JP3130868B2 - 薄型パッケージの樹脂封止方法 - Google Patents
薄型パッケージの樹脂封止方法Info
- Publication number
- JP3130868B2 JP3130868B2 JP18388798A JP18388798A JP3130868B2 JP 3130868 B2 JP3130868 B2 JP 3130868B2 JP 18388798 A JP18388798 A JP 18388798A JP 18388798 A JP18388798 A JP 18388798A JP 3130868 B2 JP3130868 B2 JP 3130868B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- island
- mold cavity
- gate
- molten resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置で用い
る薄型パッケージの樹脂封止方法に関する。
る薄型パッケージの樹脂封止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、パッケージの樹脂封止工程で
は、半導体ペレット(以下、ペレットという)とリード
フレームのアイランド及びリードを保護する為に予定し
た範囲を確実に完全に熱硬化性樹脂で樹脂封止すること
が重要な課題の一つとなっている。
は、半導体ペレット(以下、ペレットという)とリード
フレームのアイランド及びリードを保護する為に予定し
た範囲を確実に完全に熱硬化性樹脂で樹脂封止すること
が重要な課題の一つとなっている。
【0003】この目的のために、従来の樹脂封止で用い
る(従来例1)封入金型の構造は、図6の断面図に示す
とおり、アイランド1が形成されこのアイランド1上に
ペレット2が接合搭載され、ペレット2の表面電極(図
示せず)とリード12が金属細線10(以下、ボンディ
ングワイヤという)により電気的接合がなされているリ
ードフレームを、上金型17と下金型18で挟み込み、
溶融した封止樹脂(以下、溶融樹脂という)を充填する
際の流入口4(以下、ゲートという)からパッケージ成
形部(以下、キャビティという)を構成する上金型17
のキャビティ19(以下、上型キャビティという)と下
金型18のキャビティ20(以下、下型キャビティとい
う)に同時に充填し、完了するようになっている。この
場合、流入した溶融樹脂がペレット2及びアイランド1
及びリード12を覆いながらキャビティ内を進行する
が、溶融樹脂の流路の間隔であるゲート4とアイランド
1との隙間ウ,エを十分確保する必要がある。
る(従来例1)封入金型の構造は、図6の断面図に示す
とおり、アイランド1が形成されこのアイランド1上に
ペレット2が接合搭載され、ペレット2の表面電極(図
示せず)とリード12が金属細線10(以下、ボンディ
ングワイヤという)により電気的接合がなされているリ
ードフレームを、上金型17と下金型18で挟み込み、
溶融した封止樹脂(以下、溶融樹脂という)を充填する
際の流入口4(以下、ゲートという)からパッケージ成
形部(以下、キャビティという)を構成する上金型17
のキャビティ19(以下、上型キャビティという)と下
金型18のキャビティ20(以下、下型キャビティとい
う)に同時に充填し、完了するようになっている。この
場合、流入した溶融樹脂がペレット2及びアイランド1
及びリード12を覆いながらキャビティ内を進行する
が、溶融樹脂の流路の間隔であるゲート4とアイランド
1との隙間ウ,エを十分確保する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一方、昨今の小型携帯
機器に要求される薄型化、小型化に対応するには実装基
板への部品実装効率を向上させる必要があり、搭載する
電子部品へも薄型化、小型化が要求される。そのため薄
型パッケージを樹脂封止する場合パッケージの形状、サ
イズが優先するので溶融樹脂の流路間隔ウ,エが狭くな
ってしまう。
機器に要求される薄型化、小型化に対応するには実装基
板への部品実装効率を向上させる必要があり、搭載する
電子部品へも薄型化、小型化が要求される。そのため薄
型パッケージを樹脂封止する場合パッケージの形状、サ
イズが優先するので溶融樹脂の流路間隔ウ,エが狭くな
ってしまう。
【0005】この薄型パッケージの場合、図7の断面図
に示すとおり、特に溶融樹脂の流路間隔エが狭くなると
いう問題がある。つまり、ボンディングワイヤ10によ
る接合を用いて組立てた半導体装置は、ペレット2上面
と上型キャビティ19の間にボンディングワイヤ10で
接続する為のスペースが必要である。そのため、封入金
型において上金型17及び下金型18の溶融樹脂の流路
間隔ウ,エは、通常、ボンディングワイヤ10を張るス
ペースを有する側が溶融樹脂の流路が広くなるので、こ
の場合溶融樹脂の流路間隔エが特に狭くなる。
に示すとおり、特に溶融樹脂の流路間隔エが狭くなると
いう問題がある。つまり、ボンディングワイヤ10によ
る接合を用いて組立てた半導体装置は、ペレット2上面
と上型キャビティ19の間にボンディングワイヤ10で
接続する為のスペースが必要である。そのため、封入金
型において上金型17及び下金型18の溶融樹脂の流路
間隔ウ,エは、通常、ボンディングワイヤ10を張るス
ペースを有する側が溶融樹脂の流路が広くなるので、こ
の場合溶融樹脂の流路間隔エが特に狭くなる。
【0006】更に、ゲート4の近傍に於いては、パッケ
ージの概ね中心に位置するペレット2がゲート4と対向
する位置に有るので、ペレット2及びアイランド1とゲ
ート4の位置関係が上金型17及び下金型18各々のキ
ャビティ19,20への流入バランスを大きく左右する
事になる。通常、ペレットよりもアイランドの面積の方
が大きいのでアイランドが位置する側の溶融樹脂の流路
間隔エが狭くなるという問題もある。
ージの概ね中心に位置するペレット2がゲート4と対向
する位置に有るので、ペレット2及びアイランド1とゲ
ート4の位置関係が上金型17及び下金型18各々のキ
ャビティ19,20への流入バランスを大きく左右する
事になる。通常、ペレットよりもアイランドの面積の方
が大きいのでアイランドが位置する側の溶融樹脂の流路
間隔エが狭くなるという問題もある。
【0007】このため熱硬化性樹脂での樹脂封止の際に
溶融樹脂は流路が広い領域を優先的に充填するので、そ
の領域に於いては溶融樹脂が硬化する以前に充填が完了
する。一方で、流路が狭い領域の充填は長い時間を必要
とするので、充填の途中で溶融樹脂の硬化が始まってし
まう。
溶融樹脂は流路が広い領域を優先的に充填するので、そ
の領域に於いては溶融樹脂が硬化する以前に充填が完了
する。一方で、流路が狭い領域の充填は長い時間を必要
とするので、充填の途中で溶融樹脂の硬化が始まってし
まう。
【0008】次に、樹脂封止の製造工程の断面図を示す
図8(a)(b)を用いて、未充填や気泡13(以下、
総称してボイドという)の発生過程について説明する。
図8(a)のように溶融樹脂11は流路が広い領域の充
填が完了した後、図8(b)のように流路が狭い部分に
対しゲート4の反対方向から回り込んで流入する場合が
有るので、既に流入が進行中のゲート4側から流入した
溶融樹脂11との間にボイド13が生じることになる。
図8(a)(b)を用いて、未充填や気泡13(以下、
総称してボイドという)の発生過程について説明する。
図8(a)のように溶融樹脂11は流路が広い領域の充
填が完了した後、図8(b)のように流路が狭い部分に
対しゲート4の反対方向から回り込んで流入する場合が
有るので、既に流入が進行中のゲート4側から流入した
溶融樹脂11との間にボイド13が生じることになる。
【0009】また、前述した流路が狭い領域の充填を短
時間で完了しようとして樹脂の流入速度を速くすると、
ボンディングワイヤ10が高速の流体に押し流されるか
の如く変形する問題もある。このように、これまで用い
られてきた封入金型の構造に於いて溶融樹脂11の流路
を十分確保するのは困難であり、薄型パッケージの樹脂
封止に関し、十分とは言えない。
時間で完了しようとして樹脂の流入速度を速くすると、
ボンディングワイヤ10が高速の流体に押し流されるか
の如く変形する問題もある。このように、これまで用い
られてきた封入金型の構造に於いて溶融樹脂11の流路
を十分確保するのは困難であり、薄型パッケージの樹脂
封止に関し、十分とは言えない。
【0010】そこで、例えば特開平7−135277号
公報(従来例2)には、図9の平面図に示すとおり、1
つのアイランド1上に複数のペレット2を搭載する樹脂
封止型半導体装置が示されている。この場合、複数のペ
レット2間のアイランド1に1個又は複数の切り欠き窓
14を設けてアイランド1の上面と下面の樹脂の充填バ
ランスを良くし、アイランドの浮き沈みや変形の防止、
並びに、ボンディングワイヤの変形を防止することが開
示されている。
公報(従来例2)には、図9の平面図に示すとおり、1
つのアイランド1上に複数のペレット2を搭載する樹脂
封止型半導体装置が示されている。この場合、複数のペ
レット2間のアイランド1に1個又は複数の切り欠き窓
14を設けてアイランド1の上面と下面の樹脂の充填バ
ランスを良くし、アイランドの浮き沈みや変形の防止、
並びに、ボンディングワイヤの変形を防止することが開
示されている。
【0011】この技術は、切り欠き窓14に至る迄の流
路が広い領域と流路が狭い領域の樹脂流入量の差を切り
欠き窓14が有る事により、先に充填が進行する流路が
広い領域の樹脂で流路が狭い領域を補う事ができるの
で、アイランドの上面と下面の樹脂の充填バランスを良
くする点において一応の効果を奏している。
路が広い領域と流路が狭い領域の樹脂流入量の差を切り
欠き窓14が有る事により、先に充填が進行する流路が
広い領域の樹脂で流路が狭い領域を補う事ができるの
で、アイランドの上面と下面の樹脂の充填バランスを良
くする点において一応の効果を奏している。
【0012】しかしながら、この従来例2では、図10
の断面図に示すとおり、逆に切り欠き窓14を介してア
イランド1の他方に流入した溶融樹脂15と既に流入が
進行中のゲート側から流入した溶融樹脂16との間に空
気溜りが生じ、ボイド13が発生するという問題も新た
に生ずる。すなわち、アイランド1の一方ともう一方の
流入タイミングがずれると、それに見合った量のボイド
13が発生してしまう。
の断面図に示すとおり、逆に切り欠き窓14を介してア
イランド1の他方に流入した溶融樹脂15と既に流入が
進行中のゲート側から流入した溶融樹脂16との間に空
気溜りが生じ、ボイド13が発生するという問題も新た
に生ずる。すなわち、アイランド1の一方ともう一方の
流入タイミングがずれると、それに見合った量のボイド
13が発生してしまう。
【0013】このボイド13の発生により、半導体装置
製品の歩留まりが悪いという問題を生じ、また封止樹脂
の内部にボイドを有することは、実装時の加熱により膨
張し封止樹脂の歪みや剥離の原因になり、それに伴う熱
伝導性、耐湿性の悪化を招き信頼性が低下するという問
題もある。さらには、封止樹脂の内部に有るボイドは外
観上では発見できないので、その発見にはX線装置を利
用する等の大掛かりな対応が必要になるという問題も生
ずる。
製品の歩留まりが悪いという問題を生じ、また封止樹脂
の内部にボイドを有することは、実装時の加熱により膨
張し封止樹脂の歪みや剥離の原因になり、それに伴う熱
伝導性、耐湿性の悪化を招き信頼性が低下するという問
題もある。さらには、封止樹脂の内部に有るボイドは外
観上では発見できないので、その発見にはX線装置を利
用する等の大掛かりな対応が必要になるという問題も生
ずる。
【0014】この他の従来技術(従来例3)として、図
11の断面図に示すとおり、特開昭62−183130
号公報に示されている樹脂封止による半導体装置の製造
方法がある。この場合は、キャビティ内に樹脂を流入す
るにあたり、ゲート4に対向するアイランド1を曲折し
て上型キャビティ19と下型キャビティ20への流入バ
ランスを均等にし、ボイドの発生を抑える事が開示され
ている。
11の断面図に示すとおり、特開昭62−183130
号公報に示されている樹脂封止による半導体装置の製造
方法がある。この場合は、キャビティ内に樹脂を流入す
るにあたり、ゲート4に対向するアイランド1を曲折し
て上型キャビティ19と下型キャビティ20への流入バ
ランスを均等にし、ボイドの発生を抑える事が開示され
ている。
【0015】この技術は、大型厚型パッケージにおいて
はボイドの発生を抑える事が可能であるが、小型薄型パ
ッケージを樹脂封止する場合アイランドを曲折するスペ
ースを設けた分パッケージを薄型化できなくなるし、曲
折する角度の僅かなバラツキが樹脂流路の大きさの大き
なバラツキにつながる。それは、薄型パッケージにおい
てはアイランド1やペレット2が封入金型のキャビティ
内壁に非常に近いので、アイランドを曲折した部分が抜
き勾配8の近傍に位置することになるからである。
はボイドの発生を抑える事が可能であるが、小型薄型パ
ッケージを樹脂封止する場合アイランドを曲折するスペ
ースを設けた分パッケージを薄型化できなくなるし、曲
折する角度の僅かなバラツキが樹脂流路の大きさの大き
なバラツキにつながる。それは、薄型パッケージにおい
てはアイランド1やペレット2が封入金型のキャビティ
内壁に非常に近いので、アイランドを曲折した部分が抜
き勾配8の近傍に位置することになるからである。
【0016】このような理由で、従来例3の方法は、薄
型パッケージにおいては流入バランスを均等にする事が
困難であり適用できない。
型パッケージにおいては流入バランスを均等にする事が
困難であり適用できない。
【0017】従って、本発明の主な目的は、薄型パッケ
ージの樹脂封止工程において充填不良によるボイドが発
生せず、又、ボンディングワイヤの変形を生じず、歩留
まりが良い薄型パッケージの樹脂封止方法を提供するこ
とにある。
ージの樹脂封止工程において充填不良によるボイドが発
生せず、又、ボンディングワイヤの変形を生じず、歩留
まりが良い薄型パッケージの樹脂封止方法を提供するこ
とにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の薄型パッケージ
の樹脂封止方法は、アイランドの一部に設けたあたかも
切り欠いた形状(以下、切り欠きという)の端部と下型
キャビティの内壁で角度を有する部分(以下、抜き勾配
部という)との隙間の寸法を、ペレットと上型キャビテ
ィの抜き勾配部との隙間の寸法に対し、下型キャビティ
と上型キャビティに流入する溶融樹脂の容量の比率と等
しい値の比率を持って設定して樹脂封止することを特徴
とする。
の樹脂封止方法は、アイランドの一部に設けたあたかも
切り欠いた形状(以下、切り欠きという)の端部と下型
キャビティの内壁で角度を有する部分(以下、抜き勾配
部という)との隙間の寸法を、ペレットと上型キャビテ
ィの抜き勾配部との隙間の寸法に対し、下型キャビティ
と上型キャビティに流入する溶融樹脂の容量の比率と等
しい値の比率を持って設定して樹脂封止することを特徴
とする。
【0019】即ち、本発明の特徴は、薄型パッケージの
樹脂封止において、樹脂の流入口に対向する部分のアイ
ランド及びペレットにより、樹脂の流入方向すなわち上
金型と下金型各々に対する流入バランスを制御すること
にある。
樹脂封止において、樹脂の流入口に対向する部分のアイ
ランド及びペレットにより、樹脂の流入方向すなわち上
金型と下金型各々に対する流入バランスを制御すること
にある。
【0020】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1(a)は、本発
明の一実施形態の薄型パッケージ用リードフレームを樹
脂封止する場合のアイランド部分の拡大図、図1(b)
は図1(a)のA−A平面に沿った断面図を示す。図の
ように、このリードフレームにはアイランド1が形成さ
れており、このアイランド1上にはペレット2が接合搭
載され、ペレット2の表面電極(図示せず)とリード1
2はボンディングワイヤ10により電気的接合がなされ
ている。そして、ゲート4に対向するアイランド1の一
部に切り欠き5が設けられている。この場合の樹脂封止
金型は、パッケージ成形部3において樹脂の流入口であ
るゲート4が1個所からなり、ゲート4に対向する部分
にアイランド1とペレット2が位置し、ゲート4に対向
するアイランド1の一部に前記切り欠き5を設けたこと
を特徴とする。
て図面を参照して詳細に説明する。図1(a)は、本発
明の一実施形態の薄型パッケージ用リードフレームを樹
脂封止する場合のアイランド部分の拡大図、図1(b)
は図1(a)のA−A平面に沿った断面図を示す。図の
ように、このリードフレームにはアイランド1が形成さ
れており、このアイランド1上にはペレット2が接合搭
載され、ペレット2の表面電極(図示せず)とリード1
2はボンディングワイヤ10により電気的接合がなされ
ている。そして、ゲート4に対向するアイランド1の一
部に切り欠き5が設けられている。この場合の樹脂封止
金型は、パッケージ成形部3において樹脂の流入口であ
るゲート4が1個所からなり、ゲート4に対向する部分
にアイランド1とペレット2が位置し、ゲート4に対向
するアイランド1の一部に前記切り欠き5を設けたこと
を特徴とする。
【0021】図2は図1の薄型パッケージの樹脂封止を
行う場合の各部の位置関係を示す平面図、図3(a)は
図2のB−B線に沿った断面図、図3(b)は図3
(a)の詳細な位置関係を示す拡大図である。図2、図
3に示すとおり、アイランド1の一部に設けた切り欠き
5の端部とキャビティ内壁6で角度を有する部分である
抜き勾配部7との隙間は溶融樹脂の流路となる。そし
て、この流路の間隔(すなわち隙間の寸法)イは、もう
一方の流路の間隔(すなわち隙間の寸法)アに対し次の
比率をもって設定する。
行う場合の各部の位置関係を示す平面図、図3(a)は
図2のB−B線に沿った断面図、図3(b)は図3
(a)の詳細な位置関係を示す拡大図である。図2、図
3に示すとおり、アイランド1の一部に設けた切り欠き
5の端部とキャビティ内壁6で角度を有する部分である
抜き勾配部7との隙間は溶融樹脂の流路となる。そし
て、この流路の間隔(すなわち隙間の寸法)イは、もう
一方の流路の間隔(すなわち隙間の寸法)アに対し次の
比率をもって設定する。
【0022】この構成において、ゲート4から溶融樹脂
が流入した直後の、前出流路の間隔アと前出流路の間隔
イの断面積の比率をその後それぞれの流路から溶融樹脂
が流入する上型キャビティ19と下型キャビティ20の
容量の比率と等しい値にすることにより、各々の充填を
同時に完了することができる。
が流入した直後の、前出流路の間隔アと前出流路の間隔
イの断面積の比率をその後それぞれの流路から溶融樹脂
が流入する上型キャビティ19と下型キャビティ20の
容量の比率と等しい値にすることにより、各々の充填を
同時に完了することができる。
【0023】従って、溶融樹脂は流路が広い側すなわち
上型キャビティ19の充填が完了した後、充填が完了し
ていない流路が狭い側すなわち下型キャビティ20に流
入するという事が無く、従って流路が狭い側で、流入が
進行途中のゲート4側から流入した溶融樹脂との間に空
気溜りが生じ、ボイドが発生することが無いという効果
がある。
上型キャビティ19の充填が完了した後、充填が完了し
ていない流路が狭い側すなわち下型キャビティ20に流
入するという事が無く、従って流路が狭い側で、流入が
進行途中のゲート4側から流入した溶融樹脂との間に空
気溜りが生じ、ボイドが発生することが無いという効果
がある。
【0024】この様子を図4を用いて説明する。これら
図4(a)(b)はそれぞれ樹脂封止工程での金型キャ
ビティへの溶融樹脂の流入過程を示す断面図である。こ
の樹脂封止方法では、図4(a)に示すとおり、封入金
型のゲート4から流入した溶融樹脂11はゲート4に対
向するペレット2に向かい流入する。さらに図4(b)
に示すとおり、溶融樹脂11はペレット2と抜き勾配部
8の隙間を通りペレット2の上領域である上型キャビテ
ィ19へ、又アイランド1と抜き勾配部7の隙間を通り
ペレット2の下領域である下型キャビティ20に、それ
ぞれ流入が進行するようになる。
図4(a)(b)はそれぞれ樹脂封止工程での金型キャ
ビティへの溶融樹脂の流入過程を示す断面図である。こ
の樹脂封止方法では、図4(a)に示すとおり、封入金
型のゲート4から流入した溶融樹脂11はゲート4に対
向するペレット2に向かい流入する。さらに図4(b)
に示すとおり、溶融樹脂11はペレット2と抜き勾配部
8の隙間を通りペレット2の上領域である上型キャビテ
ィ19へ、又アイランド1と抜き勾配部7の隙間を通り
ペレット2の下領域である下型キャビティ20に、それ
ぞれ流入が進行するようになる。
【0025】また、本実施形態では、前記切り欠き5を
設けたが、それ以外の形状の切り欠き5についても適応
することができる。その構成を図5の断面図に示す。図
5において、ゲート4に対向するアイランド1の位置に
切り欠き5を設けた上更に、その端面に抜き勾配部7よ
りも鋭角な角度の傾斜面9を設けている。
設けたが、それ以外の形状の切り欠き5についても適応
することができる。その構成を図5の断面図に示す。図
5において、ゲート4に対向するアイランド1の位置に
切り欠き5を設けた上更に、その端面に抜き勾配部7よ
りも鋭角な角度の傾斜面9を設けている。
【0026】従って、この実施形態では封入金型のゲー
ト4から流入した溶融樹脂はゲート4に対向するペレッ
ト2に向かい流入した後に、アイランド1の厚みの影響
を全く受けることなくその後の流入を進行せしめること
が可能である。図5のような構成においては、ゲート4
から溶融樹脂が流入した直後の、流路間隔(すなわち隙
間の寸法)アと流路間隔(すなわち隙間の寸法)イの断
面積の比率をその後それぞれから流入する上型キャビテ
ィ19と下型キャビティ20の容量の比率と等しい値に
することで、各々の充填を同時に完了することができ
る。
ト4から流入した溶融樹脂はゲート4に対向するペレッ
ト2に向かい流入した後に、アイランド1の厚みの影響
を全く受けることなくその後の流入を進行せしめること
が可能である。図5のような構成においては、ゲート4
から溶融樹脂が流入した直後の、流路間隔(すなわち隙
間の寸法)アと流路間隔(すなわち隙間の寸法)イの断
面積の比率をその後それぞれから流入する上型キャビテ
ィ19と下型キャビティ20の容量の比率と等しい値に
することで、各々の充填を同時に完了することができ
る。
【0027】従って、溶融樹脂は流路が広い側すなわち
上型キャビティ19の充填が完了した後、充填が完了し
ていない流路が狭い側すなわち下型キャビティ20に流
入するという事が無く、従って流路が狭い側で、流入が
進行途中のゲート4側から流入した溶融樹脂との間にボ
イドが発生することが無いという効果がある。
上型キャビティ19の充填が完了した後、充填が完了し
ていない流路が狭い側すなわち下型キャビティ20に流
入するという事が無く、従って流路が狭い側で、流入が
進行途中のゲート4側から流入した溶融樹脂との間にボ
イドが発生することが無いという効果がある。
【0028】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、薄
型パッケージ特有の上型キャビティと下型キャビティ各
々の溶融樹脂の流路の大きさの差が大きい場合におい
て、上金型と下金型各々への樹脂の充填が均一にバラン
ス良く行われて、未充填や気泡(ボイド)の発生が抑制
でき、信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造でき
るという効果が得られる。
型パッケージ特有の上型キャビティと下型キャビティ各
々の溶融樹脂の流路の大きさの差が大きい場合におい
て、上金型と下金型各々への樹脂の充填が均一にバラン
ス良く行われて、未充填や気泡(ボイド)の発生が抑制
でき、信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造でき
るという効果が得られる。
【図1】本発明の第1の実施形態の樹脂封止状態を説明
する斜視図および断面図である。
する斜視図および断面図である。
【図2】図1の樹脂封止を行う場合の各部の位置関係を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図3】図2のB−B線に沿った断面図およびその拡大
図である。
図である。
【図4】本発明の第1の実施形態を説明する図1におけ
る樹脂封止工程での金型キャビティへの溶融樹脂の流入
過程を示す断面図である。
る樹脂封止工程での金型キャビティへの溶融樹脂の流入
過程を示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態の樹脂封止状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図6】従来技術に於ける樹脂封止状態を説明する断面
図である。
図である。
【図7】従来の薄型パッケージを樹脂封止する場合を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図8】図7におけるボイドの発生過程を説明する断面
図である。
図である。
【図9】他の従来技術を説明する平面図である。
【図10】図9の従来技術に於ける問題点を説明する断
面図である。
面図である。
【図11】さらに他の従来技術を説明する断面図であ
る。
る。
1 アイランド 2 ペレット 3 パッケージ成形部 4 ゲート 5 切り欠き 6 キャビティ内壁 7,8 抜き勾配部 9 傾斜面 10 ボンディングワイヤ 11 溶融樹脂 12 リード 13 ボイド 14 切り欠き窓 15,16 溶融樹脂 17 上金型 18 下金型 19 上型キャビティ 20 下型キャビティ ア〜エ 溶融樹脂の流路の間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/56 H01L 23/50 B29C 45/02 B29C 45/14
Claims (3)
- 【請求項1】 リードフレームのアイランドの一部に設
けた切り欠きの端部と封入金型の下型キャビティの抜き
勾配部との隙間の寸法を、前記アイランド上に接合搭載
したペレットと前記封入金型の上型キャビティの抜き勾
配部との隙間の寸法に対し、前記下型キャビティと前記
上型キャビティに流入する溶融樹脂の容量の比率と等し
い値の比率を持って設定して樹脂封止することを特徴と
する薄型パッケージの樹脂封止方法。 - 【請求項2】 前記封入金型のゲートに対向する部分に
前記アイランドと前記ペレットが位置するようにした請
求項1記載の薄型パッケージの樹脂封止方法。 - 【請求項3】 前記封入金型のゲートが1個所からなる
請求項1または2記載の薄型パッケージの樹脂封止方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18388798A JP3130868B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 薄型パッケージの樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18388798A JP3130868B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 薄型パッケージの樹脂封止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000021904A JP2000021904A (ja) | 2000-01-21 |
JP3130868B2 true JP3130868B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=16143564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18388798A Expired - Fee Related JP3130868B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 薄型パッケージの樹脂封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3130868B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100400496B1 (ko) * | 2001-12-13 | 2003-10-08 | 서화일 | 멀티 플립칩의 언더필 인캡슐레이션 공정용 몰드 |
JP7517856B2 (ja) * | 2020-04-02 | 2024-07-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP18388798A patent/JP3130868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000021904A (ja) | 2000-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5874773A (en) | Lead frame having a supporting pad with a plurality of slits arranged to permit the flow of resin so as to prevent the occurrence of voids | |
JPS5966157A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH11260856A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 | |
US4482915A (en) | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device | |
JPH0794551A (ja) | 半導体装置 | |
JP2959480B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3130868B2 (ja) | 薄型パッケージの樹脂封止方法 | |
JP3173250B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH08264569A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3428591B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP3105200B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0582672A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3013810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04316356A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
JPH08162596A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0697353A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2595769Y2 (ja) | 半導体装置 | |
KR0163872B1 (ko) | 본딩 와이어 불량 방지용 블로킹 리드를 갖는 패킹 구조 | |
JPH1116931A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPH08111492A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
KR100658894B1 (ko) | 리드프레임의 몰딩 방법 | |
JPH0888312A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH11274191A (ja) | 半導体素子の樹脂封止装置 | |
JPH06326231A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に用いるリードフレーム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001024 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |