封止することが可能となり、品質が
安定した半導体装置が得られるという効果があり増加し
つつある。
複数のポットを並べて形成することにより、一つのポッ
トと接続するキャビティーの数を減らし、溶融した封止
材料が送られるランナーの長さを短く形成したマルチポ
ット方式と呼ばれる方法が検討されている。このマルチ
ポット方式の場合、溶融した封止材料が送られるランナ
ーの長さを短く設計することができるため、高粘度の封
止材料まで安定して封止することが可能となり、品質が
安定した半導体装置が得られるという効果があり増加し
つつある。
【０００６】しかし、マルチポット方式で封止する際に
用いるタブレット状の封止材料は、従来の１ポット方式
と比較して大きさが小さく、同じ数の半導体装置を封止
しようとするとタブレット状の封止材料の数を増やす必
要があり、用いる封止材料の価格が高くなるという問題
があった。
用いるタブレット状の封止材料は、従来の１ポット方式
と比較して大きさが小さく、同じ数の半導体装置を封止
しようとするとタブレット状の封止材料の数を増やす必
要があり、用いる封止材料の価格が高くなるという問題
があった。
【０００７】そのため、タブレット状の封止材料を用い
ずに、封止材料の粉砕物を用いて、所定量計量してポッ
トに装填し、封止する方法が検討されている。しかし、
封止材料の粉砕物を用いてポットに装填しようとする
と、ホッパーブリッジ等の配管詰まりが発生して計量ば
らつきが発生し、封止して得られる半導体装置が不良と
なる場合があった。
ずに、封止材料の粉砕物を用いて、所定量計量してポッ
トに装填し、封止する方法が検討されている。しかし、
封止材料の粉砕物を用いてポットに装填しようとする
と、ホッパーブリッジ等の配管詰まりが発生して計量ば
らつきが発生し、封止して得られる半導体装置が不良と
なる場合があった。
【０００８】この配管詰まりが発生する原因としては、
封止材料の粉砕物中に、大きな固まりや微粉末が混在
し、これらが引っ掛かることによって配管等が詰まるこ
とが原因の一つであると考えられている。そのため、大
きな固まりや微粉末を篩分けして除き、配管詰まりを発
生しにくくした封止材料が検討されている。しかし、一
般に微粉末は大きなものに付着しやすいため、篩分けで
はその付着したものが十分には除かれにくく、篩分けし
て微粉末を除いたものであっても、移送中に封止材料ど
うしが衝突したり、振動が与えられたりすると、微粉末
が分離する場合があり、この分離した微粉末が配管詰ま
りを起こす場合があった。そのため振動等を与えた場合
であっても、微粉末の発生が少ない粒状半導体封止材料
が求められている。
封止材料の粉砕物中に、大きな固まりや微粉末が混在
し、これらが引っ掛かることによって配管等が詰まるこ
とが原因の一つであると考えられている。そのため、大
きな固まりや微粉末を篩分けして除き、配管詰まりを発
生しにくくした封止材料が検討されている。しかし、一
般に微粉末は大きなものに付着しやすいため、篩分けで
はその付着したものが十分には除かれにくく、篩分けし
て微粉末を除いたものであっても、移送中に封止材料ど
うしが衝突したり、振動が与えられたりすると、微粉末
が分離する場合があり、この分離した微粉末が配管詰ま
りを起こす場合があった。そのため振動等を与えた場合
であっても、微粉末の発生が少ない粒状半導体封止材料
が求められている。
【０００９】そのため発明者らは、特願平８−２７６１
４９号において、封止材料の粉砕物を攪拌により運動
（実質的に無加圧状態で運動）させながら、粉砕物表面
の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却することにより造
粒して粒状半導体封止材料を製造する方法を検討し、こ
の方法で製造した粒状半導体封止材料であれば、振動等
を与えた場合であっても、微粉末の発生が少ないと共
に、所定量計量してポットに装填が可能であることを見
い出した。しかしこの特願平８−２７６１４９号で提案
しているような製造方法の場合、生産性の点で改善すべ
き余地があった。
４９号において、封止材料の粉砕物を攪拌により運動
（実質的に無加圧状態で運動）させながら、粉砕物表面
の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却することにより造
粒して粒状半導体封止材料を製造する方法を検討し、こ
の方法で製造した粒状半導体封止材料であれば、振動等
を与えた場合であっても、微粉末の発生が少ないと共
に、所定量計量してポットに装填が可能であることを見
い出した。しかしこの特願平８−２７６１４９号で提案
しているような製造方法の場合、生産性の点で改善すべ
き余地があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、樹脂成分及び無機充填材を混練した後、粉砕して
得られる粉砕物を、攪拌により運動（実質的に無加圧状
態で運動）させながら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶
融させた後、冷却することにより造粒して製造する粒状
半導体封止材料の製造方法であって、生産性の優れた粒
状半導体封止材料の製造方法を提供することにある。
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、樹脂成分及び無機充填材を混練した後、粉砕して
得られる粉砕物を、攪拌により運動（実質的に無加圧状
態で運動）させながら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶
融させた後、冷却することにより造粒して製造する粒状
半導体封止材料の製造方法であって、生産性の優れた粒
状半導体封止材料の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
粒状半導体封止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充
填材を混練した後、粉砕して得られる粉砕物を、攪拌に
より運動させながら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融
させた後、冷却することにより造粒して製造する粒状半
導体封止材料の製造方法において、樹脂成分を加熱溶融
させる方法が、粉砕物を減圧下で加熱して溶融させる方
法であることを特徴とする。
粒状半導体封止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充
填材を混練した後、粉砕して得られる粉砕物を、攪拌に
より運動させながら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融
させた後、冷却することにより造粒して製造する粒状半
導体封止材料の製造方法において、樹脂成分を加熱溶融
させる方法が、粉砕物を減圧下で加熱して溶融させる方
法であることを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項２に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した
後、粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させな
がら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却
することにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の
製造方法において、樹脂成分を加熱溶融させる方法が、
粉砕物に加熱した気体を供給して溶融させる方法である
ことを特徴とする。
料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した
後、粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させな
がら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却
することにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の
製造方法において、樹脂成分を加熱溶融させる方法が、
粉砕物に加熱した気体を供給して溶融させる方法である
ことを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項３に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した
後、粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させな
がら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却
することにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の
製造方法において、攪拌により運動させながら、樹脂成
分を加熱溶融させる方法が、加熱した空間内に粉砕物を
通過させて溶融させる方法であることを特徴とする。
料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した
後、粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させな
がら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却
することにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の
製造方法において、攪拌により運動させながら、樹脂成
分を加熱溶融させる方法が、加熱した空間内に粉砕物を
通過させて溶融させる方法であることを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項４に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、請求項１から請求項３のいずれかに記
載の粒状半導体封止材料の製造方法において、樹脂成分
が、エポキシ樹脂、硬化剤及び離型剤を含有することを
特徴とする。
料の製造方法は、請求項１から請求項３のいずれかに記
載の粒状半導体封止材料の製造方法において、樹脂成分
が、エポキシ樹脂、硬化剤及び離型剤を含有することを
特徴とする。
【００１５】本発明の請求項５に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかに記
載の粒状半導体封止材料の製造方法において、粒状半導
体封止材料１００重量部中に、粒径が０．１〜５ｍｍの
粒状半導体封止材料を、８０〜１００重量部含有するこ
とを特徴とする。
料の製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかに記
載の粒状半導体封止材料の製造方法において、粒状半導
体封止材料１００重量部中に、粒径が０．１〜５ｍｍの
粒状半導体封止材料を、８０〜１００重量部含有するこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、粉砕物を減圧下で加熱して溶融させる
方法で製造するため、常圧時と比較して樹脂成分の融点
が低下し、短い加熱時間で造粒が可能となる。
料の製造方法は、粉砕物を減圧下で加熱して溶融させる
方法で製造するため、常圧時と比較して樹脂成分の融点
が低下し、短い加熱時間で造粒が可能となる。
【００１７】本発明の請求項２に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、粉砕物に加熱した気体を供給して溶融
させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる方法
と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、短時
間で造粒することが可能となる。
料の製造方法は、粉砕物に加熱した気体を供給して溶融
させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる方法
と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、短時
間で造粒することが可能となる。
【００１８】本発明の請求項３に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、加熱した空間内に粉砕物を通過させて
溶融させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる
方法と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、
短時間で造粒することが可能となる。
料の製造方法は、加熱した空間内に粉砕物を通過させて
溶融させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる
方法と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、
短時間で造粒することが可能となる。
【００１９】
［本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造方
法］本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造
方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した後、粉砕し
て粉砕物を製造し、次いで、その粉砕物を造粒して製造
を行う。
法］本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造
方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練した後、粉砕し
て粉砕物を製造し、次いで、その粉砕物を造粒して製造
を行う。
【００２０】粉砕物の製造に用いる樹脂成分は、熱硬化
性樹脂を必須として含有し、必要に応じてその熱硬化性
樹脂の硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤、離
型剤、着色剤、低応力化剤、界面活性剤及び難燃剤等を
配合したものである。なおエポキシ樹脂等のように自己
硬化性の低い熱硬化性樹脂は、その樹脂を硬化するため
の硬化剤等も含有することが必要である。
性樹脂を必須として含有し、必要に応じてその熱硬化性
樹脂の硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤、離
型剤、着色剤、低応力化剤、界面活性剤及び難燃剤等を
配合したものである。なおエポキシ樹脂等のように自己
硬化性の低い熱硬化性樹脂は、その樹脂を硬化するため
の硬化剤等も含有することが必要である。
【００２１】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂等が挙げられるが、エポキシ樹脂を用
いた樹脂成分の場合、電気特性及び価格のバランスが優
れ好ましい。エポキシ樹脂としては特に限定するもので
はなく、例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型
エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、
線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独で用いて
も、２種類以上を併用してもよい。
リイミド樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂等が挙げられるが、エポキシ樹脂を用
いた樹脂成分の場合、電気特性及び価格のバランスが優
れ好ましい。エポキシ樹脂としては特に限定するもので
はなく、例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型
エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、
線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独で用いて
も、２種類以上を併用してもよい。
【００２２】また、このエポキシ樹脂系の樹脂成分に含
有する硬化剤としては、例えばフェノールノボラック樹
脂及びその誘導体、クレゾールノボラック樹脂及びその
誘導体、モノまたはジヒドロキシナフタレンノボラック
樹脂及びその誘導体、フェノール類やナフトール類とｐ
−キシレンの縮合体、ジシクロペンタジエンとフェノー
ルの共重合体等のフェノール系硬化剤や、アミン系硬化
剤や、酸無水物等が挙げられる。これらの硬化剤は、単
独で用いても、２種類以上を併用してもよい。なお、フ
ェノールノボラック樹脂を用いた場合、樹脂硬化物の吸
湿率を低下することができ好ましい。その配合量として
は、通常エポキシ樹脂に対して、当量比で０．１〜１０
の範囲で配合される。
有する硬化剤としては、例えばフェノールノボラック樹
脂及びその誘導体、クレゾールノボラック樹脂及びその
誘導体、モノまたはジヒドロキシナフタレンノボラック
樹脂及びその誘導体、フェノール類やナフトール類とｐ
−キシレンの縮合体、ジシクロペンタジエンとフェノー
ルの共重合体等のフェノール系硬化剤や、アミン系硬化
剤や、酸無水物等が挙げられる。これらの硬化剤は、単
独で用いても、２種類以上を併用してもよい。なお、フ
ェノールノボラック樹脂を用いた場合、樹脂硬化物の吸
湿率を低下することができ好ましい。その配合量として
は、通常エポキシ樹脂に対して、当量比で０．１〜１０
の範囲で配合される。
【００２３】また、上記エポキシ樹脂系の樹脂成分に含
有することができる硬化促進剤としては、例えば、１，
８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、
トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の三
級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホ
スフィン等の有機ホスフィン化合物等が挙げられる。
有することができる硬化促進剤としては、例えば、１，
８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、
トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の三
級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホ
スフィン等の有機ホスフィン化合物等が挙げられる。
【００２４】また、樹脂成分に含有することができるシ
ランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のエポキシシランや、Ｎ−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミ
ノシラン等が挙げられる。
ランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のエポキシシランや、Ｎ−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミ
ノシラン等が挙げられる。
【００２５】また、樹脂成分に含有することができる離
型剤としては、ステアリン酸、モンタン酸、パルミチン
酸、オレイン酸、リノール酸等の脂肪酸、その脂肪酸の
カルシウム塩、マグネシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛
塩等の塩、その脂肪酸のアミド、リン酸エステル、ポリ
エチレン、ビスアマイド、カルボキシル基含有ポリオレ
フィン及び天然カルナバ等が挙げられる。なお、エポキ
シ樹脂系の樹脂成分に離型剤を含有すると、封止しよう
とする半導体素子やリードフレームとの密着性の高いエ
ポキシ樹脂を使用した場合であっても、トランスファー
成形時、樹脂硬化物とプランジャーや金型との離型性が
優れるため作業性が向上し好ましい。
型剤としては、ステアリン酸、モンタン酸、パルミチン
酸、オレイン酸、リノール酸等の脂肪酸、その脂肪酸の
カルシウム塩、マグネシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛
塩等の塩、その脂肪酸のアミド、リン酸エステル、ポリ
エチレン、ビスアマイド、カルボキシル基含有ポリオレ
フィン及び天然カルナバ等が挙げられる。なお、エポキ
シ樹脂系の樹脂成分に離型剤を含有すると、封止しよう
とする半導体素子やリードフレームとの密着性の高いエ
ポキシ樹脂を使用した場合であっても、トランスファー
成形時、樹脂硬化物とプランジャーや金型との離型性が
優れるため作業性が向上し好ましい。
【００２６】また、樹脂成分に含有することができる着
色剤としては、例えば、カーボンブラック、酸化チタン
等が挙げられる。また、樹脂成分に含有することができ
る低応力化剤としては、例えば、シリコーンゲル、シリ
コーンゴム、シリコーンオイル等が挙げられる。また、
樹脂成分に含有することができる界面活性剤としては例
えば、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ソルビ
タン脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド等が挙げら
れる。また、樹脂成分に含有することができる難燃剤と
しては、例えば、三酸化アンチモン、ハロゲン化合物、
リン化合物等が挙げられる。
色剤としては、例えば、カーボンブラック、酸化チタン
等が挙げられる。また、樹脂成分に含有することができ
る低応力化剤としては、例えば、シリコーンゲル、シリ
コーンゴム、シリコーンオイル等が挙げられる。また、
樹脂成分に含有することができる界面活性剤としては例
えば、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ソルビ
タン脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド等が挙げら
れる。また、樹脂成分に含有することができる難燃剤と
しては、例えば、三酸化アンチモン、ハロゲン化合物、
リン化合物等が挙げられる。
【００２７】これらの硬化促進剤、シランカップリング
剤、離型剤、着色剤、低応力化剤、界面活性剤及び難燃
剤等は２種類以上を併用することもできる。
剤、離型剤、着色剤、低応力化剤、界面活性剤及び難燃
剤等は２種類以上を併用することもできる。
【００２８】粉砕物の製造に用いる無機充填材としては
特に限定するものではなく、例えば結晶シリカ、溶融シ
リカ、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、炭酸カルシ
ウム、炭酸マグネシウム、窒化ケイ素、タルク、ケイ酸
カルシウム等が挙げられる。上記無機充填材は、単独で
用いても、２種類以上を併用してもよい。なお、無機充
填材として結晶シリカ又は溶融シリカ等のシリカを用い
た場合、樹脂硬化物の線膨張係数が小さくなり、半導体
素子の線膨張係数に近づくため好ましい。なお、無機充
填材を、樹脂成分と無機充填材の合計１００重量部中
に、６０〜９５重量部含有する場合、樹脂硬化物の吸湿
量が低下し、吸湿ハンダ耐熱性が優れ好ましい。なお、
本発明で使用する無機充填材は、造粒するのに適した大
きさ（例えば平均粒径０．５〜５０μｍ）の無機充填材
を使用する。
特に限定するものではなく、例えば結晶シリカ、溶融シ
リカ、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、炭酸カルシ
ウム、炭酸マグネシウム、窒化ケイ素、タルク、ケイ酸
カルシウム等が挙げられる。上記無機充填材は、単独で
用いても、２種類以上を併用してもよい。なお、無機充
填材として結晶シリカ又は溶融シリカ等のシリカを用い
た場合、樹脂硬化物の線膨張係数が小さくなり、半導体
素子の線膨張係数に近づくため好ましい。なお、無機充
填材を、樹脂成分と無機充填材の合計１００重量部中
に、６０〜９５重量部含有する場合、樹脂硬化物の吸湿
量が低下し、吸湿ハンダ耐熱性が優れ好ましい。なお、
本発明で使用する無機充填材は、造粒するのに適した大
きさ（例えば平均粒径０．５〜５０μｍ）の無機充填材
を使用する。
【００２９】そして、粉砕物の製造にあたっては、上記
樹脂成分及び無機充填材を配合して混練した後、粉砕し
て粉砕物を製造する。この混練及び粉砕する条件として
は特に限定するものではなく、例えば、ヘンシェルミキ
サー等で樹脂成分及び無機充填材を予備混合した後、熱
ロール、二軸ニーダー、押し出し機等で樹脂成分が軟化
する程度に加熱しながら混練を行う。混練する時間とし
ては、樹脂成分の硬化があまり進まない程度で、かつ、
樹脂成分と無機充填材の馴染みが良好となる程度に混練
を行う。次いで冷却しながら、混練物をシート状に伸ば
したり、混練物を線状に押し出した後、ロータリーカッ
ター、ローラーミル、ハンマーミル等を用いて粉砕して
粉砕物を製造する。
樹脂成分及び無機充填材を配合して混練した後、粉砕し
て粉砕物を製造する。この混練及び粉砕する条件として
は特に限定するものではなく、例えば、ヘンシェルミキ
サー等で樹脂成分及び無機充填材を予備混合した後、熱
ロール、二軸ニーダー、押し出し機等で樹脂成分が軟化
する程度に加熱しながら混練を行う。混練する時間とし
ては、樹脂成分の硬化があまり進まない程度で、かつ、
樹脂成分と無機充填材の馴染みが良好となる程度に混練
を行う。次いで冷却しながら、混練物をシート状に伸ば
したり、混練物を線状に押し出した後、ロータリーカッ
ター、ローラーミル、ハンマーミル等を用いて粉砕して
粉砕物を製造する。
【００３０】次いで、この粉砕物を実質的に無加圧状態
で運動させながら、減圧下で加熱して粉砕物表面の樹脂
成分を加熱溶融させた後、冷却することにより造粒して
粒状半導体封止材料を製造する。なお、本発明の「実質
的に無加圧状態」とは、タブレットを形成する場合のよ
うに、高い圧力を印加する場合を除くことを意味するも
のである。
で運動させながら、減圧下で加熱して粉砕物表面の樹脂
成分を加熱溶融させた後、冷却することにより造粒して
粒状半導体封止材料を製造する。なお、本発明の「実質
的に無加圧状態」とは、タブレットを形成する場合のよ
うに、高い圧力を印加する場合を除くことを意味するも
のである。
【００３１】この粉砕物を実質的に無加圧状態で運動さ
せながら、減圧下で加熱して粉砕物表面の樹脂成分を加
熱溶融させた後、冷却することにより造粒する方法とし
ては、例えば図１に示すような、モーター１２と接続さ
れた撹拌用の撹拌羽根１１をミキサー本体１３内部に備
えると共に、ミキサー本体１３の壁面内にヒーター（図
示せず）等を埋め込んでミキサー本体１３内を加熱可能
に形成した密閉系のミキサー１０を用いて、粉砕物１を
ミキサー本体１３内部に供給した後、脱気口１４からポ
ンプで吸引してミキサー本体１３内部を減圧にし、次い
で、モーター１２を回転させて撹拌羽根１１を回転させ
る。
せながら、減圧下で加熱して粉砕物表面の樹脂成分を加
熱溶融させた後、冷却することにより造粒する方法とし
ては、例えば図１に示すような、モーター１２と接続さ
れた撹拌用の撹拌羽根１１をミキサー本体１３内部に備
えると共に、ミキサー本体１３の壁面内にヒーター（図
示せず）等を埋め込んでミキサー本体１３内を加熱可能
に形成した密閉系のミキサー１０を用いて、粉砕物１を
ミキサー本体１３内部に供給した後、脱気口１４からポ
ンプで吸引してミキサー本体１３内部を減圧にし、次い
で、モーター１２を回転させて撹拌羽根１１を回転させ
る。
【００３２】次いで、ミキサー本体１３を加熱すると粉
砕物１の温度が上昇し、そして粉砕物１中の樹脂成分の
うち、最も融点が低い物質が溶融させる温度以上まで上
昇すると、粉砕物１の表面から溶融が始まる。この溶融
した状態の粉砕物１どうしが撹拌により衝突すると、溶
融した部分で接着して造粒が行われる。なお、この接着
したものがある大きさ以上に大きくなると、撹拌羽根１
１の剪断の力により分解し、適度な大きさの粒子とな
る。
砕物１の温度が上昇し、そして粉砕物１中の樹脂成分の
うち、最も融点が低い物質が溶融させる温度以上まで上
昇すると、粉砕物１の表面から溶融が始まる。この溶融
した状態の粉砕物１どうしが撹拌により衝突すると、溶
融した部分で接着して造粒が行われる。なお、この接着
したものがある大きさ以上に大きくなると、撹拌羽根１
１の剪断の力により分解し、適度な大きさの粒子とな
る。
【００３３】次いで、ミキサー本体１３の加熱を中止す
ると、粉砕物１の温度が低下して溶融した部分が固体化
し、粒状半導体封止材料が得られる。これらの工程中で
粉砕物１に含まれる微粉末は、他の粉砕物１に取り込ま
れて、振動等を与えた場合であっても、微粉末の発生が
少ない粒状半導体封止材料となる。
ると、粉砕物１の温度が低下して溶融した部分が固体化
し、粒状半導体封止材料が得られる。これらの工程中で
粉砕物１に含まれる微粉末は、他の粉砕物１に取り込ま
れて、振動等を与えた場合であっても、微粉末の発生が
少ない粒状半導体封止材料となる。
【００３４】なお、ミキサー本体１３内部を減圧にして
いるため、常圧時と比較して樹脂成分の融点が低下し
て、短い加熱時間で溶融することができ、短時間で造粒
が可能となる。また、常圧時と比較して低い温度で造粒
が可能なため、封止材料の硬化が進む恐れが少ないとい
う効果も得られる。なお、減圧の条件としては用いた熱
硬化樹脂等に応じて適宜調整すればよいが、２００Ｔｏ
ｒｒ以下、より好ましくは２０〜７０Ｔｏｒｒが好まし
い。
いるため、常圧時と比較して樹脂成分の融点が低下し
て、短い加熱時間で溶融することができ、短時間で造粒
が可能となる。また、常圧時と比較して低い温度で造粒
が可能なため、封止材料の硬化が進む恐れが少ないとい
う効果も得られる。なお、減圧の条件としては用いた熱
硬化樹脂等に応じて適宜調整すればよいが、２００Ｔｏ
ｒｒ以下、より好ましくは２０〜７０Ｔｏｒｒが好まし
い。
【００３５】なお、ミキサー本体１３の加熱を中止して
粉砕物１の温度を低下させるときに、上記樹脂成分とし
て含有することができる離型材と同様の離型材を添加し
て粒状半導体封止材料の表面に離型剤の層を形成する
と、トランスファー成形時、樹脂硬化物とプランジャー
や金型との離型性が優れるため、トランスファー成形の
作業性が向上し好ましい。
粉砕物１の温度を低下させるときに、上記樹脂成分とし
て含有することができる離型材と同様の離型材を添加し
て粒状半導体封止材料の表面に離型剤の層を形成する
と、トランスファー成形時、樹脂硬化物とプランジャー
や金型との離型性が優れるため、トランスファー成形の
作業性が向上し好ましい。
【００３６】なお、実質的に無加圧状態で運動させる方
法としては、ミキサーを用いて撹拌により運動させる方
法に限定するものではなく、例えば、回転する円筒の中
に粉砕物を供給し、回転により運動させて造粒してもよ
く、水平方向に振動する平板の上に粉砕物を供給し、振
動により運動させて造粒してもよい。
法としては、ミキサーを用いて撹拌により運動させる方
法に限定するものではなく、例えば、回転する円筒の中
に粉砕物を供給し、回転により運動させて造粒してもよ
く、水平方向に振動する平板の上に粉砕物を供給し、振
動により運動させて造粒してもよい。
【００３７】なお、造粒した粒状半導体封止材料の１０
０重量部中に、粒径が０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止
材料を８０〜１００重量部、より好ましくは９５〜１０
０重量部含有するように造粒すると好ましい。粒径が
０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止材料を８０〜１００重
量部含有する場合は、この粒状半導体封止材料をポット
に装填したとき、配管詰まりが起こりにくいこと、及
び、粒状半導体封止材料と粒状半導体封止材料の間に生
じる隙間が過度に大きくならないため、粒状半導体封止
材料のポットへの充填性が高いことのバランスが優れ好
ましい。
０重量部中に、粒径が０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止
材料を８０〜１００重量部、より好ましくは９５〜１０
０重量部含有するように造粒すると好ましい。粒径が
０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止材料を８０〜１００重
量部含有する場合は、この粒状半導体封止材料をポット
に装填したとき、配管詰まりが起こりにくいこと、及
び、粒状半導体封止材料と粒状半導体封止材料の間に生
じる隙間が過度に大きくならないため、粒状半導体封止
材料のポットへの充填性が高いことのバランスが優れ好
ましい。
【００３８】また、粒状半導体封止材料の安息角が２０
〜４０°となるように造粒すると好ましい。４０°を越
える場合は、この封止材料の流動性が低下して計量の安
定性が低下する場合がある。また、２０°未満の封止材
料を作ろうとすると生産性が悪く実用的でない。
〜４０°となるように造粒すると好ましい。４０°を越
える場合は、この封止材料の流動性が低下して計量の安
定性が低下する場合がある。また、２０°未満の封止材
料を作ろうとすると生産性が悪く実用的でない。
【００３９】［本発明の請求項２に係る粒状半導体封止
材料の製造方法］本発明の請求項２に係る粒状半導体封
止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練し
た後、粉砕して粉砕物を製造し、次いで、この粉砕物を
実質的に無加圧状態で運動させながら、粉砕物に加熱し
た気体を供給する方法で、粉砕物表面の樹脂成分を加熱
溶融させた後、冷却することにより造粒して粒状半導体
封止材料を製造する。
材料の製造方法］本発明の請求項２に係る粒状半導体封
止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練し
た後、粉砕して粉砕物を製造し、次いで、この粉砕物を
実質的に無加圧状態で運動させながら、粉砕物に加熱し
た気体を供給する方法で、粉砕物表面の樹脂成分を加熱
溶融させた後、冷却することにより造粒して粒状半導体
封止材料を製造する。
【００４０】樹脂成分及び無機充填材としては、本発明
の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造方法の場合
と同様のものが挙げられる。また、混練及び粉砕して粉
砕物を製造する条件としても同様の方法が適用できる。
の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造方法の場合
と同様のものが挙げられる。また、混練及び粉砕して粉
砕物を製造する条件としても同様の方法が適用できる。
【００４１】粉砕物を実質的に無加圧状態で運動させな
がら、粉砕物に加熱した気体を供給する方法で、粉砕物
表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却することによ
り造粒する方法としては、例えば図２に示すような、モ
ーター１２と接続された撹拌用の撹拌羽根１１をミキサ
ー本体１３内部に形成した開放系のミキサー１０を用い
て、粉砕物１をミキサー本体１３内部に供給した後、モ
ーター１２を回転させて撹拌羽根１１を回転させる。次
いで、加熱した気体を吸気口１５よりミキサー本体１３
内部に供給して、粉砕物１に加熱した気体を供給する。
がら、粉砕物に加熱した気体を供給する方法で、粉砕物
表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却することによ
り造粒する方法としては、例えば図２に示すような、モ
ーター１２と接続された撹拌用の撹拌羽根１１をミキサ
ー本体１３内部に形成した開放系のミキサー１０を用い
て、粉砕物１をミキサー本体１３内部に供給した後、モ
ーター１２を回転させて撹拌羽根１１を回転させる。次
いで、加熱した気体を吸気口１５よりミキサー本体１３
内部に供給して、粉砕物１に加熱した気体を供給する。
【００４２】すると粉砕物１の温度が上昇し、そして粉
砕物１中の樹脂成分のうち、最も融点が低い物質が溶融
させる温度以上まで上昇すると、粉砕物１の表面から溶
融が始まる。この溶融した状態の粉砕物１どうしが撹拌
により衝突すると、溶融した部分で接着して造粒が行わ
れる。なお、この接着したものがある大きさ以上に大き
くなると、撹拌羽根１１の剪断の力により分解し、適度
な大きさの粒子となる。
砕物１中の樹脂成分のうち、最も融点が低い物質が溶融
させる温度以上まで上昇すると、粉砕物１の表面から溶
融が始まる。この溶融した状態の粉砕物１どうしが撹拌
により衝突すると、溶融した部分で接着して造粒が行わ
れる。なお、この接着したものがある大きさ以上に大き
くなると、撹拌羽根１１の剪断の力により分解し、適度
な大きさの粒子となる。
【００４３】次いで、加熱した気体の供給を中止する
と、粉砕物１の温度が低下して溶融した部分が固体化
し、粒状半導体封止材料が得られる。これらの工程中で
粉砕物１に含まれる微粉末は、他の粉砕物１に取り込ま
れて、振動等を与えた場合であっても、微粉末の発生が
少ない粒状半導体封止材料となる。
と、粉砕物１の温度が低下して溶融した部分が固体化
し、粒状半導体封止材料が得られる。これらの工程中で
粉砕物１に含まれる微粉末は、他の粉砕物１に取り込ま
れて、振動等を与えた場合であっても、微粉末の発生が
少ない粒状半導体封止材料となる。
【００４４】粉砕物に加熱した気体を供給して溶融させ
る方法で製造するため、ミキサー本体１３からの伝熱に
より溶融させる方法と比較して、粉砕物を均一に加熱す
ることができ、短時間で造粒することが可能となる。な
お、加熱した気体の温度としては用いた熱硬化樹脂等に
応じて適宜調整すればよいが、４０〜１００℃程度が好
ましい。また、加熱する気体としては特に限定するもの
ではなく、空気や窒素ガス等が挙げられる。なお、粉砕
物を加熱する方法は、加熱した気体を供給する方法のみ
に限定するものではなく、ミキサー本体１３を加熱する
方法等を併用してもよい。
る方法で製造するため、ミキサー本体１３からの伝熱に
より溶融させる方法と比較して、粉砕物を均一に加熱す
ることができ、短時間で造粒することが可能となる。な
お、加熱した気体の温度としては用いた熱硬化樹脂等に
応じて適宜調整すればよいが、４０〜１００℃程度が好
ましい。また、加熱する気体としては特に限定するもの
ではなく、空気や窒素ガス等が挙げられる。なお、粉砕
物を加熱する方法は、加熱した気体を供給する方法のみ
に限定するものではなく、ミキサー本体１３を加熱する
方法等を併用してもよい。
【００４５】なお、造粒した粒状半導体封止材料の粒径
や安息角は、本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材
料の製造方法の場合と同様の範囲が好ましい。
や安息角は、本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材
料の製造方法の場合と同様の範囲が好ましい。
【００４６】また、実質的に無加圧状態で運動させる方
法としては、ミキサーを用いて撹拌により運動させる方
法に限定するものではなく、例えば、回転する円筒の中
に粉砕物を供給し、回転により運動させて造粒してもよ
く、水平方向に振動する平板の上に粉砕物を供給し、振
動により運動させて造粒してもよい。
法としては、ミキサーを用いて撹拌により運動させる方
法に限定するものではなく、例えば、回転する円筒の中
に粉砕物を供給し、回転により運動させて造粒してもよ
く、水平方向に振動する平板の上に粉砕物を供給し、振
動により運動させて造粒してもよい。
【００４７】［本発明の請求項３に係る粒状半導体封止
材料の製造方法］本発明の請求項３に係る粒状半導体封
止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練し
た後、粉砕して粉砕物を製造し、次いで、加熱した空間
内に粉砕物を通過させることにより、粉砕物表面の樹脂
成分を加熱溶融させた後、冷却することにより造粒して
粒状半導体封止材料を製造する。
材料の製造方法］本発明の請求項３に係る粒状半導体封
止材料の製造方法は、樹脂成分及び無機充填材を混練し
た後、粉砕して粉砕物を製造し、次いで、加熱した空間
内に粉砕物を通過させることにより、粉砕物表面の樹脂
成分を加熱溶融させた後、冷却することにより造粒して
粒状半導体封止材料を製造する。
【００４８】樹脂成分及び無機充填材としては、本発明
の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造方法の場合
と同様のものが挙げられる。また、混練及び粉砕して粉
砕物を製造する条件としても同様の方法が適用できる。
の請求項１に係る粒状半導体封止材料の製造方法の場合
と同様のものが挙げられる。また、混練及び粉砕して粉
砕物を製造する条件としても同様の方法が適用できる。
【００４９】加熱した空間内に粉砕物を通過させること
により、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷
却することにより造粒する方法としては、例えば図３に
示すような、加熱した円筒形の加熱炉２０の上部より粉
砕物１を落下させる方法で通過させると、輻射熱等によ
り粉砕物１の温度が上昇し、そして粉砕物１中の樹脂成
分のうち、最も融点が低い物質が溶融させる温度以上ま
で上昇すると、粉砕物１の表面から溶融が始まる。そし
て、加熱炉２０の外側まで落下すると、この溶融した部
分が凝固して造粒が行われる。このとき粉砕物１表面に
付着する微粉末は、粉砕物１に取り込まれて、振動等を
与えた場合であっても、微粉末の発生が少ない粒状半導
体封止材料となる。なお、溶融した部分は表面張力によ
り略球状になろうとするため、得られる封止材料は、粉
砕物と比較して球状に近い粒子となる。
により、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷
却することにより造粒する方法としては、例えば図３に
示すような、加熱した円筒形の加熱炉２０の上部より粉
砕物１を落下させる方法で通過させると、輻射熱等によ
り粉砕物１の温度が上昇し、そして粉砕物１中の樹脂成
分のうち、最も融点が低い物質が溶融させる温度以上ま
で上昇すると、粉砕物１の表面から溶融が始まる。そし
て、加熱炉２０の外側まで落下すると、この溶融した部
分が凝固して造粒が行われる。このとき粉砕物１表面に
付着する微粉末は、粉砕物１に取り込まれて、振動等を
与えた場合であっても、微粉末の発生が少ない粒状半導
体封止材料となる。なお、溶融した部分は表面張力によ
り略球状になろうとするため、得られる封止材料は、粉
砕物と比較して球状に近い粒子となる。
【００５０】加熱した空間内に粉砕物を通過させる方法
で製造するため、ミキサー本体１３からの伝熱により溶
融させる方法等と比較して粉砕物を均一に加熱すること
が可能となり、短時間で造粒することが可能となる。な
お、加熱した空間の温度としては、用いた熱硬化樹脂
や、加熱した空間の長さ、通過速度等に応じて適宜調整
すればよいが、１５０〜１０００℃程度が好ましい。ま
た、加熱した空間としては特に限定するものではなく、
２枚の熱板に挟まれた空間等でもよい。
で製造するため、ミキサー本体１３からの伝熱により溶
融させる方法等と比較して粉砕物を均一に加熱すること
が可能となり、短時間で造粒することが可能となる。な
お、加熱した空間の温度としては、用いた熱硬化樹脂
や、加熱した空間の長さ、通過速度等に応じて適宜調整
すればよいが、１５０〜１０００℃程度が好ましい。ま
た、加熱した空間としては特に限定するものではなく、
２枚の熱板に挟まれた空間等でもよい。
【００５１】また、加熱した空間内に粉砕物を通過させ
る方法としては、落下させる方法に限定するものではな
く、粉砕物を吹き出すことにより、水平方向や斜め方向
に通過させるようにしてもよい。
る方法としては、落下させる方法に限定するものではな
く、粉砕物を吹き出すことにより、水平方向や斜め方向
に通過させるようにしてもよい。
【００５２】
（封止材料の粉砕物の製造）封止材料の原料として、下
記の２種類のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、２種
類の離型剤、カップリング剤、硬化促進剤、着色剤及び
難燃剤を下記の重量比で配合した。 ・エポキシ樹脂１：オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂［住友化学工業社製、商品名ＥＳＣＮ１９５Ｘ
Ｌ］３重量部 ・エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂［油化シ
ェルエポキシ社製、商品名ＹＸ４０００Ｈ］３重量部 ・硬化剤：フェノール樹脂［荒川化学工業社製、商品名
タマノール７５２］５重量部 ・無機充填材：溶融シリカ［龍森社製、商品名ＲＯ８］
８０重量部 ・離型剤１：ステアリン酸［大日本化学社製、商品名Ｗ
Ｏ２］０．３重量部 ・離型剤２：天然カルナバ［大日化学社製、商品名Ｆ−
１−１００］０．３重量部 ・カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン［東レダウコーニングシリコーン社製、商品
名ＳＨ６０４０］１重量部 ・硬化促進剤：２−フェニルイミダゾール １重量部 ・着色剤：カーボンブラック ０．２重量部 ・難燃剤：三酸化アンチモン ５重量部。
記の２種類のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、２種
類の離型剤、カップリング剤、硬化促進剤、着色剤及び
難燃剤を下記の重量比で配合した。 ・エポキシ樹脂１：オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂［住友化学工業社製、商品名ＥＳＣＮ１９５Ｘ
Ｌ］３重量部 ・エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂［油化シ
ェルエポキシ社製、商品名ＹＸ４０００Ｈ］３重量部 ・硬化剤：フェノール樹脂［荒川化学工業社製、商品名
タマノール７５２］５重量部 ・無機充填材：溶融シリカ［龍森社製、商品名ＲＯ８］
８０重量部 ・離型剤１：ステアリン酸［大日本化学社製、商品名Ｗ
Ｏ２］０．３重量部 ・離型剤２：天然カルナバ［大日化学社製、商品名Ｆ−
１−１００］０．３重量部 ・カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン［東レダウコーニングシリコーン社製、商品
名ＳＨ６０４０］１重量部 ・硬化促進剤：２−フェニルイミダゾール １重量部 ・着色剤：カーボンブラック ０．２重量部 ・難燃剤：三酸化アンチモン ５重量部。
【００５３】上記の各原料を混合した後、二軸混練機を
用いて温度８５℃で５分間混練し、次いで冷却した後、
カッターミルで粉砕して封止材料の粉砕物を得た。な
お、この粉砕物の融解温度を測定したところ、６３℃で
あった。
用いて温度８５℃で５分間混練し、次いで冷却した後、
カッターミルで粉砕して封止材料の粉砕物を得た。な
お、この粉砕物の融解温度を測定したところ、６３℃で
あった。
【００５４】（実施例１）粉砕物５０Ｋｇを、水平方向
に振動可能な平板を内部に備えると共に、内部を加熱可
能に形成した密閉系の振動乾燥機［中央化工機社製］の
平板上に供給した後、脱気口からポンプで吸引して内部
を７０Ｔｏｒｒに減圧し、次いで、平板を振動数３００
０ｒｐｍ、振幅１０ｍｍの条件で振動させながら、１０
０℃で６０分加熱した後、加熱を停止して冷却すること
により造粒して、粒状半導体封止材料を得た。
に振動可能な平板を内部に備えると共に、内部を加熱可
能に形成した密閉系の振動乾燥機［中央化工機社製］の
平板上に供給した後、脱気口からポンプで吸引して内部
を７０Ｔｏｒｒに減圧し、次いで、平板を振動数３００
０ｒｐｍ、振幅１０ｍｍの条件で振動させながら、１０
０℃で６０分加熱した後、加熱を停止して冷却すること
により造粒して、粒状半導体封止材料を得た。
【００５５】（実施例２）内部を２０Ｔｏｒｒに減圧し
たこと、及び平板を振動数５００ｒｐｍ、振幅１ｍｍの
条件で振動させながら、４０℃で６０分加熱したこと以
外は、実施例１と同様にして粒状半導体封止材料を得
た。
たこと、及び平板を振動数５００ｒｐｍ、振幅１ｍｍの
条件で振動させながら、４０℃で６０分加熱したこと以
外は、実施例１と同様にして粒状半導体封止材料を得
た。
【００５６】（実施例３）粉砕物５０Ｋｇを、撹拌羽根
を内部に備えると共に、壁面内にヒーターを埋め込んで
加熱可能に形成した開放系のヘンシェルミキサー［三井
鉱山社製］の内部に供給した後、撹拌羽根を回転し、次
いで、上部より１００℃の空気を２０分供給して、粉砕
物にその加熱した空気を供給して粉砕物表面の樹脂成分
を加熱溶融させた後、加熱した空気の供給を停止して冷
却することにより造粒して、粒状半導体封止材料を得
た。なお、ヒーターは用いずに造粒した。
を内部に備えると共に、壁面内にヒーターを埋め込んで
加熱可能に形成した開放系のヘンシェルミキサー［三井
鉱山社製］の内部に供給した後、撹拌羽根を回転し、次
いで、上部より１００℃の空気を２０分供給して、粉砕
物にその加熱した空気を供給して粉砕物表面の樹脂成分
を加熱溶融させた後、加熱した空気の供給を停止して冷
却することにより造粒して、粒状半導体封止材料を得
た。なお、ヒーターは用いずに造粒した。
【００５７】（実施例４）２００℃に加熱した円筒形の
加熱炉の上部より粉砕物を落下させる方法で通過させて
造粒し、粒状半導体封止材料を得た。なお、粉砕物が加
熱炉を通過する時間は、２秒であった。
加熱炉の上部より粉砕物を落下させる方法で通過させて
造粒し、粒状半導体封止材料を得た。なお、粉砕物が加
熱炉を通過する時間は、２秒であった。
【００５８】（比較例１）内部を減圧にせず常圧で造粒
したこと以外は、実施例１と同様にして粒状半導体封止
材料を得た。
したこと以外は、実施例１と同様にして粒状半導体封止
材料を得た。
【００５９】（比較例２）加熱した空気を供給しないこ
と、及び壁面内のヒーターにより１００℃で２０分加熱
して粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させたこと以外
は、実施例３と同様にして粒状半導体封止材料を得た。
と、及び壁面内のヒーターにより１００℃で２０分加熱
して粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させたこと以外
は、実施例３と同様にして粒状半導体封止材料を得た。
【００６０】（比較例３）粉砕物を、そのまま用いた。
【００６１】（参考例１）内部を減圧にせず常圧で造粒
したこと、及び１００℃で８０分加熱したこと以外は、
実施例１と同様にして粒状半導体封止材料を得た。
したこと、及び１００℃で８０分加熱したこと以外は、
実施例１と同様にして粒状半導体封止材料を得た。
【００６２】（参考例２）加熱した空気を供給しないこ
と、及び壁面内のヒーターにより１００℃で３０分加熱
して粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させたこと以外
は、実施例３と同様にして粒状半導体封止材料を得た。
と、及び壁面内のヒーターにより１００℃で３０分加熱
して粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させたこと以外
は、実施例３と同様にして粒状半導体封止材料を得た。
【００６３】（評価、結果）実施例１〜４、比較例１，
２及び参考例１，２で得られた粒状半導体封止材料と、
比較例３の粉砕物の、粒子径の分布、安息角、ゲルタイ
ム及び溶融粘度を測定した。
２及び参考例１，２で得られた粒状半導体封止材料と、
比較例３の粉砕物の、粒子径の分布、安息角、ゲルタイ
ム及び溶融粘度を測定した。
【００６４】粒子径の分布の測定方法としては、ＪＩＳ
規格Ｋ６９１１に従い、１００ｇの試料をロータップ式
振とう機、ＪＩＳ２００φ標準篩で、ロータップ回転数
２９０ｒｐｍ、打撃数１５６回／分、全振幅２８ｍｍの
条件で１０分間篩分けを行い、各篩上に残った粒子の有
無を調べて分布を求めた。
規格Ｋ６９１１に従い、１００ｇの試料をロータップ式
振とう機、ＪＩＳ２００φ標準篩で、ロータップ回転数
２９０ｒｐｍ、打撃数１５６回／分、全振幅２８ｍｍの
条件で１０分間篩分けを行い、各篩上に残った粒子の有
無を調べて分布を求めた。
【００６５】安息角の測定方法としては、厚さ３０ｍ
ｍ、直径１００ｍｍのガラス製円台の中心から高さ１０
０ｍｍの位置にガラス製ロート（注ぎ口の直径５０ｍ
ｍ、出口のガラス円筒は直径７ｍｍ、長さ７ｍｍで、ロ
ート全体の高さは５７ｍｍ）の出口を鉛直セットした
後、ＪＩＳ規格Ｋ６９１１の試料採取方法に従い、約３
００ｇの試料（粒状半導体封止材料，粉砕物）を上記ロ
ートを通じて上記円台上に、試料がロートにつまった場
合は直径２ｍｍの銅製の棒を用いて出しながら、静かに
注いだ。そして、円台上に形成した山の高さｈ（ｍｍ）
を測定し、下記式（ａ）から安息角θ（°）を求めた。
なお、７回測定し、そのうち最大及び最小の値を除く５
回の値の平均を安息角とした。
ｍ、直径１００ｍｍのガラス製円台の中心から高さ１０
０ｍｍの位置にガラス製ロート（注ぎ口の直径５０ｍ
ｍ、出口のガラス円筒は直径７ｍｍ、長さ７ｍｍで、ロ
ート全体の高さは５７ｍｍ）の出口を鉛直セットした
後、ＪＩＳ規格Ｋ６９１１の試料採取方法に従い、約３
００ｇの試料（粒状半導体封止材料，粉砕物）を上記ロ
ートを通じて上記円台上に、試料がロートにつまった場
合は直径２ｍｍの銅製の棒を用いて出しながら、静かに
注いだ。そして、円台上に形成した山の高さｈ（ｍｍ）
を測定し、下記式（ａ）から安息角θ（°）を求めた。
なお、７回測定し、そのうち最大及び最小の値を除く５
回の値の平均を安息角とした。
【００６６】
【数１】
【００６７】ゲルタイムの測定方法としては、キュラス
トメーターを用いて、１７５℃の条件でトルクが０．１
ｋｇｆになるまでの時間を測定した。また、溶融粘度の
測定方法としては、高化式フローテスターを用いて、１
５０℃の条件で測定した。
トメーターを用いて、１７５℃の条件でトルクが０．１
ｋｇｆになるまでの時間を測定した。また、溶融粘度の
測定方法としては、高化式フローテスターを用いて、１
５０℃の条件で測定した。
【００６８】結果は表１に示したように、実施例１及び
実施例２は比較例１と比較して粒子径が小さいものが少
なく、造粒時間の長い参考例１と同等であること、及
び、実施例３は比較例２と比較して粒子径が小さいもの
が少なく、造粒時間の長い参考例２と同等であることが
確認された。また、実施例４は、比較例１及び比較例２
と比較して、短時間で造粒できていることが確認され
た。すなわち、各実施例は生産性が優れていることが確
認された。
実施例２は比較例１と比較して粒子径が小さいものが少
なく、造粒時間の長い参考例１と同等であること、及
び、実施例３は比較例２と比較して粒子径が小さいもの
が少なく、造粒時間の長い参考例２と同等であることが
確認された。また、実施例４は、比較例１及び比較例２
と比較して、短時間で造粒できていることが確認され
た。すなわち、各実施例は生産性が優れていることが確
認された。
【００６９】また、実施例２で得られた粒状半導体封止
材料のゲルタイムは、実施例１，３，４及び参考例１，
２と比較して長く、造粒していない比較例３と同等であ
り、造粒中に封止材料の硬化がほとんど進行していない
ことが確認された。
材料のゲルタイムは、実施例１，３，４及び参考例１，
２と比較して長く、造粒していない比較例３と同等であ
り、造粒中に封止材料の硬化がほとんど進行していない
ことが確認された。
【００７０】
【表１】
【００７１】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る粒状半導体封止
材料の製造方法は、粉砕物を減圧下で加熱して溶融させ
る方法で製造するため、常圧時と比較して樹脂成分の融
点が低下し、短い加熱時間で造粒が可能となって、生産
性の優れた粒状半導体封止材料の製造方法となる。
材料の製造方法は、粉砕物を減圧下で加熱して溶融させ
る方法で製造するため、常圧時と比較して樹脂成分の融
点が低下し、短い加熱時間で造粒が可能となって、生産
性の優れた粒状半導体封止材料の製造方法となる。
【００７２】本発明の請求項２に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、粉砕物に加熱した気体を供給して溶融
させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる方法
と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、短時
間で造粒することが可能となって、生産性の優れた粒状
半導体封止材料の製造方法となる。
料の製造方法は、粉砕物に加熱した気体を供給して溶融
させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる方法
と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、短時
間で造粒することが可能となって、生産性の優れた粒状
半導体封止材料の製造方法となる。
【００７３】本発明の請求項３に係る粒状半導体封止材
料の製造方法は、加熱した空間内に粉砕物を通過させて
溶融させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる
方法と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、
短時間で造粒することが可能となって、生産性の優れた
粒状半導体封止材料の製造方法となる。
料の製造方法は、加熱した空間内に粉砕物を通過させて
溶融させる方法で製造するため、伝熱により溶融させる
方法と比較して、粉砕物を均一に加熱することができ、
短時間で造粒することが可能となって、生産性の優れた
粒状半導体封止材料の製造方法となる。
【図１】本発明の請求項１に係る粒状半導体封止材料の
製造方法の、一実施の形態を説明する図である。
製造方法の、一実施の形態を説明する図である。
【図２】本発明の請求項２に係る粒状半導体封止材料の
製造方法の、一実施の形態を説明する図である。
製造方法の、一実施の形態を説明する図である。
【図３】本発明の請求項３に係る粒状半導体封止材料の
製造方法の、一実施の形態を説明する図である。
製造方法の、一実施の形態を説明する図である。
１ 粉砕物 １０ ミキサー １１ 撹拌羽根 １２ モーター １３ ミキサー本体 １４ 脱気口 １５ 吸気口 ２０ 加熱炉
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−10351（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−28263（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56,23/29 B29B 7/00 - 7/94
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂成分及び無機充填材を混練した後、
粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させなが
ら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却す
ることにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の製
造方法において、樹脂成分を加熱溶融させる方法が、粉
砕物を減圧下で加熱して溶融させる方法であることを特
徴とする粒状半導体封止材料の製造方法。 - 【請求項２】 樹脂成分及び無機充填材を混練した後、
粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させなが
ら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却す
ることにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の製
造方法において、樹脂成分を加熱溶融させる方法が、粉
砕物に加熱した気体を供給して溶融させる方法であるこ
とを特徴とする粒状半導体封止材料の製造方法。 - 【請求項３】 樹脂成分及び無機充填材を混練した後、
粉砕して得られる粉砕物を、攪拌により運動させなが
ら、粉砕物表面の樹脂成分を加熱溶融させた後、冷却す
ることにより造粒して製造する粒状半導体封止材料の製
造方法において、攪拌により運動させながら、樹脂成分
を加熱溶融させる方法が、加熱した空間内に粉砕物を通
過させて溶融させる方法であることを特徴とする粒状半
導体封止材料の製造方法。 - 【請求項４】 樹脂成分が、エポキシ樹脂、硬化剤及び
離型剤を含有することを特徴とする請求項１から請求項
３のいずれかに記載の粒状半導体封止材料の製造方法。 - 【請求項５】 粒状半導体封止材料１００重量部中に、
粒径が０．１〜５ｍｍの粒状半導体封止材料を、８０〜
１００重量部含有することを特徴とする請求項１から請
求項４のいずれかに記載の粒状半導体封止材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08318253A JP3132404B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 粒状半導体封止材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08318253A JP3132404B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 粒状半導体封止材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163236A JPH10163236A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3132404B2 true JP3132404B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=18097149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08318253A Expired - Lifetime JP3132404B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 粒状半導体封止材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3132404B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9884517B2 (en) | 2012-12-07 | 2018-02-06 | Bridgestone Corporation | Pneumatic tire |
-
1996
- 1996-11-28 JP JP08318253A patent/JP3132404B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9884517B2 (en) | 2012-12-07 | 2018-02-06 | Bridgestone Corporation | Pneumatic tire |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10163236A (ja) | 1998-06-19 |
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