JP3128291B2 - マレイミド樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

マレイミド樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JP3128291B2
JP3128291B2 JP03262204A JP26220491A JP3128291B2 JP 3128291 B2 JP3128291 B2 JP 3128291B2 JP 03262204 A JP03262204 A JP 03262204A JP 26220491 A JP26220491 A JP 26220491A JP 3128291 B2 JP3128291 B2 JP 3128291B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
maleimide
resin composition
maleimide resin
curing catalyst
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03262204A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH059364A (ja
Inventor
新悦 藤枝
章 善積
宏 下澤
道也 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of JPH059364A publication Critical patent/JPH059364A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3128291B2 publication Critical patent/JP3128291B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/14Peroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/49Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/51Phosphorus bound to oxygen
    • C08K5/53Phosphorus bound to oxygen bound to oxygen and to carbon only
    • C08K5/5313Phosphinic compounds, e.g. R2=P(:O)OR'
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/085Unsaturated polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306Polyimides or polyesterimides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/143Digital devices
    • H01L2924/1433Application-specific integrated circuit [ASIC]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の封止に好適
に使用できるマレイミド樹脂組成物、およびこれを用い
た樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積度化に伴っ
て、素子上における各種機能単位の微細化、素子自体の
大型化が急速に進んでいる。これら半導体素子の樹脂封
止には、これまで樹脂主成分として熱硬化性のエポキシ
樹脂と、硬化剤成分としてフェノール樹脂とを含有した
エポキシ樹脂組成物が多く使用されている。
【0003】ところで、このエポキシ樹脂組成物を封止
樹脂として用いたASIC(Appli-cation Specific I
C)と言われるゲートアレイやスタンダードセル方式L
SIに代表される表面実装型パッケージを実装する際に
は、ペーパーフェイズリフロー、赤外線リフロー、半田
浸漬等の工程が採用されている。これらの工程では、パ
ッケージが高温(約 215〜260 ℃)にさらされるが、こ
のときに上記エポキシ樹脂組成物で封止された樹脂封止
型半導体装置においては、樹脂を透過して内部に侵入し
た微量の水分が急激に気化し、封止樹脂にクラックが入
ることがある。このクラックが外部にまで達すると、当
該樹脂封止型半導体装置の耐湿信頼性が損なわれ大きな
問題となる。更に、封止樹脂の膨れが生じて該パッケー
ジを実装することができないという現象も発生する。
【0004】また、上記工程において、樹脂封止された
半導体素子内部では、アルミニウム等の配線層のパッシ
ベーション膜に使用されているPSG(リンケイ酸ガラ
ス)やSiN(窒化ケイ素)にクラックが生じたり、A
uボンディングワイヤーの断線が生ずるといった問題も
多発している。これらの対策として、以下の要求が大型
パッケージで使用される封止樹脂を中心として高まって
きている。
【0005】1)封止樹脂の内部封入物に対する応力を
小さくし、且つ封止樹脂と素子上のPSG、SiN、ポ
リイミド膜およびリードフレームとの密着性を向上させ
ること; 2)封止樹脂に、実装温度に対応した高温強度および吸
湿高温強度を付与し、かつ吸湿量を低減させること。
【0006】以上の観点から、封止樹脂組成物の樹脂主
成分としては、例えばマレイミド系樹脂をはじめ、PP
S(ポリフェニレンスルフィド)樹脂やPPO(ポリフ
ェニレンオキシド)樹脂、また液晶ポリマー等の実用化
が検討されている。更に、最近では、マレイミド樹脂と
エポキシ樹脂とを組合わせた樹脂、またはビスマレイミ
ド樹脂と 4,4'-ジアミノジフェニルメタンとを組合せた
アミノビスマレイミド樹脂が、封止樹脂として提案され
ている。一般に、これらマレイミド系樹脂による半導体
素子の樹脂封止は、樹脂主成分となるマレイミド樹脂
と、硬化剤成分であるフェノール樹脂と、硬化触媒と、
その他無機充填剤や難燃剤等の添加剤成分とを含有した
樹脂組成物を、トランスファーモールド法等の通常の成
形技術により成形加工することによって行われる。この
成形加工において、該樹脂組成物中のマレイミド樹脂の
二重結合に対するフェノール樹脂の付加反応およびマレ
イミド樹脂相互での反応が起こり、マレイミド樹脂の重
合が進行して該組成物が硬化し、封止樹脂成形体が得ら
れると考えられている。
【0007】しかしながら、上記マレイミド樹脂組成物
を使用した半導体素子の樹脂封止には、次のような問題
が生ずる。即ち、上記マレイミド樹脂組成物において、
特にマレイミド樹脂とフェノール樹脂との反応の進行が
遅いため、前記フェノール樹脂を硬化剤として含有する
エポキシ樹脂組成物に比べ、樹脂組成物の硬化特性が悪
い。従って、封止樹脂の成形に長時間を要し、硬化物に
は高い粘性が残存し、成形に使用される金型からの離型
性も悪くなる。更に、樹脂組成物中のモノマーまたは低
分子物が残存し、金型に汚れが発生する。また、該封止
樹脂成形体では、外観が劣る等の問題が生じる。
【0008】以上のように、半導体素子の樹脂封止にマ
レイミド樹脂組成物を使用する場合、従来のエポキシ樹
脂組成物を使用した場合における問題点を解決できる反
面、成形性等の観点では非常に劣るという問題が生じて
いる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたもので、その目的は、例えば、半導体
素子の封止に使用されるマレイミド樹脂組成物の硬化特
性を改善することである。詳しくは、成形時間が短く、
成形時の金型汚れが少なく、金型からの離型性および得
られる成形体の外観が良好な、優れた成形性を有するマ
レイミド樹脂組成物を提供することである。
【0010】本発明の更なる目的は、上述したような優
れた成形性を有するマレイミド樹脂組成物によって樹脂
封止が施された、高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のマレイミド樹脂
組成物は、マレイミド樹脂と、フェノール樹脂と、硬化
触媒とを必須成分とするマレイミド樹脂組成物におい
て、前記硬化触媒として塩基性触媒および過酸化物を併
用すること、および前記マレイミド樹脂中の有機酸の含
量が0.2重量%以下であることを特徴とする。また本
発明のマレイミド樹脂組成物は、マレイミド樹脂と、フ
ェノール樹脂と、硬化触媒とを必須成分とするマレイミ
ド樹脂組成物において、前記硬化触媒として塩基性触媒
および過酸化物を併用すること、および前記硬化触媒を
フェノール樹脂に予備混合すること、を特徴とする。
【0012】また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、
無機充填剤を更に添加含有してなる前記マレイミド樹脂
組成物によって、半導体素子が封止されてなることを特
徴とする。以下、本発明の詳細を説明する。
【0013】本発明のマレイミド樹脂組成物では、硬化
触媒の機能によって、樹脂主成分であるマレイミド樹脂
の二重結合に対する硬化剤成分であるフェノール樹脂の
付加反応およびマレイミド樹脂相互での反応が起こり、
マレイミド樹脂の重合が進行して該組成物が硬化し、硬
化物が形成されると考えられている。
【0014】本発明のマレイミド樹脂組成物において、
樹脂主成分であるマレイミド樹脂には、特に限定される
わけではないが、例えば、下記化1に示す一般式(1)
で表されるN,N'- 置換ビスマレイミド化合物、または下
記化2に示す一般式(2)で表されるポリ(フェニレン
メチレン)ポリマレイミドが使用され得る。
【0015】
【化1】
【0016】(式中、Xはアルキレン基、シクロアルキ
レン基、単環式もしくは多環式のアリレーン基等の2価
の炭化水素基、または−CH2 −、−CO−、−SO2
−、もしくは−CONH−等の2価の原子団によって結
合された2価の炭化水素基を表す)
【0017】
【化2】 (式中、mは1〜5の整数を表す)
【0018】前記マレイミド樹脂の具体例としては、
N,N'-フェニレンビスマレイミド、N,N'- ヘキサメチレ
ンビスマレイミド、 N,N'-ジフェニルメタンビスマレイ
ミド、N,N'-オキシ -ジ -p-フェニレンビスマレイミ
ド、N,N'-4,4'-ベンゾフェノンビスマレイミド、 N,N'-
p-ジフェニルスルホンビスマレイミド、 N,N'-(3,3'-
ジメチル)メチレン -ジ -p-フェニレンビスマレイミ
ド、ポリ(フェニルメチレン)ポリマレイミド、2,2-ビ
ス(4-フェノキシフェニル)プロパン-N,N'-ビスマレイ
ミド、ビス(4-フェノキシフェニル)スルホン-N,N'-ビ
スマレイミド、1,4-ビス(4-フェノキシ)ベンゼン -N,
N'- ビスマレイミド、1,3-ビス(4-フェノキシ)ベンゼ
ン-N,N'-ビスマレイミド、1,3-ビス(3-フェノキシ)ベ
ンゼン-N,N'-ビスマレイミド等が挙げられる。これらは
1種または2種以上で使用され得る。
【0019】尚、前記マレイミド樹脂には、微量の有機
酸が含有される場合がある。該有機酸は、マレイミド樹
脂の精製が不充分である場合に該樹脂中に残存したもの
であり、具体的には、酢酸、マレイン酸、フマル酸、脂
肪酸等が挙げられる。このような有機酸は、マレイミド
樹脂を95℃/20時間以上の条件で熱水処理することによ
って当該樹脂より抽出され、イオンクロマトグラフィー
や液体クロマトグラフィー等によって分析することがで
きる。本発明のマレイミド樹脂組成物では、前記マレイ
ミド樹脂中における有機酸の含有量は、最終的に形成さ
れる硬化物の物性を大きく左右する。即ち、マレイミド
樹脂の精製が不充分で有機酸が多量に残存する場合、形
成される硬化物の耐湿性の低下を招き、これを含有した
マレイミド樹脂組成物で半導体素子を封止すると、半導
体チップ上のAl配線層の腐食が進行する。従って、前
記マレイミド樹脂における有機酸の含有量は、上述した
抽出および分析方法による測定値で、 0.2重量%以下、
更には 0.1重量%以下であることが望ましい。
【0020】前記マレイミド樹脂、例えばビスマレイミ
ド樹脂の製造方法としては、反応溶媒中で、ビスマレイ
ンアミック酸を合成した後、該ビスマレインアミック酸
を無水酢酸を用いて脱水閉環させてビスマレイミド樹脂
とし、これを精製する方法が挙げられる。また、反応溶
媒中で、ビスマレインアミック酸を、無水酢酸を用いず
に熱によって直接脱水閉環させてビスマレイミド樹脂と
し、これを精製する方法も挙げられる。当該マレイミド
樹脂の製造方法は、これらに限定されるものではない
が、前述したように残存有機酸量を極力減らすために
は、後者の方法が望ましい。
【0021】本発明のマレイミド樹脂組成物において、
硬化剤成分に相当する前記フェノール樹脂には、例え
ば、ノボラック型フェノール樹脂が使用される。かかる
ノボラック型フェノール樹脂としては、1分子中に2個
以上のフェノール性水酸基を有するものであればいかな
るものであってもよい。例えば、フェノールノボラック
樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノール
ノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、フ
ェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノ
ールノボラック樹脂等が使用される。また特に、アミノ
基、アリル基、ビニル基、アクリル基等、マレイミド樹
脂に対して反応性のある基を有するフェノール樹脂を使
用することもできる。以上のフェノール樹脂のうち、成
形性、強度等の観点から、特にフェノールノボラック樹
脂が好ましい。
【0022】前記フェノール樹脂の具体例としては、例
えば、ショウノールBRG−555(昭和高分子
(株)、軟化点68℃、溶融粘度 125℃で 2.4ps)、ショ
ウノールBRG−556(昭和高分子(株)、軟化点80
℃、溶融粘度 150℃で 1.8ps)、ショウノールBRG−
557(昭和高分子(株)、軟化点87℃、溶融粘度 150
℃で3.0ps)、ショウノールBRG−558(昭和高分
子(株)、軟化点97℃、溶融粘度 150℃で 6.2ps)、バ
ーカムTD−2131(大日本インキ(株)、軟化点80
℃、溶融粘度 150℃で 3.3ps)、バーカムTD−209
3(大日本インキ(株)、軟化点 100℃、溶融粘度 150
℃で30ps)等のノボラック型フェノール樹脂が挙げられ
る。
【0023】また、本発明のマレイミド樹脂組成物に含
有されるフェノール樹脂には、下記化3に示す一般式
(3)、(4)、または(5)で表されるアリルフェノ
ール樹脂を使用することもできる。
【0024】
【化3】 (式中、Rは−CH2 −CH=CH2 を示し、n,lは
正の整数を表す)
【0025】本発明のマレイミド樹脂組成物において、
前記アリルフェノール樹脂が含有される場合、溶融した
際に揮発する成分を低減させるために、アリルフェノー
ル樹脂中に存在するアリルフェノールモノマーが1000 p
pm以下であることが好ましい。本発明で使用され得るア
リルフェノール樹脂の好ましい具体例としては、SH−
140A(三菱油化)、SH−150A(三菱油化)、
XPSF−4488(群栄化学)等が挙げられる。
【0026】本発明のマレイミド樹脂組成物において、
上述したようなフェノール樹脂の配合量は、樹脂主成分
であるマレイミド樹脂の配合量に対して10〜50重量%で
あることが好ましい。この配合量が10重量%未満であれ
ば、当該マレイミド樹脂組成物の溶融粘度が増加し、成
形時に未充填やワイヤー流れを生じ易い。一方、50重量
%を超えると、樹脂組成物の硬化特性が不充分となり、
且つ最終的に形成される硬化物の耐熱性が低下する恐れ
がある。更に、より好ましい前記フェノール樹脂の配合
量は、マレイミド樹脂の配合量に対して20〜40重量%で
ある。本発明のマレイミド樹脂組成物では、硬化触媒と
して、塩基性触媒および過酸化物を含む二元系触媒が使
用されている。
【0027】前記塩基性触媒には、例えば、有機ホスフ
ィン化合物、イミダゾール化合物またはその誘導体、D
BU(1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン-7)また
はそのフェノール塩等が使用される。これらは、1種ま
たは必要に応じて2種以上で使用され得る。
【0028】前記有機ホスフィンの具体例としては、ト
リメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ(p-メチ
ルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホス
フィン、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェニ
ルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,2-ビ
ス(ジフェニルホスフィン)エタン、ビス(ジフェニル
ホスフィン)メタン等が挙げられる。これらは、1種ま
たは2種以上で使用することができる。
【0029】前記イミダゾール化合物の具体例として
は、2-メチルイミダゾール、2,4-ジメチルイミダゾー
ル、2-エチル -4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミ
ダゾール、2-フェニル -4-メチルイミダゾール、2-ヘプ
タデシルイミダゾール等が挙げられる。前記DBUのフ
ェノール塩の具体例としては、SA−853(サンアプ
ロ)等が挙げられる。
【0030】一方、前記過酸化物には、例えば、ジ -t-
ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、t-ブ
チルクミルパーオキサイド、2,5-ジメチル -2,5-ジ -t-
ブチルパーオキシヘキサン等のジアリルパーオキサイド
類、t-ブチルパーオキシアセテート、t-ブチルパーオキ
シフタレート、t-ブチルパーオキシベンゾエート、2,5-
ジメチル -2,5-ジベンゾイルパーオキシヘキサン、t-ブ
チルパーオキシ -2-エチルヘキサノエイト等のパーオキ
シエステル類、アセチルパーオキサイド、イソブチリル
パーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイ
ルパーオキサイド、3,5,5-トリメチルヘキサノイルパー
オキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジ -2-エエチ
ルヘキシルパーオキシジカーボネート等のジアシルパー
オキサイド類、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメ
ンハイドロパーオキサイド、パラメタンハイドロパーオ
キサイド等のハイドロパーオキサイド類、メチルエチル
ケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイ
ド等のケトンパーオキサイド類、1,1-ビス(t-ブチルパ
ーオキシ)シクロヘキサン、1,1-ビス(t-ブチルパーオ
キシ) -3,3,5-トリメチルシクロヘキサン等のパーオキ
シケタール類が、1種または2種以上で使用され得る。
【0031】本発明のマレイミド樹脂組成物において、
上述したような硬化触媒の総配合量は、マレイミド樹脂
(樹脂主成分)およびフェノール樹脂(硬化剤成分)の
総量に対して 0.1〜10重量%であることが好ましい。こ
の配合量が 0.1重量%未満であれば、マレイミド樹脂と
フェノール樹脂との反応が不充分となり、硬化が促進さ
れず、最終的に形成される硬化物、即ち、封止樹脂成形
体の電気的特性等が著しく低下する。一方、10重量%を
超えると、最終的に形成される硬化物の耐熱性、耐湿
性、電気的特性がやはり低下する恐れがある。より好ま
しい前記硬化触媒の配合量は、マレイミド樹脂およびフ
ェノール樹脂の総量に対して 0.5〜 5重量%である。
【0032】また、前記硬化触媒における塩基性触媒と
過酸化物との配合比は、過酸化物の配合量が塩基性触媒
の配合量に対して10〜50重量%となるように設定される
ことが好ましい。この過酸化物の配合量が10重量%未満
であると、マレイミド樹脂(ビスマレイミド)の重合反
応の促進が不充分で、樹脂組成物の成形性が低下し、ま
た硬化物の耐熱性等の性能を向上させることができな
い。一方、50重量%を超えると、硬化物の耐湿性、電気
的特性等が著しく低下する恐れがある。更に塩基性触媒
と過酸化物とを併用する効果を最も有効に導き、マレイ
ミド樹脂組成物に対して、硬化特性、成形性、得られる
硬化物の耐熱性、耐湿性、電気的特性等の全てに優れた
性能を付与するためには、前記過酸化物の配合量が、塩
基性触媒の配合量に対して20〜30重量%であることがよ
り好ましい。本発明のマレイミド樹脂組成物を特に半導
体素子の封止に使用する場合には、上記の必須成分以外
に、通常、無機充填剤が配合される。
【0033】前記無機充填剤としては、例えば、石英ガ
ラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、タルク、ア
ルミナ粉、ケイ酸カルシウム粉、炭酸カルシウム粉、硫
酸バリウム粉、マグネシア粉等が使用され得る。これら
のうち、石英ガラス粉末や、結晶性シリカ粉末が最も好
ましい。これらシリカ粉末は、破砕状シリカ、球状シリ
カ、ヒュームドシリカ等を適宜組合わせて、マレイミド
樹脂組成物中の含有量が50〜85重量%となる範囲で使用
され得る。この無機充填剤の量が50重量%未満では、最
終的に形成される硬化物の熱膨張率が大きくなり、耐熱
衝撃性が充分でなくなり、一方、85重量%を超えると、
マレイミド樹脂組成物の流動性が不充分となり、ワイヤ
流れ、ベッド移動等が発生する原因となる。
【0034】また、本発明のマレイミド樹脂組成物に
は、その成形性を高める目的で種々のワックス等が離型
剤として使用され得る。具体的には、ポリエチレン系ワ
ックス、例えば、分子量が 500〜4000であるようなポリ
エチレンを主成分とするワックス状物質が挙げられる。
かかるポリエチレン系ワックスは、一般にポリエチレン
ワックスと呼称されているものでもよく、また酸化変性
および酸変性等によりカルボキシル基が極性基として導
入されているものでもよい。特に、本発明では、軟化点
65〜 140℃を有するポリエチレン系ワックスが好まし
い。本発明のマレイミド樹脂組成物における当該ワック
スの配合量は、樹脂組成物 100重量部中、 0.2〜19重量
部、好ましくは、 0.5〜 5重量部である。この配合量が
0.2重量部未満であると、硬化物の金型からの離型性が
低下する恐れがあり、一方、19重量部を超えると、配合
されたワックスが多量にブリードして金型を汚染する恐
れが生じる。この他、本発明のマレイミド樹脂組成物で
は、カルナバワックス等のエステル系ワックス、脂肪酸
アミド系ワックスを使用することも可能であり、これら
ワックスを上述したポリエチレン系ワックスと併用して
もよい。
【0035】更に、本発明のマレイミド樹脂組成物に
は、最終的に形成される硬化物と、半導体素子表面のポ
リイミド保護膜、SiO2 、SiN等の絶縁膜との密着
性を向上させる目的で、オルガノシロキサンビスマレイ
ミドを配合してもよい。また、最終的に形成される硬化
物に低応力性を付与するために、シリコーンゴムまたは
シリコーンゲルを主成分とする添加剤や、MBSまたは
ABSを主成分とする添加剤を配合してもよい。この
他、必要に応じて、ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボン粉末等の着色剤やカップ
リング剤等を配合することもできる。次に、本発明のマ
レイミド樹脂組成物の調製について詳細に説明する。
【0036】本発明のマレイミド樹脂組成物の調製にお
いて、一般的には、樹脂組成物の成形性を向上させる目
的で、塩基性触媒および過酸化物を含む硬化触媒と、硬
化剤成分であるフェノール樹脂の一部または全量とを他
の成分に先立って予備混合することが好ましい。即ち、
まず、硬化剤成分であるフェノール樹脂の一部または全
量と、硬化触媒の一部または全量とを、他の成分との混
合に先立って溶解混合(予備混合)し、均一透明な状態
で取り出す。続いて、この混合物を冷却し、粉砕して粉
体化することにより、硬化触媒含有フェノール樹脂を得
る。次いで、この硬化触媒含有フェノール樹脂と、前記
マレイミド樹脂と、残りのフェノール樹脂および硬化触
媒と(フェノール樹脂、硬化触媒の一部を予備混合した
場合)、更には無機充填剤や添加剤等の他の成分とを溶
融混練し、粉砕して粉体化することによって、本発明の
マレイミド樹脂組成物を得る。
【0037】尚、前記予備混合される硬化触媒は、塩基
性触媒および過酸化物の両方、または一方の何れでもよ
いが、硬化触媒の樹脂組成物中における分散性を向上さ
せるために、より好ましくは、前記二種の硬化触媒の両
方をフェノール樹脂と予備混合する。
【0038】前記予備混合が行われる温度は、使用され
るフェノール樹脂の軟化点以上であり、且つ硬化触媒中
に含まれる過酸化物が熱分解して触媒活性を失わない範
囲の温度が好ましい。
【0039】前記予備混合において、使用されるフェノ
ール樹脂の一部と、硬化触媒とが混合される場合、残り
のフェノール樹脂を樹脂主成分であるマレイミド樹脂に
添加してプレポリマー化し、当該マレイミド樹脂組成物
の調製に使用することも可能である。この場合、硬化触
媒と予備混合されるフェノール樹脂量は、当該マレイミ
ド樹脂組成物の調製に使用される全フェノール樹脂量の
うち 1〜50重量%であることが好ましい。この予備混合
されるフェノール樹脂量が、当該マレイミド樹脂組成物
の調製に使用される全フェノール樹脂量の 1重量%未満
では、前記予備混合における硬化触媒の分散が不充分で
あるため、予備混合の効果が小さい。また、該フェノー
ル樹脂量が、当該マレイミド樹脂組成物の調製に使用さ
れる全フェノール樹脂量の50重量%を超えると、残りの
フェノール樹脂量、即ち、前記マレイミド樹脂とのプレ
ポリマー化に使用されるフェノール樹脂量が少なくなり
過ぎ、このプレポリマー化の作業性が低下する。特に好
ましい前記フェノール樹脂の予備混合量は、当該マレイ
ミド樹脂組成物の調製に使用される全フェノール樹脂量
の 3〜40重量%である。
【0040】本発明のマレイミド樹脂組成物において
は、前記フェノール樹脂の一部と硬化触媒との予備混
合、および残りのフェノール樹脂とマレイミド樹脂との
プレポリマー化を組み合わせて行うことが、硬化触媒の
分散性を向上させ、当該マレイミド樹脂組成物の硬化特
性を改善させる上で、特に好ましい。
【0041】本発明のマレイミド樹脂組成物の調製にお
ける、前記フェノール樹脂の一部または全量と硬化触媒
との予備混合、および残る成分の溶融混練には、以下の
方法が挙げられる。即ち、加熱ロールによる溶融混練、
ニーダーによる溶融混練、押出機による溶融混練、粉砕
後の特殊混合機による混合、およびこれらの各方法の適
切な組合せが使用可能である。
【0042】本発明の樹脂封止型半導体装置は、前述し
た本発明のマレイミド樹脂組成物に無機充填剤を含有さ
せ、該樹脂組成物を使用して常法によって容易に製造す
ることができる。樹脂封止の最も一般的な方法は、低圧
トランスファー成形であるが、インジェクション成形、
圧縮成形、注型等による樹脂封止も可能である。この場
合、成形後、 175℃以上でアフターキュアーすることが
望ましい。
【0043】尚、本発明のマレイミド樹脂組成物は、上
述したように半導体素子の樹脂封止に使用する以外に
も、耐熱積層板、希釈溶媒を添加した耐熱接着剤や耐熱
塗料として適用可能である。
【0044】
【作用】本発明のマレイミド樹脂組成物では、硬化触媒
として塩基性触媒および過酸化物が併用された点で特徴
的である。このうち、過酸化物はラジカル重合開始剤の
機能を有するものであり、マレイミド樹脂の二重結合に
対して反応し、これら樹脂相互での重合反応を促進す
る。一方、塩基性触媒は、マレイミド樹脂と硬化剤であ
るフェノール樹脂との付加反応を優先的に促進する。逆
に、前記硬化触媒として塩基性触媒のみを使用すると、
マレイミド樹脂中に未反応の二重結合が残存し、その重
合反応が充分に進行しない。また、前記硬化触媒として
過酸化物のみを使用すると、マレイミド樹脂とフェノー
ル樹脂との反応が充分に進行しない。
【0045】即ち、本発明のマレイミド樹脂組成物で
は、硬化触媒として塩基性触媒および過酸化物を併用す
ることにより、マレイミド樹脂相互の重合反応、マレイ
ミド樹脂とフェノール樹脂との付加反応の両方が促進さ
れ、その硬化特性が良好となる。これに伴って、成形時
における成形時間の短縮、金型汚れの低減、樹脂組成物
の金型からの離型性の向上等、該樹脂組成物の成形性の
改善が達成され、良好な外観を有する封止樹脂成形体が
得られるようになる。更に、形成される硬化物は、封止
樹脂として好適な耐熱性、耐湿信頼性、電気的特性等の
性能を有する。
【0046】また、本発明のマレイミド樹脂組成物で
は、その調製過程において、硬化剤成分であるフェノー
ル樹脂の一部または全量と、硬化触媒とを他の成分との
混合に先立って予備混合することによって、該樹脂組成
物中における硬化触媒の分散性を向上させることが可能
である。このため、本発明のマレイミド樹脂組成物を使
用して半導体素子の樹脂封止を行う際、組成物中におい
て、マレイミド樹脂とフェノール樹脂の付加反応、およ
びマレイミド樹脂相互の反応の進行が促進され、該樹脂
組成物の硬化特性が良好となる。従って、上記と同様に
樹脂の成形性および得られる硬化物の各性能も改善され
る。
【0047】また、本発明のマレイミド樹脂組成物にお
いて、前記フェノール樹脂の一部と、硬化触媒とを他の
成分との混合に先立って予備混合し、加えて残りのフェ
ノール樹脂と、樹脂主成分であるマレイミド樹脂とをプ
レポリマー化した後、これらを使用してマレイミド樹脂
組成物の調製を行うことにより、マレイミド樹脂組成物
の硬化特性は尚一層改善される。
【0048】更に、上述したような、本発明のマレイミ
ド樹脂組成物を封止樹脂として使用した樹脂封止型半導
体装置には、マレイミド樹脂の特性に起因して、耐熱
性、耐湿信頼性等の性能において高い信頼性が付与され
る。
【0049】
【実施例】以下、実施例および比較例により、本発明を
更に詳細に説明する。尚、以下の実施例および比較例の
各成分の配合割合は全て重量%である。
【0050】まず、ノボラック型フェノール樹脂ショウ
ノールBRG−556(昭和高分子製、軟化点80℃)
100gをセパラブルフラスコに仕込み、 120℃で溶融さ
せた後、溶融物に下記(a)〜(f)の硬化触媒を溶解
させ、硬化触媒とフェノール樹脂との予備混合を行っ
た。 (a)トリフェニルホスフィン25g(下記実施例1、
4、および比較例5、6で使用); (b)ジクミルパーオキサイド 6g(下記実施例2、5
で使用); (c)トリフェニルホスフィン25gおよびジクミルパー
オキサイド 6g(下記実施例3、6〜8で使用); (d)2-メチルイミダゾール40gおよびジクミルパーオ
キサイド6g(下記実施例9で使用); (e)1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン-7,30g
およびジクミルパーオキサイド 6g(下記実施例10で
使用); (f)ジメチルフェニルホスフィン35gおよびジクミル
パーオキサイド6g(下記実施例11で使用); 次いで、これらの混合物が均一透明であることを確認
し、ステンレス製バットに流し、冷却および粉砕後、6
種類の硬化触媒含有フェノール樹脂を得た。
【0051】次に、以下に示す方法に従い、後掲の表1
(実施例1〜6)、表2(実施例7〜11)、および表
3(比較例1〜7)に示す配合比で、各成分を含有する
実施例1〜11および比較例1〜7のマレイミド樹脂組
成物を調製した。ここで用いたカルナバワックスは、日
興ファインプロダクツ(株)製カルナバワックスであ
り、カーボン粉末は、三菱化学(株)製カーボンブラッ
クCB#30である。
【0052】即ち、まず硬化触媒との予備混合を行わな
かったフェノール樹脂をマレイミド樹脂と混合して、プ
レポリマー化を行った。また、無機充填剤として溶融シ
リカ粉GR−80T(東芝セラミックス製)をエポキシ
シランカップリング剤A−187(日本ユニカー製)に
よりヘンシェルミキサー中で処理した。次いで、これら
を含む全原料成分を仕込み、 5分間処理し、 110℃のロ
ールで混練した。この後、該混練物を冷却し粉砕および
タブレット化して、実施例1〜11、比較例1〜7の各
マレイミド樹脂組成物を得た。
【0053】尚、実施例1〜11のマレイミド樹脂組成
物では、何れも硬化触媒として塩基性触媒および過酸化
物が共に配合されている。但し、実施例1および4にお
いては、前記処方(a)の硬化触媒を予備混合した硬化
触媒含有フェノール樹脂を、実施例2および5において
は前記処方(b)の硬化触媒を予備混合した硬化触媒含
有フェノール樹脂を、実施例3、6〜8においては前記
処方(c)の硬化触媒を予備混合した硬化触媒含有フェ
ノール樹脂を、実施例9においては前記処方(d)の硬
化触媒を予備混合した硬化触媒含有フェノール樹脂を、
実施例10においては前記処方(e)の硬化触媒を予備
混合した硬化触媒含有フェノール樹脂を、実施例11に
おいては前記処方(f)の硬化触媒を予備混合した硬化
触媒含有フェノール樹脂を、夫々使用した。
【0054】一方、比較例1〜7のマレイミド樹脂組成
物では、硬化触媒として塩基性触媒または過酸化物の何
れか片方のみを使用した。また、比較例1〜4および7
では硬化触媒とフェノール樹脂との予備混合を行わず、
比較例5、6では予備混合を行った。尚、各樹脂組成物
に使用した各マレイミド樹脂における有機酸の含有量
を、前述したような方法に従って測定した。その値を表
1〜3に併記する。
【0055】以上のように調製された実施例1〜11、
比較例1〜7のマレイミド樹脂組成物を使用し、夫々、
低圧トランスファー成形機により、成形温度 180℃で成
形した。得られた成形体について、下記項目の成形性の
チェックを行った。 ・成形時間:カルのふくれの有無、成形体の金型よりの
取出し易さを基準に判定; ・成形直後の硬度:バーコール硬度計により測定(#9
35); ・離型荷重:各成形を離型荷重測定用金型を用いて行
い、成形体の金型からの離型荷重を、プッシュ・プルゲ
ージを用いて測定; ・金型汚れ:同一金型において同一品の成形を50ショッ
ト行い、その後の金型表面を目視で観察し判定; ・成形体の外観観察 これらの結果を後掲の表4(実施例1〜6)、表5(実
施例7〜11)、表6(比較例1〜7)に示す。
【0056】表4〜6に示した結果から明らかなよう
に、実施例のマレイミド樹脂組成物は、比較例よりも成
形体の外観が優れている。更に、成形時間が短く、離型
荷重も0〜 9kgと低い値を示し、非常に成形性の面で
優れていることがわかる。また、離型剤としてポリエチ
レンワックスを配合した実施例7〜11のマレイミド樹
脂組成物では、特に離型荷重が小さく優れた成形性を有
している。
【0057】次いで、前記実施例および比較例のマレイ
ミド樹脂組成物を使用した成形体を、 200℃で 8時間ア
フターキュアーして、試験片を作成した。得られた各試
験片について、下記項目の一般物性を測定した。 ・ゲルタイム( 175℃) ・ガラス転移点 ・熱膨張率 ・高温強度( 215℃) ・吸水率( 135℃、85%RH、20時間) これらの結果を後掲の表4〜6に併記する。表4〜6に
示した結果から明らかなように、物性面においても、本
発明の実施例のマレイミド樹脂組成物は、比較例に比べ
て優れていることがわかる。
【0058】更に、封止樹脂としての性能を調べる目的
で、チップサイズ15mm平方のテスト用素子を、前記実施
例および比較例のマレイミド樹脂組成物で樹脂封止し、
184ピンQFP(Quad Flat Package )を作製した。
得られた各樹脂封止型半導体装置について、 200℃で 8
時間アフターキュアーした後、85℃、湿度85%で 168時
間吸湿処理し、次いで、VPS( 215℃でペーパーフェ
イズリフロー処理)を行なった。VPS直後の各樹脂封
止型半導体装置について、外部に達するクラック発生を
観察した。更に、各樹脂封止型半導体装置について、12
1 ℃、 2気圧のプレッシャークッカー内で耐湿信頼性テ
ストを行い、不良品の発生率を調べた。これらの結果を
後掲の表4〜6に併記する。
【0059】表4〜6に示した結果から明らかなよう
に、封止樹脂として実施例のマレイミド樹脂組成物を使
用した樹脂封止型半導体装置は、比較例のマレイミド樹
脂組成物を使用した同装置に比べ、耐湿信頼性の面で優
れている。
【0060】また、比較例1、4および7の結果より、
使用されるマレイミド樹脂の有機酸の含有量が多いほ
ど、樹脂封止型半導体装置の耐湿信頼性が低下すること
が示唆される。
【0061】
【表1】
【0062】
【表2】
【0063】
【表3】
【0064】
【表4】
【0065】
【表5】
【0066】
【表6】
【0067】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のマレイミ
ド樹脂組成物は、その硬化特性が著しく改善されてお
り、優れた成形性を有するものである。従って、本発明
によれば、該マレイミド樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止した場合の封止樹脂成形体の外観が良好であり、
高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供することができ
る。更に、本発明のマレイミド樹脂組成物は、今後の樹
脂封止型半導体装置に対するより優れた耐熱性、耐熱衝
撃性、耐湿信頼性の要求、薄型化指向等に対応した封止
材料であり、工業的に大きな価値をもたらすものであ
る。
フロントページの続き (72)発明者 東 道也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 平2−45554(JP,A) 特開 昭64−90247(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C98L 35/00 - 35/08 C08L 61/00 - 61/34

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マレイミド樹脂と、フェノール樹脂と、
    硬化触媒とを必須成分とするマレイミド樹脂組成物にお
    いて、 前記硬化触媒として塩基性触媒および過酸化物を併用す
    ること、および 前記マレイミド樹脂中の有機酸の含量が
    0.2重量%以下であることを特徴とするマレイミド樹
    脂組成物。
  2. 【請求項2】 マレイミド樹脂と、フェノール樹脂と、
    硬化触媒とを必須成分とするマレイミド樹脂組成物にお
    いて、 前記硬化触媒として塩基性触媒および過酸化物を併用す
    ること、および 前記硬化触媒をフェノール樹脂中に予備
    混合すること、 を特徴とするマレイミド樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 無機充填剤を更に添加含有してなる請求
    項1または2に記載のマレイミド樹脂組成物によって、
    半導体素子が封止されてなることを特徴とする樹脂封止
    半導体装置。
JP03262204A 1990-10-31 1991-10-09 マレイミド樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 Expired - Fee Related JP3128291B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29391090 1990-10-31
JP2-293910 1990-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH059364A JPH059364A (ja) 1993-01-19
JP3128291B2 true JP3128291B2 (ja) 2001-01-29

Family

ID=17800739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03262204A Expired - Fee Related JP3128291B2 (ja) 1990-10-31 1991-10-09 マレイミド樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5272377A (ja)
EP (1) EP0484157B1 (ja)
JP (1) JP3128291B2 (ja)
KR (1) KR960000704B1 (ja)
DE (1) DE69128454T2 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6960636B2 (en) 1994-09-02 2005-11-01 Henkel Corporation Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds
US7645899B1 (en) 1994-09-02 2010-01-12 Henkel Corporation Vinyl compounds
US6852814B2 (en) 1994-09-02 2005-02-08 Henkel Corporation Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds
US20030055121A1 (en) * 1996-09-10 2003-03-20 Dershem Stephen M. Thermosetting resin compositions containing maleimide and/or vinyl compounds
GB9623878D0 (en) 1996-11-15 1997-01-08 Marlit Ltd Bonding materials
US7618713B2 (en) * 1997-03-31 2009-11-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit-connecting material and circuit terminal connected structure and connecting method
US6057381A (en) * 1998-07-02 2000-05-02 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of making an electronic component using reworkable underfill encapsulants
US6350840B1 (en) 1998-07-02 2002-02-26 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Underfill encapsulants prepared from allylated amide compounds
SG105450A1 (en) 1998-07-02 2004-08-27 Nat Starch Chem Invest Allylated amide compounds and die attach adhesives prepared therefrom
SG82001A1 (en) * 1998-07-02 2001-07-24 Nat Starch Chem Invest Method of making an electronic component using reworkable underfill encapsulants
US6316566B1 (en) 1998-07-02 2001-11-13 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Package encapsulant compositions for use in electronic devices
US6063828A (en) * 1998-07-02 2000-05-16 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Underfill encapsulant compositions for use in electronic devices
US6281314B1 (en) * 1998-07-02 2001-08-28 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Compositions for use in the fabrication of circuit components and printed wire boards
JP2000228467A (ja) 1998-12-02 2000-08-15 Toshiba Corp 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置とその製造方法
US6882058B2 (en) 2002-11-05 2005-04-19 Henkel Corporation Organic acid containing compositions and methods for use thereof
US7297370B2 (en) * 2004-12-22 2007-11-20 General Electric Company Curable encapsulant composition, device including same, and associated method
US20060135704A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Vallance Michael A Tack free compositions useful for electronic encapsulation
US20070060210A1 (en) * 2005-08-03 2007-03-15 Tennrich International Corp. Strap attached with a cell unit
JP4650456B2 (ja) * 2006-08-25 2011-03-16 日立化成工業株式会社 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法
JP5617548B2 (ja) * 2010-11-11 2014-11-05 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US20140210111A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Apple Inc. Embedded package on package systems
JP5978380B1 (ja) * 2015-12-25 2016-08-24 太陽インキ製造株式会社 半導体用封止材
JP6828238B2 (ja) * 2016-01-06 2021-02-10 昭和電工マテリアルズ株式会社 樹脂組成物及び硬化物
JP6537188B2 (ja) * 2016-02-19 2019-07-03 京セラ株式会社 封止用成形材料及び電子部品装置
EP3523354B1 (en) 2016-10-06 2022-05-11 3M Innovative Properties Company Curable compositions and related methods
CN110225931A (zh) * 2017-04-19 2019-09-10 昭和电工株式会社 固化性树脂组合物、其固化物及包含该固化物的结构体
CN116285345B (zh) * 2021-12-20 2024-05-14 无锡创达新材料股份有限公司 一种热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用
CN116285344B (zh) * 2021-12-20 2024-05-14 无锡创达新材料股份有限公司 一种耐高温半导体封装用的热固性树脂组合物及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4131632A (en) * 1976-09-28 1978-12-26 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Heat-resistant resin compositions
JPH0674370B2 (ja) * 1985-04-09 1994-09-21 住友ベ−クライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JPH0822948B2 (ja) * 1985-09-05 1996-03-06 ソマ−ル株式会社 硬化性粉体組成物
JPS6272722A (ja) * 1985-09-26 1987-04-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH0653786B2 (ja) * 1985-11-26 1994-07-20 住友化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JPS62169825A (ja) * 1986-01-22 1987-07-27 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPS63191833A (ja) * 1987-02-04 1988-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH01213335A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体封止用樹脂組成物
JPH01213336A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体封止樹脂組成物
JPH01254735A (ja) * 1988-04-04 1989-10-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体封止用樹脂組成物
JPH02175709A (ja) * 1988-12-28 1990-07-09 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体封止用樹脂組成物
KR950005314B1 (ko) * 1989-09-11 1995-05-23 신에쓰 가가꾸 고오교 가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JPH059364A (ja) 1993-01-19
DE69128454T2 (de) 1998-04-23
EP0484157A2 (en) 1992-05-06
US5272377A (en) 1993-12-21
EP0484157B1 (en) 1997-12-17
DE69128454D1 (de) 1998-01-29
KR920008900A (ko) 1992-05-28
KR960000704B1 (ko) 1996-01-11
EP0484157A3 (en) 1993-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3128291B2 (ja) マレイミド樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置
JP4793565B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
EP0559338B1 (en) Thermosetting resin compositions
JP3469446B2 (ja) 樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3292452B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Shieh et al. Aminosiloxane‐modified epoxy resins as microelectronic encapsulants
JPH08157561A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH093167A (ja) 樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置
JP3537224B2 (ja) エポキシ樹脂系組成物及び樹脂封止型半導体装置
JP7351297B2 (ja) 半導体封止材料用熱硬化性樹脂組成物、半導体封止材料、及び半導体装置
JP2809885B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH11130936A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09202850A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物、それを用いた半導体装置、及びその封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JPH1143555A (ja) 樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2000169677A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3226229B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04216818A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2755034B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物
JP3201485B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH11130937A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3359445B2 (ja) 樹脂組成物
JPH05283559A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2616265B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物
JP2994127B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2635621B2 (ja) 半導体装置封止用樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071110

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees