JPH1093166A - 半導体レーザー励起固体レーザー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体レーザー結晶を半導体レーザーによって
ポンピングし、得られたレーザービームの一部を部分反
射ミラーで分岐させ、その分岐されたレーザービームの
光量を検出してＡＰＣをかけ、出力を安定化させる半導
体レーザー励起固体レーザーにおいて、経時変化や湿度
変化によって出力が変動することを防止する。 【解決手段】 レーザービーム（第２高調波）19を分岐
させてＡＰＣ用光検出器25に導く部分反射ミラー44とし
て、少なくとも１つの反射面が無コート面であるものを
用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー励
起固体レーザーに関し、特に詳細には、出力安定化制御
の精度向上を図った半導体レーザー励起固体レーザーに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号に示されるよ
うに、ネオジウム（Ｎｄ）が添加されたレーザー結晶を
半導体レーザーから発せられた光によって励起する固体
レーザーが公知となっている。

【０００３】この半導体レーザー励起固体レーザーにお
いては、より短波長のレーザービームを得るために、そ
の共振器内に非線形光学材料からなる光波長変換素子を
配置して、固体レーザービームを第２高調波等に波長変
換することも広く行なわれている。

【０００４】一方、上述の半導体レーザー励起固体レー
ザーに対しては、多くの場合、波長変換波の出力を一定
に保ちたいという要求がある。そこで従来より、例えば
特開平7-154014号に示されるように、レーザービームの
一部を透過させ残余を反射させる部分反射ミラー等の光
分岐手段と、分岐されたレーザービームの光量を検出す
る光検出器と、この光検出器の出力を受けて該出力を一
定化するように半導体レーザーの駆動電流を制御するＡ
ＰＣ（Automatic Power Control ）回路とを設けて、出
力を安定化するようにした半導体レーザー励起固体レー
ザーが提案されている。

【０００５】なお、固体レーザービームが前述のように
波長変換される場合は、上記光分岐手段に波長変換後の
レーザービームが入射するように構成され、この波長変
換後のレーザービームの出力が安定化される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の半
導体レーザー励起固体レーザーにおいては、出力安定化
制御をかけていても、経時変化や湿度変化があると、出
力が変動しやすいという問題が認められている。

【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、経時変化や湿度変化があっても、出力を精度良
く安定化することができる半導体レーザー励起固体レー
ザーを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザー励起固体レーザーは、半導体レーザーから発せられ
た励起光によりレーザー結晶を励起する基本構成に加え
て、前述した光分岐手段としての部分反射ミラーと、レ
ーザービームの光量を検出する光検出器と、ＡＰＣ回路
とを設けてレーザービームの出力を安定化する半導体レ
ーザー励起固体レーザーにおいて、部分反射ミラーとし
て、少なくとも１つの反射面が無コート面であるものが
用いられたことを特徴とするものである。

【０００９】なお具体的に、部分反射ミラーとして、反
射面となる表裏面の一方が無コート面で、他方に反射防
止コートが施されたものを用いる場合、この部分反射ミ
ラーは、無コート面で反射したレーザービームのみをＡ
ＰＣ用光検出器に導くように配置されるのが望ましい。

【００１０】一方、部分反射ミラーとして、反射面とな
る表裏面の双方が無コート面とされたものを用いる場
合、この部分反射ミラーは、上記表裏面で反射した各レ
ーザービームを共にＡＰＣ用光検出器に導くように配置
されるのが望ましい。

【００１１】また上記部分反射ミラーは、表裏面でそれ
ぞれ反射したレーザービームの光路を、ビーム径（１／
ｅ² 径）の1.5 倍以上互いにずらすように配置されるの
が望ましい。

【００１２】一方本発明において、部分反射ミラーに入
射するレーザービームは、光波長変換素子により波長変
換されたものであってもよい。

【００１３】

【発明の効果】本発明者の研究によると、先に述べた従
来装置における問題は、部分反射ミラーに施されている
反射率調整のためのコートに起因していることが分かっ
た。すなわち、この種のコートは経時変化や湿度変化に
よって反射率が変化し、この反射率変化があると、たと
え出力は一定であっても、部分反射ミラーを介してＡＰ
Ｃ用光検出器に入射するレーザービームの光量が変動す
ることになる。すると、それに応じて半導体レーザーの
駆動電流が増減されて、半導体レーザー励起固体レーザ
ーの出力が変動してしまうのである。

【００１４】それに対して本発明の半導体レーザー励起
固体レーザーにおいては、少なくとも１つの反射面が無
コート面である部分反射ミラーが用いられているので、
上記経時変化や湿度変化による部分反射ミラーの反射率
変化が全く無くなり、あるいは少なくなるので、半導体
レーザー励起固体レーザーの出力を、経時変化や湿度変
化に拘らず精度良く安定化させることができる。

【００１５】なお、部分反射ミラーとして、反射面とな
る表裏面の一方が無コート面で、他方に反射防止コート
が施されたものを用いる場合は、前述したように無コー
ト面で反射したレーザービームのみをＡＰＣ用光検出器
に導くように部分反射ミラーを配置しておけば、反射防
止コートの反射率が経時変化や湿度変化によって変化し
ても、ＡＰＣ用光検出器の検出光量はこの反射率変化の
影響を受けなくて済む。

【００１６】一方、部分反射ミラーとして、反射面とな
る表裏面の双方が無コート面であるものを用いる場合
は、上記表裏面で反射した各レーザービームを共にＡＰ
Ｃ用光検出器に導くように部分反射ミラーを配置してお
けば、表裏面の一方で反射したレーザービームのみを検
出する場合と比べて、光検出器の受光量を多く確保する
ことができる。

【００１７】また、表裏面の双方が無コート面である部
分反射ミラーを用いる場合は、コート無しの大サイズの
平板をただ小さく切るだけで形成され得る安価な部分反
射ミラーを利用できるから、装置コストが低く抑えられ
るようになる。

【００１８】一方、表裏面で反射した各レーザービーム
の光路を、ビーム径（１／ｅ² 径）の1.5 倍以上互いに
ずらすように部分反射ミラーを形成しておけば、それら
のレーザービームが近付き過ぎて干渉し、それにより光
検出器の受光量が変化してしまうことを防止できる。

【００１９】また部分反射ミラーを、分岐させるレーザ
ービームがｐ偏光で入射するように配置しておけば、ｓ
偏光で入射する場合と比べて反射率が低くなる。そこ
で、レーザービームを少ない損失で取り出すことが可能
となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施形態である半導体レーザー励起固体レーザーの側面形
状を示すものである。

【００２１】この半導体レーザー励起固体レーザーは、
励起光としてのレーザービーム10を発する半導体レーザ
ー11と、発散光であるレーザービーム10を集光する集光
レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープされた固体レ
ーザー媒質であるＹＡＧ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶）13
と、このＮｄ：ＹＡＧ結晶13の前方側つまり半導体レー
ザー11と反対側に配された共振器ミラー14とを有してい
る。

【００２２】またＮｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラー14
との間には、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13側から順に、周期ドメ
イン反転構造を有する非線形光学材料であるＭｇＯ：Ｌ
ｉＮｂＯ₃ 結晶（以下、反転ドメインＬＮ結晶と称す
る）15、光軸に対して35′傾けたカルサイト結晶17が配
設されている。

【００２３】半導体レーザー11は、活性層幅が約50μｍ
のブロードエリアレーザーであり、中心波長809 ｎｍの
レーザービーム10を発するものが用いられている。また
レーザービーム10の直線偏光方向は図中のβ方向に設定
されている。

【００２４】集光レンズ12は、一例として屈折率分布形
レンズ（商品名：セルフォックレンズ）からなり、球面
加工が施された片面側をＮｄ：ＹＡＧ結晶13に向けて保
持部材20に固定されている。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は厚さ
１ｍｍに形成されたものであり、集光レンズ12は該結晶
13の入射端面から厚さ方向0.5 ｍｍの位置に、拡大率0.
8 〜1.0 倍でレーザービーム10を収束させるように位置
調整されている。

【００２５】この集光レンズ12と半導体レーザー11は、
図中のα、β方向の所定位置に集光点が位置するように
相対位置が調整された後、保持部材20に固定される。な
お、半導体レーザー11および集光レンズ12が取り付けら
れた保持部材20の部分を以下、励起部と称する。

【００２６】Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は、入射したレーザー
ビーム10によってネオジウムイオンが励起されることに
より、波長 946ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13
の入射端面13ａには、波長 946ｎｍの光は良好に反射さ
せる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励起用
レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％以
上）コートが施されている。一方共振器ミラー14のミラ
ー面14ａには、波長 ９４６ｎｍの光は良好に反射させ
（反射率９９．９％以上）、下記の波長473 ｎｍの光は
透過させる（透過率90％以上）コートが施されている。

【００２７】したがって、上記波長 946ｎｍの光はそれ
に対する高反射面となっているＮｄ：ＹＡＧ結晶端面13
ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発振
を引き起こし、波長 946ｎｍのレーザービーム18が発生
する。基本波としてのこのレーザービーム18は反転ドメ
インＬＮ結晶15により、波長が１／２すなわち473 ｎｍ
の第２高調波19に変換され、共振器ミラー14からは主に
この第２高調波19が出射する。

【００２８】なお本例において、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の
厚さは１ｍｍである。また反転ドメインＬＮ結晶15の長
さは２ｍｍ、共振器ミラー14の曲率半径は15ｍｍ、共振
器を構成するＮｄ：ＹＡＧ結晶端面13ａとミラー面14ａ
との間の距離は約10ｍｍである。一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶
端面13ａには、波長473 ｎｍの第２高調波19を良好に反
射させる（反射率95％以上）コートも施されており、そ
れにより、反転ドメインＬＮ結晶15で発生してＮｄ：Ｙ
ＡＧ結晶13側に進行した第２高調波19を共振器ミラー14
側に反射させて、高い第２高調波出力が得られるように
なっている。

【００２９】また反転ドメインＬＮ結晶15の結晶軸は、
図２に示すように、ｃ軸がβ方向となるように配されて
いる。そして反転ドメインＬＮ結晶15のドメイン反転部
15ａの周期は約4.7 μｍであり、半導体レーザー11が発
するレーザービーム10の中心波長が809 ｎｍとなる温度
で位相整合するように構成されている。

【００３０】カルサイト結晶17は厚さ約340 μｍの平行
平板で、ｃ軸からａ軸方向に46.7°の方向にカットされ
ている。そこで、平行平面を形成する光入出射面にはａ
軸と、ｃとａを含む軸が出ている。このカルサイト結晶
17の複屈折性のため、該結晶17中では波長 946ｎｍのレ
ーザービーム18の偏光によって光路が異なるので、共振
器ミラー14の位置調整によって所望の偏光のみを発振さ
せることができる。

【００３１】そしてカルサイト結晶17の光入出射面に
は、波長 946ｎｍの光に対して反射率14.5％となるコー
トが施され、該結晶17は発振モードを単一縦モード化す
るエタロンとして作用する。本例では、カルサイト結晶
17のａ軸をほぼβ方向に揃え、このβ方向に偏光した波
長 946ｎｍの光を発振させている。

【００３２】一方、上述した通り反転ドメインＬＮ結晶
15はｃ軸がβ方向となるように配されているので、非線
形光学定数ｄ₃₃を用いて、β方向に偏光した波長473 ｎ
ｍの第２高調波19が発生する。

【００３３】以上説明したＮｄ：ＹＡＧ結晶13、共振器
ミラー14、反転ドメインＬＮ結晶15およびカルサイト結
晶17は、保持部材21に取り付けられている。なお以下で
は、この保持部材21の部分を共振器部と称する。

【００３４】この共振器部から出射した第２高調波19
は、保持部材22に取り付けられた部品からなるＡＰＣ部
に入射する。保持部材22は図３に、図１中の上方から見
た平断面形状を示すように、互いに直交する端面22ａお
よび22ｂと、これらの端面22ａ、22ｂに対して45°の角
度をなす端面22ｃとを有し、その内部には直角に折れて
３つの端面22ａ、22ｂおよび22ｃに開口する光通過孔22
ｄが穿設されている。

【００３５】共振器部の方を向く上記端面22ａには、励
起用レーザービーム10および固体レーザービーム18を吸
収する一方、第２高調波19は通過させるフィルター23が
取り付けられている。また斜めの端面22ｃには、第２高
調波19の一部を通過させ、残余を端面22ｂ側に反射させ
る部分反射ミラー24が取り付けられている。そして端面
22ｂには、上記の反射した第２高調波19を検出するＡＰ
Ｃ用光検出器25が取り付けられている。

【００３６】上記フィルター23としては、光量の大きな
励起用レーザービーム10に対する透過率が0.01〜 0.001
％のものが用いられている。またその光入出射面には、
波長473 ｎｍの光に対する反射率が0.5 ％以下となるＡ
Ｒコートが施されている。

【００３７】ＡＰＣ用光検出器25としては、Ｓｉフォト
ダイオードやＳｉＰＩＮフォトダイオード等、可視光に
感度を有するものを適宜選択使用することができるが、
励起用レーザービーム10や固体レーザービーム18に対し
て相対的に感度が低いものを用いるのが望ましい。光検
出器25の光検出信号Ｓは、先に述べたＡＰＣつまり第２
高調波19の出力を安定化させる制御に用いられるが、そ
の点については後述する。

【００３８】一方、光分岐手段としての部分反射ミラー
24は、光入出射面がほぼ平行な合成石英の平板からな
り、上記端面22ｃに固定されたことにより、光軸（γ
軸）に対して45°傾いた状態となっている。この部分反
射ミラー24の表面（Ａ面）24ａは無コート面とされ、裏
面（Ｂ面）24ｂには、第２高調波19に対して反射率が0.
5％以下となるＡＲコートが施されている。

【００３９】部分反射ミラー24を透過した第２高調波19
は、図１に示される通り、開口板33の開口33ａを通過し
た後、パッケージキャップ34の出射窓34ａからパッケー
ジ外に出射する。なお上記開口33ａの径は、第２高調波
19のビーム径（１／ｅ² 径）の例えば1.5 〜2.5 倍程度
とされ、ここに第２高調波19を通すことにより、前記共
振器部やＡＰＣ部で発生した迷光がカットされる。

【００４０】またパッケージキャップ34の出射窓34ａに
取り付けられた窓ガラス35は、表裏の多重反射による干
渉で第２高調波出力が低下するのを防ぐため、表裏面の
平行度を５〜30′程度としてある。そしてこれら表裏面
には、第２高調波19に対する反射率が0.5 ％以下となる
コートが施されている。

【００４１】以上説明した励起部、共振器部およびＡＰ
Ｃ部を保持した各保持部材20、21および22は、板状のベ
ースプレート30上に接着され、該ベースプレート30およ
びペルチェ素子31を介してパッケージベース32に接着固
定されている。

【００４２】そして、共振器部に取り付けられたサーミ
スタ36により共振器内の温度が検出され、図示しない温
度制御回路によりこの検出温度が所定の温度となるよう
にペルチェ素子31の電流が調節されて、共振器内の温度
が所定温度に維持される。

【００４３】ここで、ベースプレート30上の各要素の温
度は均一であるのが望ましく、そこで保持部材20、21、
22およびベースプレート30はアルミニウム、銅またはこ
れらの合金のように熱伝導率の高い材料から形成される
のが望ましい。また、各部の接着固定も熱伝導率性接着
剤、半田等熱伝導率の高いものによってなされるのが望
ましいが、エポキシ接着剤等の一般的な接着剤でも、接
着層を10μｍ以下程度に薄くすれば、熱抵抗が小さくな
るので使用可能である。

【００４４】また本実施形態においては、全ての部品の
取り付けが終了した後、電気部品の配線を済ませたパッ
ケージベース32とパッケージキャップ34とが、乾燥窒素
雰囲気中でシーム溶接される。

【００４５】次に、前述したＡＰＣについて詳しく説明
する。図３に示されるように光検出器25の光検出信号Ｓ
は、ＡＰＣ回路26に入力される。ＡＰＣ回路26は例えば
この光検出信号Ｓと所定の基準信号とを比較し、前者が
後者を上回るときは半導体レーザ11の駆動電流Ｉを低下
させ、その反対のときは駆動電流Ｉを増大させる。それ
により、第２高調波19の出力が所定の一定値に保たれ
る。

【００４６】ここで、β方向に偏光した第２高調波19
は、部分反射ミラー24の表面24ａにｓ偏光として入射す
るため、反射率の公式より、その反射率は約8.5 ％とな
る。この反射率は、空気および合成石英の屈折率と入射
角のみから定まるものであって、従来装置で用いられて
いるコート付きの部分反射ミラーのように、経時変化や
湿度変化によって反射率が変化することがない。そこ
で、この反射率の変化のためにＡＰＣ用光検出器25の検
出光量が変化することがなく、その結果、長期に亘り安
定な第２高調波出力を得ることができる。

【００４７】なお、部分反射ミラー24の裏面24ｂの反射
率は0.5 ％以下で、そこからの反射光光量は元々非常に
少ない。そこで、この反射光が光検出器25に検出される
としても、反射率変化による検出光量の変化は現実上無
視できる。しかし本例では図３に示される通り、上記ミ
ラー裏面24ｂからの反射光が光検出器25の光電面に入射
しないように部分反射ミラー24の厚さを設定して、経時
変化や湿度変化によって光検出器25の検出光量が変化す
ることをより確実に防止している。

【００４８】次に、図４を参照して本発明の第２の実施
形態について説明する。なおこの図４において、図１中
の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについて
の重複した説明は省略する。

【００４９】この図４の半導体レーザー励起固体レーザ
ーは、図１のものと比較すると、基本構成上、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ結晶13に代えてネオジウム（Ｎｄ）がドープされた
固体レーザー媒質であるＹＶＯ₄ 結晶（Ｎｄ：ＹＶＯ₄
結晶）43が、反転ドメインＬＮ結晶15に代えてＫＴＰ結
晶45が、そしてカルサイト結晶17に代えてブリュースタ
板47が用いられている点が異なる。また、ＡＰＣ部を構
成する保持部材42における部分反射ミラー44の配置の向
きも、図１のものとは異なっている。

【００５０】ここで半導体レーザー11は、活性層幅が約
100 μｍのブロードエリアレーザーであり、中心波長80
9 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられてい
る。またレーザービーム10の直線偏光方向は図中のα、
β方向に対して45°の角度をなす方向に設定されてい
る。なおこの偏光方向等については、分かりやすくまと
めて図５に示してある。

【００５１】Ｎｄ：ＹＶＯ₄ 結晶43は厚さ１ｍｍに形成
されており、集光レンズ12は該結晶43の入射端面から厚
さ方向約0.4 ｍｍの位置に、拡大率0.8 〜1.0 倍でレー
ザービーム10を収束させるように位置調整されている。

【００５２】Ｎｄ：ＹＶＯ₄ 結晶43は、入射したレーザ
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1064ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＶＯ₄ 結
晶43の入射端面43ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反
射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励
起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％
以上）コートが施されている。共振器ミラー14のミラー
面14ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反射させ（反射
率99.9％以上）、下記の波長532 ｎｍの光は透過させる
（透過率90％以上）コートが施されている。

【００５３】したがって、上記波長1064ｎｍの光はそれ
に対する高反射面となっているＮｄ：ＹＶＯ₄ 結晶端面
43ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発
振を引き起こし、波長1064ｎｍのレーザービーム18が発
生する。基本波としてのこのレーザービーム18はＫＴＰ
結晶45により、波長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高
調波19に変換され、共振器ミラー14からは主にこの第２
高調波19が出射する。

【００５４】なお本例において、Ｎｄ：ＹＶＯ₄ 結晶43
としてはａ軸カットのものが用いられ、その厚さは１ｍ
ｍである。またＫＴＰ結晶45の長さは５ｍｍ、共振器ミ
ラー14の曲率半径は50ｍｍ、共振器を構成するＮｄ：Ｙ
ＶＯ₄ 結晶端面43ａとミラー面14ａとの間の距離は約11
ｍｍである。

【００５５】ブリュースタ板47は石英の平行平板からな
り、共振器内で発振しているレーザービーム18の偏光方
向を制御して、単一縦モード発振を実現する。つまりこ
のブリュースタ板47は、図５に示す回転軸を中心とし
て、波長1064ｎｍに対するブリュースタ角（約54°）に
傾けてある。それにより、この回転軸方向に偏光した波
長1064ｎｍの光は反射率の高いｓ偏光として該ブリュー
スタ板47に入射するのでロスが大きくなり、それに垂直
な方向の偏光成分を持つロスの小さい波長1064ｎｍの光
のみが発振することになる。

【００５６】また、単一縦モード発振を実現しつつ、効
率良く波長変換を行なうために、各結晶43、45の結晶軸
およびレーザービーム10、18の偏光方向は図５に示すよ
うに設定されており、発生する第２高調波19の偏光方向
はβ方向となる。

【００５７】部分反射ミラー44は、光入出射面がほぼ平
行な合成石英の平板からなり、光軸（γ軸）に対して45
°傾いた状態となっている。この部分反射ミラー44の表
面44ａ、裏面44ｂとも無コート面とされており、β方向
に偏光した波長532 ｎｍの第２高調波19は、それらの面
44ａ、44ｂにｐ偏光として入射するため、反射率の公式
より、その反射率は約0.7 ％となる。

【００５８】この反射率は、空気および合成石英の屈折
率と入射角のみから定まるものであって、経時変化や湿
度変化によって反射率が変化することがない。そこで本
例でも、この反射率の変化のためにＡＰＣ用光検出器25
の検出光量が変化することがなく、その結果、長期に亘
り安定な第２高調波出力を得ることができる。

【００５９】また、部分反射ミラー44における反射率
は、表裏面合わせても約1.4 ％であるので、第２高調波
19の多くがこの部分反射ミラー44を透過して、本来の用
途に有効に利用されるようになる。

【００６０】そして本実施形態では、部分反射ミラー44
の表面44ａで反射した第２高調波19と、裏面44ｂで反射
した第２高調波19の双方がＡＰＣ用光検出器25の光電面
に入射するように部分反射ミラー44の厚さが設定され
て、該光検出器25の検出光量が十分に確保されている。

【００６１】さらに部分反射ミラー44の厚さは、表面44
ａ、裏面44ｂで反射した第２高調波19の光路が、そのビ
ーム径（１／ｅ² 径）の1.5 倍以上互いにずれるように
設定されている。そのようにしておけば、光検出器25に
向かう２本の第２高調波19が近付き過ぎて干渉し、それ
により光検出器25の受光量が変化してしまうことを防止
できる。また、このような厚さとしておけば、裏面44ｂ
で反射した後さらに表面44ａで反射して出射窓34側に進
行する第２高調波19を、部分反射ミラー44を透過した第
２高調波19から十分に離して、開口板33によって確実に
カットできるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態である半導体レーザー励
起固体レーザーを示す一部破断側面図

【図２】上記半導体レーザー励起固体レーザーの一部を
示す斜視図

【図３】上記半導体レーザー励起固体レーザーの部分反
射ミラーの部分を示す一部破断平面図

【図４】本発明の第２の実施形態である半導体レーザー
励起固体レーザーを示す一部破断側面図

【図５】図４の半導体レーザー励起固体レーザーにおけ
るレーザービームの偏光方向等を説明する概略図

【符号の説明】

10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＡＧ結晶 14 共振器ミラー 15 反転ドメインＬＮ結晶 17 カルサイト結晶 18 固体レーザービーム（基本波） 19 第２高調波 23 フィルター 24 部分反射ミラー 24ａ 部分反射ミラーの表面 24ｂ 部分反射ミラーの裏面 25 ＡＰＣ用光検出器 26 ＡＰＣ回路 30 ベースプレート 31 ペルチェ素子 32 パッケージベース 33 開口板 34 パッケージキャップ 36 サーミスタ 43 Ｎｄ：ＹＶＯ₄ 結晶 44 部分反射ミラー 44ａ 部分反射ミラーの表面 44ｂ 部分反射ミラーの裏面 45 ＫＴＰ結晶 47 ブリュースタ板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザー結晶と、 このレーザー結晶を励起する励起光を発する半導体レー
   ザーと、 この励起により得られたレーザービームの一部を透過さ
   せ残余を反射させて、該レーザービームを分岐させる部
   分反射ミラーと、 分岐されたレーザービームの光量を検出する光検出器
   と、 この光検出器の出力を受け、該出力を一定化するように
   前記半導体レーザーの駆動電流を制御するＡＰＣ回路と
   を有する半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、 前記部分反射ミラーとして、少なくとも１つの反射面が
   無コート面であるものが用いられたことを特徴とする半
   導体レーザー励起固体レーザー。
2. 【請求項２】 前記部分反射ミラーが、反射面となる表
   裏面の一方が無コート面で、他方に反射防止コートが施
   されたもので、 この部分反射ミラーが、前記無コート面で反射したレー
   ザービームのみを前記光検出器に導くように配置されて
   いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー励
   起固体レーザー。
3. 【請求項３】 前記部分反射ミラーが、反射面となる表
   裏面の双方が無コート面とされたもので、 この部分反射ミラーが、前記表裏面でそれぞれ反射した
   前記レーザービームを共に前記光検出器に導くように配
   置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レ
   ーザー励起固体レーザー。
4. 【請求項４】 前記部分反射ミラーが、表裏面でそれぞ
   れ反射した前記レーザービームの光路を、ビーム径（１
   ／ｅ² 径）の1.5 倍以上互いにずらすように形成されて
   いることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載
   の半導体レーザー励起固体レーザー。
5. 【請求項５】 前記部分反射ミラーが、分岐させるレー
   ザービームがｐ偏光で入射するように配置されているこ
   とを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の半導
   体レーザー励起固体レーザー。
6. 【請求項６】 前記部分反射ミラーに入射する前記レー
   ザービームが、光波長変換素子により波長変換されたも
   のであることを特徴とする請求項１から５いずれか１項
   記載の半導体レーザー励起固体レーザー。