JPH06163319A - 非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子Info
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- JPH06163319A JPH06163319A JP33972492A JP33972492A JPH06163319A JP H06163319 A JPH06163319 A JP H06163319A JP 33972492 A JP33972492 A JP 33972492A JP 33972492 A JP33972492 A JP 33972492A JP H06163319 A JPH06163319 A JP H06163319A
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- hole
- magnetic body
- circuit device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化の要求に応えるとともに、磁性体内の
電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シールドを一層向上
させる非可逆回路素子を提供する。 【構成】 誘電体層(111、112、113)のそれ
ぞれは対向する両主面に電極を有し、互いに積層されて
積層体1を構成している。積層体1は表面側および裏面
側に接地用電極を有するとともに、面内に非可逆回路素
子を構成する磁性体を挿入するための孔を有する。この
孔は内周面の全体が導体膜14で被覆され、導体膜14
が両接地電極を導通接続している。
電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シールドを一層向上
させる非可逆回路素子を提供する。 【構成】 誘電体層(111、112、113)のそれ
ぞれは対向する両主面に電極を有し、互いに積層されて
積層体1を構成している。積層体1は表面側および裏面
側に接地用電極を有するとともに、面内に非可逆回路素
子を構成する磁性体を挿入するための孔を有する。この
孔は内周面の全体が導体膜14で被覆され、導体膜14
が両接地電極を導通接続している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非可逆伝送特性を持つ
非可逆回路素子に関し、更に詳しくは、自動車電話、携
帯電話、コードレス電話等の通信システムにおいて、ア
イソレータまたはサーキュレータとして用いられる非可
逆回路素子に関する。
非可逆回路素子に関し、更に詳しくは、自動車電話、携
帯電話、コードレス電話等の通信システムにおいて、ア
イソレータまたはサーキュレータとして用いられる非可
逆回路素子に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の非可逆回路素子の従来技術とし
ては、例えば、実開平3ー84604号公報に記載され
たものが知られている。その一般的な構成は、ストリッ
プ導体の両側にフェライトの磁性体を配置し、この磁性
体の外側に、必要がある場合側面にシールド板を置き磁
性体の電気的シールドを図り、そのシールド板をはさん
で磁性体の外側に永久磁石を配置して磁性体に直流磁界
を垂直に印加し、さらに、一方側の永久磁石の外側にセ
ラミックの基板または樹脂の多層板等からなるコンデン
サを設けてある。中心導体は一枚の基板上で互いに12
0度の角度で交叉するよう配置された3つのストリップ
導体を含んでいる。コンデンサは周波数整合用として各
端子に接続され接地容量または端子間容量をなしてい
る。近年、可逆回路素子は、自動車電話やコードレス電
話用の内部として重要な用途があり、その小型は極めて
重要な事項である。しかし、従来の非可逆回路素子は、
セラミックの基板または樹脂の多層板等からなるコンデ
ンサが、一方側の永久磁石の外側に設けられているの
で、その分、完成品の本体が大きくなっていた。この完
成品の小型化の要請に対して、特開平2ー260513
号公報に記載された技術は、コンデンサに磁性体を挿入
する大きさの孔を設け、その孔に磁性体を挿入すること
により、完成品の小型化の要請に応えた。
ては、例えば、実開平3ー84604号公報に記載され
たものが知られている。その一般的な構成は、ストリッ
プ導体の両側にフェライトの磁性体を配置し、この磁性
体の外側に、必要がある場合側面にシールド板を置き磁
性体の電気的シールドを図り、そのシールド板をはさん
で磁性体の外側に永久磁石を配置して磁性体に直流磁界
を垂直に印加し、さらに、一方側の永久磁石の外側にセ
ラミックの基板または樹脂の多層板等からなるコンデン
サを設けてある。中心導体は一枚の基板上で互いに12
0度の角度で交叉するよう配置された3つのストリップ
導体を含んでいる。コンデンサは周波数整合用として各
端子に接続され接地容量または端子間容量をなしてい
る。近年、可逆回路素子は、自動車電話やコードレス電
話用の内部として重要な用途があり、その小型は極めて
重要な事項である。しかし、従来の非可逆回路素子は、
セラミックの基板または樹脂の多層板等からなるコンデ
ンサが、一方側の永久磁石の外側に設けられているの
で、その分、完成品の本体が大きくなっていた。この完
成品の小型化の要請に対して、特開平2ー260513
号公報に記載された技術は、コンデンサに磁性体を挿入
する大きさの孔を設け、その孔に磁性体を挿入すること
により、完成品の小型化の要請に応えた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述の特開平2ー26
0513号公報に記載された非可逆回路素子は、コンデ
ンサに孔を設けて磁性体を挿入したことにより、完成品
の小型化の要請に応えているが、コンデンサの板厚分に
相当する非シールド領域が発生する。このために、上述
の非可逆回路素子は、磁性体内の電磁エネルギーが洩れ
て挿入損出が増加し、この非可逆回路素子を装置に実装
した場合、実装された装置の出力を低下させるという問
題点があった。
0513号公報に記載された非可逆回路素子は、コンデ
ンサに孔を設けて磁性体を挿入したことにより、完成品
の小型化の要請に応えているが、コンデンサの板厚分に
相当する非シールド領域が発生する。このために、上述
の非可逆回路素子は、磁性体内の電磁エネルギーが洩れ
て挿入損出が増加し、この非可逆回路素子を装置に実装
した場合、実装された装置の出力を低下させるという問
題点があった。
【0004】そこで、本発明の課題は、小型化の要求に
応えるとともに、磁性体内の電磁エネルギの洩れを防ぐ
電気的シールドを一層向上させた非可逆回路素子を提供
することである。
応えるとともに、磁性体内の電磁エネルギの洩れを防ぐ
電気的シールドを一層向上させた非可逆回路素子を提供
することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、非可逆回路素子に用いられるコンデンサ
であって、複数の誘電体層を含み、前記誘電体層のそれ
ぞれが対向する両主面に電極を有し、互いに積層されて
積層体を構成しており、前記積層体は、表面側および裏
面側に接地用電極を有すると共に、面内に非可逆回路素
子を構成する磁性体を挿入するための孔を有し、前記孔
は内周面の全体が導体膜で被覆され、前記導体膜が前記
両接地用電極を導通接続している。
め、本発明は、非可逆回路素子に用いられるコンデンサ
であって、複数の誘電体層を含み、前記誘電体層のそれ
ぞれが対向する両主面に電極を有し、互いに積層されて
積層体を構成しており、前記積層体は、表面側および裏
面側に接地用電極を有すると共に、面内に非可逆回路素
子を構成する磁性体を挿入するための孔を有し、前記孔
は内周面の全体が導体膜で被覆され、前記導体膜が前記
両接地用電極を導通接続している。
【0006】また、ストリップ導体と、コンデンサ、磁
性体と、シールド板と、永久磁石とを含む非可逆回路素
子であって、前記ストリップ導体は、複数であり、前記
コンデンサは、上述に記載した非可逆回路素子用コンデ
ンサであって、孔が前記ストリップ導体に対向するよう
に配置されており、前記磁性体は、前記孔の内に挿入さ
れており、前記シールド板は、前記磁性体の上に配置さ
れ、前記孔の内周面に被覆した導体と導通接続されてお
り、前記永久磁石は、前記磁性体に直流磁界を印加して
いる。
性体と、シールド板と、永久磁石とを含む非可逆回路素
子であって、前記ストリップ導体は、複数であり、前記
コンデンサは、上述に記載した非可逆回路素子用コンデ
ンサであって、孔が前記ストリップ導体に対向するよう
に配置されており、前記磁性体は、前記孔の内に挿入さ
れており、前記シールド板は、前記磁性体の上に配置さ
れ、前記孔の内周面に被覆した導体と導通接続されてお
り、前記永久磁石は、前記磁性体に直流磁界を印加して
いる。
【0007】
【作用】コンデンサは、複数の誘電体層を含み、互いに
積層されて積層体を構成しており、この積層体が、非可
逆回路素子を構成する磁性体を挿入するための孔を有し
ているので、磁性体を孔に挿入したとき、磁性体および
積層体による厚みが、いずれか一方の厚みによって定ま
り、それぞれの厚みが互いに加算されることがない。例
えば、磁性体が積層体よりも厚い場合は、積層体が磁性
体の厚み内に吸収され、反対に、積層体が磁性体よりも
厚い場合は、磁性体が積層体の厚み内に吸収される。従
って、コンデンサは、非可逆回路素子を小型、かつ、薄
型に構成することができる。しかも磁性体の位置決めが
容易になる。
積層されて積層体を構成しており、この積層体が、非可
逆回路素子を構成する磁性体を挿入するための孔を有し
ているので、磁性体を孔に挿入したとき、磁性体および
積層体による厚みが、いずれか一方の厚みによって定ま
り、それぞれの厚みが互いに加算されることがない。例
えば、磁性体が積層体よりも厚い場合は、積層体が磁性
体の厚み内に吸収され、反対に、積層体が磁性体よりも
厚い場合は、磁性体が積層体の厚み内に吸収される。従
って、コンデンサは、非可逆回路素子を小型、かつ、薄
型に構成することができる。しかも磁性体の位置決めが
容易になる。
【0008】コンデンサは複数の誘電体層を含み、誘電
体層のそれぞれが対向する両主面に電極を有し、互いに
積層されて積層体を構成されているので、孔を設けたこ
とによるコンデンサ形成のための面積減少分を、厚み方
向におけるコンデンサの積層によって補うことができ
る。このため、非可逆回路素子の小型化、薄型化を図り
ながら、必要なコンデンサを形成できる。
体層のそれぞれが対向する両主面に電極を有し、互いに
積層されて積層体を構成されているので、孔を設けたこ
とによるコンデンサ形成のための面積減少分を、厚み方
向におけるコンデンサの積層によって補うことができ
る。このため、非可逆回路素子の小型化、薄型化を図り
ながら、必要なコンデンサを形成できる。
【0009】コンデンサは、孔の内周面全体が導体膜で
被覆されているので、従来問題になっていたコンデンサ
板厚分に相当する非シールド領域が、導体膜によって埋
められ、これによりコンデンサ部分からの磁性体内の電
磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シールドが形成され
る。
被覆されているので、従来問題になっていたコンデンサ
板厚分に相当する非シールド領域が、導体膜によって埋
められ、これによりコンデンサ部分からの磁性体内の電
磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シールドが形成され
る。
【0010】しかも、導体膜が両接地用電極を導通接続
しているので、浮遊容量を防ぐことができる。
しているので、浮遊容量を防ぐことができる。
【0011】積層体は表面側および裏面側に接地用電極
を有し、孔は内周面の全体が導体膜で被覆され、導体膜
が両接地用電極と導通接続し、シールド板は磁性体の上
に配置され、孔の内周面に被覆した導体膜と導通接続さ
れているから、孔の内周面に被覆された導体膜による側
面部からの磁性体内の電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気
的シールドに加え、上面側または下面側の電気的シール
ドが施され、ストリップ導体および磁性体を囲む連続す
る電気的シールドが形成される。このため、磁性体内の
電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シールドが一層向上
する。
を有し、孔は内周面の全体が導体膜で被覆され、導体膜
が両接地用電極と導通接続し、シールド板は磁性体の上
に配置され、孔の内周面に被覆した導体膜と導通接続さ
れているから、孔の内周面に被覆された導体膜による側
面部からの磁性体内の電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気
的シールドに加え、上面側または下面側の電気的シール
ドが施され、ストリップ導体および磁性体を囲む連続す
る電気的シールドが形成される。このため、磁性体内の
電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シールドが一層向上
する。
【0012】
【実施例】図1は本発明に係る非可逆回路素子用のコン
デンサの正面図、図2は本発明に係る非可逆回路素子用
のコンデンサの平面図、図3は本発明に係る非可逆回路
素子用のコンデンサの底面図である。図において、1は
積層体、10は孔、14は導体膜、111は第1誘電体
層、112は第2誘電体層、113は第3誘電体層、1
21は第1導体層、122は第2導体層、123は第3
導体層、124は第4導体層である。
デンサの正面図、図2は本発明に係る非可逆回路素子用
のコンデンサの平面図、図3は本発明に係る非可逆回路
素子用のコンデンサの底面図である。図において、1は
積層体、10は孔、14は導体膜、111は第1誘電体
層、112は第2誘電体層、113は第3誘電体層、1
21は第1導体層、122は第2導体層、123は第3
導体層、124は第4導体層である。
【0013】コンデンサは、3層の誘電体層111〜1
13と4層の導体層121〜124からなるガラス基材
フッ素樹脂銅張積層板等で構成されていて、誘電体層
(112〜113)のそれぞれが対向する両主面に電極
を有し(後述する図4および図5参照)、互いに積層さ
れて積層体1を構成している。
13と4層の導体層121〜124からなるガラス基材
フッ素樹脂銅張積層板等で構成されていて、誘電体層
(112〜113)のそれぞれが対向する両主面に電極
を有し(後述する図4および図5参照)、互いに積層さ
れて積層体1を構成している。
【0014】積層体1は、表面側および裏面側に接地用
電極160および170を有すると共に、面内に非可逆
回路素子を構成する磁性体を挿入するための孔10を有
する。孔10は内周面の全体が導体膜14で被覆され、
導体膜14が両接地用電極160および170と導通接
続している。接地用電極160は第1導体層121を構
成し、接地用電極170は第4導体層を構成している。
導体膜14は孔10の内壁面にメッキを施すか、真空蒸
着するか、またはスパッタすることにより形成できる。
電極160および170を有すると共に、面内に非可逆
回路素子を構成する磁性体を挿入するための孔10を有
する。孔10は内周面の全体が導体膜14で被覆され、
導体膜14が両接地用電極160および170と導通接
続している。接地用電極160は第1導体層121を構
成し、接地用電極170は第4導体層を構成している。
導体膜14は孔10の内壁面にメッキを施すか、真空蒸
着するか、またはスパッタすることにより形成できる。
【0015】このように、コンデンサは、3層の誘電体
層(111、112、113)を含み、互いに積層され
て積層体1を構成しており、この積層体1が、非可逆回
路素子を構成する磁性体を挿入するための孔10を有し
ているので、非可逆回路素子を小型、かつ、薄型に構成
し得るコンデサが得られる。しかも磁性体の位置決めが
容易になる。
層(111、112、113)を含み、互いに積層され
て積層体1を構成しており、この積層体1が、非可逆回
路素子を構成する磁性体を挿入するための孔10を有し
ているので、非可逆回路素子を小型、かつ、薄型に構成
し得るコンデサが得られる。しかも磁性体の位置決めが
容易になる。
【0016】コンデンサは複数の誘電体層(111、1
12、113)を含み、誘電体層(111、113)の
それぞれが対向する両主面に電極(図2および図3にお
いては、160および170)を有し、互いに積層され
て積層体1を構成されているので、孔10を設けたこと
によるコンデンサ形成のための面積減少分を、厚み方向
におけるコンデンサの積層によって補うことができる。
このため、非可逆回路素子の小型化、薄型化を図りなが
ら、必要なコンデンサを形成できる。
12、113)を含み、誘電体層(111、113)の
それぞれが対向する両主面に電極(図2および図3にお
いては、160および170)を有し、互いに積層され
て積層体1を構成されているので、孔10を設けたこと
によるコンデンサ形成のための面積減少分を、厚み方向
におけるコンデンサの積層によって補うことができる。
このため、非可逆回路素子の小型化、薄型化を図りなが
ら、必要なコンデンサを形成できる。
【0017】しかも、導体膜14が両接地用電極(16
0、170)を導通接続しているので、浮遊容量を防ぐ
ことができる。
0、170)を導通接続しているので、浮遊容量を防ぐ
ことができる。
【0018】次に、このコンデンサの積層体1の電極パ
ターンを第1導体層121から順に詳細に説明する。
ターンを第1導体層121から順に詳細に説明する。
【0019】図2に示すように、第1誘電体層111は
ガラス基材フッ素樹脂等からなる。第1導体層121
は、第1誘電体層111の表面上に接地用電極160を
形成している。151〜153はメッキ等により形成さ
れた第1誘電体層111を貫通する貫通導体である。
ガラス基材フッ素樹脂等からなる。第1導体層121
は、第1誘電体層111の表面上に接地用電極160を
形成している。151〜153はメッキ等により形成さ
れた第1誘電体層111を貫通する貫通導体である。
【0020】図4は図1のA4ーA4線上における断面
図を示している。図において、第2誘電体層112はガ
ラス基材フッ素樹脂等からなる。第2導体層122は第
2誘電体層112の上に3つのコンデンサ電極(16
1、162、163)を有している。コンデンサ電極
(161、162、163)は、それぞれ、貫通導体1
51〜153によって第1導体層121の表面側に導出
されている(図2参照)。
図を示している。図において、第2誘電体層112はガ
ラス基材フッ素樹脂等からなる。第2導体層122は第
2誘電体層112の上に3つのコンデンサ電極(16
1、162、163)を有している。コンデンサ電極
(161、162、163)は、それぞれ、貫通導体1
51〜153によって第1導体層121の表面側に導出
されている(図2参照)。
【0021】図5は図1のA5ーA5線上における断面
図を示している。図において、第3誘電体層113はガ
ラス基材フッ素樹脂等からなる。第3導体層123は第
3誘電体層の上に3つのコンデンサ電極(164、16
5、166)を有している。コンデンサ電極164は、
コンデンサ電極161と第2誘電体層112をはさんで
対向し、容量を形成している。コンデンサ電極165
は、コンデンサ電極162と第2誘電体層112をはさ
んで対向し、容量を形成している。コンデンサ電極16
6は、コンデンサ電極163と第2誘電体層112をは
さんで対向し、容量を形成している。
図を示している。図において、第3誘電体層113はガ
ラス基材フッ素樹脂等からなる。第3導体層123は第
3誘電体層の上に3つのコンデンサ電極(164、16
5、166)を有している。コンデンサ電極164は、
コンデンサ電極161と第2誘電体層112をはさんで
対向し、容量を形成している。コンデンサ電極165
は、コンデンサ電極162と第2誘電体層112をはさ
んで対向し、容量を形成している。コンデンサ電極16
6は、コンデンサ電極163と第2誘電体層112をは
さんで対向し、容量を形成している。
【0022】図3に示すように、第4導体層124は、
第3誘電体層113の上に接地用端子(61、62)の
導通経路としての接地用電極(171、172)、I/
O用端子(63、64)の導通経路としてのI/O用電
極(173、174)を有している。接地用電極(17
1、172)は、ストリップ基板3の接地用電極(34
5、345)に接続している。I/O用電極(173、
174)は、ストリップ基板3の導体(31、32)に
接続されている。
第3誘電体層113の上に接地用端子(61、62)の
導通経路としての接地用電極(171、172)、I/
O用端子(63、64)の導通経路としてのI/O用電
極(173、174)を有している。接地用電極(17
1、172)は、ストリップ基板3の接地用電極(34
5、345)に接続している。I/O用電極(173、
174)は、ストリップ基板3の導体(31、32)に
接続されている。
【0023】図6は図1〜図5に示した構造を有するよ
うコンデンサの電気的等価回路を示すために用いられた
展開図である。a、b、cは貫通導体151、152お
よび153によって形成される端子を示している。端子
aーb間にコンデンサ電極161とコンデンサ電極16
4とによる端子間容量C11が形成され、端子bーc間
にコンデンサ電極162とコンデンサ電極165による
端子間容量C12が形成され、端子cーa間にコンデン
サ電極163とコンデンサ電極166とによる端子間容
量C13が形成される。また、接地用導体121、12
4とコンデンサ電極(161、166)、(162、1
64)及び(163、165)との間に接地容量C0
1、C02、C03がそれぞれ形成される。
うコンデンサの電気的等価回路を示すために用いられた
展開図である。a、b、cは貫通導体151、152お
よび153によって形成される端子を示している。端子
aーb間にコンデンサ電極161とコンデンサ電極16
4とによる端子間容量C11が形成され、端子bーc間
にコンデンサ電極162とコンデンサ電極165による
端子間容量C12が形成され、端子cーa間にコンデン
サ電極163とコンデンサ電極166とによる端子間容
量C13が形成される。また、接地用導体121、12
4とコンデンサ電極(161、166)、(162、1
64)及び(163、165)との間に接地容量C0
1、C02、C03がそれぞれ形成される。
【0024】図7は図1〜図5に示したコンデンサを用
いたアイソレータの等価回路図を示し、端子aーb間に
端子間容量C11を接続し、端子bーc間に端子間容量
C12を接続し、端子cーa間に端子間容量C13を接
続するとともに、端子a、b、cのそれぞれに接地容量
C01、C02、C03をそれぞれ接続した回路が得ら
れる。
いたアイソレータの等価回路図を示し、端子aーb間に
端子間容量C11を接続し、端子bーc間に端子間容量
C12を接続し、端子cーa間に端子間容量C13を接
続するとともに、端子a、b、cのそれぞれに接地容量
C01、C02、C03をそれぞれ接続した回路が得ら
れる。
【0025】図8は本発明に係る非可逆回路素子の分解
斜視図、図9は非可逆回路素子の平面図、図10は図9
のA10ーA10線上における正面断面図、図11は図
9のA11ーA11線上における正面断面図である。図
において、1はコンデンサ、2は磁性体、3はストリッ
プ支持基板、4は永久磁石、5はシールド板、6はケー
ス、7、8はヨーク、9は抵抗板である。
斜視図、図9は非可逆回路素子の平面図、図10は図9
のA10ーA10線上における正面断面図、図11は図
9のA11ーA11線上における正面断面図である。図
において、1はコンデンサ、2は磁性体、3はストリッ
プ支持基板、4は永久磁石、5はシールド板、6はケー
ス、7、8はヨーク、9は抵抗板である。
【0026】コンデンサ1は、上述した非可逆回路素子
用コンデンサである。
用コンデンサである。
【0027】磁性流体2は、YIG(イットリュウム鉄
ガーネットの略称)などのフェリ磁性体からなり、スト
リップ基板3と対向するように配置されている。
ガーネットの略称)などのフェリ磁性体からなり、スト
リップ基板3と対向するように配置されている。
【0028】ストリップ基板3は、ケース6に配置され
たI/O(InputーOutput)用端子(63、
64)(図9参照)に導通する経路としての貫通導体
(343、344)(図12または図13を参照)と導
通し、また、接地用導体(61、62)に導通する経路
としての貫通導体(341、342)およびシールド板
5の突片(52、53)と導通し、容量基板と対向する
ように配置されている。
たI/O(InputーOutput)用端子(63、
64)(図9参照)に導通する経路としての貫通導体
(343、344)(図12または図13を参照)と導
通し、また、接地用導体(61、62)に導通する経路
としての貫通導体(341、342)およびシールド板
5の突片(52、53)と導通し、容量基板と対向する
ように配置されている。
【0029】ストリップ基板3は、図12又は図13に
示すように、互いに約120度の角度で交叉する3つの
ストリップ導体31〜33が形成されている。ストリッ
プ導体31は、基板34の表面に分割片310を、裏面
に分割片311を2分割して配置され、分割片310と
分割片311とを貫通導体(31a、31b)を用いて
接続されている。同様に、ストリップ導体32は、基板
34の表面に分割片320を、裏面に分割片321を2
分割して配置され、分割片320と分割片321とを貫
通導体(32a、32b)を用いて接続されている。ス
トリップ導体33についても、基板34の表面に分割片
330を、裏面に分割片331を2分割して配置され、
分割片330と分割片331とを貫通導体(33a、3
3b)を用いて導通させてある。これらの貫通導体(3
1a、31b、32a、32b、33a、33b)およ
び貫通導体(341、342、343、344)は、メ
ッキを施して形成できる。さらに、ストリップ基板3
は、表面側にI/O用端子(63、64)の導通経路と
してのI/O用電極(351、352)、裏面側に接地
用端子(61、62)の導通経路としての接地用電極
(345、346)を有している。
示すように、互いに約120度の角度で交叉する3つの
ストリップ導体31〜33が形成されている。ストリッ
プ導体31は、基板34の表面に分割片310を、裏面
に分割片311を2分割して配置され、分割片310と
分割片311とを貫通導体(31a、31b)を用いて
接続されている。同様に、ストリップ導体32は、基板
34の表面に分割片320を、裏面に分割片321を2
分割して配置され、分割片320と分割片321とを貫
通導体(32a、32b)を用いて接続されている。ス
トリップ導体33についても、基板34の表面に分割片
330を、裏面に分割片331を2分割して配置され、
分割片330と分割片331とを貫通導体(33a、3
3b)を用いて導通させてある。これらの貫通導体(3
1a、31b、32a、32b、33a、33b)およ
び貫通導体(341、342、343、344)は、メ
ッキを施して形成できる。さらに、ストリップ基板3
は、表面側にI/O用端子(63、64)の導通経路と
してのI/O用電極(351、352)、裏面側に接地
用端子(61、62)の導通経路としての接地用電極
(345、346)を有している。
【0030】永久磁石4は、磁性体2に垂直に磁界を印
加するものである。
加するものである。
【0031】シールド板5は、薄い銅板に銀メッキを施
したものである。下側のシールド板5の周辺部には3つ
の突片51〜53が立設されている。
したものである。下側のシールド板5の周辺部には3つ
の突片51〜53が立設されている。
【0032】ケース6は、絶縁材料、例えば、樹脂で構
成されている。図14に示すように、ケース6は、スト
リップ基板3を載せる面に接地用端子61に接続する接
地用電極611、接地用端子62に接続する接地用電極
612、I/O用端子63に接続するI/O用電極61
3およびI/O用端子64に接続するI/O用電極61
4を有する。接地用電極(611、612)は、それぞ
れストリップ基板3の電極(345、346)と接続さ
れている(図6参照)。I/O電極(613、614)
は、それぞれストリップ基板3の電極(351、35
2)と接続されている(図13参照)。
成されている。図14に示すように、ケース6は、スト
リップ基板3を載せる面に接地用端子61に接続する接
地用電極611、接地用端子62に接続する接地用電極
612、I/O用端子63に接続するI/O用電極61
3およびI/O用端子64に接続するI/O用電極61
4を有する。接地用電極(611、612)は、それぞ
れストリップ基板3の電極(345、346)と接続さ
れている(図6参照)。I/O電極(613、614)
は、それぞれストリップ基板3の電極(351、35
2)と接続されている(図13参照)。
【0033】ヨーク7は、鉄に銀メッキをしたものにフ
ッ素樹脂をコートしたものが使用でき、ヨーク8は薄い
鉄板にニッケルメッキしたものが使用できる。
ッ素樹脂をコートしたものが使用でき、ヨーク8は薄い
鉄板にニッケルメッキしたものが使用できる。
【0034】抵抗板9は、抵抗体9aと、この抵抗体9
aをはさんだ電極9b、9cを有し、ケース6の上面の
一辺側に配置されている。電極9bは、ストリップ基板
3上の電極346に接続され、電極9cは、ストリップ
基板3上の電極331に接続される。この抵抗板9は、
抵抗体9aとして、例えば、アルミナ基板上に酸化ルテ
ニウム(RuO)等の抵抗材料を、電極9b、9cとし
て銀ーパラジウム(AgPd)等の電極材料を用いて印
刷技術によって形成される。抵抗板9を設けずに、電極
(9b、9c)で終端していたストリップ導体331を
新たに設けられた端子615に接続することにより、サ
ーキュレータを得ることができる。
aをはさんだ電極9b、9cを有し、ケース6の上面の
一辺側に配置されている。電極9bは、ストリップ基板
3上の電極346に接続され、電極9cは、ストリップ
基板3上の電極331に接続される。この抵抗板9は、
抵抗体9aとして、例えば、アルミナ基板上に酸化ルテ
ニウム(RuO)等の抵抗材料を、電極9b、9cとし
て銀ーパラジウム(AgPd)等の電極材料を用いて印
刷技術によって形成される。抵抗板9を設けずに、電極
(9b、9c)で終端していたストリップ導体331を
新たに設けられた端子615に接続することにより、サ
ーキュレータを得ることができる。
【0035】組み立てに当たっては、ケース6の孔の中
に下側の永久磁石4を挿入し、次に、ケース6の上面の
一辺側に抵抗板9を配置し、続いて、下側の磁性体2を
突片51、52、53の間に配した下側のシールド板5
をケース6の孔に挿入する。次に、ストリップ基板3を
ケース6の上に被せ、このストリップ基板3の上に容量
基板1を載せ、容量基板1の孔10の中に上側の磁性体
2を挿入して上側のシールド板5を被せる。続いて、上
側の永久磁石4を上側の磁性体2に垂直に磁界を印加す
るように配置して、ヨーク7の止め金71でヨーク8を
固定する。
に下側の永久磁石4を挿入し、次に、ケース6の上面の
一辺側に抵抗板9を配置し、続いて、下側の磁性体2を
突片51、52、53の間に配した下側のシールド板5
をケース6の孔に挿入する。次に、ストリップ基板3を
ケース6の上に被せ、このストリップ基板3の上に容量
基板1を載せ、容量基板1の孔10の中に上側の磁性体
2を挿入して上側のシールド板5を被せる。続いて、上
側の永久磁石4を上側の磁性体2に垂直に磁界を印加す
るように配置して、ヨーク7の止め金71でヨーク8を
固定する。
【0036】上述のように、コンデンサ1は、複数の誘
電体層(111、112、113)を含み、互いに積層
されて積層体1を構成しており、この積層体1が、非可
逆回路素子を構成する磁性体2を挿入するための孔10
を有しているので、磁性体2を孔10に挿入したとき、
磁性体2および積層体1による厚みが、いずれか一方の
厚みによって定まり、それぞれの厚みが互いに加算され
ることがないので、小型、かつ、薄型の非可逆回路素子
が構成される。しかも、磁性体2の位置決めが容易な非
可逆回路素子が構成される。
電体層(111、112、113)を含み、互いに積層
されて積層体1を構成しており、この積層体1が、非可
逆回路素子を構成する磁性体2を挿入するための孔10
を有しているので、磁性体2を孔10に挿入したとき、
磁性体2および積層体1による厚みが、いずれか一方の
厚みによって定まり、それぞれの厚みが互いに加算され
ることがないので、小型、かつ、薄型の非可逆回路素子
が構成される。しかも、磁性体2の位置決めが容易な非
可逆回路素子が構成される。
【0037】コンデンサ1は、孔10の内周面全体が導
体膜14で被覆されているので、従来問題になっていた
コンデンサ板厚分に相当する非シールド領域が、導体膜
14によって埋められ、これにより磁性体内の電磁エネ
ルギーの洩れを防ぐ電気的シールドが形成される。
体膜14で被覆されているので、従来問題になっていた
コンデンサ板厚分に相当する非シールド領域が、導体膜
14によって埋められ、これにより磁性体内の電磁エネ
ルギーの洩れを防ぐ電気的シールドが形成される。
【0038】積層体1は表面側および裏面側に接地用電
極(160、170)を有し、孔10は内周面の全体が
導体膜14で被覆され、導体膜14が両接地用電極(1
60、170)と導通接続し、シールド板5を磁性体2
の上に配置し、孔10の内周面に被覆した導体膜14と
導通接続させたから、孔10の内周面に被覆された導体
膜14による側面部からの磁性体内の電磁エネルギーの
洩れを防ぐ電気的シールドに加え、上面側または下面側
の電気的シールドが施され、ストリップ導体(31、3
2、33)および磁性体2を囲む連続する電気的シール
ドが形成される。このため、磁性体内の電磁エネルギの
洩れを防ぐ電気的シールドが一層向上する。
極(160、170)を有し、孔10は内周面の全体が
導体膜14で被覆され、導体膜14が両接地用電極(1
60、170)と導通接続し、シールド板5を磁性体2
の上に配置し、孔10の内周面に被覆した導体膜14と
導通接続させたから、孔10の内周面に被覆された導体
膜14による側面部からの磁性体内の電磁エネルギーの
洩れを防ぐ電気的シールドに加え、上面側または下面側
の電気的シールドが施され、ストリップ導体(31、3
2、33)および磁性体2を囲む連続する電気的シール
ドが形成される。このため、磁性体内の電磁エネルギの
洩れを防ぐ電気的シールドが一層向上する。
【0039】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果を得ることができる。 (a)コンデンサは、複数の誘電体層を含み、互いに積
層されて積層体を構成しており、この積層体が、非可逆
回路素子を構成する磁性体を挿入するための孔を有して
いるので、小型、かつ、薄型の非可逆回路素子を提供で
きる。 (b)コンデンサは、誘電体層のそれぞれが対向する両
主面に電極を有し、互いに積層されて積層体を構成して
いるため、孔を設けたことによるコンデンサ形成のため
の面積減少分を、厚み方向におけるコンデンサの積層に
よって補うことができるので、小型化、かつ、薄型化を
図り、必要なコンデンサを提供できる。しかも、導体膜
が両接地用電極を導通接続しているので、浮遊容量を防
ぐことができるコンデンサを提供できる。 (c)コンデンサは、孔の内周面全体が導体膜で被覆さ
れているので、従来問題になっていたコンデンサ板厚分
に相当する非シールド領域が、導体膜によって埋めら
れ、これにより磁性体内の電磁エネルギーの洩れを防止
する電気的シールドが形成される非可逆回路素子を提供
できる。 (d)積層体は表面側および裏面側に接地用電極を有
し、孔は内周面の全体が導体膜で被覆され、導体膜が両
接地用電極と導通接続し、シールド板は磁性体の上に配
置され、孔の内周面に被覆した導体膜と導通接続されて
いるので、孔の内周面に被覆された導体膜による側面部
からの磁性体内の電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シ
ールドに加え、上面側または下面側の電気的シールドが
施され、ストリップ導体および磁性体を囲む連続する電
気的シールドが形成される。このため、磁性体内の電磁
エネルギの洩れを防ぐ電気的シールドが一層向上する非
可逆回路素子を提供できる。
ような効果を得ることができる。 (a)コンデンサは、複数の誘電体層を含み、互いに積
層されて積層体を構成しており、この積層体が、非可逆
回路素子を構成する磁性体を挿入するための孔を有して
いるので、小型、かつ、薄型の非可逆回路素子を提供で
きる。 (b)コンデンサは、誘電体層のそれぞれが対向する両
主面に電極を有し、互いに積層されて積層体を構成して
いるため、孔を設けたことによるコンデンサ形成のため
の面積減少分を、厚み方向におけるコンデンサの積層に
よって補うことができるので、小型化、かつ、薄型化を
図り、必要なコンデンサを提供できる。しかも、導体膜
が両接地用電極を導通接続しているので、浮遊容量を防
ぐことができるコンデンサを提供できる。 (c)コンデンサは、孔の内周面全体が導体膜で被覆さ
れているので、従来問題になっていたコンデンサ板厚分
に相当する非シールド領域が、導体膜によって埋めら
れ、これにより磁性体内の電磁エネルギーの洩れを防止
する電気的シールドが形成される非可逆回路素子を提供
できる。 (d)積層体は表面側および裏面側に接地用電極を有
し、孔は内周面の全体が導体膜で被覆され、導体膜が両
接地用電極と導通接続し、シールド板は磁性体の上に配
置され、孔の内周面に被覆した導体膜と導通接続されて
いるので、孔の内周面に被覆された導体膜による側面部
からの磁性体内の電磁エネルギーの洩れを防ぐ電気的シ
ールドに加え、上面側または下面側の電気的シールドが
施され、ストリップ導体および磁性体を囲む連続する電
気的シールドが形成される。このため、磁性体内の電磁
エネルギの洩れを防ぐ電気的シールドが一層向上する非
可逆回路素子を提供できる。
【図1】本発明に係る非可逆回路素子用コンデンサの正
面図である。
面図である。
【図2】本発明に係る非可逆回路素子用コンデンサの平
面図である。
面図である。
【図3】本発明に係る非可逆回路素子用コンデンサの底
面図である。
面図である。
【図4】図1のA4ーA4における断面図である。
【図5】図1のA5ーA5における断面図である。
【図6】図1〜図5に示された本発明に係る非可逆回路
素子用コンデンサの電気的等価回路を示すために用いら
れた展開図である。
素子用コンデンサの電気的等価回路を示すために用いら
れた展開図である。
【図7】図1〜図5に示された本発明に係る非可逆回路
素子用コンデンサを用いて実現されたアイソレータの等
価回路図である。
素子用コンデンサを用いて実現されたアイソレータの等
価回路図である。
【図8】本発明に係る非可逆回路素子の分解斜視図であ
る。
る。
【図9】本発明に係る非可逆回路素子の平面図である。
【図10】図9のA10ーA10線上における正面断面
図である。
図である。
【図11】図9のA11ーA11線上における正面断面
図である。
図である。
【図12】本発明に係る非可逆回路素子を構成するスト
リップ基板を表面側から見た平面図である。
リップ基板を表面側から見た平面図である。
【図13】図12に示されたストリップ基板を裏面側か
ら見た平面図である。
ら見た平面図である。
【図14】本発明に係る非可逆回路素子を構成するケー
スの平面図である。
スの平面図である。
1 コンデンサまたは積層体 2 磁性体 3 ストリップ基板 4 永久磁石 5 シールド板 6 ケース 7 ヨーク 8 ヨーク 9 抵抗板 10 孔 14 導体膜 31、32、33 ストリップ導体 111 第1誘電体層 112 第2誘電体層 113 第3誘電体層 160、170 接地用電極
Claims (4)
- 【請求項1】 非可逆回路素子に用いられるコンデンサ
であって、 複数の誘電体層を含み、前記誘電体層のそれぞれが対向
する両主面に電極を有し、互いに積層されて積層体を構
成しており、 前記積層体は、表面側および裏面側に接地用電極を有す
ると共に、面内に非可逆回路素子を構成する磁性体を挿
入するための孔を有し、前記孔は内周面の全体が導体膜
で被覆され、前記導体膜が前記両接地用電極を導通接続
している非可逆回路素子用コンデンサ。 - 【請求項2】 ストリップ導体と、コンデンサ、磁性体
と、シールド板と、永久磁石とを含む非可逆回路素子で
あって、 前記ストリップ導体は、複数であり、 前記コンデンサは、請求項1に記載の非可逆回路素子用
コンデンサであって、前記孔が前記ストリップ導体に対
向するように配置されており、 前記磁性体は、前記孔の内部に挿入されており、 前記シールド板は、前記磁性体の上に配置され、前記孔
の内周面に被覆した前記導体膜と導通接続されており、 前記永久磁石は、前記磁性体に直流磁界を印加している
非可逆回路素子。 - 【請求項3】 前記コンデンサは、前記ストリップ導体
の端子間に接続される請求項2に記載の非可逆回路素
子。 - 【請求項4】 前記コンデンサは、前記ストリップ導体
の端子と接地との間に接続される請求項2または3に記
載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33972492A JPH06163319A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33972492A JPH06163319A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06163319A true JPH06163319A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18330213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33972492A Withdrawn JPH06163319A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 非可逆回路素子用コンデンサ及び非可逆回路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06163319A (ja) |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP33972492A patent/JPH06163319A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |