JP2000261072A - 固体レーザー - Google Patents
固体レーザーInfo
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- JP2000261072A JP2000261072A JP6164999A JP6164999A JP2000261072A JP 2000261072 A JP2000261072 A JP 2000261072A JP 6164999 A JP6164999 A JP 6164999A JP 6164999 A JP6164999 A JP 6164999A JP 2000261072 A JP2000261072 A JP 2000261072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器ミラーが、両端面上にそれぞれ光の反
射率を調整するコートが形成された光学部材によって構
成された固体レーザーにおいて、ビーム特性の悪化や、
共振器長変化による出力低下を防止する。 【解決手段】 共振器ミラーが、光通過面となる両端面
14a、14b上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが
形成された光学部材14によって構成された固体レーザー
において、上記両端面14a、14b上のコートの膜厚を互
いにほぼ等しくする。
射率を調整するコートが形成された光学部材によって構
成された固体レーザーにおいて、ビーム特性の悪化や、
共振器長変化による出力低下を防止する。 【解決手段】 共振器ミラーが、光通過面となる両端面
14a、14b上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが
形成された光学部材14によって構成された固体レーザー
において、上記両端面14a、14b上のコートの膜厚を互
いにほぼ等しくする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は固体レーザーに関
し、特に詳細には、共振器ミラーを構成する光学部材の
歪みを抑制できるようにした固体レーザーに関するもの
である。
し、特に詳細には、共振器ミラーを構成する光学部材の
歪みを抑制できるようにした固体レーザーに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】例えば特開平7−302946号に示さ
れるように、ネオジウム等の希土類がドーピングされた
固体レーザーロッドを半導体レーザー(レーザーダイオ
ード)等によってポンピングする固体レーザーが公知と
なっている。
れるように、ネオジウム等の希土類がドーピングされた
固体レーザーロッドを半導体レーザー(レーザーダイオ
ード)等によってポンピングする固体レーザーが公知と
なっている。
【0003】この種の固体レーザーにおいては、共振器
ミラーとして専用のミラーを用いる他、上記特開平7−
302946号にも示されているように、固体レーザー
結晶や単一縦モード化のための波長選択素子、さらには
偏光制御素子等の光学部材を共振器ミラーとして兼用す
ることも広く行なわれている。このように、共振器ミラ
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成する場合
は、その光学部材の光通過面となる両端面上にそれぞ
れ、ポンピング光や固体レーザー発振光に対する反射率
を調整するためのコートが形成される。
ミラーとして専用のミラーを用いる他、上記特開平7−
302946号にも示されているように、固体レーザー
結晶や単一縦モード化のための波長選択素子、さらには
偏光制御素子等の光学部材を共振器ミラーとして兼用す
ることも広く行なわれている。このように、共振器ミラ
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成する場合
は、その光学部材の光通過面となる両端面上にそれぞ
れ、ポンピング光や固体レーザー発振光に対する反射率
を調整するためのコートが形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、共振器ミラ
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成してなる固
体レーザーにおいては、専用の共振器ミラーを用いる場
合と比べて、ビーム特性が悪化しやすく、また、経時あ
るいは組立途中での共振器長変化による出力低下を招き
やすいことが認められている。
ーを固体レーザー結晶等の光学部材から構成してなる固
体レーザーにおいては、専用の共振器ミラーを用いる場
合と比べて、ビーム特性が悪化しやすく、また、経時あ
るいは組立途中での共振器長変化による出力低下を招き
やすいことが認められている。
【0005】そこで本発明は、共振器ミラーを固体レー
ザー結晶等の光学部材から構成してなる固体レーザーに
おいて、ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力
低下を防止することを目的とする。
ザー結晶等の光学部材から構成してなる固体レーザーに
おいて、ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力
低下を防止することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による固体レーザ
ーは、前述したように共振器ミラーが、光通過面となる
両端面上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが形成
された光学部材によって構成された固体レーザーにおい
て、前記両端面上の各コートの膜厚が互いにほぼ等しい
ことを特徴とするものである。
ーは、前述したように共振器ミラーが、光通過面となる
両端面上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが形成
された光学部材によって構成された固体レーザーにおい
て、前記両端面上の各コートの膜厚が互いにほぼ等しい
ことを特徴とするものである。
【0007】なお、上述のように「各コートの膜厚が互
いにほぼ等しい」とは、一方のコーうトの膜厚に対して
他方のコートの膜厚が0.5〜2.0倍の範囲、さらに好まし
くは0.67〜1.5倍の範囲にあることを意味するものとす
る。
いにほぼ等しい」とは、一方のコーうトの膜厚に対して
他方のコートの膜厚が0.5〜2.0倍の範囲、さらに好まし
くは0.67〜1.5倍の範囲にあることを意味するものとす
る。
【0008】
【発明の効果】本発明者の研究によると、従来の固体レ
ーザーにおける前述の問題は、光学部材のコートの膜応
力によってこの光学部材そのものが歪んでしまうことに
起因していることが判明した。すなわち、共振器ミラー
を構成する光学部材にあっては、通常一方の端面に固体
レーザー発振光に対するHR(高反射)コートが施さ
れ、他方の端面にAR(無反射)コートが施されるが、
従来一般に、HRコートは比較的厚く、ARコートは比
較的薄く形成されて来たため、大きな膜応力が発生して
光学部材が反りやすくなっている。特に、共振器長を短
くするため、あるいは固体レーザーのコストダウンのた
めに、比較的薄い光学部材が用いられた場合は、その反
りが顕著になる。
ーザーにおける前述の問題は、光学部材のコートの膜応
力によってこの光学部材そのものが歪んでしまうことに
起因していることが判明した。すなわち、共振器ミラー
を構成する光学部材にあっては、通常一方の端面に固体
レーザー発振光に対するHR(高反射)コートが施さ
れ、他方の端面にAR(無反射)コートが施されるが、
従来一般に、HRコートは比較的厚く、ARコートは比
較的薄く形成されて来たため、大きな膜応力が発生して
光学部材が反りやすくなっている。特に、共振器長を短
くするため、あるいは固体レーザーのコストダウンのた
めに、比較的薄い光学部材が用いられた場合は、その反
りが顕著になる。
【0009】一般にレーザーを構成する光学部材に要求
される平面度は、発振光の波長をλとするとλ/10程
度であるが、上記の原因で歪んでしまった光学部材の平
面度はλ/2〜λ程度とかなり低下することも判った。
される平面度は、発振光の波長をλとするとλ/10程
度であるが、上記の原因で歪んでしまった光学部材の平
面度はλ/2〜λ程度とかなり低下することも判った。
【0010】本発明の固体レーザーは、上記の新しい知
見に基づいて得られたものであり、光学部材の両端面に
形成される各コートの膜厚を互いにほぼ等しくしたこと
により、大きな膜応力の発生を抑制可能となっている。
したがって、本発明による固体レーザーは、大きな膜応
力による光学部材の反りを抑えて、ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止することができ
る。
見に基づいて得られたものであり、光学部材の両端面に
形成される各コートの膜厚を互いにほぼ等しくしたこと
により、大きな膜応力の発生を抑制可能となっている。
したがって、本発明による固体レーザーは、大きな膜応
力による光学部材の反りを抑えて、ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止することができ
る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施形態に基づ
いて本発明を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の
実施形態によるレーザーダイオードポンピング固体レー
ザーを示すものである。このレーザーダイオードポンピ
ング固体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービ
ーム10を発する半導体レーザー11と、発散光である上記
レーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光となったレーザービーム10を集光する集光レ
ンズ13と、ネオジウム(Nd)がドーピングされた固体
レーザー媒質であるYVO4 結晶(以下、Nd:YVO
4 結晶と称する)14と、このNd:YVO4 結晶14の前
方側(図中右方側)に配された共振器ミラー15と、N
d:YVO4 結晶14と共振器ミラー15との間に配された
光波長変換素子16、ブリュースター板17およびエタロン
18とを有している。
いて本発明を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の
実施形態によるレーザーダイオードポンピング固体レー
ザーを示すものである。このレーザーダイオードポンピ
ング固体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービ
ーム10を発する半導体レーザー11と、発散光である上記
レーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光となったレーザービーム10を集光する集光レ
ンズ13と、ネオジウム(Nd)がドーピングされた固体
レーザー媒質であるYVO4 結晶(以下、Nd:YVO
4 結晶と称する)14と、このNd:YVO4 結晶14の前
方側(図中右方側)に配された共振器ミラー15と、N
d:YVO4 結晶14と共振器ミラー15との間に配された
光波長変換素子16、ブリュースター板17およびエタロン
18とを有している。
【0012】以上述べた各要素は、共通の筐体(図示せ
ず)にマウントされて一体化され、図示しないペルチェ
素子と温調回路により、所定温度に温調される。
ず)にマウントされて一体化され、図示しないペルチェ
素子と温調回路により、所定温度に温調される。
【0013】Nd:YVO4 結晶14はコストダウン等の
ために、厚さが0.5mmと薄いものが用いられてい
る。一方光波長変換素子16は、非線形光学材料である、
MgOがドープされたLiNbO3 結晶に周期ドメイン
反転構造が設けられてなるものである。ブリュースター
板17は偏光制御素子として作用し、またエタロン18は発
振波長を単一化させる波長選択素子として作用する。
ために、厚さが0.5mmと薄いものが用いられてい
る。一方光波長変換素子16は、非線形光学材料である、
MgOがドープされたLiNbO3 結晶に周期ドメイン
反転構造が設けられてなるものである。ブリュースター
板17は偏光制御素子として作用し、またエタロン18は発
振波長を単一化させる波長選択素子として作用する。
【0014】半導体レーザー11は、波長809 nmのレー
ザービーム10を発するものが用いられている。Nd:Y
VO4 結晶14は、上記レーザービーム10によってネオジ
ウムイオンが励起されることにより、波長1064nmの光
を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振が引
き起こされて、波長1064nmの固体レーザービーム20が
得られる。このレーザービーム20は光波長変換素子16に
入射して、波長が1/2すなわち532 nmの第2高調波
21に変換される。
ザービーム10を発するものが用いられている。Nd:Y
VO4 結晶14は、上記レーザービーム10によってネオジ
ウムイオンが励起されることにより、波長1064nmの光
を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振が引
き起こされて、波長1064nmの固体レーザービーム20が
得られる。このレーザービーム20は光波長変換素子16に
入射して、波長が1/2すなわち532 nmの第2高調波
21に変換される。
【0015】ここで図2に詳しく示すように、Nd:Y
VO4 結晶14の外側端面(半導体レーザー11側の端面)
14aには、固体レーザーの発振波長つまり波長1064nm
および第2高調波波長532 nmに対するHR(高反射)
コート30が施され、内側端面14bには波長1064nmに対
するAR(無反射)コート31が施されている。一方、凹
面鏡である共振器ミラー15のミラー面15aには、固体レ
ーザーの発振波長1064nmに対して高反射で、波長532
nmの第2高調波21は一部透過させるコートが施されて
いる。
VO4 結晶14の外側端面(半導体レーザー11側の端面)
14aには、固体レーザーの発振波長つまり波長1064nm
および第2高調波波長532 nmに対するHR(高反射)
コート30が施され、内側端面14bには波長1064nmに対
するAR(無反射)コート31が施されている。一方、凹
面鏡である共振器ミラー15のミラー面15aには、固体レ
ーザーの発振波長1064nmに対して高反射で、波長532
nmの第2高調波21は一部透過させるコートが施されて
いる。
【0016】Nd:YVO4 結晶14の外側端面14aと共
振器ミラー15のミラー面15aに、それぞれ上記の通りの
コートが施されていることにより、固体レーザービーム
20はこれらの面14a、15a間で共振し、また共振器ミラ
ー15からはほぼ第2高調波21のみが出射する。つまり本
実施形態では、Nd:YVO4 結晶14と共振器ミラー15
とによって固体レーザーの共振器が構成されている。
振器ミラー15のミラー面15aに、それぞれ上記の通りの
コートが施されていることにより、固体レーザービーム
20はこれらの面14a、15a間で共振し、また共振器ミラ
ー15からはほぼ第2高調波21のみが出射する。つまり本
実施形態では、Nd:YVO4 結晶14と共振器ミラー15
とによって固体レーザーの共振器が構成されている。
【0017】Nd:YVO4 結晶14の両端面にそれぞれ
施されたコート30、31の膜厚は、ともに等しい7μmと
されている。そのため、このNd:YVO4 結晶14に大
きな膜応力が発生することを防止できる。そこで、N
d:YVO4 結晶14が前述のように厚さ0.5mmと薄
く形成されていても、該結晶14の膜応力による反りを抑
えて、固体レーザービーム20の(つまりは第2高調波21
の)ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力低下
を防止可能となる。
施されたコート30、31の膜厚は、ともに等しい7μmと
されている。そのため、このNd:YVO4 結晶14に大
きな膜応力が発生することを防止できる。そこで、N
d:YVO4 結晶14が前述のように厚さ0.5mmと薄
く形成されていても、該結晶14の膜応力による反りを抑
えて、固体レーザービーム20の(つまりは第2高調波21
の)ビーム特性の悪化や、共振器長変化による出力低下
を防止可能となる。
【0018】具体的に、上記Nd:YVO4 結晶14と従
来装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通
過端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、
図3に示すように、外側端面14aに膜厚7μmのHRコ
ート30が施され、内側端面14bに膜厚0.5μmのAR
コート31’が施されたNd:YVO4 結晶14’を用意し
た。
来装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通
過端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、
図3に示すように、外側端面14aに膜厚7μmのHRコ
ート30が施され、内側端面14bに膜厚0.5μmのAR
コート31’が施されたNd:YVO4 結晶14’を用意し
た。
【0019】これら2つのNd:YVO4 結晶14および
14’を、干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、干
渉縞を観察したところ、Nd:YVO4 結晶14の場合は
概略図4表示のような干渉縞Rが観察され、Nd:YV
O4 結晶14’の場合は概略図5表示のような干渉縞R’
が観察された。これにより、本発明によれば、Nd:Y
VO4 結晶14の平面度を高く確保できることが明かであ
る。
14’を、干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、干
渉縞を観察したところ、Nd:YVO4 結晶14の場合は
概略図4表示のような干渉縞Rが観察され、Nd:YV
O4 結晶14’の場合は概略図5表示のような干渉縞R’
が観察された。これにより、本発明によれば、Nd:Y
VO4 結晶14の平面度を高く確保できることが明かであ
る。
【0020】なお、この種の固体レーザーにおいては、
一般に共振器長が0.1μm変化しただけでも出力変化
を招いてしまうが、従来用いられていた上記Nd:YV
O4結晶14’では、膜応力による歪みが0.1μmと同
程度まで達してしまう。
一般に共振器長が0.1μm変化しただけでも出力変化
を招いてしまうが、従来用いられていた上記Nd:YV
O4結晶14’では、膜応力による歪みが0.1μmと同
程度まで達してしまう。
【0021】次に、本発明の第2の実施形態について説
明する。この第2の実施形態は、図1の固体レーザーに
おいて、Nd:YVO4 結晶14に代えて、図6に示す通
りのNd:YVO4 結晶40を適用したものである。この
Nd:YVO4 結晶40は厚さが1mmで、その外側端面
40aに膜厚7μmのHRコート41が施され、内側端面40
bに同じく膜厚7μmのコート42が施されたものであ
る。HRコート41は、第1実施形態におけるHRコート
30と同様に、波長1064nmに対して高反射のコートであ
る。一方コート42は、波長1064nmに対してAR(無反
射)で、かつ第2高調波21の波長532 nmに対してHR
(高反射)のコートである。
明する。この第2の実施形態は、図1の固体レーザーに
おいて、Nd:YVO4 結晶14に代えて、図6に示す通
りのNd:YVO4 結晶40を適用したものである。この
Nd:YVO4 結晶40は厚さが1mmで、その外側端面
40aに膜厚7μmのHRコート41が施され、内側端面40
bに同じく膜厚7μmのコート42が施されたものであ
る。HRコート41は、第1実施形態におけるHRコート
30と同様に、波長1064nmに対して高反射のコートであ
る。一方コート42は、波長1064nmに対してAR(無反
射)で、かつ第2高調波21の波長532 nmに対してHR
(高反射)のコートである。
【0022】この場合も、Nd:YVO4 結晶40と従来
装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通過
端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、図
7に示すように、外側端面40aに膜厚7μmのHRコー
ト41が施され、内側端面40bに膜厚3.5μmのコート
42’が施されたNd:YVO4 結晶40’を用意した。な
おコート42’は、果たす作用はコート42と同じものであ
る。
装置で用いられているレーザー結晶とについて、光通過
端面の平面度を比較測定した。後者の結晶としては、図
7に示すように、外側端面40aに膜厚7μmのHRコー
ト41が施され、内側端面40bに膜厚3.5μmのコート
42’が施されたNd:YVO4 結晶40’を用意した。な
おコート42’は、果たす作用はコート42と同じものであ
る。
【0023】これら2つのNd:YVO4 結晶40および
40’を、前述と同様に干渉縞により平面度を観察する装
置にかけ、干渉縞を観察した。この際も、Nd:YVO
4 結晶40では概略図4表示のような干渉縞Rが観察さ
れ、Nd:YVO4 結晶40’では概略図5表示のような
干渉縞R’が観察された。
40’を、前述と同様に干渉縞により平面度を観察する装
置にかけ、干渉縞を観察した。この際も、Nd:YVO
4 結晶40では概略図4表示のような干渉縞Rが観察さ
れ、Nd:YVO4 結晶40’では概略図5表示のような
干渉縞R’が観察された。
【0024】なお、以上説明した2つの実施形態におい
て、Nd:YVO4 結晶14および40の厚さはともに0.
5mmであるが、厚さが0.3mmのNd:YVO4 結
晶を用いる場合に本発明を適用しても、同様の効果が得
られることを確認した。
て、Nd:YVO4 結晶14および40の厚さはともに0.
5mmであるが、厚さが0.3mmのNd:YVO4 結
晶を用いる場合に本発明を適用しても、同様の効果が得
られることを確認した。
【0025】次に、図8を参照して本発明の第3の実施
形態について説明する。なおこの図8において、図1中
の要素と同等の要素には同番号を付してあり、それらに
ついての説明は特に必要の無い限り省略する。
形態について説明する。なおこの図8において、図1中
の要素と同等の要素には同番号を付してあり、それらに
ついての説明は特に必要の無い限り省略する。
【0026】この第3実施形態の固体レーザーもレーザ
ーダイオードポンピング固体レーザーであり、ここでは
固体レーザー媒質としてNd:YLF結晶50が用いられ
ている。そしてこのNd:YLF結晶50の前後には、発
振モードをツイスト・モード化するための2枚のλ/4
板51、52が配されている。これらのλ/4板51、52の厚
さは0.6mmとされている。
ーダイオードポンピング固体レーザーであり、ここでは
固体レーザー媒質としてNd:YLF結晶50が用いられ
ている。そしてこのNd:YLF結晶50の前後には、発
振モードをツイスト・モード化するための2枚のλ/4
板51、52が配されている。これらのλ/4板51、52の厚
さは0.6mmとされている。
【0027】またここでは、波長795 nmのレーザービ
ーム53を発する半導体レーザー54が用いられている。N
d:YLF結晶50は、上記レーザービーム53によってネ
オジウムイオンが励起されることにより、波長1313nm
の光を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振
が引き起こされて、波長1313nmの固体レーザービーム
55が得られる。このレーザービーム55は光波長変換素子
16に入射して、波長が1/2すなわち657 nmの第2高
調波56に変換される。
ーム53を発する半導体レーザー54が用いられている。N
d:YLF結晶50は、上記レーザービーム53によってネ
オジウムイオンが励起されることにより、波長1313nm
の光を発する。そして後述の共振器によりレーザー発振
が引き起こされて、波長1313nmの固体レーザービーム
55が得られる。このレーザービーム55は光波長変換素子
16に入射して、波長が1/2すなわち657 nmの第2高
調波56に変換される。
【0028】ここで図9に詳しく示すように、λ/4板
51の外側端面(半導体レーザー54側の端面)51aには、
固体レーザーの発振波長つまり波長1313nmに対するH
Rコート60が施され、内側端面51bには波長1313nmに
対するARコート61が施されている。一方、凹面鏡であ
る共振器ミラー15のミラー面15aには、固体レーザーの
発振波長1313nmに対して高反射で、波長657 nmの第
2高調波56を一部透過させるコートが施されている。
51の外側端面(半導体レーザー54側の端面)51aには、
固体レーザーの発振波長つまり波長1313nmに対するH
Rコート60が施され、内側端面51bには波長1313nmに
対するARコート61が施されている。一方、凹面鏡であ
る共振器ミラー15のミラー面15aには、固体レーザーの
発振波長1313nmに対して高反射で、波長657 nmの第
2高調波56を一部透過させるコートが施されている。
【0029】λ/4板51の外側端面51aと共振器ミラー
15のミラー面15aに、それぞれ上記の通りのコートが施
されていることにより、固体レーザービーム55はこれら
の面51a、15a間で共振し、また共振器ミラー15からは
ほぼ第2高調波56のみが出射する。つまり本実施形態で
は、λ/4板51と共振器ミラー15とによって固体レーザ
ーの共振器が構成されている。
15のミラー面15aに、それぞれ上記の通りのコートが施
されていることにより、固体レーザービーム55はこれら
の面51a、15a間で共振し、また共振器ミラー15からは
ほぼ第2高調波56のみが出射する。つまり本実施形態で
は、λ/4板51と共振器ミラー15とによって固体レーザ
ーの共振器が構成されている。
【0030】λ/4板51の外側端面51aに施されたHR
コート60の膜厚は、7μmとされている。また、λ/4
板51の内側端面51bに施されたARコート61の膜厚は、
HRコート60とほぼ等しい6μmとされている。そのた
め、この場合も、λ/4板51に大きな膜応力が発生する
ことを防止できる。そこで、λ/4板51が前述のように
厚さ0.6mmと非常に薄く形成されていても、該λ/
4板51の膜応力による反りを抑えて、固体レーザービー
ム55の(つまりは第2高調波56の)ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止可能となる。
コート60の膜厚は、7μmとされている。また、λ/4
板51の内側端面51bに施されたARコート61の膜厚は、
HRコート60とほぼ等しい6μmとされている。そのた
め、この場合も、λ/4板51に大きな膜応力が発生する
ことを防止できる。そこで、λ/4板51が前述のように
厚さ0.6mmと非常に薄く形成されていても、該λ/
4板51の膜応力による反りを抑えて、固体レーザービー
ム55の(つまりは第2高調波56の)ビーム特性の悪化
や、共振器長変化による出力低下を防止可能となる。
【0031】具体的に、上記λ/4板51と従来装置で用
いられているλ/4板とについて、光通過端面の平面度
を比較測定した。後者のλ/4板としては、図10に示
すように、外側端面51aに膜厚7μmのHRコート60が
施され、内側端面51bに膜厚0.5μmのARコート6
1’が施されたλ/4板51’を用意した。
いられているλ/4板とについて、光通過端面の平面度
を比較測定した。後者のλ/4板としては、図10に示
すように、外側端面51aに膜厚7μmのHRコート60が
施され、内側端面51bに膜厚0.5μmのARコート6
1’が施されたλ/4板51’を用意した。
【0032】これら2つのλ/4板51および51’を、前
述と同様に干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、
干渉縞を観察したところ、この際も、λ/4板51では概
略図4表示のような干渉縞Rが観察され、λ/4板51’
では概略図5表示のような干渉縞R’が観察された。
述と同様に干渉縞により平面度を観察する装置にかけ、
干渉縞を観察したところ、この際も、λ/4板51では概
略図4表示のような干渉縞Rが観察され、λ/4板51’
では概略図5表示のような干渉縞R’が観察された。
【0033】なお本発明は、以上説明したレーザーダイ
オードポンピング固体レーザー以外の固体レーザーに対
しても同様に適用可能である。また本発明は、固体レー
ザー共振器を前述のNd:YVO4 結晶やλ/4板から
構成する場合に限らず、固体レーザー媒質であるNd:
YAG結晶や、ガラス板等の比較的薄い光学部材から固
体レーザー共振器を構成する場合全般に適用可能であっ
て、そのような場合においても、前述したのと同様の効
果を奏するものである。
オードポンピング固体レーザー以外の固体レーザーに対
しても同様に適用可能である。また本発明は、固体レー
ザー共振器を前述のNd:YVO4 結晶やλ/4板から
構成する場合に限らず、固体レーザー媒質であるNd:
YAG結晶や、ガラス板等の比較的薄い光学部材から固
体レーザー共振器を構成する場合全般に適用可能であっ
て、そのような場合においても、前述したのと同様の効
果を奏するものである。
【図1】本発明の第1実施形態による固体レーザーを示
す側面図
す側面図
【図2】図1の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の概略側面図
の概略側面図
【図3】従来の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の一例を示す概略側面図
の一例を示す概略側面図
【図4】図2のレーザー結晶の平面度を示す干渉縞の発
生状態を示す概略図
生状態を示す概略図
【図5】図3のレーザー結晶の平面度を示す干渉縞の発
生状態を示す概略図
生状態を示す概略図
【図6】本発明の第2実施形態の固体レーザーに用いら
れたレーザー結晶の概略側面図
れたレーザー結晶の概略側面図
【図7】従来の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の別の例を示す概略側面図
の別の例を示す概略側面図
【図8】本発明の第3実施形態による固体レーザーを示
す側面図
す側面図
【図9】図8の固体レーザーに用いられたレーザー結晶
の概略側面図
の概略側面図
【図10】従来の固体レーザーに用いられたλ/4板の
一例を示す概略側面図
一例を示す概略側面図
10 レーザービーム(ポンピング光) 11 半導体レーザー 12 コリメーターレンズ 13 集光レンズ 14 Nd:YVO4 結晶 15 共振器ミラー 16 光波長変換素子 17 ブリュースター板 18 エタロン 20 レーザービーム(固体レーザービーム) 21 第2高調波 30、31 コート 40 Nd:YVO4 結晶 41、42 コート 50 Nd:YLF結晶 51、52 λ/4板 53 レーザービーム(ポンピング光) 54 半導体レーザー 55 レーザービーム(固体レーザービーム) 56 第2高調波 60、61 コート
Claims (1)
- 【請求項1】 共振器ミラーが、光通過面となる両端面
上にそれぞれ光の反射率を調整するコートが形成された
光学部材によって構成された固体レーザーにおいて、前
記両端面上の各コートの膜厚が互いにほぼ等しいことを
特徴とする固体レーザー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6164999A JP2000261072A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6164999A JP2000261072A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体レーザー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000261072A true JP2000261072A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13177296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6164999A Withdrawn JP2000261072A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体レーザー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000261072A (ja) |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP6164999A patent/JP2000261072A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |