JP6070529B2 - 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6070529B2
JP6070529B2 JP2013262390A JP2013262390A JP6070529B2 JP 6070529 B2 JP6070529 B2 JP 6070529B2 JP 2013262390 A JP2013262390 A JP 2013262390A JP 2013262390 A JP2013262390 A JP 2013262390A JP 6070529 B2 JP6070529 B2 JP 6070529B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
resin composition
resin
kneaded
granular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013262390A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015116768A (ja
Inventor
将一 長田
将一 長田
朋陽 中村
朋陽 中村
健司 萩原
健司 萩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2013262390A priority Critical patent/JP6070529B2/ja
Publication of JP2015116768A publication Critical patent/JP2015116768A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6070529B2 publication Critical patent/JP6070529B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Description

本発明は、顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法、及び該樹脂組成物で封止成形された半導体装置に関するものである。
一般に、半導体封止用樹脂組成物(以下樹脂組成物という)は、電気特性、耐熱性等に優れるエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤,硬化促進剤、離型剤、難燃剤、着色剤等の添加剤及び無機充填材を含む構成からなっている。樹脂組成物の一般的な製造方法としては、樹脂組成物を構成する各成分を混練機で予備混合後、ロール、1軸押出機、又は2軸押出機により混練を行い、混練物をシート状に圧延、冷却後にロールクラッシャー、パルベライザー、パワーミル(破砕型増粒機)、ハンマーミル等の粉砕機を用いて粉砕した後、タブレットに成形する方法が挙げられる。
また、半導体装置は前述のタブレット状樹脂組成物をトランスファー成形機で成形するのが一般であった。
しかし、近年、スマートフォン、タブレット等の通信機器に用いられる半導体装置は、薄型の形状の中に半導体素子が高密度に搭載されている。
薄型パッケージを樹脂封止する場合、トランスファーモールドによれば、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールすることができるものの、封止用の樹脂の流動中に半導体チップが上下に移動したり、半導体チップに接続しているボンディングワイヤーが封止用の樹脂の流動圧力により変形して、断線や接触等を起こすという問題があった。一方、液状の封止用樹脂によるポッティングあるいはスクリーン印刷では、ボンディングワイヤーの断線や接触は生じにくくなるものの、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールすることが困難であったり、封止樹脂にボイドが混入しやすいという問題があった。
これらの問題を解決するため、金型中に半導体装置を載置し、金型と半導体装置との間にモールド用樹脂を供給して圧縮(コンプレッション)成形することにより、樹脂封止した半導体装置を製造する方法が主流となってきている。
これら圧縮成形にはタブレットではなく、液状、または顆粒状の樹脂組成物が好適である。
しかし、従来のタブレット成形に供する組成物の粉砕パウダーは角張った外観と切断した際の切り屑等が付着したり、顆粒物の梱包、成形時の取り扱い時に擦れあって微粉が発生したりするため、粉塵による設備トラブル、凝集による計量トラブルを招いている。特許文献1には2mm以下の長さに切断された造粒物を、遠心回転装置に投入し、該遠心回転装置の槽内の温度が、70℃以下になるように槽内に冷風投入口から冷却空気を連続的に導入すると共に、熱風投入口から100〜180℃の熱風を造粒物に吹き付け、造粒物の表面を溶融し、回転させながら造粒物間の摩擦衝撃で表面を滑らかにした後、遠心回転装置外に排出し、急冷することを特徴とする顆粒状半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法について記載されているが、熱風を吹き付けるため表面の硬化が進み、硬化物が半導体素子にダメージを与えるという問題があった。
特開平11−286012号公報 特開平8−244064号公報 特開平11−77733号公報 特開2000−277551号公報
従って、本発明は、顆粒物間の擦れ等による微粉の発生が少ない、圧縮成形に好適な顆粒状半導体封止樹脂組成物の製造方法及びこれにより封止された半導体装置を提供することを目的とするものである。
本発明者は、斯かる実情に鑑み鋭意研究を行った結果、溶融混練した樹脂組成物を紐状に成形し、冷却後、円筒スクリーンを具備した破砕型増粒機を通過させることにより、圧縮成形に好適な顆粒を製造できることを見出し本発明を完成した。
すなわち本発明は、次の顆粒状半導体封止樹脂組成物の製造方法及びこれにより封止された半導体装置を提供するものである。
<1> 熱硬化性樹脂、無機充填材及び硬化促進剤を必須成分として含有する組成物を、1軸又は2軸の押出混練機を用いて溶融混練し、先端に設置した間隔が0.5〜2.0mmである複数のスリットを有するTダイを通過させ、更に冷却することにより、紐状の混練組成物を得、次いで該混練組成物を円筒スクリーンを具備した破砕型造粒機により造粒することを特徴とする顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
<2> 紐状の混練組成物の断面積が0.02〜5mm2の範囲であることを特徴とする<1>記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
<3> Tダイのスリットの形状が、高さ0.5〜2.0mm、幅0.5〜2.0mmの四角形、または直径0.5〜2.0mmの円形であることを特徴とする<1>又は<2>記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
<4> 破砕型造粒機に具備された円筒スクリーンの目開き径が2.0〜4.0mmであることを特徴とする<1>から<3>のいずれか1項記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
<5> 更に、顆粒状組成物を製造後に目開き200μm以上750μm以下の篩いで粒径500μm未満の微粉を10ppm以下にする工程を有することを特徴とする、<1>から<4>のいずれか1項記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
<6> <1>から<5>のいずれか1項記載の製造方法で得られた顆粒状半導体封止用樹脂組成物を用いて封止成形された半導体装置。
本発明によれば、顆粒物間の擦れ等による微粉の発生及び凝集が少ない、圧縮成形に好適な顆粒状半導体封止樹脂組成物が得られる。
本発明で使用する製造装置の概略を示す図面である。 本発明で使用するTダイの出口を示す図面である。 本発明で使用する破砕式造粒機の概略を示す図面である。
本発明方法は、熱硬化性樹脂、無機充填材及び硬化促進剤を必須成分として含有する組成物を、1軸又は2軸の押出混練機を用いて溶融混練し、先端に設置した間隔が0.5〜2.0mmである複数のスリットを有するTダイを通過させ、更に冷却することにより、紐状の混練組成物を得、次いで該混練組成物を円筒スクリーンを具備した破砕型造粒機により造粒することを特徴とする。
本発明に用いる熱硬化性樹脂、無機充填材及び硬化促進剤は、通常半導体封止用樹脂組成物に用いるものならば、特に限定されない。
熱硬化性樹脂としては、特にエポキシ樹脂やフェノール樹脂、あるいはそれらの混合物などが好適なものとして挙げられる。
この内、エポキシ樹脂としては、例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフエニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニルアルカン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂等が挙げられる。
フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、トリフェニルアルカン型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられる。
他にもベンゾオキサジン型樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アミン樹脂なども使用できる。
熱硬化性樹脂は、原料組成物中、7〜30質量%、特に9〜25質量%含有することが好ましい。
本発明に用いる無機充填材としては、結晶シリカ、溶融シリカ、クリストバライト、アルミナ等が挙げられ、全樹脂組成物中の無機充填材の量は、70〜93質量%、特に75〜90質量%とすることが好ましい。無機充填材が70質量%以上であると、樹脂組成物の吸水率が抑えられ、耐湿性や耐半田クラック性に優れ、93質量%以下では流動性が良好なので、成形性に優れるため、好ましい。
硬化促進剤としては、イミダゾール、有機リン化合物、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等が挙げられる。硬化促進剤は原料組成物中、0.1〜10質量%、特に0.5〜3.0質量%含有することが好ましい。
本発明の原料組成物には、更に必要に応じて、シランカップリング剤、ホスファゼン化合物、モリブデン酸亜鉛等の難燃剤、ハイドロタルサイト類などのイオントラップ剤、カーボンブラック等の着色剤、ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、ゴム等の低応力剤を適宜添加してもよい。
本発明では、まず、熱硬化性樹脂、無機充填材及び硬化促進剤を必須成分とした組成物を、1軸押し出し混練機または同方向回転2軸の押出混練機を用いて溶融混練する。このときの溶融部のジャケット部の設定温度は40〜120℃が好ましく、更に好ましくは50〜90℃である。
押し出し機先端にはTダイを設置する。本発明は複数のスリットを0.5〜2.0mm間隔に有するTダイを設置することを特徴とする。間隔が0.5mm未満であると、押し出された紐状の組成物が互いに癒着しやすくなるため、生産性が低下してしまい好ましくない。また、間隔が2.0mmを超えると、スリット間の間隔が必要以上に広くなってしまうため、Tダイにスリットの数を増やすことができない。そのため、一度に成形できる紐状組成物の本数が減ってしまうので、生産性が低下するなど不具合を生じてしまう。
スリット断面の形状としては、正方形、長方形のほか、これらの角を落として丸みをつけたもの、円形、半円形、楕円形のものなど特に限定されないが、押し出し成形後の紐状組成物の取り扱いやすさの観点から、正方形、長方形のような四角形もしくは円形が好ましい。
また、スリット断面の断面積が0.02〜5mm2の範囲であると、造粒後に、好ましい範囲の粒径である顆粒が得られやすくなるため好ましい。更に、スリット断面を四角形とする場合は、高さ0.5〜2.0mm、幅0.5〜2.0mmの四角形であることが好ましく、高さ1.0〜1.5mm、幅1.0〜1.5mmであることがより好ましい。そして、スリット断面を円形とする場合は、直径0.5〜2.0mmの円形であることが好ましく、0.7〜1.5mmであることがより好ましい。
なお、本発明で言及する「粒径」とは、各所定目開き寸法を有する振動篩いにより10分間篩い分けすることにより得られる粒径を指す。例えば粒径500μm未満の微粉とは目開き500μm(30メッシュ)の篩いで10分間振動後、篩いを通過した試料を指す。
Tダイスリット出口から出てきた紐状の混練組成物の温度としては、60〜120℃が好ましく、更に好ましくは70〜110℃である。温度が低すぎると粘度が高くスリットから出てこない恐れがあり、温度が高すぎると混練機内での硬化反応の抑制が困難となり、反応による硬化物の発生や成形時の流動性を阻害する原因となる。
これら紐状の組成物は40℃以上では非常にくっつきやすく、押し出し口にカッターがついたホットカット方式では互いにくっついてしまうので、40℃以下まで冷却する。しかし、水中で冷却してカットするストランドカット方式では組成物が著しく吸湿してしまうので、成形時、ボイドや硬化不良を引き起こす恐れがあり好ましくない。従って、空冷もしくは、水冷式冷却ベルト上で冷却することが好ましい。
紐状組成物を冷却後、円筒スクリーンを具備した破砕型増粒機を通過させる。これにより紐状の組成物を切断し、顆粒状組成物を得ることができる。
造粒機に具備された円筒スクリーンの目開き径は2.0〜4.0mmの範囲であることが好ましく、より好ましくは2.0〜3.0mmである。目開き径が2.0mm以上であれば粒径500μm未満の細かい顆粒の混入を抑えることができ、凝集しやすくなるので好ましい。また、目開き径が4.0mm以下であれば2mm以上の粗い顆粒が混入しづらくなるため、コンプレッション成形のための顆粒計量精度が向上する。
また、得られた顆粒状組成物に粒径500μm未満の細かい顆粒が混入するのを抑えるために、目開き200μm以上750μm以下、好ましくは250μm以上600μm以下の篩いで篩い、通過した微粉を顆粒状組成物から除去する工程を追加することが好ましい。この場合、粒径500μm未満の微粉を10ppm以下、好ましくは7ppm以下にすると、粉塵による設備トラブル、凝集による計量トラブルを防ぐことができる。
本発明の製造方法により得られた顆粒状樹脂組成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、コンプレッションモールドでの硬化成形方式が好適である。
以下,実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。
下記の配合割合で、各原材料をヘンシェルミキサーで予備混合した後、図1の二軸混練機ホッパー1に投入し、二軸混練機2(東洋精機社製、ラボプラストミル 4C150)を用い、樹脂組成物温度100℃で溶融混練した後、押出機先端部に設置されたTダイ3から角柱状に押し出した。
Tダイのスリット形状を図2に示す。
角柱の断面は約1.5mm×1.5mmであり、樹脂組成物の膨張により、角はなく丸みを帯びている。
角柱状組成物は冷却ベルトで40℃以下まで冷やした。
《配合処方(質量部)》
熱硬化性樹脂
・ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂 70
硬化剤
・フェノールノボラック樹脂 30
無機充填材
・溶融シリカ粉末 700
硬化促進剤
・トリフェニルホスフィン 0.5
その他添加剤
・カルナバワックス 0.5
・カーボンブラック 2.0
・シランカップリング剤 2.0
冷却された角状の組成物を図3に示される粉砕式増粒機(ダルトン社製、パワーミルP−3)のホッパー7に投入する。モーター10により複数のナイフが回転(回転数3000rpm)し、角状組成物が切断、整粒される。
整粒された組成物は目開き3mmの円筒状のスクリーンを通じて排出され、顆粒12が得られた。
このような工程で得られた顆粒を実施例1、従来のタブレット打錠に供する粉砕パウダーを比較例1として比較評価した。結果を表1に示す。
《評価方法》
・収率:粒径 500μm目開き上、2000μm目開き下の粒度の割合を測定した。
・疎充填かさ密度:パウダーテスターにより測定した。
・安息角:パウダーテスターにより測定した。
・粉落ち性:100gをガラス瓶にいれ30分振盪したのち、500μmふるいで篩い、微粉発生量を測定した。
・凝集性:シャーレ内20gを薄く均一に撒き、25℃、8時間放置した。8時間後、粉同士が凝集しているかどうか確認した。
・スパイラルフロー:EMMI−I−66に準じた金型を用い、前記樹脂組成物を低圧トランスファー成形機にて175℃、射出圧70kgf/cm2、保圧時間120秒の条件で成形し、スパイラルフローを測定。
・アセトン不溶分:前記樹脂組成物100gとアセトン200mlを容器に入れ30分間振盪し、液を100メッシュの篩に通し、篩上に残った質量をppmで表示。
上記の結果から、本発明により、顆粒物間の擦れ等による微粉の発生が少なく、凝集ができにくいコンプレッション成形に最適な顆粒状樹脂組成物が得られることが分かる。
1 ホッパー
2 二軸押し出し混練機
3 Tダイ
4 冷却ベルト
5 角柱状溶融混練組成物
6 スリット
7 ホッパー
8 円筒状スクリーン
9 回転ナイフ
10 モーター
11 フード
12 顆粒

Claims (5)

  1. 熱硬化性樹脂、無機充填材及び硬化促進剤を必須成分として含有する組成物を、1軸又は2軸の押出混練機を用いて溶融混練し、先端に設置した間隔が0.5〜2.0mmである複数のスリットを有するTダイを通過させ、更に冷却することにより、紐状の混練組成物を得、次いで該混練組成物を円筒スクリーンを具備した破砕型造粒機により造粒することを特徴とする顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
  2. 紐状の混練組成物の断面積が0.02〜5mm2の範囲であることを特徴とする請求項1記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
  3. Tダイのスリットの形状が、高さ0.5〜2.0mm、幅0.5〜2.0mmの四角形、または直径0.5〜2.0mmの円形であることを特徴とする請求項1又は2記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
  4. 破砕型造粒機に具備された円筒スクリーンの目開き径が2.0〜4.0mmであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
  5. 更に、顆粒状組成物を製造後に目開き200μm以上750μm以下の篩いで粒径500μm未満の微粉を10ppm以下にする工程を有することを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項記載の顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法。
JP2013262390A 2013-12-19 2013-12-19 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 Active JP6070529B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013262390A JP6070529B2 (ja) 2013-12-19 2013-12-19 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013262390A JP6070529B2 (ja) 2013-12-19 2013-12-19 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015116768A JP2015116768A (ja) 2015-06-25
JP6070529B2 true JP6070529B2 (ja) 2017-02-01

Family

ID=53529954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013262390A Active JP6070529B2 (ja) 2013-12-19 2013-12-19 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6070529B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210002434A1 (en) 2018-04-02 2021-01-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Resin powder, sealing material, electronic component, and resin powder manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3134782B2 (ja) * 1996-07-24 2001-02-13 松下電工株式会社 粒状半導体封止材料、及びその製造方法、及びその材料を用いた半導体装置
JPH10180755A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JPH11918A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Sekisui Chem Co Ltd 塩化ビニル系樹脂管の廃プラスチック原料の回収方法
JP3846825B2 (ja) * 1998-04-01 2006-11-15 住友ベークライト株式会社 顆粒状半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP2000040708A (ja) * 1998-05-21 2000-02-08 Toray Ind Inc 半導体封止用樹脂ペレット、その製造方法および半導体装置
JP4300646B2 (ja) * 1999-08-27 2009-07-22 住友ベークライト株式会社 成形用熱硬化性樹脂粒状体およびその製造方法
JP2001179763A (ja) * 1999-12-24 2001-07-03 Sekisui Chem Co Ltd 液晶樹脂強化等方性フィルムの製造方法
JP4662133B2 (ja) * 2005-04-19 2011-03-30 日立化成工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP5269334B2 (ja) * 2007-03-29 2013-08-21 三菱化学株式会社 均一粒子状ポリマーの製造方法および均一粒子状ポリマーの造粒装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015116768A (ja) 2015-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101712216B1 (ko) 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP3037552B2 (ja) 半導体封止用樹脂タブレット及び半導体封止装置とその製造方法
TWI227690B (en) Manufacture method of epoxy resin formed material of encapsulated semiconductor, forming material and semiconductor apparatus thereof
JP6070529B2 (ja) 顆粒状半導体封止用樹脂組成物の製造方法及び半導体装置
JP7270645B2 (ja) 半導体封止用成形材料の製造方法
JP4808686B2 (ja) エポキシモールディングコンパウンドパウダーのブロッキング及び流動特性の低下を防止する方法
KR20130114113A (ko) 수지 콤팩트 및 그 제조 방법, 수지 조성물 및 그 제조 방법 그리고 전자 부품 장치
TWI692066B (zh) 半導體密封用環氧樹脂粒狀體之製造方法、半導體密封用環氧樹脂粒狀體、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
JPH11243099A (ja) 半導体封止用樹脂ペレット、その製造方法、製造装置、及び半導体装置
JP3846825B2 (ja) 顆粒状半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP4300646B2 (ja) 成形用熱硬化性樹脂粒状体およびその製造方法
JP2018203839A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置の製造方法
KR20060019524A (ko) 유기 올리고머의 결정화방법, 상기 방법에 의해 얻어지는유기 올리고머를 함유하는 에폭시 수지 조성물 및 에폭시수지 경화물
KR101900549B1 (ko) 과립상 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 봉지된 반도체 소자
JP2000040708A (ja) 半導体封止用樹脂ペレット、その製造方法および半導体装置
KR100678808B1 (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP6555000B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂粒状体の製造方法、及び、半導体装置の製造方法
US8906147B2 (en) Degassing apparatus
JPH1074779A (ja) 粒状半導体封止材料、及びその製造方法、及びその材料を用いた半導体装置
JPH10180755A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP7510843B2 (ja) 光半導体封止用樹脂成形物、光半導体封止材及び光半導体装置
KR102264929B1 (ko) 정제 상의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 장치
EP1498244B1 (en) Method for producing a semiconductor-molding tablet
JP3132404B2 (ja) 粒状半導体封止材料の製造方法
JP2005048173A (ja) 半導体封止用タブレットの製法およびそれにより得られた半導体封止用タブレットならびにそれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161107

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6070529

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150