JPH05206560A

JPH05206560A - Ｑスイッチレーザ

Info

Publication number: JPH05206560A
Application number: JP1204892A
Authority: JP
Inventors: Yoshihito Hirano; 嘉仁平野; Kimio Asaka; 公雄浅香
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-01-27
Filing date: 1992-01-27
Publication date: 1993-08-13
Anticipated expiration: 2013-10-27
Also published as: JP2814813B2

Abstract

(57)【要約】【目的】稜線の直交する一対のルーフプリズムにより
共振器を構成し偏光分離素子からジャイアントパルスを
取り出すＱスイッチレーザの高効率化を簡易に行い、効
率の経時変化を少なくするため。【構成】一対のルーフプリズムの一方の稜線方向を偏
光分離素子の偏光面と略平行に設定し、電圧スイッチン
グ回路によりスイッチング電圧を発生しこれをポッケル
スセルに印加することでＱスイッチ動作を得ると共に、
出力量調整電圧発生回路により発生させた電圧をポッケ
ルセルに印加することで共振器から取り出す光出力の割
合を設定する。【効果】出力量調整電圧の設定で簡単に共振器から取
り出す光出力の割合を設定でき高効率化が図られ、また
調整電圧がの変動にたいしても共振器内の損失が変化し
ないため電圧の調整が厳しくなく、同時に効率の経時変
化が小さいＱスイッチレーザが構成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、共振器のＱ値を変化
させることでジャイアントパルスを発生するＱスイッチ
レーザ、特に２つのルーフプリズムにより構成される共
振器で出力を偏光分離素子からとりだすＱスイッチレー
ザに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は、Ｍ．Ｋ．Ｃｈｕｎｅｔａ
ｌ．，Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ．，１５，１９４２（１９７
６）に示された従来のＱスイッチレーザの構成図であ
る。図において１は第１のルーフプリズム、２は第２の
ルーフプリズム、３はレーザ媒質、４はポッケルスセ
ル、５は偏光分離素子、６は電圧制御回路である。レー
ザ共振器は稜線を直交した第１のルーフプリズム１と第
２のルーフプリズム２により構成され、共振器内の光軸
上にレーザ媒質３、偏光分離素子５、ポッケルスセル４
が配置されている。

【０００３】次に動作について説明する。第１のルーフ
プリズム１と第２のルーフプリズム２はその稜線方向を
直交させており、これによりトレランスが緩い共振器が
実現できる。偏光分離素子５はカルサイトから成り結晶
軸に平行な偏光成分と垂直な偏光成分により光路を分離
する。このためレーザ共振器内での共振偏光状態は偏光
分離素子５により決定され、これに垂直な偏光成分は共
振器外に放出されレーザ出力光として取り出される。偏
光分離素子５できまる直線偏光の光は、レーザ媒質３を
通過したのち、第１のルーフプリズム１で２度の全反射
を受け折り返され、再びレーザ媒質３を通過した後、偏
光分離素子５に至る。偏光分離素子５できまる直線偏光
を、第１のルーフプリズム１の稜線に垂直な反射面に対
し水平成分と垂直成分の偏光に分離して考えると、両偏
光で２度の全反射により生じる位相とび量が異なるた
め、反射後の両偏光を合成した偏光状態は入射直線偏光
とは異なり、入射直線偏光に垂直な偏光方向の成分を持
つことになる。

【０００４】第１のルーフプリズム１の材料の屈折率を
ｎとすると上記位相飛び量の差（位相差Φ）は式（１）
で表され、この位相差により生じる入射直線偏光に垂直
な偏光方向の成分が偏光分離素子５で共振器外に放出さ
れる割合（偏光分離素子５の透過率Ｔ）は、第１のルー
フプリズム１の稜線方向と入射直線偏光のなす角度θを
用いて式（２）で表せる。 Φ＝π＋４ｔａｎ^-1（１−２ｎ^-2）（１）Ｔ＝ｓｉｎ² （Φ／２）・（１−ｃｏｓ² （２θ））（２）

【０００５】式（２）より、θを任意に選ぶことで外部
に取り出すレーザ出力の割合を可変できる。θ＝０では
外部に出力が取り出せないためθ＞０で用いる必要があ
る。一方、偏光分離素子５を通過した後、ポッケルスセ
ル４を通過し、第２のルーフプリズム２で折り返され、
再びポッケルスセル４を通過し偏光分離素子５に至る光
路においては、ポッケルスセル４の電気光学効果、およ
び第２のルーフプリズム２の２度の全反射により偏光状
態が偏光分離素子５を透過する直線偏光から変化し、こ
の直線偏光に垂直な成分を持つ。この成分は偏光分離素
子５からレーザ出力の光軸とは異なる方向に出射されて
しまい出力には関与しないレーザ共振器内の損失として
扱える。この損失を０とするために第２のルーフプリズ
ム２の２度の全反射による移相量と、ポッケルスセル４
を２度通過する移相量を逆相で加えるようにポッケルス
セル４に印加する電圧Ｖｍｉｎを定める必要がある。

【０００６】Ｑスイッチ動作は、以下のように行う。レ
ーザ媒質３の光励起を行っている間、レーザ媒質３から
放出される自然放出光が共振器内で共振できないよう
に、第２のルーフプリズム２の２度の全反射による移相
量と、ポッケルスセル４を２度通過する移相量の和によ
り偏光分離素子５での損失が最大となるようにポッケル
スセル４に電圧Ｖｍａｘを与える。光励起によりレーザ
媒質３にエネルギーが十分蓄えられた所で、ポッケルス
セル４に印加する電圧を電圧制御器６によりＶｍｉｎに
スイッチすると急激にレーザ共振が起こり誘導放出によ
りレーザ媒質３に蓄えられたエネルギーがジャイアント
パルス光として出力される。この時の取り出しの効率は
誘導放出の勢いと、共振器内の諸々の光学部品の透過損
失と式２で決まる透過率Ｔに依存する。Ｔが大きい場
合、共振器内のレーザ光強度は小さくなるため誘導放出
によりレーザ媒質３から取り出せるエネルギーの割合が
減じ、またＴが小さいと、共振器内にあるレーザ光エネ
ルギーのうち、外に取り出す光エネルギーが小さくな
る。すなわちＴの値はレーザ媒質３に蓄えられるエネル
ギーごとに出力最大とする最適値が存在する。このため
効率のよいＱスイッチレーザを構成するためにＴの設定
が重要である。これは式（２）より第１のルーフプリズ
ム１の稜線方向と偏光分離素子５できまる偏光方向のな
す角度をθの設定に依存する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】通常レーザ媒質に蓄え
られるエネルギーは励起ランプ、ランプ駆動回路、励起
反射筒などにより影響を受け、レーザ共振器内の損失は
個別光学部品のコーティングの優劣、光学部品やプリズ
ムの設定精度に依存する回折損失により影響を受ける。
これらの値のばらつきのため偏光分離素子の透過率Ｔは
個別に調整する必要がある。従来のＱスイッチレーザは
以上のように構成されていたので、共振器内レーザ光を
外部に取り出す透過率をルーフプリズムの稜線方向と偏
光分離素子できまる偏光方向のなす角度で設定する必要
があった。この設定は一対のルーフプリズムの稜線方向
を相互に垂直に保ったまま回転させる、または偏光分離
素子の結晶軸をレーザ共振器の光軸に対して回転させる
方法により達成できるが、回転中心軸をレーザ共振器の
光軸に一致させる高精度の調整機構が必要であり、出力
光方向が変化してしまうという問題点があった。さらに
設定されたルーフプリズムの稜線方向と偏光分離素子で
きまる偏光方向のなす角度に応じてポッケルスセルに印
加する電圧Ｖｍａｘ、Ｖｍｉｎを設定する必要があっ
た。特にＶｍｉｎの設定は共振器内の損失につながるた
め、厳しい電圧調整を必要とすることや、ポッケルスセ
ルや電圧制御回路の経時変化によりＶｍｉｎが変化した
場合にＱスイッチレーザの効率が著しく落ちるという問
題点があった。

【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、共振器内の光学部品の設定を固
定したまま、ポッケルスセルへ印加する電圧の調整によ
り容易に高効率なＱスイッチレーザを得るために成され
たものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係るＱスイッ
チレーザは、稜線の直交する一対のルーフプリズムの内
どちらか一方の稜線方向と、偏光分離素子で決まる共振
器内の偏光方向を平行にするように、ルーフプリズムを
設置するとともに、ポッケルスセルの対向する電極の一
方にＱスイッチング電圧を印加するとともに対向する電
極の他方に一定電圧を印加することにより出力光量を制
御するものである。

【００１０】

【作用】この発明におけるＱスイッチレーザは、レーザ
共振器内から偏光分離素子を介して外部に取り出される
レーザ光の透過率が、ポッケルスセルに印加する一定電
圧のみで制御可能であり、透過率をレーザ発振を抑止す
る値から、最適な出力が得られる値にスイッチングする
ことで高効率化が可能である。また最適な透過率を与え
るポッケルスセルへの電圧が製造時に出力最大となる値
から多少ずれて設定されたり、経時変化でずれてしまっ
てもレーザ共振器内の損失は増加しないため効率の低下
は小さく抑えられる。

【００１１】

【実施例】実施例１．以下この発明の一実施例を図につ
いて説明する。図１において５は偏光分離素子、１は偏
光分離素子５の分離偏光方向と稜線の方向を平行にした
第１のルーフプリズム、２は第１のルーフプリズム１と
稜線方向を直交した第２のルーフプリズム、３はレーザ
媒質、４はポッケルスセル、７は電圧スイッチング回
路、８は出力量調整電圧発生回路である。

【００１２】図１に示した偏光分離素子５は多層のブリ
ュースタ面を有する薄膜の偏光子であり入射面に水平方
向の偏光を透過し垂直方向の偏光を反射する。この偏光
分離素子５で反射された直線偏光を有する光は、この偏
光方向と平行な稜線方向を有する第２のルーフプリズム
２により折り返される。このとき第２のルーフプリズム
２の反射面と入射光の偏光方向は垂直であるため入射偏
光状態は保存され、再び偏光分離素子５に折り返された
光は損失なく反射される。一方、第１のルーフプリズム
１で折り返され、偏光分離素子５に至る光路では、ポッ
ケルスセル４に電圧が印加された場合、ポッケルスセル
４での偏光回転と第１のルーフプリズム１の２回の全反
射による偏光回転により、偏光分離素子５透過偏光成分
が発生しレーザ出力となる。一般にレーザ媒質として良
く用いられるホスト材料であるＹＡＧ、ガラスなどは等
方性であるため低い光励起状態では偏光状態に変化を与
えない。ポッケルスセル４には、電気光学定数が大きく
低い電圧でも移相量の大きいＬｉＮｂＯ₃ 横型ポッケル
スセルが良く用いられる。ＬｉＮｂＯ₃ 横型ポッケルス
セルは電圧を印加することで偏光分離素子５の偏光面を
共振器光軸に対し±４５度回転した２つの面を偏光面と
する偏光成分に対し印加電圧に相当した位相差δを与え
る。この位相差δと、式（１）に示した第１のルーフプ
リズム１の反射面に対し平行、垂直方向の全反射による
位相飛びの差をΦを用いることにより、偏光分離素子５
に至った光の内偏光分離素子５を通過してレーザ光とし
て出力される光の透過率Ｔは式（３）で表せる。Ｔ＝ｃｏｓ² （Φ／２）・（１−ｃｏｓ² （δ））（３）ここで、ポッケルスセル４の結晶長を１５ｍｍ、ｂ軸方
向の厚みを５ｍｍ、またレーザ光波長を１．０６μｍと
すると、式（３）により印加電圧Ｖに対する透過率Ｔは
図２のようになる。

【００１３】Ｑスイッチ動作は、レーザ媒質３を光励起
している状態で、電圧スイッチング回路７と出力量調整
電圧発生回路８によりポッケルスセル４に印加する電圧
の和で決まる透過率Ｔをレーザ媒質３の透過利得より高
く設定しておきレーザ発振を抑止しレーザ媒質３に十分
にエネルギーを蓄積した後、電圧スイッチング回路７の
発生電圧を０にスイッチングし透過率Ｔをレーザ媒質３
の透過利得より小さくする。これによりレーザ発振が急
速に立上がり誘導放出によりレーザ媒質３に蓄積された
エネルギーはジャイアントパルス光として取り出され
る。この時、出力量調整電圧発生回路８で発生する電圧
を外部に放出されるレーザ出力エネルギーを最大とする
ように最適電圧Ｖｏｐｔに設定しておけば高効率のＱス
イッチ動作が得られる。Ｖｏｐｔで決まる最適透過率Ｔ
ｏｐｔは、レーザ媒質３に蓄積されたエネルギーを効率
良く光エネルギーに変換するために共振器内部光強度を
高くとる条件と、共振器内部光エネルギーの内、共振器
内損失で失われるエネルギーを少なくし出力エネルギー
の割合を高くとるための条件という２つの相反する条件
により定まる。通常レーザ共振器内の一往復での損失
は、光学部品の無反射コーティング、回折損失などによ
り１０％程度である。この損失における最適の透過率Ｔ
ｏｐｔはレーザ媒質３に蓄積されるエネルギーに依存し
例えば６ｍｍφ×７５ｍｍのＮｄ：ＹＡＧで１０Ｊのラ
ンプ励起光エネルギーで３５％程度である。これは図２
よりＶｏｐｔとして６７０Ｖ程度に相当する。また図２
より第１のルーフプリズム１の材料を屈折率１．８程度
のガラスを用い、ポッケルスセル４に印加する電圧Ｖｍ
ａｘを１．４ＫＶ程度とすると透過率Ｔを８０％とでき
るので、透過率３５％と透過率８０％にそれぞれ共振器
損失を１０％を乗じて比をとると透過率Ｔｏｐｔのしき
い値励起光エネルギーの３．２倍程度までの入力エネル
ギーに対して発振を抑止できることになる。上記レーザ
媒質を用いた場合のしきい値励起光入力は通常５Ｊ程度
であるのでランプ励起光エネルギー１６Ｊ程度までの発
振抑止は十分可能である。Ｔｏｐｔの値は多少最適値か
らずれていた場合においてもこの共振器構成の場合には
従来例のように共振器内の損失の増加とはならず出力と
して外部に放出されるため効率の低下はほとんどない。

【００１４】ポッケルスセル４にＶｓｗとＶｏｐｔを同
時に印加することは、図３に示すように電圧スイッチン
グ回路７によりポッケルスセル４の対抗する電極の一方
にＶｓｗを与え、他方に出力量調整電圧発生回路により
Ｖｓｗと極性の反転した−Ｖｏｐｔを与えることと等価
である。Ｖｓｗは、発振抑止時に（Ｖｍａｘ−Ｖｏｐ
ｔ）、発振時に０とスイッチングを行う。上記のＮｄ：
ＹＡＧレーザの例の場合、Ｖｓｗを７３０Ｖから０Ｖへ
高圧スイッチングトランジスタやアバランシュダイオー
ドなどによりスイッチングを行うことでＱスイッチ動作
が可能である。また、共振器内損失やレーザ媒質３への
蓄積エネルギーのばらつきなどによる最適透過率Ｔｏｐ
ｔは個体ばらつきを有するが、出力量調整電圧発生回路
８により−Ｖｏｐｔを調整することで簡単に補正可能で
ある。

【００１５】なお、上記実施例では、偏光分離素子５に
より反射される偏光成分が第２のルーフプリズム２で折
り返され共振モードとなる構成をとったが、図４に示す
ように透過される偏光成分が第２のルーフプリズム２で
折り返され共振モードとなる構成でも良い。

【００１６】また、上記実施例では偏光分離素子５を第
２のルーフプリズムとポッケルスセル４の間に設置した
が、図５のようにレーザ媒質３とポッケルスセル４の間
に設置しても良い。

【００１７】実施例２．二実施例は、一実施例で固定さ
れていた出力量調整電圧発生回路８の電圧を自動的にレ
ーザ発振時に微調整することによりさらなる高効率化を
図るための発明である。

【００１８】図６はこの発明の第２の実施例によるＱス
イッチレーザの構成図である。図において、９は第１の
ルーフプリズム１もしくは第２のルーフプリズム２の近
くに設置されルーフプリズムからの若干のもれ光を受光
して共振器内光強度を検知する高速に応答する共振器内
光量検知素子、１０は共振器内光量検知素子９の出力と
基準電圧の差により電圧を発生し出力量調整電圧発生回
路８から発生する電圧に微調用電圧を付加する微調電圧
発生器である。

【００１９】電圧スイッチング回路７が動作すると同時
に共振器内で急激な誘導放出により１０ｎｓ〜１００ｎ
ｓ程度のジャイアントパルスが立ち上がる。このときレ
ーザ媒質内に反転分布として蓄積されているエネルギー
はジャイアントパルスの立上がりに呼応して減じてい
く。このため過渡的な最適透過率Ｔはジャイアントパル
スの立上がりに応じて高く、立下がりに応じて低く設定
することでより効率的に蓄積エネルギーをレーザ出力と
して外部に取り出せることになる。共振器内の光量をル
ーフプリズムからの０．１％程度のもれ光を、例えばＮ
ｄ：ＹＡＧの場合Ｓｉ−ＰＤ、もしくはＡＰＤなどの高
速応答可能な共振器内光量検知素子９で検出し、高速応
答可能な高耐圧のトランジスタによる差分回路で構成さ
れる微調電圧発生器１０により基準電圧との差電圧Ｖｃ
を発生させこれを出力量調整電圧発生回路８から発生す
る電圧に付加する。これにより共振器内光パワーが大き
い場合ポッケルスセルに印加される電圧は最小となり透
過率Ｔは高くなる。また、共振器内光パワーが小さい場
合付加される電圧は最大となり透過率Ｔは低くなる。Ｓ
ｉの高速トランジスタでの制御電圧は最大数１０Ｖ程度
であり透過率Ｔの変化として５％〜６％の変化が可能で
ある。

【００２０】このように二実施例では一実施例で示した
Ｑスイッチレーザよりもさらに高効率なＱスイッチレー
ザを構成できる効果がある。しかしこの効果は第１の実
施例の構成により出力光の割合をポッケルスセル４に印
加する電圧により調整可能だという優れた特長を生かし
たものであり、従来例においてはポッケルスセルに印加
する電圧を共振器内レーザ光強度により可変しても共振
器損失を増大させるだけで効率は逆に劣化してしまう。

【００２１】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば共振器
を構成する稜線方向の直交する一対のルーフプリズムの
一方の稜線方向を偏光分離素子の偏光面に平行に設定し
て構成したので、共振器に機構的な変形を加えることな
しに、共振器からレーザ光を取り出す割合をポッケルス
セルに印加するバイアス電圧により最適化でき、製造時
の調整の繁雑さを軽減できる。またバイアス電圧の設定
により共振器内の損失が増加することもないため、ポッ
ケルスセルに印加する電圧の調整も厳しくなく、ポッケ
ルスセルや電圧制御回路の経時変化にたいしても効率の
劣化が小さいＱスイッチレーザを実現できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例によるＱスイッチレーザを
示す概略図である。

【図２】偏光分離素子からの出力される光の割合のポッ
ケルスセル印加電圧依存性である。

【図３】この発明の一実施例による電圧制御器および電
圧印加方法の説明図である。

【図４】一実施例の変形例によるＱスイッチレーザを示
す概略図である。

【図５】一実施例の変形例によるＱスイッチレーザを示
す概略図である。

【図６】この発明の二実施例によるＱスイッチレーザを
示す概略図である。

【図７】従来のＱスイッチレーザを示す概略図である。

【符号の説明】

１第１のルーフプリズム２第２のルーフプリズム７電圧スイッチング回路８出力量調整電圧発生回路９共振器内光量検知素子１０出力量調整電圧発生回路

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年６月１１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００２】

【従来の技術】図８は、Ｍ．Ｋ．Ｃｈｕｎｅｔａ
ｌ．，Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ．，１５，１９４２（１９７
６）に示された従来のＱスイッチレーザの構成図であ
る。図において１は第１のルーフプリズム、２は第２の
ルーフプリズム、３はレーザ媒質、４はポッケルスセ
ル、５は偏光分離素子、６は電圧制御回路である。レー
ザ共振器は稜線を直交した第１のルーフプリズム１と第
２のルーフプリズム２により構成され、共振器内の光軸
上にレーザ媒質３、偏光分離素子５、ポッケルスセル４
が配置されている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】また、上記実施例では偏光分離素子５を第
２のルーフプリズムとポッケルスセル４の間に設置した
が、図５のようにレーザ媒質３とポッケルスセル４の間
に設置しても良い。なお、上記実施例では、第１のルー
フプリズム１、第２のルーフプリズム２として稜線を成
す直交した２つの面での２回の全反射を行うものを用い
たが、図６に示すように稜線に直交する面に対し４５度
を成すとともに稜線を含む稜線を形成する２つの面にそ
れぞれ４５度を成す面に対し１３５度を成す全反射面を
有し、入射したレーザ光が出射するまでに稜線を形成す
る２つの面で各１回、全反射面で２回の計４回の全反射
を行うようにしたものを用いても良い。この形式のルー
フプリズム場合、稜線を形成する２つの面での２回の全
反射で生じたレーザ光の偏光の回転は全反射面での２回
の全反射により打ち消されるためルーフプリズムからの
出射光の偏光状態は入射レーザ光の偏光状態を保持して
いる。このため偏光分離素子５から出力される光の透過
率Ｔは式（４）で表される。Ｔ＝１−ｃｏｓ² （δ）（４）これより最適透過率Ｔｏｐｔを与えるポッケルスセル４
への印加電圧Ｖｏｐｔ、及びＱスイッチングにようする
スイッチング電圧Ｖｓｗを上記実施例に比べさらに低く
設定できるＱスイッチレーザを構成できる。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】図７はこの発明の第２の実施例によるＱス
イッチレーザの構成図である。図において、９は第１の
ルーフプリズム１もしくは第２のルーフプリズム２の近
くに設置されルーフプリズムからの若干のもれ光を受光
して共振器内光強度を検知する高速に応答する共振器内
光量検知素子、１０は共振器内光量検知素子９の出力と
基準電圧の差により電圧を発生し出力量調整電圧発生回
路８から発生する電圧に微調用電圧を付加する微調電圧
発生器である。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】一実施例の変形例によるＱスイッチレーザを示
す概略図である。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】この発明の二実施例によるＱスイッチレーザを
示す概略図である。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図８

【補正方法】追加

【補正内容】

【図８】従来のＱスイッチレーザを示す概略図である。

【手続補正７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正８】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

【手続補正９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図８

【補正方法】追加

【補正内容】

【図８】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の稜線方向の直交するルーフプリズ
ムで構成されるレーザ共振器と、上記レーザ共振器の光軸上に設置されたレーザ媒質と、上記レーザ共振器の光軸上に設置されたポッケルスセル
と、上記レーザ共振器の光軸上に設置された偏光分離素子と
により構成されるＱスイッチレーザにおいて、上記ポッケルスセルの対向する電極の一方に一定電圧を
印加する手段と、上記ポッケルスセルの対向する電極の他方にスイッチン
グ電圧を印加する手段とを有し、上記一対のルーフプリズムをその一方の稜線の方向を上
記偏光分離素子の直交する２つの分離偏光方向の一方と
を略平行にして設置することを特徴とするＱスイッチレ
ーザ。
【請求項２】一対の稜線方向の直交するルーフプリズ
ムで構成されるレーザ共振器と、上記レーザ共振器の光軸上に設置されたレーザ媒質と、上記レーザ共振器の光軸上に設置されたポッケルスセル
と、上記レーザ共振器の光軸上に設置された偏光分離素子
と、上記ポッケルスセルの対向する電極の一方に一定電圧を
印加する手段と、上記ポッケルスセルの対向する電極の他方にスイッチン
グ電圧を印加する手段と上記一対のルーフプリズムをそ
の一方の稜線の方向を上記偏光分離素子の直交する２つ
の分離偏光方向の一方とを略平行にして設置して構成さ
れるＱスイッチレーザにおいて、上記レーザ共振器内の光量を検知する手段と、上記レーザ共振器内の光量に応じてポッケルスセルに電
圧を印加する手段とを有することを特長とするＱスイッ
チレーザ。