JP2005268415A - Qスイッチ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は,光弾性効果を有するポッケルスセル(電気光学素子)材料を採用したE/O:Qスイッチレーザにおいて,Qスイッチ動作時に光弾性効果の影響により出力結合量が時間的に振動することで,発生が懸念されるダブルパルス及び光学部品の焼損を容易に防止することを目的とする。
【解決手段】 ポッケルスセル(電気光学素子)の印加電圧1をQスイッチ動作させ,出力結合量の時間的な振動が発生する前にパルスを発振させ,その直後に,再度,電気光学素子印加電圧1をQスイッチ動作前のレベルに切り替えて,出力結合量の時間的な振動の影響を受けないようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】 ポッケルスセル(電気光学素子)の印加電圧1をQスイッチ動作させ,出力結合量の時間的な振動が発生する前にパルスを発振させ,その直後に,再度,電気光学素子印加電圧1をQスイッチ動作前のレベルに切り替えて,出力結合量の時間的な振動の影響を受けないようにした。
【選択図】 図1
Description
この発明は,例えばレーザ測距装置等に搭載される固体レーザ装置に用いられ,光弾性効果を有するポッケルスセル(以下、電気光学素子と言う)を採用したQスイッチ制御方法に関するものである。
従来の光弾性効果を有する電気光学素子を用いたQスイッチ制御方法においては、レーザ媒質を励起している間,レーザ発振させないように,電気光学素子にあるレベルの電圧を印加させておき,レーザ媒質の反転分布が最大となった時に,適当な出力結合量となるように電気光学素子の電圧を短時間で切り替えることで,高出力の短パルスが得られる。光弾性効果は,変形した弾性体が光学的異性体となって複屈折などを生ずる現象で,電気光学素子印加電圧に急激な変化を加え,結晶が変形すると,結晶が光学的に異方性を持ち,結晶内の屈折率が時間的に変化し,偏光が時間的に変化し,その結果,出力結合量が時間的に振動する(例えば、非特許文献1参照)。
R.P.Hilberg,W.R.Hook:APPLIED OPTICS/Vol.9,P.1939〜P.1940(1970)
上記のように,LiNbO3やKDP等の光弾性効果を有する光学結晶を電気光学素子に採用した従来のQスイッチレーザにおいては,出力結合量が時間的に振動する為,レーザ発振器内部パワーが大きくなり,共振器内の光学部品に焼損が発生したり,ダブルパルスが発生してしまう。
ダブルパルスとは,1回のレーザ動作で,2つの発振パルスが発生することであり,Qスイッチ動作後,出力結合量が一定であれば,ダブルパルスは発生しないが,出力結合量が時間的に変化する場合,レーザパルスが発振した後,レーザ媒質中に反転分布量が多く残存しており,出力結合量が残存している反転分布量に対するレーザ発振閾値を超えると,2発目のパルスが発生する。
ダブルパルスとは,1回のレーザ動作で,2つの発振パルスが発生することであり,Qスイッチ動作後,出力結合量が一定であれば,ダブルパルスは発生しないが,出力結合量が時間的に変化する場合,レーザパルスが発振した後,レーザ媒質中に反転分布量が多く残存しており,出力結合量が残存している反転分布量に対するレーザ発振閾値を超えると,2発目のパルスが発生する。
この発明は,かかる問題点を解決するためになされたもので,光学部品の焼損を防止できると共に,あらゆる状況下でもダブルパルスが発生しないQスイッチ制御方法を提供することを目的としている。
この発明によるQスイッチ制御方法は、一対の稜線方向の直交するルーフプリズムを有するレーザ共振器と、このレーザ共振器の光軸上に設置されたレーザ媒質と、このレーザ媒質を励起する励起源と、上記レーザ共振器の光軸上に設置され、対向する一方の電極と他方の電極を有するポッケルスセルと、上記レーザ共振器の光軸上に設置され、出力反射鏡としてレーザ発振光を出力する薄膜偏光子とを備えたQスイッチレーザにより、Qスイッチ動作させるQスイッチ制御方法において、上記QスイッチレーザのQスイッチ動作後に、最初に上記Qスイッチレーザが発振した直後に、上記薄膜偏光子における出力結合量を上記QスイッチレーザのQスイッチ動作前の略水準に変化させる様に制御したものである。
このQスイッチ制御方法では,出力結合量の時間的な変動を受けないか、或いは影響を軽減することが可能であり,強制的に出力結合量を制御する為,ダブルパルスの発生を防止することが出来る。また,出力結合量の時間的な振動も解消される為,出力結合量の時間的変動による共振器内部パワーの著しい増加に伴う,共振器内部の光学部品の焼損も防止することが出来る。
実施の形態1. 図1は,この発明の実施の形態1を示す構成図である。図において,1,2はレーザ光を閉じ込める一対(第1/第2)のルーフプリズムであり,図2のように第1のルーフプリズム1,第2のルーフプリズム2の稜線1a,2aは互いに直交している。3はレーザ媒質,6はレーザ媒質3を励起する励起源,5は薄膜偏光子であり,出力反射鏡の機能を持ち,光軸9に対して,誘電体表面で光が正反射するとき、p偏光に対する反射率が零になる入射角であるブリュースタ角で配置されている。4は光弾性効果を有する電気光学素子であり、光学面4a,4bに光が入射し、電極接着面4c,4dに2つの独立した電源7,8がそれぞれ電気的につながっており、電気光学素子4は、電源7,8より電圧が印加される。第1のルーフプリズム1,レーザ媒質3,電気光学素子4,薄膜偏光子5の中心が光軸9に一致するように配置している。
次に,動作について説明する。図3は,図1および図2で示したQスイッチ動作を説明するQスイッチ動作直前からレーザ発振後までのタイムチャートであり,図4は、Qスイッチ動作直前からレーザ発振後までの従来のQスイッチ動作を説明するタイムチャートである。また、図5は、励起直後から、レーザ発振後までのタイムチャートである。図3の(a)は,電源7より,電極接着面4cに印加している電圧10の時間変化であり,Qスイッチ動作の時間を0としている。(b)は,第2の電源8より,電極接着面4dに印加している電圧11の時間変化であり,レーザ動作中は,一定である。(c)は,電極接着面4c,4dに各々第1の電気光学素子印加電圧10及び第2の電気光学素子11が印加されたときの,薄膜偏光子5の出力結合量12の時間変化で,(d)は,本Qスイッチ動作により,得られる発振パルス13である。
図4の(a)は,第1の電源7より,電極接着面4cに印加している第1の従来の電気光学素子印加電圧14の時間変化,(b)は第2の電源8より,電極接着面4dに印加している第2の従来の電気光学素子印加電圧15の時間変化であり,一定である。(c)は,電極接着面4c,4dに各々第1の電気光学素子印加電圧14及び第2の電気光学素子15が印加されたときの従来のQスイッチ動作での薄膜偏光子5の出力結合量16の時間変化,(d)は,従来のQスイッチ動作により,得られた発振パルス17である。
図5の(a)は、励起源6より得られるレーザ媒質3に蓄積される反転分布量18の時間変化、(b)は、第1の電源7より,電極接着面4cに印加している第1の従来の電気光学素子印加電圧14の時間変化,(c)は第2の電源8より,電極接着面4dに印加している第2の従来の電気光学素子印加電圧15の時間変化であり,19は、Qスイッチ動作する時点である。
図5のように,励起源6からレーザ媒質3への励起により、反転分布量が増加している間,第1の電源7は,第1の電源7及び第2の電源8の両電源で合わせて,レーザ発振しない程度の第1の従来の電気光学素子印加電圧14を印加させ,第2の電源8は,単独で適度な出力結合量となるような程度の常時一定な第2の電気光学素子印加電圧15を電気光学素子4にそれぞれ印加させる。図5(a)のように、レーザ媒質3に反転分布量18が最大となった時に,図5(b)のように、第1の従来の電気光学素子印加電圧14をゼロにさせる。従来の方法では、図4で示すように、その後,共振器内で,レーザ発振が立ち上がり,Qスイッチパルスが発振すると共に,光弾性効果の影響により,図4(c)のように、出力結合量16は時間的に変動し,場合によっては,図4(d)のように,ダブルパルスが発生する。
本Qスイッチ動作では,図5(a)のように,励起源6がレーザ媒質3を励起している間,電気光学素子4の電極接着面4c、4dの両端面にレーザが発振しないレベルで,第1の電気光学素子印加電圧10及び第2の電気光学素子印加電圧11をそれぞれ印加させ,図5(a)のように、レーザ媒質3に反転分布量18が最大となった時に,図5(b)のように、電気光学素子印加電圧10をゼロにし,レーザパルス発振させるが,その直後,図3(a)のように、電気光学素子印加電圧10をQスイッチ動作前のレベルに電圧を再印加させる。
この実施の形態1によるQスイッチ制御方法では,出力結合量の時間的な変動を受けない,または,影響を軽減することが可能であり,強制的に出力結合量を制御する為,ダブルパルスの発生が防止される。また,出力結合量の時間的な振動が解消される為,出力結合量の時間の変動による共振器内部パワーの著しい増加に伴う,共振器内部の光学部品の焼損も防止することができる。
実施の形態2.
この実施の形態2の構造は,実施の形態1と同様である。
次に動作について説明する。図6は,実施の形態2を説明するタイムチャートである。
図6の(a)は,電源7より,電極接着面4cに印加している電圧20の時間変化であり,Qスイッチ動作の時間を0としている。(b)は,第2の電源8より,電極接着面4dに印加している電圧21の時間変化である。本Qスイッチ動作に関しては,従来通り,レーザ媒質を励起している間,電気光学素子4の両端面に発振しないレベルで,第1の電気光学素子印加電圧20及び第2の電気光学素子印加電圧21をそれぞれ印加させ,レーザ媒質3の反転分布量が最大となった時に,電気光学素子印加電圧20をゼロにし,レーザパルス発振させるが,その直後,電気光学素子印加電圧21を電気光学素子印加電圧20のQスイッチ動作前のレベルに電圧を印加させる。
この実施の形態2の構造は,実施の形態1と同様である。
次に動作について説明する。図6は,実施の形態2を説明するタイムチャートである。
図6の(a)は,電源7より,電極接着面4cに印加している電圧20の時間変化であり,Qスイッチ動作の時間を0としている。(b)は,第2の電源8より,電極接着面4dに印加している電圧21の時間変化である。本Qスイッチ動作に関しては,従来通り,レーザ媒質を励起している間,電気光学素子4の両端面に発振しないレベルで,第1の電気光学素子印加電圧20及び第2の電気光学素子印加電圧21をそれぞれ印加させ,レーザ媒質3の反転分布量が最大となった時に,電気光学素子印加電圧20をゼロにし,レーザパルス発振させるが,その直後,電気光学素子印加電圧21を電気光学素子印加電圧20のQスイッチ動作前のレベルに電圧を印加させる。
本動作により,実施の形態1と同様な出力結合量12が得られ,出力結合量12の時間的な変動をなくし,強制的にシングルパルスのみ発生させる。また,本動作は,2回の電圧の切り替えを単独の電源で行う為に,電源には短時間での応答性能を必要せず,低コスト化することができる。
ところで,各実施の形態は、LiNbO3を電気光学素子材料に用いた場合について述べたが,他の光弾性効果を有する光学結晶にも利用できることは,いうまでもない。
1 第1のルーフプリズム、 1a 第1のルーフプリズムの稜線、2 第2のルーフプリズム、2a 第2のルーフプリズムの稜線、 3 レーザ媒質、 4 電気光学素子、 4a 第1の光学面、4b 第2の光学面、4c 第1の電極接着面、4d 第2の電極接着面、5 薄膜偏光子、 6 励起源、 7 第1の電源、 8 第2の電源、 9 光軸、10 第2の電気光学素子印加電圧、11 第2の電気光学素子印加電圧、12 出力結合量、13 発振パルス、14 第1の従来の電気光学素子印加電圧、15 第2の従来の電気光学素子印加電圧、16 従来の出力結合量、17従来の発振パルス、
18 レーザ媒質の反転分布量、19 Qスイッチ動作時点、20 第1の電気光学素子印加電圧、21 第2の電気光学素子印加電圧。
18 レーザ媒質の反転分布量、19 Qスイッチ動作時点、20 第1の電気光学素子印加電圧、21 第2の電気光学素子印加電圧。
Claims (3)
- 一対の稜線方向の直交するルーフプリズムを有するレーザ共振器と、
このレーザ共振器の光軸上に設置されたレーザ媒質と、
このレーザ媒質を励起する励起源と、
上記レーザ共振器の光軸上に設置され、対向する一方の電極と他方の電極を有するポッケルスセルと、
上記レーザ共振器の光軸上に設置され、出力反射鏡としてレーザ発振光を出力する薄膜偏光子と、
を備えたQスイッチレーザにより、Qスイッチ動作させるQスイッチ制御方法において、
上記QスイッチレーザのQスイッチ動作後に、最初に上記Qスイッチレーザが発振した直後に、上記薄膜偏光子における出力結合量を上記QスイッチレーザのQスイッチ動作前の略水準に変化させる様に制御した、
ことを特徴とするQスイッチ制御方法。 - 夫々独立した2つの電源を用い、上記ポッケルスセルの両端に夫々電圧を印加させ、
何れか一方の電極に印加する電圧を一定とすると共に、もう一方の電極に印加する電圧により、上記QスイッチレーザのQスイッチ動作をする様にしたことを特徴とする、請求項1記載のQスイッチ制御方法。 - 夫々独立した2つの電源を用い、上記ポッケルスセルの両端に夫々電圧を印加させ、
何れか一方の電極に印加する電圧でQスイッチ動作をさせると共に,
もう一方の電極に印加する電圧により,上記QスイッチレーザのQスイッチ動作後に、最初に上記Qスイッチレーザが発振した直後に、上記薄膜偏光子における出力結合量を上記QスイッチレーザのQスイッチ動作前の略水準に変化させる様に制御したことを特徴とする、請求項1記載のQスイッチ制御方法。
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2004
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