JP3121829B2 - 非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、アイソレータまたはサーキュレータとして
使用される非可逆回路素子に関する。

＜従来の技術＞ 第17図に従来のアイソレータとして用いられる非可逆
回路素子の要部における具体的な構造を示す。図におい
て、１はケース、２はストリップ導体を支持する基板、
３、４は磁性体、５は誘電体基板、６は第１のシールド
導体、７は第２のシールド導体である。図示は省略され
ているが、マグネット及びケース１と対となるケース蓋
が備えられる。

基板２は互いに120度の角度で交叉する３つのストリ
ップ導体21〜23を有している。24〜26は基板２に設けら
れた貫通孔、27、28は外部接続用の端子であり、ストリ
ップ導体21〜23に導通させてある。

磁性体３、４はガーネットまたはフェライト等でな
り、基板２のストリップ導体21〜23に対面するよう、そ
の両面側または片面側に設けられている。

誘電体基板５は、コンデンサを構成する複数枚の誘電
体基板を積層した積層体として構成する。かかる積層タ
イプの誘電体基板５は、例えば特公平２−23081号公報
や実公平２−10646号公報で知られている。誘電体基板
５の中央部には磁性体３を挿入配置する孔51が設けられ
ている。また、誘電体基板５には、基板２に設けられて
いるストリップ導体21〜23の１つを終端する抵抗52が設
けられている。抵抗52は、通常、印刷抵抗体によって構
成される。

第１及び第２のシールド導体６、７は薄い銅板等を用
いて構成されている。第１のシールド導体６の表面上に
は、切り起し等の手段によって３つの腕片61〜63が立設
されており、また第２のシールド導体７には腕片61〜63
と対応する位置に、腕片61〜63を掛け止める受片71〜73
が一体に連設されている。

組立に当っては、ケース１の底面上に第１のシールド
導体６を配置し、第１のシールド導体６の上に誘電体基
板５を配置し、誘電体基板５に設けた孔51内に磁性体３
を配置し、磁性体３の上に基板２を載せ、基板２の上に
磁性体４を重ね、更に、磁性体４の上に第２のシールド
導体７を載せる。第１のシールド導体６に設けた腕片61
〜63は、誘電体基板５の孔51及び基板２に設けられた孔
24〜26を貫通して導出し、その先端部を第２のシールド
導体７の受片71〜73に掛け止める。これにより、基板
２、磁性体３、４、誘電体基板５、第１のシールド導体
６及び第２のシールド導体７が一体的に結合されると共
に、シールド導体が接地電位となるケース１の底面に電
気的に導通して接地され、シールド作用が得られる。

上述した従来のアイソレータは、誘電体基板５が複数
枚の誘電体基板を積層した積層体となっているので、組
立の容易化、小型化等を図るのに有効である。

なお、抵抗52を設けずに、抵抗52で終端していたスト
リップ導体を、新たに設けられた端子に接続することに
より、サーキュレータを得ることができる。

＜発明が解決しようとする課題＞ この種の非可逆回路素子の使用周波数は、自動車電話
用では800〜900MHzであるが、親子コードレス電話では
親電話周波数380.27MHz、子電話周波数254.4MHzと、低
周波化されている。しかも、800MHz帯自動車電話用とし
て、15mm角、10mm角、7mm角といった小型化が要求され
ている。

このような低周波化及び小型化に対応するためには、
限られた容積で、コンデンサ容量値を増大させる必要が
ある。ところが、従来の非可逆回路素子は、シールドの
必要から、コンデンサを構成する誘電体基板５の中央部
に孔51を設け、孔51内に磁性体３を挿入配置して、接地
電位となるシールド導体６に接触させる構造であるた
め、誘電体基板５において、コンデンサを形成するため
の面積が孔51によって減少する。このため、限られた容
積内で、容量値を増大させ、低周波化及び小型化に対応
することが困難である。

誘電体基板５の平面積を増大させれば、孔51による面
積縮小を補うことができる。しかし、大型化を招くか
ら、小型化を旨とする非可逆回路素子に合致しない。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解
決し、シールド導体接地構造によるコンデンサ電極面積
縮小を回避し、形状の大形化を招くことなく、限られた
容積内で、コンデンサ容量値を増大させ、低周波化及び
小型化に対応し得る非可逆回路素子用コンデンサ及び非
可逆回路素子を提供することである。

＜課題を解決するための手段＞ 上述する課題を解決するため、本発明は非可逆回路素
子用コンデンサについて、２つの態様を開示する。

第１の態様に係る非可逆回路素子用コンデンサは、３
つの誘電体層（841〜843）を含む。前記３つの誘電体層
（841〜843）は、順次に積層され、共通に貫通する第１
の貫通導体（83）を有する。前記第１及び第２の誘電体
層（841、843）は、共通に貫通する第２乃至第４の貫通
導体（851〜853）を有する。

前記第１の誘電体層（841）は、表面に第１の接地用
導体（82）を有している。前記第２乃至第４の貫通導体
（851〜853）は、一端が前記第１の接地用導体（82）か
ら電気絶縁して前記第１の誘電体層（841）の前記表面
上に導出されている。

第２の誘電体層（842）は、表面が、互いに独立する
第１乃至第３のコンデンサ電極（861〜863）を介して、
前記第１の誘電体層（841）の裏面に隣接している。前
記第１乃至第３のコンデンサ電極（861〜863）のそれぞ
れは、前記第２乃至第４の貫通導体（851〜853）と電気
的に導通している。

前記第３の誘電体層（843）は、表面が、互いに独立
する第４乃至第６のコンデンサ電極（864〜866）を介し
て、前記第２の誘電体層（842）の裏面と隣接し、裏面
に第２の接地用導体（81）を有する。前記第４のコンデ
ンサ電極（864）は、第１のコンデンサ電極（861）と対
向し、かつ、前記第３の貫通導体（852）によって、前
記第２のコンデンサ電極（862）と電気的に導通する。
第５のコンデンサ電極（865）は、第２のコンデンサ電
極（862）と対向し、前記第４の貫通導体（853）によっ
て前記第３のコンデンサ電極（863）と電気的に導通す
る。前記第６のコンデンサ電極（866）は、前記第３の
コンデンサ電極（863）と対向し、前記第２の貫通導体
（851）によって、前記第１のコンデンサ電極（861）と
電気的に導通する。

前記第２の接地用導体（81）は、前記第１の貫通導体
（83）によって、前記第１の接地用導体（82）と電気的
に導通している。

第２の態様に係る非可逆回路素子用コンデンサは、４
つの誘電体層（840〜843）を含む。前記４つの誘電体層
（840〜843）は、順次に積層され、共通に貫通する第１
の貫通導体（83）を有する。第１乃至第３の誘電体層
（840〜842）は、共通に貫通する第２乃至第４の貫通導
体（851〜853）を有する。

前記第１の誘電体層（840）は、表面に、互いに独立
する第１乃至第３のコンデンサ電極（871〜873）と、第
１の接地用導体（82）とを有する。前記第２乃至第４の
貫通導体（851〜853）は、一端が前記第１の接地用導体
（82）から電気絶縁して、前記第１の誘電体層（840）
の前記表面上に導出されている。前記第２の誘電体層
（841）は、表面が、互いに独立する第４乃至第６のコ
ンデンサ電極（877〜879）を介して、前記第１の誘電体
層840の裏面に隣接する。前記第４のコンデンサ電極（8
77）は、前記第１のコンデンサ電極（871）と対向する
と共に、前記第２の貫通導体（851）と電気的に導通し
する。前記第５のコンデンサ電極（878）は、前記第１
の誘電体層（840）を介して前記第２のコンデンサ電極
（872）と対向すると共に、前記第３の貫通導体（852）
と電気的に導通する。前記第６のコンデンサ電極（87
9）は、前記第１の誘電体層（840）を介して前記第３の
コンデンサ電極（873）と対向すると共に、前記第４の
貫通導体（853）と電気的に導通する。

第３の誘電体層（842）は、表面が、互いに独立する
第７乃至第９のコンデンサ電極（861〜863）を介して、
前記第２の誘電体層（841）の裏面に隣接している。前
記第７乃至第９のコンデンサ電極（861〜863）のそれぞ
れは、前記第２乃至第４の貫通導体（851〜853）に電気
的に導通している。

前記第４の誘電体層（843）は、表面が、互いに独立
する第10乃至第12のコンデンサ電極（864〜866）を介し
て、前記第３の誘電体層（842）の裏面と隣接し、裏面
に第２の接地用導体（81）を有する。前記第10のコンデ
ンサ電極（864）は、前記第７のコンデンサ電極（861）
と対向し、かつ、前記第３の貫通導体（852）によっ
て、前記第８のコンデンサ電極（862）に電気的に導通
する。前記第11のコンデンサ電極（865）は、前記第８
のコンデンサ電極（862）と対向し、前記第４の貫通導
体（853）によって前記第９のコンデンサ電極（863）と
電気的に導通する。前記第12のコンデンサ電極（866）
は、前記第９のコンデンサ電極（863）と対向し、前記
第２の貫通導体（851）によって、前記第７のコンデン
サ電極（861）と電気的に導通する。前記第２の接地用
導体（81）は、前記第１の貫通導体（83）によって、前
記第１の接地用導体（82）に電気的に導通している。

＜作用＞ 複数のコンデンサ層の積層体は、積層方向の両面のそ
れぞれに接地用導体を有しており、接地用導体は、積層
方向に貫通する導体によって互いに導通させてあるか
ら、積層体の一面側に設けられた接地用導体をケース等
に接触させて接地すると共に、他面側に設けられた接地
用導体にシールド導体及び磁性体を載せるだけで、接地
することができる。このため、積層体に孔を設ける必要
がなくなるから、積層体の面積を容量取得に最大限活用
し、形状の大型化を招くことなく容量値を増大させ、低
周波化及び小型化に対応できる。

また、第１の態様に係る非可逆回路素子用コンデンサ
の場合、上述したコンデンサ電極構造により、端子ａ−
ｂ間に第１のコンデンサ電極（861）と第４のコンデン
サ電極（864）とによる端子間容量（C11）が形成され、
端子ｂ−Ｃ間に第２のコンデンサ電極（862）と第５の
コンデンサ電極（865）による端子間容量（C12）が形成
され、端子ｃ−ａ間に第３のコンデンサ電極（863）と
第６のコンデンサ電極（866）とによる端子間容量（C1
3）が形成される。また、第１の接地用導体（82）及び
第２の接地用導体（81）と、第１及び第６のコンデンサ
電極（861、866）、第２及び第４のコンデンサ電極（86
2、864）並びに第３及び第５のコンデンサ電極（863、8
65）との間に、３つの接地容量（C01、C02、C03）がそ
れぞれ形成される。

第２の態様に係る非可逆回路素子用コンデンサの場
合、上述した端子間容量（C11〜C13）及び接地容量（C0
1〜C03）の他に、第１のコンデンサ電極（871）−第４
のコンデンサ電極（877）による直列容量（C21）、第２
のコンデンサ電極（872）−第５のコンデンサ電極（87
8）による直列容量（C22）、第３のコンデンサ電極（87
3）−第６のコンデンサ電極（879）による直列容量（C2
3）を付加した回路構成となる。

＜実施例＞ 第１図は本発明に係る非可逆回路素子の要部における
分解斜視図、第２図は同じく組立状態での部分断面図で
ある。図において、第17図と同一の参照符号は同一性あ
る構成部分を示している。８は積層体、９はシールド導
体、10は回路基板である。第２図の参照符号11はマグネ
ット、12はケース蓋である。

積層体８は、コンデンサ層801〜803を積層して構成さ
れており、積層方向の両面のそれぞれに接地用導体81、
82を有している。コンデンサ層801〜803の積層化に当っ
ては、前述した従来技術が採用できる。接地用導体81、
82は、積層体８の積層方向に貫通する貫通導体83によっ
て互いに導通させてある。積層体５は例えばガラス基材
フッ素樹脂銅張積層板によって構成できる。貫通導体83
は、上述した積層板に予め設けられた貫通孔内にメッキ
を施すことによって形成できる。

シールド導体９は薄い銅板等を用いて構成されてい
る。シールド導体９の周辺部には３つの突片91〜93が立
設されている。

回路基板10の中央部には磁性体３を挿入配置する孔10
1が設けられており、また、その表面には、導体パター
ン102〜105が設けられている。回路基板10はアルミナ基
板または誘電体基板等によって構成されており、その表
面に導体パターン102〜104が設けられている。また、回
路基板10には、基板２に設けられているストリップ導体
21〜23の１つを終端する抵抗109が設けられている。こ
の抵抗109はシールド導体９の突片91と基板２を介して
接地された導体パターン105により接地されている。

組立に当っては、積層体８の一面側に設けられた接地
用導体81をケース１の底面に接触させて接地すると共
に、他面側に設けられた接地用導体82にシールド導体
９、回転基板10、その孔101内に挿入した磁性体３及び
ストリップ導体21〜23を支持する基板２を、所定の位置
関係で載せる。シールド導体９の突片91〜93は回路基板
10の孔101内を通り、基板２に設けられた孔24〜26に貫
通して導出し、その先端部を基板２上で折曲げ固定す
る。

シールド導体９は、積層体８の表面に設けられた接地
用導体82に接触して導通すると共に、接地用導体82から
貫通導体83を通して裏面側の接地用導体81に電気的に導
通接続され、接地用導体81を介して、ケース１に接地さ
れる。このため、積層体８に孔を設ける必要がなくな
り、積層体８の面積を、コンデンサ層801〜803における
容量取得に最大限活用し、形状の大型化を招くことなく
容量値を増大させ、低周波化及び小型化に対応できる。
具体例として、従来、300MHz帯用非化逆回路素子の大き
さは、15mm角〜20mm角が限界であったが、本発明によれ
ば、10mm角以下、即ち従来の占有面積の1/3以下まで縮
小することができた。

第３図〜第６図は積層体８の構造を示す図で、第１図
及び第２図の図示状態で上側から順次に見た積層構造を
示している。第３図は積層体８を表面側から見た平面図
で、ガラス基材フッ素樹脂等の誘電体基板等で構成され
た誘電体層841の表面上に接地用導体82を形成してあ
る。851〜853は誘電体層841を貫通する貫通導体であ
り、貫通導体83と同様に、メッキによって形成できる。

第４図は誘電体層841と誘電体層842との間に位置する
コンデンサ電極パターンを示している。861〜863はコン
デンサ電極である。コンデンサ電極861〜863は、それぞ
れ、貫通導体851〜853によって誘電体層841の表面側に
導出（第３図参照）されている。

第５図は誘電体層842と誘電体層843との間に位置する
コンデンサ電極パターンを示す。864〜866はコンデンサ
電極である。コンデンサ電極864はコンデンサ電極861と
対向し、誘電体層842を貫通する貫通導体852によってコ
ンデンサ電極862に導通接続されている。コンデンサ電
極865はコンデンサ電極862と対向し、誘電体層842を貫
通する貫通導体853によってコンデンサ電極863と導通接
続されている。コンデンサ電極866はコンデンサ電極863
と対向し、誘電体層842を貫通する貫通導体851によって
コンデンサ電極861と導通している。

第６図は積層体８を裏面側から見た図で、誘電体層84
3の裏面に形成さ接地用導体81が示されている。

第７図は第３図〜第６図に示した構造を有する積層体
８の電気的等価回路を示すために用いられた展開図であ
る。ａ、ｂ、ｃは貫通導体851、852及び853によって形
成される端子を示している。端子ａ−ｂ間にコンデンサ
電極861とコンデンサ電極864とによる端子間容量C11が
形成され、端子ｂ−Ｃ間にコンデンサ電極862とコンデ
ンサ電極865による端子間容量C12が形成され、端子ｃ−
ａ間にコンデンサ電極863とコンデンサ電極866とによる
端子間容量C13が形成される。また、接地用導体81、82
とコンデンサ電極（861、866）、（862、864）及び（86
3、865）との間に接地容量C01、C02、C03がそれぞれ形
成される。

第８図は第３図〜第７図に示した積層体を用いたサー
キュレータの回路図を示し、端子ａ−ｂ間に端子間容量
C11を接続し、端子ｂ−Ｃ間に端子間容量C12を接続し、
端子ｃ−ａ間に端子間容量C13を接続すると共に、端子
ａ、ｂ、ｃのそれぞれに接地容量C01、C02、C03をそれ
ぞれ接続した回路が得られる。

第９図〜第13図は積層体８の別の実施例を示す図であ
る。図において、第３図〜第６図と同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。第９図は積層体表面の
平面図であり、誘電体層840の表面にコンデンサ電極871
〜873及び中継用電極874〜876を有している。接地用導
体82は誘電体層840の表面に形成されている。

第10図は誘電体層840と誘電体層841との間に位置する
コンデンサ電極877〜879の配置パターンを示している。
コンデンサ電極877は誘電体層840を介してコンデンサ電
極871と対向すると共に、誘電体層840を貫通する貫通導
体851によって中継電極874に導通している。コンデンサ
電極878は誘電体層840を介してコンデンサ電極872と対
向すると共に、誘電体層840を貫通する貫通導体852によ
り中継電極875に導通している。コンデンサ電極879は誘
電体層840を介してコンデンサ電極873と対向すると共
に、誘電体層840を貫通する貫通導体853によって中継電
極876に導通している。

第11図〜第13図はコンデンサ電極861〜866の配置パタ
ーンを示している。実質的に、第４図〜第６図と同じで
あるので、説明は省略する。

第14図は第９図〜第13図に示した積層体８の電気的等
価回路を示す展開図である。図において、第７図と同一
の参照符号は同一性ある構成部分を示し、端子間容量C1
1〜C13及び接地容量C01〜C03の他に、コンデンサ電極87
1−877による直列容量C21、コンデンサ電極872−878に
よる直列容量C22、コンデンサ電極873−879による直列
容量C23を付加した回路構成となる。

第15図は第９図〜第14図に示した積層体を用いたサー
キュレータの回路図を示している。端子a2−b2間に端子
間容量C11を接続し、端子b2−c2間に端子間容量C12を接
続し、端子c2−a2間に端子間容量C13を接続すると共
に、端子a2、b2、c2のそれぞれに接地容量C01、C02、C0
3をそれぞれ接続した回路に対し、コンデンサ電極871−
877による直列容量C21、コンデンサ電極872−878による
直列容量C22、コンデンサ電極873−879による直列容量C
23を付加した回路構成が得られる。図示はされていない
が、端子a1、b1、c1に外付けのインダクタンスを付加す
ることもできる。

第16図は本発明に係る非可逆回路素子の別の実施例を
示している。この実施例では、樹脂等で構成された端子
基板13及び鉄板等でなる接地板14を有する。端子基板３
は外部と接続するための入出力端子を有する。接地板14
は周辺に突設した腕辺により、全体を囲むようにして、
図示しないケース蓋と結合される。

実施例では、アイソレータを示したが、サーキュレー
タにも適用できることはいうまでもない。また、磁性体
３は１個に限らず、ストリップ導体21〜23を支持する基
板２の両面側に配置（第17図参照）する構造であっても
よい。

＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明によれば、積層体の面積を
容量取得に最大限活用し、形状の大型化を招くことな
く、コンデンサ容量値を増大させ、低周波化に対応する
と共に、占有面積を従来の1/3程度以下まで小型化し得
る非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る非可逆回路素子の要部における分
解斜視図、第２図は同じく組立状態での部分断面図、第
３図〜第６図は積層体の構造を示す図、第７図は第３図
〜第６図に示した積層体の電気的等価回路を示す展開
図、第８図は第３図〜第７図に示した積層体を用いたサ
ーキュレータの回路図、第９図〜第13図は積層体の別の
実施例を示す図、第14図は第９図〜第13図に示した積層
体の電気的等価回路を示す展開図、第15図は第９図〜第
14図に示した積層体を用いたサーキュレータの回路図、
第16図は本発明に係る非可逆回路素子の別の実施例を示
す分解斜視図、第17図は従来の非可逆回路素子の分解斜
視図である。 21〜23……ストリップ導体 ３……磁性体 ８……積層体 81、82……接地用導体 83……貫通導体 800〜803……コンデンサ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−203602（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−290301（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−55404（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−23081（ＪＰ，Ｂ２) 実公 平２−10646（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01P 1/383 H01P 1/36

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】３つの誘電体層（841〜843）を含む非可逆
   回路素子用コンデンサであって、 前記３つの誘電体層（841〜843）は、順次に積層され、
   共通に貫通する第１の貫通導体（83）を有しており、 前記第１及び第２の誘電体層（841、842）は、共通に貫
   通する第２乃至第４の貫通導体（851〜853）を有してお
   り、 前記第１の誘電体層（841）は、表面に第１の接地用導
   体（82）を有しており、 前記第２乃至第４の貫通導体（851〜853）は、一端が前
   記第１の接地用導体（82）から電気絶縁して前記第１の
   誘電体層（841）の前記表面上に導出されており、 第２の誘電体層（842）は、表面が、互いに独立する第
   １乃至第３のコンデンサ電極（861〜863）を介して、前
   記第１の誘電体層（841）の裏面に隣接しており、 前記第１乃至第３のコンデンサ電極（861〜863）のそれ
   ぞれは、前記第２乃至第４の貫通導体（851〜853）と電
   気的に導通しており、 前記第３の誘電体層（843）は、表面が、互いに独立す
   る第４乃至第６のコンデンサ電極（864〜866）を介し
   て、前記第２の誘電体層（842）の裏面と隣接し、裏面
   に第２の接地用導体（81）を有しており、 前記第４のコンデンサ電極（864）は、第１のコンデン
   サ電極（861）と対向し、かつ、前記第３の貫通導体（8
   52）によって、前記第２のコンデンサ電極（862）と電
   気的に導通しており、 第５のコンデンサ電極（865）は、第２のコンデンサ電
   極（862）と対向し、前記第４の貫通導体（853）によっ
   て前記第３のコンデンサ電極（863）と電気的に導通し
   ており、 前記第６のコンデンサ電極（866）は、前記第３のコン
   デンサ電極（863）と対向し、前記第２の貫通導体（85
   1）によって、前記第１のコンデンサ電極（861）と電気
   的に導通しており、 前記第１の貫通導体（83）は、一端が前記第１の接地用
   導体（82）に電気的に導通し、他端が前記第２の接地用
   導体（81）に電気的に導通し、前記第１のコンデンサ電
   極乃至第６のコンデンサ電極（861〜866）から電気絶縁
   されている 非可逆回路素子用コンデンサ。
2. 【請求項２】４つの誘電体層（840〜843）を含む非可逆
   回路素子用コンデンサであって、 前記４つの誘電体層（840〜843）は、順次に積層され、
   共通に貫通する第１の貫通導体（83）を有しており、 第１乃至第３の誘電体層（840〜842）は、共通に貫通す
   る第２乃至第４の貫通導体（851〜853）を有しており、 前記第１の誘電体層（840）は、表面に、互いに独立す
   る第１乃至第３のコンデンサ電極（871〜873）と、第１
   の接地用導体82とを有し、 前記第２乃至第４の貫通導体（851〜853）は、一端が前
   記第１の接地用導体（82）から電気絶縁して、前記第１
   の誘電体層（840）の前記表面上に導出されており、 前記第２の誘電体層（841）は、表面が、互いに独立す
   る第４乃至第６のコンデンサ電極（877〜879）を介し
   て、前記第１の誘電体層（840）の裏面に隣接してお
   り、 前記第４のコンデンサ電極（877）は、前記第１のコン
   デンサ電極（871）と対向すると共に、前記第２の貫通
   導体（851）と電気的に導通しており、 前記第５のコンデンサ電極（878）は、前記第１の誘電
   体層（840）を介して前記第２のコンデンサ電極（872）
   と対向すると共に、前記第３の貫通導体（852）と電気
   的に導通しており、 前記第６のコンデンサ電極（879）は、前記第１の誘電
   体層（840）を介して前記第３のコンデンサ電極（873）
   と対向すると共に、前記第４の貫通導体（853）と電気
   的に導通しており、 第３の誘電体層（842）は、表面が、互いに独立する第
   ７乃至第９のコンデンサ電極（861〜863）を介して、前
   記第２の誘電体層（841）の裏面に隣接しており、 前記第７乃至第９のコンデンサ電極（861〜863）のそれ
   ぞれは、前記第２乃至第４の貫通導体（851〜853）に電
   気的に導通しており、 前記第４の誘電体層（843）は、表面が、互いに独立す
   る第10乃至第12のコンデンサ電極（864〜866）を介し
   て、前記第３の誘電体層（842）の裏面と隣接し、裏面
   に第２の接地用導体（81）を有しており、 前記第10のコンデンサ電極（864）は、前記第７のコン
   デンサ電極（861）と対向し、かつ、前記第３の貫通導
   体（852）によって、前記第８のコンデンサ電極（862）
   に電気的に導通しており、 前記第11のコンデンサ電極（865）は、前記第８のコン
   デンサ電極（862）と対向し、前記第４の貫通導体（85
   3）によって前記第９のコンデンサ電極（863）と電気的
   に導通しており、 前記第12のコンデンサ電極（866）は、前記第９のコン
   デンサ電極（863）と対向し、前記第２の貫通導体（85
   1）によって、前記第７のコンデンサ電極（861）と電気
   的に導通しており、 前記第１の貫通導体（83）は、一端が前記第１の接地用
   導体（82）に電気的に導通し、他端が前記第２の接地用
   導体（81）に電気的に導通し、前記第１乃至第３のコン
   デンサ電極（871〜873）、前記第４乃至第６のコンデン
   サ電極（877〜879）、前記第７乃至第９のコンデンサ電
   極（861〜863）、及び、第10乃至第12のコンデンサ電極
   （864〜866）から電気絶縁されている 非可逆回路素子用コンデンサ。
3. 【請求項３】実質的に120度の角度で交叉するように形
   成された３つのストリップ導体と、前記ストリップ導体
   と対面するように設けられた磁性体と、前記ストリップ
   導体の各端子に接続されるコンデンサとを含む非可逆回
   路素子であって、 前記コンデンサは、請求項１または２の何れかに記載さ
   れたものでなり、 前記ストリップ導体の前記端子は、３つの端子（ａ〜
   ｃ）に、それぞれ接続されており、 前記３つの端子（ａ〜ｃ）は、前記第２乃至第４の貫通
   導体（851〜853）によって形成された端子であって、前
   記第１の誘電体層（841）の表面に形成されている 非可逆回路素子。