JP2000261072A - 固体レーザー - Google Patents
固体レーザーInfo
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- JP2000261072A JP2000261072A JP6164999A JP6164999A JP2000261072A JP 2000261072 A JP2000261072 A JP 2000261072A JP 6164999 A JP6164999 A JP 6164999A JP 6164999 A JP6164999 A JP 6164999A JP 2000261072 A JP2000261072 A JP 2000261072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器ミラーが、両端面上にそれぞれ光の反
射率を調整するコートが形成された光学部材によって構
成された固体レーザーにおいて、ビーム特性の悪化や、
共振器長変化による出力低下を防止する。 【解決手段】 共振器ミラーが、光通過面となる両端面
14ａ、14ｂ上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが
形成された光学部材14によって構成された固体レーザー
において、上記両端面14ａ、14ｂ上のコートの膜厚を互
いにほぼ等しくする。
射率を調整するコートが形成された光学部材によって構
成された固体レーザーにおいて、ビーム特性の悪化や、
共振器長変化による出力低下を防止する。 【解決手段】 共振器ミラーが、光通過面となる両端面
14ａ、14ｂ上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが
形成された光学部材14によって構成された固体レーザー
において、上記両端面14ａ、14ｂ上のコートの膜厚を互
いにほぼ等しくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体レーザーに関
し、特に詳細には、共振器ミラーを構成する光学部材の
歪みを抑制できるようにした固体レーザーに関するもの
である。
し、特に詳細には、共振器ミラーを構成する光学部材の
歪みを抑制できるようにした固体レーザーに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開平７−３０２９４６号に示さ
れるように、ネオジウム等の希土類がドーピングされた
固体レーザーロッドを半導体レーザー（レーザーダイオ
ード）等によってポンピングする固体レーザーが公知と
なっている。
れるように、ネオジウム等の希土類がドーピングされた
固体レーザーロッドを半導体レーザー（レーザーダイオ
ード）等によってポンピングする固体レーザーが公知と
なっている。
【０００３】この種の固体レーザーにおいては、共振器
ミラーとして専用のミラーを用いる他、上記特開平７−
３０２９４６号にも示されているように、固体レーザー
結晶や単一縦モード化のための波長選択素子、さらには
偏光制御素子等の光学部材を共振器ミラーとして兼用す
ることも広く行なわれている。このように、共振器ミラ
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成する場合
は、その光学部材の光通過面となる両端面上にそれぞ
れ、ポンピング光や固体レーザー発振光に対する反射率
を調整するためのコートが形成される。
ミラーとして専用のミラーを用いる他、上記特開平７−
３０２９４６号にも示されているように、固体レーザー
結晶や単一縦モード化のための波長選択素子、さらには
偏光制御素子等の光学部材を共振器ミラーとして兼用す
ることも広く行なわれている。このように、共振器ミラ
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成する場合
は、その光学部材の光通過面となる両端面上にそれぞ
れ、ポンピング光や固体レーザー発振光に対する反射率
を調整するためのコートが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、共振器ミラ
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成してなる固
体レーザーにおいては、専用の共振器ミラーを用いる場
合と比べて、ビーム特性が悪化しやすく、また、経時あ
るいは組立途中での共振器長変化による出力低下を招き
やすいことが認められている。
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成してなる固
体レーザーにおいては、専用の共振器ミラーを用いる場
合と比べて、ビーム特性が悪化しやすく、また、経時あ
るいは組立途中での共振器長変化による出力低下を招き
やすいことが認められている。
【０００５】そこで本発明は、共振器ミラーを固体レー
ザー結晶等の光学部材から構成してなる固体レーザーに
おいて、ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力
低下を防止することを目的とする。
ザー結晶等の光学部材から構成してなる固体レーザーに
おいて、ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力
低下を防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による固体レーザ
ーは、前述したように共振器ミラーが、光通過面となる
両端面上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが形成
された光学部材によって構成された固体レーザーにおい
て、前記両端面上の各コートの膜厚が互いにほぼ等しい
ことを特徴とするものである。
ーは、前述したように共振器ミラーが、光通過面となる
両端面上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが形成
された光学部材によって構成された固体レーザーにおい
て、前記両端面上の各コートの膜厚が互いにほぼ等しい
ことを特徴とするものである。
【０００７】なお、上述のように「各コートの膜厚が互
いにほぼ等しい」とは、一方のコーうトの膜厚に対して
他方のコートの膜厚が0.5〜2.0倍の範囲、さらに好まし
くは0.67〜1.5倍の範囲にあることを意味するものとす
る。
いにほぼ等しい」とは、一方のコーうトの膜厚に対して
他方のコートの膜厚が0.5〜2.0倍の範囲、さらに好まし
くは0.67〜1.5倍の範囲にあることを意味するものとす
る。
【０００８】
【発明の効果】本発明者の研究によると、従来の固体レ
ーザーにおける前述の問題は、光学部材のコートの膜応
力によってこの光学部材そのものが歪んでしまうことに
起因していることが判明した。すなわち、共振器ミラー
を構成する光学部材にあっては、通常一方の端面に固体
レーザー発振光に対するＨＲ（高反射）コートが施さ
れ、他方の端面にＡＲ（無反射）コートが施されるが、
従来一般に、ＨＲコートは比較的厚く、ＡＲコートは比
較的薄く形成されて来たため、大きな膜応力が発生して
光学部材が反りやすくなっている。特に、共振器長を短
くするため、あるいは固体レーザーのコストダウンのた
めに、比較的薄い光学部材が用いられた場合は、その反
りが顕著になる。
ーザーにおける前述の問題は、光学部材のコートの膜応
力によってこの光学部材そのものが歪んでしまうことに
起因していることが判明した。すなわち、共振器ミラー
を構成する光学部材にあっては、通常一方の端面に固体
レーザー発振光に対するＨＲ（高反射）コートが施さ
れ、他方の端面にＡＲ（無反射）コートが施されるが、
従来一般に、ＨＲコートは比較的厚く、ＡＲコートは比
較的薄く形成されて来たため、大きな膜応力が発生して
光学部材が反りやすくなっている。特に、共振器長を短
くするため、あるいは固体レーザーのコストダウンのた
めに、比較的薄い光学部材が用いられた場合は、その反
りが顕著になる。
【０００９】一般にレーザーを構成する光学部材に要求
される平面度は、発振光の波長をλとするとλ／１０程
度であるが、上記の原因で歪んでしまった光学部材の平
面度はλ／２〜λ程度とかなり低下することも判った。
される平面度は、発振光の波長をλとするとλ／１０程
度であるが、上記の原因で歪んでしまった光学部材の平
面度はλ／２〜λ程度とかなり低下することも判った。
【００１０】本発明の固体レーザーは、上記の新しい知
見に基づいて得られたものであり、光学部材の両端面に
形成される各コートの膜厚を互いにほぼ等しくしたこと
により、大きな膜応力の発生を抑制可能となっている。
したがって、本発明による固体レーザーは、大きな膜応
力による光学部材の反りを抑えて、ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止することができ
る。
見に基づいて得られたものであり、光学部材の両端面に
形成される各コートの膜厚を互いにほぼ等しくしたこと
により、大きな膜応力の発生を抑制可能となっている。
したがって、本発明による固体レーザーは、大きな膜応
力による光学部材の反りを抑えて、ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止することができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施形態に基づ
いて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の
実施形態によるレーザーダイオードポンピング固体レー
ザーを示すものである。このレーザーダイオードポンピ
ング固体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービ
ーム10を発する半導体レーザー11と、発散光である上記
レーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光となったレーザービーム10を集光する集光レ
ンズ13と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた固体
レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（以下、Ｎｄ：ＹＶＯ
4 結晶と称する）14と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14の前
方側（図中右方側）に配された共振器ミラー15と、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶14と共振器ミラー15との間に配された
光波長変換素子16、ブリュースター板17およびエタロン
18とを有している。
いて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の
実施形態によるレーザーダイオードポンピング固体レー
ザーを示すものである。このレーザーダイオードポンピ
ング固体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービ
ーム10を発する半導体レーザー11と、発散光である上記
レーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光となったレーザービーム10を集光する集光レ
ンズ13と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた固体
レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（以下、Ｎｄ：ＹＶＯ
4 結晶と称する）14と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14の前
方側（図中右方側）に配された共振器ミラー15と、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶14と共振器ミラー15との間に配された
光波長変換素子16、ブリュースター板17およびエタロン
18とを有している。
【００１２】以上述べた各要素は、共通の筐体（図示せ
ず）にマウントされて一体化され、図示しないペルチェ
素子と温調回路により、所定温度に温調される。
ず）にマウントされて一体化され、図示しないペルチェ
素子と温調回路により、所定温度に温調される。
【００１３】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14はコストダウン等の
ために、厚さが０．５ｍｍと薄いものが用いられてい
る。一方光波長変換素子16は、非線形光学材料である、
ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメイン
反転構造が設けられてなるものである。ブリュースター
板17は偏光制御素子として作用し、またエタロン18は発
振波長を単一化させる波長選択素子として作用する。
ために、厚さが０．５ｍｍと薄いものが用いられてい
る。一方光波長変換素子16は、非線形光学材料である、
ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3 結晶に周期ドメイン
反転構造が設けられてなるものである。ブリュースター
板17は偏光制御素子として作用し、またエタロン18は発
振波長を単一化させる波長選択素子として作用する。
【００１４】半導体レーザー11は、波長809 ｎｍのレー
ザービーム10を発するものが用いられている。Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14は、上記レーザービーム10によってネオジ
ウムイオンが励起されることにより、波長1064ｎｍの光
を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振が引
き起こされて、波長1064ｎｍの固体レーザービーム20が
得られる。このレーザービーム20は光波長変換素子16に
入射して、波長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波
21に変換される。
ザービーム10を発するものが用いられている。Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14は、上記レーザービーム10によってネオジ
ウムイオンが励起されることにより、波長1064ｎｍの光
を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振が引
き起こされて、波長1064ｎｍの固体レーザービーム20が
得られる。このレーザービーム20は光波長変換素子16に
入射して、波長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波
21に変換される。
【００１５】ここで図２に詳しく示すように、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14の外側端面（半導体レーザー11側の端面）
14ａには、固体レーザーの発振波長つまり波長1064ｎｍ
および第２高調波波長532 ｎｍに対するＨＲ（高反射）
コート30が施され、内側端面14ｂには波長1064ｎｍに対
するＡＲ（無反射）コート31が施されている。一方、凹
面鏡である共振器ミラー15のミラー面15ａには、固体レ
ーザーの発振波長1064ｎｍに対して高反射で、波長532
ｎｍの第２高調波21は一部透過させるコートが施されて
いる。
ＶＯ4 結晶14の外側端面（半導体レーザー11側の端面）
14ａには、固体レーザーの発振波長つまり波長1064ｎｍ
および第２高調波波長532 ｎｍに対するＨＲ（高反射）
コート30が施され、内側端面14ｂには波長1064ｎｍに対
するＡＲ（無反射）コート31が施されている。一方、凹
面鏡である共振器ミラー15のミラー面15ａには、固体レ
ーザーの発振波長1064ｎｍに対して高反射で、波長532
ｎｍの第２高調波21は一部透過させるコートが施されて
いる。
【００１６】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の外側端面14ａと共
振器ミラー15のミラー面15ａに、それぞれ上記の通りの
コートが施されていることにより、固体レーザービーム
20はこれらの面14ａ、15ａ間で共振し、また共振器ミラ
ー15からはほぼ第２高調波21のみが出射する。つまり本
実施形態では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14と共振器ミラー15
とによって固体レーザーの共振器が構成されている。
振器ミラー15のミラー面15ａに、それぞれ上記の通りの
コートが施されていることにより、固体レーザービーム
20はこれらの面14ａ、15ａ間で共振し、また共振器ミラ
ー15からはほぼ第２高調波21のみが出射する。つまり本
実施形態では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14と共振器ミラー15
とによって固体レーザーの共振器が構成されている。
【００１７】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の両端面にそれぞれ
施されたコート30、31の膜厚は、ともに等しい７μｍと
されている。そのため、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14に大
きな膜応力が発生することを防止できる。そこで、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶14が前述のように厚さ０．５ｍｍと薄
く形成されていても、該結晶14の膜応力による反りを抑
えて、固体レーザービーム20の（つまりは第２高調波21
の）ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力低下
を防止可能となる。
施されたコート30、31の膜厚は、ともに等しい７μｍと
されている。そのため、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14に大
きな膜応力が発生することを防止できる。そこで、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶14が前述のように厚さ０．５ｍｍと薄
く形成されていても、該結晶14の膜応力による反りを抑
えて、固体レーザービーム20の（つまりは第２高調波21
の）ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力低下
を防止可能となる。
【００１８】具体的に、上記Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14と従
来装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通
過端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、
図３に示すように、外側端面14ａに膜厚７μｍのＨＲコ
ート30が施され、内側端面14ｂに膜厚０．５μｍのＡＲ
コート31’が施されたＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14’を用意し
た。
来装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通
過端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、
図３に示すように、外側端面14ａに膜厚７μｍのＨＲコ
ート30が施され、内側端面14ｂに膜厚０．５μｍのＡＲ
コート31’が施されたＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14’を用意し
た。
【００１９】これら２つのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14および
14’を、干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、干
渉縞を観察したところ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の場合は
概略図４表示のような干渉縞Ｒが観察され、Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶14’の場合は概略図５表示のような干渉縞Ｒ’
が観察された。これにより、本発明によれば、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14の平面度を高く確保できることが明かであ
る。
14’を、干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、干
渉縞を観察したところ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の場合は
概略図４表示のような干渉縞Ｒが観察され、Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶14’の場合は概略図５表示のような干渉縞Ｒ’
が観察された。これにより、本発明によれば、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶14の平面度を高く確保できることが明かであ
る。
【００２０】なお、この種の固体レーザーにおいては、
一般に共振器長が０．１μｍ変化しただけでも出力変化
を招いてしまうが、従来用いられていた上記Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4結晶14’では、膜応力による歪みが０．１μｍと同
程度まで達してしまう。
一般に共振器長が０．１μｍ変化しただけでも出力変化
を招いてしまうが、従来用いられていた上記Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4結晶14’では、膜応力による歪みが０．１μｍと同
程度まで達してしまう。
【００２１】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。この第２の実施形態は、図１の固体レーザーに
おいて、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14に代えて、図６に示す通
りのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶40を適用したものである。この
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶40は厚さが１ｍｍで、その外側端面
40ａに膜厚７μｍのＨＲコート41が施され、内側端面40
ｂに同じく膜厚７μｍのコート42が施されたものであ
る。ＨＲコート41は、第１実施形態におけるＨＲコート
30と同様に、波長1064ｎｍに対して高反射のコートであ
る。一方コート42は、波長1064ｎｍに対してＡＲ（無反
射）で、かつ第２高調波21の波長532 ｎｍに対してＨＲ
（高反射）のコートである。
明する。この第２の実施形態は、図１の固体レーザーに
おいて、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14に代えて、図６に示す通
りのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶40を適用したものである。この
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶40は厚さが１ｍｍで、その外側端面
40ａに膜厚７μｍのＨＲコート41が施され、内側端面40
ｂに同じく膜厚７μｍのコート42が施されたものであ
る。ＨＲコート41は、第１実施形態におけるＨＲコート
30と同様に、波長1064ｎｍに対して高反射のコートであ
る。一方コート42は、波長1064ｎｍに対してＡＲ（無反
射）で、かつ第２高調波21の波長532 ｎｍに対してＨＲ
（高反射）のコートである。
【００２２】この場合も、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶40と従来
装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通過
端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、図
７に示すように、外側端面40ａに膜厚７μｍのＨＲコー
ト41が施され、内側端面40ｂに膜厚３．５μｍのコート
42’が施されたＮｄ：ＹＶＯ4 結晶40’を用意した。な
おコート42’は、果たす作用はコート42と同じものであ
る。
装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通過
端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、図
７に示すように、外側端面40ａに膜厚７μｍのＨＲコー
ト41が施され、内側端面40ｂに膜厚３．５μｍのコート
42’が施されたＮｄ：ＹＶＯ4 結晶40’を用意した。な
おコート42’は、果たす作用はコート42と同じものであ
る。
【００２３】これら２つのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶40および
40’を、前述と同様に干渉縞により平面度を観察する装
置にかけ、干渉縞を観察した。この際も、Ｎｄ：ＹＶＯ
4 結晶40では概略図４表示のような干渉縞Ｒが観察さ
れ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶40’では概略図５表示のような
干渉縞Ｒ’が観察された。
40’を、前述と同様に干渉縞により平面度を観察する装
置にかけ、干渉縞を観察した。この際も、Ｎｄ：ＹＶＯ
4 結晶40では概略図４表示のような干渉縞Ｒが観察さ
れ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶40’では概略図５表示のような
干渉縞Ｒ’が観察された。
【００２４】なお、以上説明した２つの実施形態におい
て、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14および40の厚さはともに０．
５ｍｍであるが、厚さが０．３ｍｍのＮｄ：ＹＶＯ4 結
晶を用いる場合に本発明を適用しても、同様の効果が得
られることを確認した。
て、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14および40の厚さはともに０．
５ｍｍであるが、厚さが０．３ｍｍのＮｄ：ＹＶＯ4 結
晶を用いる場合に本発明を適用しても、同様の効果が得
られることを確認した。
【００２５】次に、図８を参照して本発明の第３の実施
形態について説明する。なおこの図８において、図１中
の要素と同等の要素には同番号を付してあり、それらに
ついての説明は特に必要の無い限り省略する。
形態について説明する。なおこの図８において、図１中
の要素と同等の要素には同番号を付してあり、それらに
ついての説明は特に必要の無い限り省略する。
【００２６】この第３実施形態の固体レーザーもレーザ
ーダイオードポンピング固体レーザーであり、ここでは
固体レーザー媒質としてＮｄ：ＹＬＦ結晶50が用いられ
ている。そしてこのＮｄ：ＹＬＦ結晶50の前後には、発
振モードをツイスト・モード化するための２枚のλ／４
板51、52が配されている。これらのλ／４板51、52の厚
さは０．６ｍｍとされている。
ーダイオードポンピング固体レーザーであり、ここでは
固体レーザー媒質としてＮｄ：ＹＬＦ結晶50が用いられ
ている。そしてこのＮｄ：ＹＬＦ結晶50の前後には、発
振モードをツイスト・モード化するための２枚のλ／４
板51、52が配されている。これらのλ／４板51、52の厚
さは０．６ｍｍとされている。
【００２７】またここでは、波長795 ｎｍのレーザービ
ーム53を発する半導体レーザー54が用いられている。Ｎ
ｄ：ＹＬＦ結晶50は、上記レーザービーム53によってネ
オジウムイオンが励起されることにより、波長1313ｎｍ
の光を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振
が引き起こされて、波長1313ｎｍの固体レーザービーム
55が得られる。このレーザービーム55は光波長変換素子
16に入射して、波長が１／２すなわち657 ｎｍの第２高
調波56に変換される。
ーム53を発する半導体レーザー54が用いられている。Ｎ
ｄ：ＹＬＦ結晶50は、上記レーザービーム53によってネ
オジウムイオンが励起されることにより、波長1313ｎｍ
の光を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振
が引き起こされて、波長1313ｎｍの固体レーザービーム
55が得られる。このレーザービーム55は光波長変換素子
16に入射して、波長が１／２すなわち657 ｎｍの第２高
調波56に変換される。
【００２８】ここで図９に詳しく示すように、λ／４板
51の外側端面（半導体レーザー54側の端面）51ａには、
固体レーザーの発振波長つまり波長1313ｎｍに対するＨ
Ｒコート60が施され、内側端面51ｂには波長1313ｎｍに
対するＡＲコート61が施されている。一方、凹面鏡であ
る共振器ミラー15のミラー面15ａには、固体レーザーの
発振波長1313ｎｍに対して高反射で、波長657 ｎｍの第
２高調波56を一部透過させるコートが施されている。
51の外側端面（半導体レーザー54側の端面）51ａには、
固体レーザーの発振波長つまり波長1313ｎｍに対するＨ
Ｒコート60が施され、内側端面51ｂには波長1313ｎｍに
対するＡＲコート61が施されている。一方、凹面鏡であ
る共振器ミラー15のミラー面15ａには、固体レーザーの
発振波長1313ｎｍに対して高反射で、波長657 ｎｍの第
２高調波56を一部透過させるコートが施されている。
【００２９】λ／４板51の外側端面51ａと共振器ミラー
15のミラー面15ａに、それぞれ上記の通りのコートが施
されていることにより、固体レーザービーム55はこれら
の面51ａ、15ａ間で共振し、また共振器ミラー15からは
ほぼ第２高調波56のみが出射する。つまり本実施形態で
は、λ／４板51と共振器ミラー15とによって固体レーザ
ーの共振器が構成されている。
15のミラー面15ａに、それぞれ上記の通りのコートが施
されていることにより、固体レーザービーム55はこれら
の面51ａ、15ａ間で共振し、また共振器ミラー15からは
ほぼ第２高調波56のみが出射する。つまり本実施形態で
は、λ／４板51と共振器ミラー15とによって固体レーザ
ーの共振器が構成されている。
【００３０】λ／４板51の外側端面51ａに施されたＨＲ
コート60の膜厚は、７μｍとされている。また、λ／４
板51の内側端面51ｂに施されたＡＲコート61の膜厚は、
ＨＲコート60とほぼ等しい６μｍとされている。そのた
め、この場合も、λ／４板51に大きな膜応力が発生する
ことを防止できる。そこで、λ／４板51が前述のように
厚さ０．６ｍｍと非常に薄く形成されていても、該λ／
４板51の膜応力による反りを抑えて、固体レーザービー
ム55の（つまりは第２高調波56の）ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止可能となる。
コート60の膜厚は、７μｍとされている。また、λ／４
板51の内側端面51ｂに施されたＡＲコート61の膜厚は、
ＨＲコート60とほぼ等しい６μｍとされている。そのた
め、この場合も、λ／４板51に大きな膜応力が発生する
ことを防止できる。そこで、λ／４板51が前述のように
厚さ０．６ｍｍと非常に薄く形成されていても、該λ／
４板51の膜応力による反りを抑えて、固体レーザービー
ム55の（つまりは第２高調波56の）ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止可能となる。
【００３１】具体的に、上記λ／４板51と従来装置で用
いられているλ／４板とについて、光通過端面の平面度
を比較測定した。後者のλ／４板としては、図１０に示
すように、外側端面51ａに膜厚７μｍのＨＲコート60が
施され、内側端面51ｂに膜厚０．５μｍのＡＲコート6
1’が施されたλ／４板51’を用意した。
いられているλ／４板とについて、光通過端面の平面度
を比較測定した。後者のλ／４板としては、図１０に示
すように、外側端面51ａに膜厚７μｍのＨＲコート60が
施され、内側端面51ｂに膜厚０．５μｍのＡＲコート6
1’が施されたλ／４板51’を用意した。
【００３２】これら２つのλ／４板51および51’を、前
述と同様に干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、
干渉縞を観察したところ、この際も、λ／４板51では概
略図４表示のような干渉縞Ｒが観察され、λ／４板51’
では概略図５表示のような干渉縞Ｒ’が観察された。
述と同様に干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、
干渉縞を観察したところ、この際も、λ／４板51では概
略図４表示のような干渉縞Ｒが観察され、λ／４板51’
では概略図５表示のような干渉縞Ｒ’が観察された。
【００３３】なお本発明は、以上説明したレーザーダイ
オードポンピング固体レーザー以外の固体レーザーに対
しても同様に適用可能である。また本発明は、固体レー
ザー共振器を前述のＮｄ：ＹＶＯ4 結晶やλ／４板から
構成する場合に限らず、固体レーザー媒質であるＮｄ：
ＹＡＧ結晶や、ガラス板等の比較的薄い光学部材から固
体レーザー共振器を構成する場合全般に適用可能であっ
て、そのような場合においても、前述したのと同様の効
果を奏するものである。
オードポンピング固体レーザー以外の固体レーザーに対
しても同様に適用可能である。また本発明は、固体レー
ザー共振器を前述のＮｄ：ＹＶＯ4 結晶やλ／４板から
構成する場合に限らず、固体レーザー媒質であるＮｄ：
ＹＡＧ結晶や、ガラス板等の比較的薄い光学部材から固
体レーザー共振器を構成する場合全般に適用可能であっ
て、そのような場合においても、前述したのと同様の効
果を奏するものである。
【図１】本発明の第１実施形態による固体レーザーを示
す側面図
す側面図
【図２】図１の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の概略側面図
の概略側面図
【図３】従来の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の一例を示す概略側面図
の一例を示す概略側面図
【図４】図２のレーザー結晶の平面度を示す干渉縞の発
生状態を示す概略図
生状態を示す概略図
【図５】図３のレーザー結晶の平面度を示す干渉縞の発
生状態を示す概略図
生状態を示す概略図
【図６】本発明の第２実施形態の固体レーザーに用いら
れたレーザー結晶の概略側面図
れたレーザー結晶の概略側面図
【図７】従来の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の別の例を示す概略側面図
の別の例を示す概略側面図
【図８】本発明の第３実施形態による固体レーザーを示
す側面図
す側面図
【図９】図８の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の概略側面図
の概略側面図
【図１０】従来の固体レーザーに用いられたλ／４板の
一例を示す概略側面図
一例を示す概略側面図
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 コリメーターレンズ 13 集光レンズ 14 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 15 共振器ミラー 16 光波長変換素子 17 ブリュースター板 18 エタロン 20 レーザービーム（固体レーザービーム） 21 第２高調波 30、31 コート 40 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 41、42 コート 50 Ｎｄ：ＹＬＦ結晶 51、52 λ／４板 53 レーザービーム（ポンピング光） 54 半導体レーザー 55 レーザービーム（固体レーザービーム） 56 第２高調波 60、61 コート
Claims (1)
- 【請求項１】 共振器ミラーが、光通過面となる両端面
上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが形成された
光学部材によって構成された固体レーザーにおいて、前
記両端面上の各コートの膜厚が互いにほぼ等しいことを
特徴とする固体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164999A JP2000261072A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164999A JP2000261072A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261072A true JP2000261072A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13177296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6164999A Withdrawn JP2000261072A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000261072A (ja) |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP6164999A patent/JP2000261072A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |