JP3119544B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に係
り、特にLOC(Lead on Chip) 型半導体集積回路装置
における配線接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームのリードを半導体チップ
上に延在させてリード先端部とボンディングパッドとを
ボンディングワイヤーで接続するLOC型半導体集積回
路装置は、半導体チップの面積を大きくすることがで
き、またボンディングパッドを半導体チップの周辺部の
みならずその中央部にも設置することができるので、近
年広く用いられている。
【0003】図5に従来技術のLOC型半導体集積回路
装置の一例を示す。電源系電位供給用のボンディングパ
ッド(以下、電源パッド、と略す)13とクロック信
号、アドレス信号、データ入出力信号等の信号を供受す
るボンディングパッド(以下、信号パッド、と略す)1
2とが半導体チップ11の中央部においてその長辺方向
に配列されている。なお各図において、電源パッドは黒
四角で示し、信号パッドは白四角で示してある。そして
電源系電位供給用リード(以下、電源リード、と略す)
15および各信号を供受するリード(以下、信号リー
ド、と略す)14が半導体チップ11上に入り込みその
先端部とそれぞれの電源パッド13,信号パッド12と
をボンディングワイヤー17で接続している。しかしな
がら、このような半導体集積回路装置では、複数の電源
パッド13のそれぞれに対応して電源リード15を必要
とするから、リードフレームの電源リード数が多くなっ
てしまう。
【0004】このために半導体チップ11にPR技術で
電源配線層を形成し、この配線層を引き廻して供給する
電源電位が同じ複数の電源パッド13を接続する方法を
用いると、電源リード15の数は少なくてすむ。しかし
ながらこの方法では、電源配線層が長くなることに起因
して配線層抵抗が増大し特性に悪影響を及ぼす。
【0005】上記不都合を解消する技術として、米国特
許第4,916,519号に図6に示すようなLOC型
半導体集積回路装置が提示されている。同図において、
一対の電源リード25aと25b間を接続導体部26a
で連続的に接続して第1の電源電位供給用、例えばVc
c電位供給用の電源リード構造を構成し、他の一対の電
源リード25cと25d間を接続導体部26bで連続的
に接続して第2の電源電位供給用、例えば接地(GN
D)電位供給用の電源リード構造を構成している。Vc
c用の電源パッド13はボンディングワイヤー17によ
り接続導体部26aに接続され、接地用の電源パッド1
3はボンディングワイヤー17により接続導体部26b
に接続されている。そして信号パッド12はそれぞれの
信号リード14とボンディングワイヤー27により接続
されるが、信号パッド12と信号リード14との間には
電源電位の接続導体部26a,26bが配設されている
から、ボンディングワイヤー27は接続導体部26a,
26bを立体交叉、すなわち接続導体部26a,26b
上を横断することになる。しかしながら上記構造では、
ボンディング時あるいは樹脂封止の際の流動樹脂流入時
に、接続導体部を跨いているボンディングワイヤー27
に弛みが生じ、信号系であるボンディングワイヤー27
が電源電位系の接続導体部と短絡する事故が発生する可
能性がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来技術のLOC型半導体集積回路装置では、電源リード
の数を多く必要としたり、電源電位系の配線抵抗が増大
したり、信号系の短絡事故が発生したりする問題点があ
った。
【0007】したがって本発明の目的は、電源リードの
数を最少限にし、電源電位系の抵抗を減少させ、かつ短
絡事故を回避したLOC型半導体集積回路装置を提供す
ることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
チップ、前記半導体チップに形成された複数の電源パッ
ドおよび複数の信号パッド、前記半導体チップの外側よ
り前記半導体チップ上に延在して形成された複数の電源
リードおよび複数の信号リード、一対の前記電源リード
間を接続して前記半導体チップ上を延在する接続導体
部、前記電源パッドと前記接続導体部とを接続する第1
のボンディングワイヤー、および前記信号パッドと前記
信号リードのボンディング領域とを接続する第2のボン
ディングワイヤーを有する半導体集積回路装置におい
て、それぞれの前記信号パッドとそれに接続する前記信
号リードのボンディング領域とはその間に前記接続導体
部を介在させることなく対向配置され、これにより前記
第2のボンディングワイヤーが前記接続導体部上を横断
していない半導体集積回路装置にある。
【0009】本発明の他の発明は、第1の方向をたがい
に平行に伸びる第1および第2の端辺と前記第1の方向
とは直角方向の第2の方向をたがいに平行に伸びる第3
および第4の端辺とを有する半導体チップと、前記半導
体チップの外側から前記半導体チップ上に延在する第1
の電源電位供給用の第1および第2の電源リードと、前
記半導体チップの外側から前記半導体チップ上に延在す
る第2の電源電位供給用の第3および第4の電源リード
と、前記第1および第2の電源リードと連続的に形成さ
れて前記半導体チップ上を前記第1の方向に延在する箇
所を有する第1の接続導体部と、前記第3および第4の
電源リードと連続的に形成されて前記第1の接続導体部
と所定の間隔を有して前記半導体チップ上を前記第1の
方向に延在する箇所を有する第2の接続導体部と、前記
第1の端辺上を通過して前記第1の接続導体部と前記第
1の端辺間の前記半導体チップ上を延在する複数の第1
の信号リードと、前記第2の端辺上を通過して前記第2
の接続導体部と前記第2の端辺間の前記半導体チップ上
を延在する複数の第2の信号リードと、前記半導体チッ
プに形成された第1の電源パッドと、前記半導体チップ
に形成された第2の電源パッドと、前記第1の接続導体
部下と前記第1の端辺との間の前記半導体チップの部分
に形成された複数の第1の信号パッドと、前記第2の接
続導体部下と前記第2の端辺との間の前記半導体チップ
の部分に形成された複数の第2の信号パッドと、前記第
1の電源パッドと前記第1の接続導体部間および前記第
2の電源パッドと前記第2の接続導体間をそれぞれ接続
する複数の第1のボンディングワイヤーと、複数の前記
第1および第2の信号パッドと複数の前記第1および第
2の信号リード間をそれぞれ接続する複数の第2のボン
ディングワイヤーとを有する半導体集積回路装置にあ
る。
【0010】
【0011】
【0012】前記各ボンディングワイヤーは前記各信号
リードの先端箇所にボンディングされることができる。
前記各ボンディングワイヤーは信号リードの先端箇所か
ら離間した箇所にボンディングされることができる。こ
の場合、前記先端箇所は凹凸平面形状となっていること
が好ましい。
【0013】あるいは、複数の前記第1の信号パッドは
前記第1の接続導体部下と前記第1の端辺との間の前記
半導体チップの部分を前記第2の方向に配列して形成さ
れ、複数の前記第2の信号パッドは前記第2の接続導体
部下と前記第2の端辺との間の前記半導体チップの部分
を前記第2の方向に配列して形成されることができる。
この場合、前記第1の信号リードは前記第2の方向に延
びて前記第1の端辺上を通過して前記半導体チップ上を
延在した後に前記第1の方向に向って曲りその先端部を
前記第1の信号パッドと対向させ、前記第2の信号リー
ドは前記第2の方向に延びて前記第2の端辺上を通過し
て前記半導体チップ上を延在した後に前記第1の方向に
向って曲りその先端部を前記第2の信号パッドと対向さ
せることが好ましい。
【0014】前記信号パッドならびに前記信号リード
は、それぞれクロック信号用、データ入出力用、アドレ
ス入力用、ライト・イネーブル用、ロウ・アドレス・ス
トローブ用、アウトプット・イネーブル用あるいはカラ
ム・アドレス・ストローブ用等のリードならびにボンデ
ィングパッドとすることができる。
【0015】半導体集積回路装置に前記第1および第2
の電源パッドをそれぞれ複数個形成することが好まし
い。この場合、前記複数の第1の電源パッドのうちの一
部のパッドは前記第1の接続導体部下と前記第1の端辺
との間の前記半導体チップの領域に形成され残りのパッ
ドは前記第1および第2の接続導体部間下の前記半導体
チップの領域に形成されており、前記複数の第2の電源
パッドのうちの一部パッドは前記第2の接続導体部下と
前記第2の端辺との間の前記半導体チップの領域に形成
され残りのパッドは前記第1および第2の接続導体部間
下の前記半導体チップの領域に形成されることができ
る。あるいは、前記複数の第1および第2の電源パッド
の全てを前記第1および第2の接続導体部間下の前記半
導体チップの領域に形成することができる。
【0016】また、前記第1および第2の電源リードを
前記第1の端辺上を通過して前記半導体チップ上に延在
し、前記第3および第4の電源リードを前記第2の端辺
上を通過して前記半導体チップ上に延在させることがで
きる。あるいは、前記第1および第3の電源リードを前
記第3の端辺上を前記第2の方向に延在して前記半導体
チップ内上に入り込ませ、前記第2および第4の電源リ
ードを前記第4の端辺上を前記第2の方向に延在してか
ら前記半導体チップ内上に入り込ませることができる。
または、前記第1および第3の電源リードを前記第3の
端辺上を前記第2の方向に延在して前記半導体チップ内
上に入り込ませ、前記第2の電源リードをその全て幅に
わたって前記第1の端辺上を横断して前記半導体チップ
内上に入り込ませ、前記第4の電源リードをその全て幅
にわたって前記第2の端辺上を横断して前記半導体チッ
プ内上に入り込ませることもできる。
【0017】さらに、前記第1の接続導体部と接続され
ていない第1の電源電位供給用の第5の電源リードおよ
び前記第2の接続導体部と接続されていない第2の電源
電位供給用の第6の電源リードを形成し、前記第5の電
源リードは前記第1の接続導体部と接続されていない第
1の電源パッドと第1のボンディングワイヤーにより接
続し、前記第6の電源リードを前記第2の接続導体部と
接続されていない第2の電源パッドと第1のボンディン
グワイヤーにより接続することができる。
【0018】前記第1の電源電位は接地電位に対して正
電位(Vcc)もしくは負の電位(Vss)であり前記
第2が電源電位は接地電位(GND)であっても、ある
いは、前記第1の電源電位は接地電位に対して正電位で
あり、前記第2の電源電位は接地電位に対して負電位で
あってもよい。
【0019】
【実施例】本発明の参考例を示す図1において、X方向
をたがいに平行に伸びる20mm長の第1および第2の
端辺41,42およびX方向と直角方向のY方向をたが
いに平行に伸びる10mm長の第3および第4の端辺4
3,44を有する半導体チップ31の中央部に、Vcc
供給用の複数の第1の電源パッド33a,接地電位供給
用の複数の第2の電源パッド33b,複数の第1および
第2の信号パッド32aおよび32bが形成されてい
る。一方、Vcc供給用の第1および第2の電源リード
35a,35bは第1の端辺41からそれぞれ第3およ
び第4の端辺43,44上をY方向に延在して半導体チ
ップ31上に入り、そこでX方向を延在する部分を有す
る0.5〜0.8mm幅の第1の接続導体部36aと連
続的に接続されてVcc用のリード構造を形成してい
る。同様に、接地電位供給用の第3および第4の電源リ
ード35c,35dは第2の端辺42からそれぞれ第3
および第4の端辺43,44上をY方向に延在して半導
体チップ31上に入り、そこで第1の接続導体部36a
と2.0〜2.5mmの間隔を保って平行にX方向を延
在する部分を有する0.5〜0.8mm幅の第2の接続
導体部36bと連続的に接続されて接地電位用のリード
構造を形成している。また、クロック信号等の各信号を
供受する複数の第1および第2の信号リード34a,3
4bはそれぞれ第1および第2の端辺41,42を横断
して半導体チップ上に約3mm入り込んでいる。
【0020】そして複数の第1の信号パッド32aの全
部および第1の電源パッド33aの一部は、第1の端辺
41と第1の接続導体部36aとの間をX方向に配列さ
れ、各第1の信号パッド32aはそれと接続する第1の
信号リード34aのボンディング領域とそれぞれ対向配
置している。同様に、複数の第2の信号パッド32bの
全部および第2の電源パッド33bの一部は、第2の端
辺42と第2の接続導体部36bとの間をX方向に配列
され、各第2の信号パッド32bはそれと接続する第2
の信号リード34bのボンディング領域とそれぞれ対向
配置している。また、残りの第1および第2の電源パッ
ド33a,33bは第1の接続導体部36aと第1の接
続導体部36bとの間に配置されている。
【0021】このような構成により、複数の第1の電源
パッド33aは第1,第2の電源リード35a,35b
および第1の接続導体部36aからなるVcc用リード
構造の近くの部分にそれぞれ第1のボンディングワイヤ
ー47でボンディング接続することができ、複数の第2
の電源パッド33bは第3,第4の電源リード35c,
35dおよび第2の接続導体部36bからなる接地電位
用リード構造の近くの部分にそれぞれ第1のボンディン
グワイヤー47でボンディング接続することができる。
接続導体部はリードフレームの一部であり、リードと同
じ材質、膜厚であるから接続導体部による抵抗は無視す
ることができる。
【0022】さらに上記構成によれば、第1の端辺41
と第1の接続導電部36aとの間に複数の第1の信号パ
ッド32aおよびそれらと接続する第1の信号リード3
4aが配設され、第2の端辺42と第2の接続導電部3
6bとの間に複数の第2の信号パッド32bおよびそれ
らと接続する第2の信号リード34bが配設されてい
る。すなわちこれらのパッドおよびこのパッドと接続す
るリードのボンディング領域は、一対の電源リードと接
続導体部により囲まれた同一の領域内に載置されてい
る。したがって、第1,第2の信号リード34a,34
bと第1,第2の信号パッド32a,32bとをそれぞ
れボンディング接続する第2のボンディングワイヤー3
7が第1,第2の接続導電部36a,36bを含む電源
リード構造上を横断することはない。これにより第1の
ボンディングワイヤー37と電源リード構造との短絡事
故は皆無となる。また同図に示すように、ボンディング
ワイヤー37が他の信号リードもしくは他のボンディン
グワイヤーと立体交叉することもないから、それによる
短絡事故も生じない。
【0023】ここでボンディングワイヤー37,47
は、例えば直径0.03mmの金細線であり、1.2〜
2.5mmのワイヤー長で熱圧着法や超音波法でボンデ
ィング接続される。また、上記各信号リード、電源リー
ドおよび接続導電部は、例えば板厚0.2mmの銅系の
板から一体的に形成されたリードフレームで、半導体チ
ップ上面に、例えば0.09mm厚の接着テープで接着
されている。
【0024】図1の工程の後、図2に示すように半導体
チップおよびその近傍を樹脂によりモールドし、その封
止樹脂40の側面から導出した各リードをリードフレ−
ムから切り離し、直角に曲げて半導体集積回路装置を完
成する。
【0025】次に図3を参照して本発明の第の実施例
を説明する。尚、図3において図1と同一もしくは類似
の機能の箇所は同じ符号で示してあるから、重複する説
明は省略する。
【0026】この第の実施例では、電源パッド33
a,33bは全て第1の接続導電部36aと第2の接続
導電部36bとの間に配設されている。一方、第1およ
び第2の信号パッド32a,32bは半導体チップ51
の第1および第2の端辺41,42と直角のY方向に配
列され、第1の信号リード34aはY方向に延びて第1
の端辺41上を通過して半導体チップ51上を延在した
後にX方向に向って曲りその先端部を信号パッド32と
対向させ、同様に、第2の信号リード34bはY方向に
延びて第2の端辺42上を通過して半導体チップ51上
を延在した後にX方向に向って曲りその先端部を信号用
ボンディングパッドと対向させている。半導体チップの
形状や回路レイアウトによっては、この実施例のような
配置が好ましい場合が生じる。
【0027】図4に第の実施例として、本発明を半導
体記憶装置に適用した例を示す。尚、図4において図1
と同一もしくは類似の機能の箇所は同じ符号で示してあ
るから、重複する説明は省略する。
【0028】半導体チップ61の第1および第2の端辺
41,42を横断して複数の第1および第2の信号リー
ド34a,34bがチップ上に延在している。第1の信
号リード34aは、データ入出力用の信号リードI3 、
ライト・イネーブル用の信号リードWE、ロウ・アドレ
ス・ストローブ入力用の信号リードRAS、アドレス入
力用の信号リードA0 〜A5 を有しており、第2の信号
リード34bは、アドレス入力用の信号リードA6 〜A
12、アウトプット・イネーブル用の信号リードOE、カ
ラム・アドレス・ストローブ入力用の信号リードCA
S、データ入出力用の信号リードI4 〜I5 を有してい
る。さらにその外側(図の右側)には、第1の端辺41
を横断してデータ入出力用の信号リードI0 〜I2 が第
3の信号リード34cとして延在し、第2の端辺42を
横断してデータ入出力用の信号リードI6 〜I7 が第4
の信号リード34dとして延在している。
【0029】一方、Vcc供給用の第1の電源リード3
5aは第1の端辺41上から第3の端辺43上をY方向
に延在して、また第2の電源リード35bは第1の端辺
41を横断して半導体チップ61上に入り、両者が第1
の接続導体部36aと連続的に接続されてVcc用のリ
ード構造を形成している。同様に、接地電位(GND)
供給用の第3の電源リード35cは第2の端辺42上か
ら第3の端辺43上をY方向に延在して、また第4の電
源リード35dは第2の端辺42を横断して半導体チッ
プ61上に入り、両者が第2の接続導体部36bと連続
的に接続されてGND用のリード構造を形成している。
またこの実施例では、第1の接続導体部36aとは接続
されないVcc供給用の第5の電源リード35eが第1
の端辺41上から第4の端辺44上をY方向に延在して
半導体チップ61上に入り、同様に、第2の接続導体部
36bとは接続されないGND供給用の第6の電源リー
ド35fが第2の端辺42上から第4の端辺44をY方
向に延在して半導体チップ61上に入り込んでいる。ま
たVcc系のリード構造の一部は第2の端辺42の方向
に突出して第2の端辺近傍のVcc用の電源パッド33
aと第1のボンディングワイヤー47によりボンディン
グ接続され、接地電位系のリード構造の一部は第1の端
辺41方向に突出して第1の端辺近傍の接地電位用の電
源パッド33bと第1のボンディングワイヤー47によ
りボンディング接続されている。
【0030】第1乃至第4の信号リード34a〜34d
の先端箇所は、封止樹脂とリードフレームとの熱膨張率
の差によるワイヤー切れ防止のために凹凸形状63とな
っており、この先端箇所より離間した箇所と白四角で示
すそれぞれの第1乃至第4の信号パッド32a〜32d
とが第2のボンディングワイヤー37でボンディング接
続されている。
【0031】また、第1乃至第6の電源リード35a〜
35fならびに第1および第2の接続導電部36a,3
6bのY方向に突出する箇所にも同様の目的で凹凸形状
となっており、この凹凸形状の近傍の箇所と黒四角で示
すそれぞれの第1および第2の電源パッド33a,33
bとが第1のボンディングワイヤー47でボンディング
接続されている。
【0032】第1の信号リード34aに接続される全て
の第1の信号パッド32aおよび第3の信号リード34
cに接続される全ての第3の信号パッド32cならびに
第1および第2の電源パッド33a,33bの一部は、
第1の端辺41の近傍をこの端辺と平行にX方向に配列
配置されている。同様に、第2の信号リード34bに接
続される全ての第2の信号パッド32bおよび第4の信
号リード34dに接続される全ての第4の信号パッド3
2dならびに第1および第2の電源パッド33a,33
bの一部は、第2の端辺42の近傍をこの端辺と平行に
X方向に配列配置されている。そして第1および第2の
電源パッド33a,33bの別の一部は第1の接続導体
部36aと第2の接続導体部36b間下およびその延長
線下の半導体チップの中央部にX線方向に配列配置して
いる。
【0033】このような構成によれば図4に示すよう
に、第1および第3の信号リード34a,34cに接続
され第1の端辺41方向に向ってそこの第1および第3
の信号パッド32a,32cにそれぞれ接続する第2の
ボンディングワイヤー37および第2および第4の信号
リード34b,34dに接続され第2の端辺42方向に
向ってそこの第2および第4の信号パッド32b,32
dにそれぞれ接続する第2のボンディングワイヤー37
は、いずれも電源リード構造および他の信号リードのど
の部分上も横断しないように、また他のボンディングワ
イヤー上を横断しないようにすることが出来る。また第
1および第2の電源パッド33a,33bに接続された
第1のボンディングワイヤー47は、いづれも他方の電
源リード構造および信号リードのどの部分上も横断しな
いように、また他のボンディングワイヤー上を横断しな
いようにすることが出来る。したがって、上記横断によ
るワイヤーの短絡事故を皆無にすることができる。尚、
図4において、NCは使用しないリ−ドであり、ワイヤ
ーが接続されていない白四角は使用していないパッドを
示す。また、各リードが半導体チップ61の外側でジグ
ザグ形状62を有しているのは、樹脂封止を行ないリー
ドフレームから切離した後、引張り外力でリードが封入
樹脂から抜け落ないようにするためである。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、一対の
電源リードと接続導体部とにより構成された、電源リー
ド構造に囲まれた同一領域内に載置された信号リードと
信号パッドとをボンディングワイヤーにより接続するか
ら、ボンディングワイヤーが接続導体部上を横断してい
ないことはない。したがって、信号系のボンディングワ
イヤーと電源電位系の接続導体部との短絡事故は皆無と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の参考例の半導体集積回路装置の半導体
チップとリードとの関係を示す平面図である。
【図2】本発明の参考例の半導体集積回路装置の封止樹
脂を一部切断して示した斜視図である。
【図3】本発明の第の実施例の半導体集積回路装置の
半導体チップとリードとの関係を示す平面図である。
【図4】本発明の第の実施例の半導体集積回路装置の
半導体チップとリードとの関係を示す平面図である。
【図5】従来技術の半導体集積回路装置の半導体チップ
とリードとの関係を示す平面図である。
【図6】他の従来技術の半導体集積回路装置の半導体チ
ップとリードとの関係を示す平面図である。
【符号の説明】
11,31,51,61 半導体チップ 12,32 信号パッド 13,33 電源パッド 14,34 信号リード 15,25,35 電源リード 17,27,37,47 ボンディングワイヤー 26,36 接続導体部 40 モールド樹脂 41,42,43,44 半導体チップの端辺 62 リードのジグザグ形状 63 リードの凹凸形状

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の方向をたがいに平行に伸びる第1
    および第2の端辺と前記第1の方向とは直角方向の第2
    の方向を互いに平行に伸びる第3及び第4の端辺とを有
    する半導体チップと、前記半導体チップ上に前記第1の方向に延びて形成され
    た第1の部分と前記第1の部分の両端からそれぞれ延長
    し前記第1の端辺を突き出た第2及び第3の部分とから
    なる第1の電源リードと、 前記第1の電源リードの前記第1の部分と前記第1の端
    辺との間の前記半導体チップ上に前記第2の方向に配列
    された複数の第1の信号用ボンディングパッドと、 前記第1の電源リードの前記第1の部分と前記第1の端
    辺の間に設けられ前記第1の端辺から前記第2の方向に
    突出する第1の信号用リードと、 前記第1の信号用リードと前記第1の信号用ボンディン
    グパッドを接続する第1のボンディングワイヤーと、 前記半導体チップ上に前記第1の方向に延びて形成され
    た第4の部分と前記第4の部分の両端からそれぞれ延長
    し前記第2の端辺を突き出た第5及び第6の部分とから
    なる第2の電源リードと、 前記第2の電源リードの前記第4の部分と前記第2の端
    辺との間の前記半導体チップ上に前記第2の方向に配列
    された複数の第2の信号用ボンディングパッドと、 前記第2の電源リードの前記第4の部分と前記第2の端
    辺の間に設けられ前記第2の端辺から前記第2の方向に
    突出する第2の信号用リードと、 前記第2の信号用リードと前記第2の信号用ボンディン
    グパッドを接続する第2のボンディングワイヤーとを有
    することを特徴とする 半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の信号用リードは、前記第1の
    信号用ボンディングパッドの近傍の第1の箇所と、前記
    第1の箇所から前記第1の方向に延びた第2の箇所と、
    前記第2の箇所から前記第2の方向に延び前記第1の端
    辺から突出する第 3の箇所とからなり、 前記第2の信号用リードは、前記第2の信号用ボンディ
    ングパッドの近傍の第4の箇所と、前記第4の箇所から
    前記第1の方向に延びた第5の箇所と、前記第5の箇所
    から前記第2の方向に延び前記第2の端辺から突出する
    第6の箇所とからなることを特徴とする請求項1記載の
    半導体集積回路装置。
  3. 【請求項3】 前記半導体チップ上に設けられた電源電
    位供給用ボンディングパッドは、前記第1の電源リード
    の前記第1の部分と前記第2の電源リードの前記第4の
    部分との間に設けられ、前記第1及び第2の電源リード
    とそれぞれボンディングワイヤーによって接続されるこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  4. 【請求項4】 第1の方向を互いに平行に伸びる第1お
    よび第2の端辺と第1の方向とは直角方向の第2の方向
    を互いに平行に伸びる第3および第4の端辺とを有する
    半導体チップと、 前記半導体チップ上に第1の方向に伸びて形成された第
    1の部分と前記第1の部分の端部から延長し前記第1の
    端辺を突き出た第2の部分とからなる第1の電源供給用
    リードと、 前記半導体チップ上に設けられ前記第1の端辺に沿って
    前記第1の方向に一列に配列された複数の第1のパッド
    と、 前記第1の電源供給用リードの前記第1の部分と前記第
    1のパッドとの間の第1のリード部と前記第1のリード
    部から延び且つ前記第1のパッドの近傍を通ると共に前
    記第1の端辺から突出する第2のリード部と前記第1の
    リード部から延び且つ前記第1のリード部と前記第1の
    電源供給用リードとの間に形成された凹凸形状の第3の
    リード部とからなる第1の信号用リードと、 前記第1の信号用リードの第1のリード部と前記第1の
    パッドを接続する第1のボンディングワイヤーとを有す
    ることを 特徴とする半導体集積回路装置。
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