JPH104232A - エタロンおよび単一縦モードレーザー - Google Patents
エタロンおよび単一縦モードレーザーInfo
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- JPH104232A JPH104232A JP8156734A JP15673496A JPH104232A JP H104232 A JPH104232 A JP H104232A JP 8156734 A JP8156734 A JP 8156734A JP 15673496 A JP15673496 A JP 15673496A JP H104232 A JPH104232 A JP H104232A
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- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
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- H01S3/08022—Longitudinal modes
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-
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- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
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- H01S3/0401—Arrangements for thermal management of optical elements being part of laser resonator, e.g. windows, mirrors, lenses
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器内に配置したエタロンにより単一縦モ
ード化を図るレーザーにおいて、環境湿度変化および経
時変化による出力変動を抑える。 【解決手段】 エタロン17として、２つの光通過端面17
ａ、17ｂにイオンアシスト蒸着によるコートが形成され
たものを用いる。
ード化を図るレーザーにおいて、環境湿度変化および経
時変化による出力変動を抑える。 【解決手段】 エタロン17として、２つの光通過端面17
ａ、17ｂにイオンアシスト蒸着によるコートが形成され
たものを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー共振器内
に配されて発振モードを単一縦モード化するエタロンに
関するものである。
に配されて発振モードを単一縦モード化するエタロンに
関するものである。
【０００２】また本発明は、エタロンにより発振モード
を単一縦モード化するようにしたレーザーに関するもの
である。
を単一縦モード化するようにしたレーザーに関するもの
である。
【０００３】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム等の希土類がドーピングされた固
体レーザーロッドを半導体レーザー（レーザーダイオー
ド）等によってポンピングする固体レーザーが公知とな
っている。
るように、ネオジウム等の希土類がドーピングされた固
体レーザーロッドを半導体レーザー（レーザーダイオー
ド）等によってポンピングする固体レーザーが公知とな
っている。
【０００４】この種の固体レーザー等においては、例え
ばOptics Letters（オプティクス・レターズ）Vol.18
(1993) p.420 に記載されているように、モード競合ノ
イズの発生を抑えるために、その共振器内にエタロンを
配して波長選択し、発振モードを単一縦モード化するこ
とも行なわれている。
ばOptics Letters（オプティクス・レターズ）Vol.18
(1993) p.420 に記載されているように、モード競合ノ
イズの発生を抑えるために、その共振器内にエタロンを
配して波長選択し、発振モードを単一縦モード化するこ
とも行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにエ
タロンを用いて単一縦モード化を図る従来のレーザーに
おいては、環境湿度変化および経時変化により出力が大
きく変動するという問題が認められていた。
タロンを用いて単一縦モード化を図る従来のレーザーに
おいては、環境湿度変化および経時変化により出力が大
きく変動するという問題が認められていた。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、単一縦モードレーザーの環境湿度変化および経
時変化による出力変動を防止できるエタロンを提供する
ことを目的とするものである。
であり、単一縦モードレーザーの環境湿度変化および経
時変化による出力変動を防止できるエタロンを提供する
ことを目的とするものである。
【０００７】また本発明は、環境湿度変化および経時変
化による出力変動の無い単一縦モードレーザーを提供す
ることを目的とするものである。
化による出力変動の無い単一縦モードレーザーを提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるエタロン
は、請求項１に記載の通り、レーザー装置の共振器内に
配置されてレーザービームを単一縦モード化するエタロ
ンにおいて、２つの光通過端面にイオンアシスト蒸着
（Ion Assisted Deposition ：以下ＩＡＤという）によ
るコートが形成されていることを特徴とするものであ
る。
は、請求項１に記載の通り、レーザー装置の共振器内に
配置されてレーザービームを単一縦モード化するエタロ
ンにおいて、２つの光通過端面にイオンアシスト蒸着
（Ion Assisted Deposition ：以下ＩＡＤという）によ
るコートが形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０００９】なお上記コートとしては、請求項１に記載
の通り、ＨｆＯ2 およびＳｉＯ2 からなるものが好適に
用いられる。
の通り、ＨｆＯ2 およびＳｉＯ2 からなるものが好適に
用いられる。
【００１０】また本発明による単一縦モードレーザー
は、請求項３に記載の通り、共振器内に配置したエタロ
ンにより発振モードを単一縦モード化するレーザーにお
いて、上記エタロンとして、２つの光通過端面にＩＡＤ
によるコートが施されたものが用いられたことを特徴と
するものである。
は、請求項３に記載の通り、共振器内に配置したエタロ
ンにより発振モードを単一縦モード化するレーザーにお
いて、上記エタロンとして、２つの光通過端面にＩＡＤ
によるコートが施されたものが用いられたことを特徴と
するものである。
【００１１】なお上記構成の単一縦モードレーザーにお
いては、請求項４に記載の通り、共振器の部分が気密容
器内に配置されるのが望ましい。
いては、請求項４に記載の通り、共振器の部分が気密容
器内に配置されるのが望ましい。
【００１２】
【発明の効果】本発明者の研究によると、従来の単一縦
モードレーザーにおいて環境湿度変化および経時変化に
よって出力が変動しやすいという問題は、ＥＢ蒸着（El
ectronBeam Deposition ）によりコートが形成されたエ
タロンが用いられた際に顕著に認められることが判明し
た。以下、この点について詳しく説明する。
モードレーザーにおいて環境湿度変化および経時変化に
よって出力が変動しやすいという問題は、ＥＢ蒸着（El
ectronBeam Deposition ）によりコートが形成されたエ
タロンが用いられた際に顕著に認められることが判明し
た。以下、この点について詳しく説明する。
【００１３】まず、エタロンの実効的コート膜厚ｎｄ
（ｎはコート材質の屈折率、ｄはコート材質の厚み）変
化とレーザーの出力変化との関係について説明する。図
３に示すように、屈折率ｎ0 、厚みｌ0 の基板１の両端
面にコート２を施してエタロンとするものと考える。こ
こでコート材質にＡ、Ｂの２種を使用したとし、それら
の材質の屈折率を各々ｎ1 、ｎ2 とし、またコート各層
の厚みをｄi とする。
（ｎはコート材質の屈折率、ｄはコート材質の厚み）変
化とレーザーの出力変化との関係について説明する。図
３に示すように、屈折率ｎ0 、厚みｌ0 の基板１の両端
面にコート２を施してエタロンとするものと考える。こ
こでコート材質にＡ、Ｂの２種を使用したとし、それら
の材質の屈折率を各々ｎ1 、ｎ2 とし、またコート各層
の厚みをｄi とする。
【００１４】上記のコート２を施すことにより反射位相
が０（ゼロ）でなくなるため、実効的な反射点は基板１
の端面よりズレている。このズレ量をαとすると、エタ
ロンの実効的な光路長Ｌは Ｌ＝ｎ0 ｌ0 ＋２α となる。ここでαの量はコート材質のｎi ｄi の変化に
より変化し、αが変化すれば当然光路長Ｌが変化する。
このように光路長Ｌを変えるｎi 、ｄi は（特にｎ
i は）環境湿度、経時変化等に応じて変化する。
が０（ゼロ）でなくなるため、実効的な反射点は基板１
の端面よりズレている。このズレ量をαとすると、エタ
ロンの実効的な光路長Ｌは Ｌ＝ｎ0 ｌ0 ＋２α となる。ここでαの量はコート材質のｎi ｄi の変化に
より変化し、αが変化すれば当然光路長Ｌが変化する。
このように光路長Ｌを変えるｎi 、ｄi は（特にｎ
i は）環境湿度、経時変化等に応じて変化する。
【００１５】エタロンの共振波長λは、基準状態での共
振波長および実効的光路長をそれぞれλ0 、Ｌ0 とする
と、 λ＝λ0 （Ｌ／Ｌ0 ） となるので、結局、環境湿度や経時変化によりエタロン
共振波長λが変化することになる。
振波長および実効的光路長をそれぞれλ0 、Ｌ0 とする
と、 λ＝λ0 （Ｌ／Ｌ0 ） となるので、結局、環境湿度や経時変化によりエタロン
共振波長λが変化することになる。
【００１６】次に、上記エタロン共振波長λの変化によ
り、レーザー出力がどのように影響を受けるか説明す
る。レーザー出力およびレーザー発振波長の共振器温度
依存性は、基本的に図４に示すようなものとなる。なお
この図４中、ａおよびｂがレーザー発振波長を、ｃおよ
びｄがレーザー出力を、ＡおよびＢがエタロン共振波長
を示しており、Ａ、ａおよびｃがそれぞれ基準環境状態
でのエタロン共振波長、レーザー発振波長およびレーザ
ー出力であり、Ｂ、ｂおよびｄがそれぞれ環境変化時
（湿度変化時）のエタロン共振波長、レーザー発振波長
およびレーザー出力である。
り、レーザー出力がどのように影響を受けるか説明す
る。レーザー出力およびレーザー発振波長の共振器温度
依存性は、基本的に図４に示すようなものとなる。なお
この図４中、ａおよびｂがレーザー発振波長を、ｃおよ
びｄがレーザー出力を、ＡおよびＢがエタロン共振波長
を示しており、Ａ、ａおよびｃがそれぞれ基準環境状態
でのエタロン共振波長、レーザー発振波長およびレーザ
ー出力であり、Ｂ、ｂおよびｄがそれぞれ環境変化時
（湿度変化時）のエタロン共振波長、レーザー発振波長
およびレーザー出力である。
【００１７】図示される通り、環境湿度変化によりエタ
ロン共振波長がＡからＢへ変化したとき、レーザー発振
波長およびレーザー出力は図中の実線の状態から破線の
状態へと変化するため、設定共振器温度でのレーザー出
力は図中矢印Ｆで示すように変化することになる。な
お、環境湿度変化だけでなく経時変化によっても、上記
と同様のことが成り立つ。
ロン共振波長がＡからＢへ変化したとき、レーザー発振
波長およびレーザー出力は図中の実線の状態から破線の
状態へと変化するため、設定共振器温度でのレーザー出
力は図中矢印Ｆで示すように変化することになる。な
お、環境湿度変化だけでなく経時変化によっても、上記
と同様のことが成り立つ。
【００１８】具体例を挙げると、従来の単一縦モードレ
ーザーにおいて用いられていたＨｆＯ2 ／ＳｉＯ2 のＥ
Ｂコートエタロンの場合、環境湿度が０％から80％に変
化するとエタロン共振波長は0.03ｎｍ長波長化し、それ
によりレーザー出力が10％低下することもある。
ーザーにおいて用いられていたＨｆＯ2 ／ＳｉＯ2 のＥ
Ｂコートエタロンの場合、環境湿度が０％から80％に変
化するとエタロン共振波長は0.03ｎｍ長波長化し、それ
によりレーザー出力が10％低下することもある。
【００１９】それに対して、ＨｆＯ2 ／ＳｉＯ2 のＩＡ
Ｄコートエタロンの場合、環境湿度が０％から80％に変
化してもエタロン共振波長の変化は 0.006ｎｍ以下に抑
えられ、レーザー出力変化も２％以内に抑制された。
Ｄコートエタロンの場合、環境湿度が０％から80％に変
化してもエタロン共振波長の変化は 0.006ｎｍ以下に抑
えられ、レーザー出力変化も２％以内に抑制された。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施形態であるレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーを示すものである。このレーザーダイオードポンピン
グ固体レーザーは、ポンピング光（励起光）としてのレ
ーザービーム10を発する半導体レーザー11と、発散光で
ある上記レーザービーム10を集束させる集光レンズ12ａ
および12ｂと、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた
固体レーザー媒質であるＹＬＦ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＬ
Ｆ結晶と称する）13と、このＮｄ：ＹＬＦ結晶13の前方
側つまり半導体レーザー11と反対側に配された共振器ミ
ラー14と、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学材
料であって、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶13と共振器ミラー14との
間に配されたＭｇＯ：ＬＮ結晶（ＭｇＯがドープされた
ＬｉＮｂＯ3 結晶）15と、このＭｇＯ：ＬＮ結晶15と共
振器ミラー14との間に配された偏光制御用のブリュース
タ板16およびソリッドエタロン17とを有している。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施形態であるレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーを示すものである。このレーザーダイオードポンピン
グ固体レーザーは、ポンピング光（励起光）としてのレ
ーザービーム10を発する半導体レーザー11と、発散光で
ある上記レーザービーム10を集束させる集光レンズ12ａ
および12ｂと、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた
固体レーザー媒質であるＹＬＦ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＬ
Ｆ結晶と称する）13と、このＮｄ：ＹＬＦ結晶13の前方
側つまり半導体レーザー11と反対側に配された共振器ミ
ラー14と、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学材
料であって、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶13と共振器ミラー14との
間に配されたＭｇＯ：ＬＮ結晶（ＭｇＯがドープされた
ＬｉＮｂＯ3 結晶）15と、このＭｇＯ：ＬＮ結晶15と共
振器ミラー14との間に配された偏光制御用のブリュース
タ板16およびソリッドエタロン17とを有している。
【００２１】また上記Ｎｄ：ＹＬＦ結晶13を間に挟む状
態にして、発振モードをツイスト・モード化するため
の、例えばサファイア板からなる２枚のλ／４板18、19
が設けられている。
態にして、発振モードをツイスト・モード化するため
の、例えばサファイア板からなる２枚のλ／４板18、19
が設けられている。
【００２２】以上述べた各要素は、共通の筐体（図示せ
ず）にマウントされて一体化されている。なお、このレ
ーザーダイオードポンピング固体レーザーの共振器は後
述するようにλ／４板18および共振器ミラー14により構
成される。この共振器の部分と半導体レーザー11は、図
示しない温度調節手段により、それぞれ所定温度に温調
される。
ず）にマウントされて一体化されている。なお、このレ
ーザーダイオードポンピング固体レーザーの共振器は後
述するようにλ／４板18および共振器ミラー14により構
成される。この共振器の部分と半導体レーザー11は、図
示しない温度調節手段により、それぞれ所定温度に温調
される。
【００２３】半導体レーザー11としては、波長797 ｎｍ
のレーザービーム10を発するものが用いられている。ｃ
軸カットされているＮｄ：ＹＬＦ結晶13は、上記レーザ
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1314ｎｍの光を発する。λ／４板18の入射
端面18ａには、波長1314ｎｍの光は良好に反射させる
（反射率99.9％以上）一方、波長797 ｎｍの励起用レー
ザービーム10は良好に透過させる（透過率93％以上）コ
ートが施されている。
のレーザービーム10を発するものが用いられている。ｃ
軸カットされているＮｄ：ＹＬＦ結晶13は、上記レーザ
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1314ｎｍの光を発する。λ／４板18の入射
端面18ａには、波長1314ｎｍの光は良好に反射させる
（反射率99.9％以上）一方、波長797 ｎｍの励起用レー
ザービーム10は良好に透過させる（透過率93％以上）コ
ートが施されている。
【００２４】一方共振器ミラー14のミラー面14ａには、
波長1314ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以
上）、下記の波長657 ｎｍの光は透過させる（透過率90
％以上）コートが施されている。
波長1314ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以
上）、下記の波長657 ｎｍの光は透過させる（透過率90
％以上）コートが施されている。
【００２５】したがって、上記波長1314ｎｍの光はそれ
に対する高反射面となっているλ／４板端面18ａとミラ
ー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発振を引き起
こし、波長1314ｎｍのレーザービーム21が発生する。こ
のレーザービーム21はＭｇＯ：ＬＮ結晶15により、波長
が１／２すなわち657 ｎｍの赤色の第２高調波22に変換
され、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波22が出
射する。
に対する高反射面となっているλ／４板端面18ａとミラ
ー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発振を引き起
こし、波長1314ｎｍのレーザービーム21が発生する。こ
のレーザービーム21はＭｇＯ：ＬＮ結晶15により、波長
が１／２すなわち657 ｎｍの赤色の第２高調波22に変換
され、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波22が出
射する。
【００２６】２枚のλ／４板18、19は互いに結晶軸が90
°回転した向きに配されており、このようなλ／４板1
8、19が配されたことにより、レーザービーム21はそれ
ら両者の間でツイスト・モード化する。それに加えて、
発振波長を選択するソリッドエタロン17が設けられてい
るために、レーザービーム21は単一縦モード発振し、第
２高調波22も単一縦モード化される。
°回転した向きに配されており、このようなλ／４板1
8、19が配されたことにより、レーザービーム21はそれ
ら両者の間でツイスト・モード化する。それに加えて、
発振波長を選択するソリッドエタロン17が設けられてい
るために、レーザービーム21は単一縦モード発振し、第
２高調波22も単一縦モード化される。
【００２７】ここで上記ソリッドエタロン17の２つの光
通過端面17ａ、17ｂには、イオンアシスト蒸着（ＩＡ
Ｄ）により、高屈折率のＨｆＯ2 および低屈折率のＳｉ
Ｏ2 の各層が交互に積層されてなるコートが施されてい
る。このコートは、波長1314ｎｍのレーザービーム21に
対しては反射率30％、波長657 ｎｍの第２高調波22に対
しては0.5 ％以下の反射率となるものである。
通過端面17ａ、17ｂには、イオンアシスト蒸着（ＩＡ
Ｄ）により、高屈折率のＨｆＯ2 および低屈折率のＳｉ
Ｏ2 の各層が交互に積層されてなるコートが施されてい
る。このコートは、波長1314ｎｍのレーザービーム21に
対しては反射率30％、波長657 ｎｍの第２高調波22に対
しては0.5 ％以下の反射率となるものである。
【００２８】本例ではこのように、イオンアシスト蒸着
によってコートが形成されてなるソリッドエタロン17を
用いたことにより、環境湿度変化および経時変化が有っ
ても、レーザービーム21の出力変動つまりは第２高調波
22の出力変動を防止できるようになる。その理由は、先
に詳しく説明した通りである。また同様に、経時変化に
よる第２高調波22の出力変動も効果的に防止可能であ
る。
によってコートが形成されてなるソリッドエタロン17を
用いたことにより、環境湿度変化および経時変化が有っ
ても、レーザービーム21の出力変動つまりは第２高調波
22の出力変動を防止できるようになる。その理由は、先
に詳しく説明した通りである。また同様に、経時変化に
よる第２高調波22の出力変動も効果的に防止可能であ
る。
【００２９】具体的には、上記ソリッドエタロン17に代
えて従来のＥＢコートエタロンを使用した場合、環境湿
度が０％から80％に変化したとき第２高調波22の出力は
10％低下したのに対し、本例の場合は、同じ環境湿度変
化に対して第２高調波22の出力低下は２％以内に抑制さ
れた。
えて従来のＥＢコートエタロンを使用した場合、環境湿
度が０％から80％に変化したとき第２高調波22の出力は
10％低下したのに対し、本例の場合は、同じ環境湿度変
化に対して第２高調波22の出力低下は２％以内に抑制さ
れた。
【００３０】次に図２を参照して、本発明の第２の実施
形態について説明する。なおこの図２において、図１中
のものと同等の要素には同番号を付してあり、それらに
ついての重複した説明は省略する。この第２の実施形態
の固体レーザーもレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーであり、第１の実施形態のレーザーダイオードポ
ンピング固体レーザーと比べると基本的に、共振器部分
がパッケージ30内に気密封止されている点が異なるもの
である。
形態について説明する。なおこの図２において、図１中
のものと同等の要素には同番号を付してあり、それらに
ついての重複した説明は省略する。この第２の実施形態
の固体レーザーもレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーであり、第１の実施形態のレーザーダイオードポ
ンピング固体レーザーと比べると基本的に、共振器部分
がパッケージ30内に気密封止されている点が異なるもの
である。
【００３１】なお図中の31は励起光入力窓、32は第２高
調波出力窓、33は光学部品固定支持金具、34は温度調節
のためのペルチェ素子である。
調波出力窓、33は光学部品固定支持金具、34は温度調節
のためのペルチェ素子である。
【００３２】この実施の形態においては、共振器部分を
パッケージ30内に気密封止したことによりソリッドエタ
ロン17が環境湿度変化を受けなくなるので、環境湿度変
化時の第２高調波22の出力変動はほぼ完全に抑制され
る。
パッケージ30内に気密封止したことによりソリッドエタ
ロン17が環境湿度変化を受けなくなるので、環境湿度変
化時の第２高調波22の出力変動はほぼ完全に抑制され
る。
【００３３】またソリッドエタロン17のコートがイオン
アシスト蒸着によって形成されていることにより、経時
変化による第２高調波22の出力変動も、従来のＥＢコー
トエタロンを使用した場合と比べて格段に低く抑えられ
る。
アシスト蒸着によって形成されていることにより、経時
変化による第２高調波22の出力変動も、従来のＥＢコー
トエタロンを使用した場合と比べて格段に低く抑えられ
る。
【００３４】なお本発明は、以上説明したレーザーダイ
オードポンピング固体レーザーに限らず、波長選択素子
としてエタロンを使用するレーザー全般に対して同様に
適用可能である。また勿論ながら、固体レーザー媒質、
そのポンピング源、および波長変換を行なう場合の非線
形光学材料等も、上記各実施形態におけるもの以外が適
宜使用可能である。
オードポンピング固体レーザーに限らず、波長選択素子
としてエタロンを使用するレーザー全般に対して同様に
適用可能である。また勿論ながら、固体レーザー媒質、
そのポンピング源、および波長変換を行なう場合の非線
形光学材料等も、上記各実施形態におけるもの以外が適
宜使用可能である。
【図１】本発明の第１の実施形態であるレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーを示す概略側面図
ードポンピング固体レーザーを示す概略側面図
【図２】本発明の第２の実施形態であるレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーを示す概略側面図
ードポンピング固体レーザーを示す概略側面図
【図３】エタロンの光路長を説明する説明図
【図４】レーザー出力およびレーザー発振波長の共振器
温度依存性を示すグラフ
温度依存性を示すグラフ
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 13 Ｎｄ：ＹＬＦ結晶 14 共振器ミラー 15 ＭｇＯ：ＬＮ結晶 16 ブリュースタ板 17 ソリッドエタロン 17ａ、17ｂ ソリッドエタロンの光通過端面 21 レーザービーム（固体レーザービーム） 22 第２高調波 30 パッケージ
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザー装置の共振器内に配置されてレ
ーザービームを単一縦モード化するエタロンにおいて、 ２つの光通過端面にイオンアシスト蒸着によるコートが
形成されていることを特徴とするエタロン。 - 【請求項２】 前記コートがＨｆＯ2 およびＳｉＯ2 か
らなるものであることを特徴とする請求項１記載のエタ
ロン。 - 【請求項３】 共振器内に配置したエタロンにより発振
モードを単一縦モード化する単一縦モードレーザーにお
いて、 前記エタロンとして、２つの光通過端面にイオンアシス
ト蒸着によるコートが形成されたものが用いられたこと
を特徴とする単一縦モードレーザー。 - 【請求項４】 前記共振器の部分が気密容器内に配置さ
れていることを特徴とする請求項３記載の単一縦モード
レーザー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156734A JPH104232A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | エタロンおよび単一縦モードレーザー |
| US08/877,515 US5933439A (en) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | Etalon and single longitudinal mode laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156734A JPH104232A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | エタロンおよび単一縦モードレーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104232A true JPH104232A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15634164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8156734A Pending JPH104232A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | エタロンおよび単一縦モードレーザー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5933439A (ja) |
| JP (1) | JPH104232A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8038994B2 (en) | 1996-05-15 | 2011-10-18 | Quest Pharmatech Inc. | Combination therapy for treating disease |
| JP2000315833A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 単一縦モード固体レーザー |
| CA2481796A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-23 | Altarex Medical Corporation | Binding agents and their use in targeting tumor cells |
| AU2003232487A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-11-03 | Katana Technologies Gmbh | Production of laser radiation with a low bandwidth for frequency conversion |
| US20040071181A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-15 | Rong Huang | Retro-reflective etalon and the devices using the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4756606A (en) * | 1986-06-05 | 1988-07-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Apparatus comprising a monolithic nonlinear Fabry-Perot etalon, and method for producing same |
| US4797893A (en) * | 1987-06-09 | 1989-01-10 | Virgo Optics, Inc. | Microlaser system |
| NL8803080A (nl) * | 1988-12-16 | 1990-07-16 | Philips Nv | Verstembare halfgeleiderdiodelaser met verdeelde reflectie en vervaardigingswijze van een dergelijke halfgeleiderdiodelaser. |
| JP2599513B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | アブレーション・マスク |
| JPH05218556A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザー |
| JP3222340B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2001-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 単一縦モードレーザー |
| US5583683A (en) * | 1995-06-15 | 1996-12-10 | Optical Corporation Of America | Optical multiplexing device |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP8156734A patent/JPH104232A/ja active Pending
-
1997
- 1997-06-17 US US08/877,515 patent/US5933439A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5933439A (en) | 1999-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021022 |