JP3119810U - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ(1)および非線形光学結晶(4)の両方の温度を制御する温度制御手段(12〜15)を備えると共に、温度制御手段(12〜15)は半導体レーザ(1)のレーザ光の波長が804nmから811nmの間のいずれかの波長になるような制御温度範囲で温度制御し、非線形光学結晶(4)はその出力ピークを与える出力ピーク温度が制御温度範囲内に入るような出力温度特性を有する。
【効果】温度制御が1系統になるため、駆動電力が小さくて済む。半導体レーザ(1)の適正温度と非線形光学結晶(4)の適正温度が適合しないと出力効率が下がってしまうが、非線形光学結晶(4)の出力ピークを与える出力ピーク温度が半導体レーザ(1)の制御温度範囲内に入るような出力温度特性を有する非線形光学結晶(4)を用いるため、温度制御が1系統でも第二高調波の出力効率を高く維持できる。
【選択図】図1
Description
他方、半導体レーザから出力される可視光の線状ビームをロッドレンズで扇面状ビームとし、ライン状投影パターンを得るレーザ墨出し装置が知られている(特許文献2、非特許文献1参照。)。
しかし、温度制御が2系統になると、それぞれにペルチェ素子やヒータなどが必要になるため、大きな駆動電力が必要になる問題点があった。
これに対して、光共振器で1064nm程度の基本波を発振し、それを非線形光学結晶により532nm程度の第二高調波に波長変換し、緑色の線状ビームを出す半導体レーザ励起固体レーザ装置を用いることが考えられる。この緑色の線状ビームをロッドレンズで扇面状ビームとすれば、視認性に優れた緑色のライン状投影パターンを得ることが出来る。
しかし、上述のように半導体レーザ励起固体レーザ装置の温度制御が2系統で大きな駆動電力が必要であると、電池駆動が難しくなるため、ポータブル使用可能なレーザ墨出し装置を実現できない問題点があった。
上記第1の観点による半導体レーザ励起固体レーザ装置では、温度制御手段が半導体レーザおよび非線形光学結晶の両方の温度を制御する。すなわち、温度制御が1系統になる。このため、駆動電力が小さくて済む。また、電池駆動も可能になり、ポータブル使用可能なレーザ墨出し装置を実現できるようになる。ここで、半導体レーザの適正温度と非線形光学結晶の適正温度が適合しないと第二高調波の出力効率が下がってしまうが、非線形光学結晶の位相整合温度すなわち出力ピークを与える出力ピーク温度が半導体レーザの制御温度範囲内に入るような出力温度特性を有する非線形光学結晶を用いるため、温度制御が1系統でも第二高調波の出力効率を高く維持できる。
上記第2の観点による半導体レーザ励起固体レーザ装置では、分極反転構造が形成された擬似位相整合素子(QPM素子)を非線形光学結晶として用いるが、この擬似位相整合素子では、その分極反転周期を変えることにより出力温度特性が変わるため、適切な分極反転周期を選ぶことにより、半導体レーザの制御温度範囲内で位相整合が行えるようになる。すなわち、非線形光学結晶の出力ピークを与える出力ピーク温度が半導体レーザの制御温度範囲内に入るようにすることが出来る。
ここで、擬似位相整合素子は、例えばLiNbO3、LiTaO3、MgO:LiNbO3、MgO:LiTaO3、KNbO3、KTiOPO4に分極反転処理を施したものを挙げることが出来る。
上記セラミックYAGは、Nd:YAGの微細結晶を焼結したセラミックである。
固体レーザ媒質としては、Nd:YAG単結晶、Nd:GdVO4、Nd:YVO4、Nd:YLFなどを使用できる。しかし、性能のばらつきが大きいため、性能が低いものにも対応するために半導体レーザの出力に余裕をもたせる必要があり、出力の大きな半導体レーザを使用する必要があった。このため、実際に必要な以上の大きな電力を消費する場合があった。
これに対して、上記第3の観点による半導体レーザ励起固体レーザ装置では、セラミックYAGを使用するが、セラミックYAGは性能のばらつきが小さいため、半導体レーザの出力に余裕をもたせる必要がなくなり、出力が大きな半導体レーザを使用する必要がなくなり、消費電力を小さくすることが出来る。
上記第4の観点による半導体レーザ励起固体レーザ装置では、固体レーザ媒質の端面と非線形光学結晶の端面に基本波に対するミラーコートを施し、それぞれの端面で光共振器を形成することで、構造を単純化でき、温度制御対象をコンパクトにすることが出来る。よって、温度制御に要する電力を小さくすることが出来る。
上記第5の観点による半導体レーザ励起固体レーザ装置では、固体レーザ媒質と非線形光学結晶とを貼り合わせた構造なので、温度制御対象をさらにコンパクトにすることが出来る。よって、温度制御に要する電力をさらに小さくすることが出来る。
上記第6の観点による半導体レーザ励起固体レーザ装置では、乾電池駆動であるため、ポータブル使用可能となり、ポータブル使用可能なレーザ墨出し装置を実現できる。
この半導体レーザ励起固体レーザ装置100は、レーザ光を出射する半導体レーザ1と、レーザ光を集光する集光レンズ2と、集光されたレーザ光で励起され基本波を誘導放出する固体レーザ媒質3と、基本波を第二高調波に変換する非線形光学結晶4と、光共振器6の一端を構成すると共に第二高調波を透過させるミラー5と、ミラー5を透過した第二高調波の一部を取り出すビームスプリッタ7と、ビームスプリッタ7を通過した第二高調波の線状ビームのビーム径を拡げるビームエキスパンダ8と、ビームエキスパンダ8を通過した線状ビームを扇面状ビームとするロッドレンズ9と、ビームスプリッタ7で取り出した第二高調波を受光し電気信号に変換するフォトダイオード10と、フォトダイオード10での電気信号の強度が一定になるように半導体レーザ1の駆動電流を制御するAPC(Auto Power Control)回路11と、半導体レーザ1,集光レンズ2,固体レーザ媒質3,非線形光学結晶4およびミラー5を支持するベース12と、ベース12を加熱/冷却するためのペルチェ素子13と、ベース12の温度を検出するためのサーミスタ14と、温度制御回路15と、電源としての乾電池16とを具備している。
固体レーザ媒質3の半導体レーザ側の端面には808.5nmでは高透過率、1064nmでは高反射率のコーティングが施されている。固体レーザ媒質3の半導体レーザ側の端面とミラー5の間で光共振器6が構成され、1064nmのレーザ光が発振する。
ステップJ1では、半導体レーザ1の波長温度特性を調べる。
図3に、波長温度特性1aを例示する。なお、これは説明のための波長温度特性であり、実際の特性を表しているものではない。
この波長温度特性1aなら温度t1から温度t2の範囲が適正温度範囲であり、それが温度制御回路15による制御温度範囲になる。
図4に、分極反転周期の異なる擬似位相整合素子のパワー温度特性4a,4b,4cを例示する。なお、これは説明のためのパワー温度特性であり、実際の特性を表しているものではない。
パワー温度特性4aなら出力ピーク温度はTa(t2<Ta)であり、パワー温度特性4bなら出力ピーク温度はTb(t2<Tb)であり、パワー温度特性4cなら出力ピーク温度はTc(t1<Tc<t2)である。
図3の波長温度特性1aの半導体レーザ1に適合するのは、図4のパワー温度特性4cを持つ擬似位相整合素子であり、それを非線形光学結晶4として選択する。
また、図6の波長温度特性1cの半導体レーザ1に適合するのは、図4のパワー温度特性4bを持つ擬似位相整合素子であり、それを非線形光学結晶4として選択する。
(1)温度制御が1系統であるため駆動電力が小さくて済む。
(2)半導体レーザ1の適正温度と非線形光学結晶4の適正温度が適合するため、温度制御が1系統でも第二高調波の出力効率を高く維持できる。
(3)非線形光学結晶4として用いる擬似位相整合素子の分極反転周期を選ぶことにより、半導体レーザ1の制御温度範囲内で位相整合が行える。
(4)固体レーザ媒質3として用いるセラミックYAGは性能のばらつきが小さいため、半導体レーザの出力に余裕をもたせる必要がなくなり、出力が大きな半導体レーザを使用する必要がなくなり、消費電力を小さくすることが出来る。
(5)乾電池駆動が可能になり、ポータブル使用可能な、視認性のよい緑色ビームのレーザ墨出し装置を実現できる。
この半導体レーザ励起固体レーザ装置200では、固体レーザ媒質3と非線形光学結晶4を接着剤などで貼り合せ、非線形光学結晶4の反半導体レーザ側の端面には1064nmでは高反射率、532nmでは低反射率のコーティングが施されている。つまり、結晶内部で光共振器6が構成されている。そして、ミラー5が省略されている。その他は、実施例1に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置100と同じである。
3 固体レーザ媒質
4 非線形光学結晶
6 光共振器
12 ベース
13 ペルチェ素子
14 サーミスタ
15 温度制御回路
16 乾電池
100,200 半導体レーザ励起固体レーザ装置
Claims (6)
- 半導体レーザと、前記半導体レーザから出力されたレーザ光により励起される固体レーザ媒質と、前記固体レーザ媒質を含む光共振器内に収容され前記光共振器で発振する基本波の第二高調波を出力する非線形光学結晶と、前記半導体レーザおよび前記非線形光学結晶の両方の温度を制御する温度制御手段とを備えると共に、前記温度制御手段は前記レーザ光の波長が804nmから811nmの間のいずれかの波長になるような制御温度範囲で温度制御し、前記非線形光学結晶はその出力ピークを与える出力ピーク温度が前記制御温度範囲内に入るような出力温度特性を有することを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 請求項1に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記非線形光学結晶が、前記制御温度範囲内で位相整合が行えるような分極反転周期で分極反転構造が形成された擬似位相整合素子であることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記固体レーザ媒質が、セラミックYAGであることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記固体レーザ媒質の反非線形光学結晶側の端面および前記非線形光学結晶の反固体レーザ媒質側の端面に、基本波に対するミラーコートが施され、前記両端面で光共振器を構成していることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 請求項4に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記固体レーザ媒質のミラーコートが施されてない端面と前記非線形光学結晶のミラーコートが施されてない端面とが貼り合わされていることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、該半導体レーザ励起固体レーザ装置が乾電池駆動であることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
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JP2005010999U JP3119810U (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009252910A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
JP2012234933A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置及びレーザ光の出力方法 |
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2005
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