JP3115323B2 - ナノスケール粒子含有複合材料、その製造および該材料からなる光学素子 - Google Patents
ナノスケール粒子含有複合材料、その製造および該材料からなる光学素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、重合体マトリックス中にナノスケール粒子
（以下、クラスター（clustor）と云う）を含有してい
る複合材料に関する。本発明は更に、ナノスケール金属
アンチモン化物、−ヒ素化物、−カルコゲン化物、−ハ
ロゲン化物または−リン化物のゾルを、特殊な安定化剤
を使用して安定化し、続いて重合体マトリックス中に凝
縮させるか、または重合させる前記複合材料の製法に関
する。最後に、本発明は、このようにして製造された透
明複合材料からなる光学素子に関する。
（以下、クラスター（clustor）と云う）を含有してい
る複合材料に関する。本発明は更に、ナノスケール金属
アンチモン化物、−ヒ素化物、−カルコゲン化物、−ハ
ロゲン化物または−リン化物のゾルを、特殊な安定化剤
を使用して安定化し、続いて重合体マトリックス中に凝
縮させるか、または重合させる前記複合材料の製法に関
する。最後に、本発明は、このようにして製造された透
明複合材料からなる光学素子に関する。
背景技術 本願明細書において、元素周期律に関するすべての記
載は1986年IUPAC規則によるものである。カルコゲン化
物には酸化物（酸化物−水素化物、酸化物／水酸化物お
よび水酸化物を含む）、硫化物、セレン化物およびテル
ル化物が含まれる。ハロゲン化物の表示にはフッ化物、
塩化物、臭化物およびヨウ化物が含まれる。
載は1986年IUPAC規則によるものである。カルコゲン化
物には酸化物（酸化物−水素化物、酸化物／水酸化物お
よび水酸化物を含む）、硫化物、セレン化物およびテル
ル化物が含まれる。ハロゲン化物の表示にはフッ化物、
塩化物、臭化物およびヨウ化物が含まれる。
発明の開示 本発明は、有機溶剤中で、 ａ）周期律表第６〜15族金属またはランタニド金属の溶
剤可溶性化合物を、 ｂ）金属化合物（ａ）の金属のアンチモン化物、ヒ素化
物、カルコゲン化物、ハロゲン化物またはリン化物を生
成するための沈殿剤と、 ｃ）少なくとも１個の電子対−ドナー基および少なくと
も１個の重合または重縮合により有機または無機ネット
ワークを形成し得る基を有する２官能性化合物の存在下
で、反応させ、こうして得られた安定化されたナノスケ
ール粒子ゾルを、 ｄ）熱的または光化学的に重合体に硬化または重合する
ことのできる化合物および ｅ）重合開始剤と混合し、 場合により存在していて無機ネットワークを形成し得
る基の加水分解または重縮合を行い、この物質を熱的ま
たは光化学的に硬化する ナノスケール粒子含有複合材料の製法である。
剤可溶性化合物を、 ｂ）金属化合物（ａ）の金属のアンチモン化物、ヒ素化
物、カルコゲン化物、ハロゲン化物またはリン化物を生
成するための沈殿剤と、 ｃ）少なくとも１個の電子対−ドナー基および少なくと
も１個の重合または重縮合により有機または無機ネット
ワークを形成し得る基を有する２官能性化合物の存在下
で、反応させ、こうして得られた安定化されたナノスケ
ール粒子ゾルを、 ｄ）熱的または光化学的に重合体に硬化または重合する
ことのできる化合物および ｅ）重合開始剤と混合し、 場合により存在していて無機ネットワークを形成し得
る基の加水分解または重縮合を行い、この物質を熱的ま
たは光化学的に硬化する ナノスケール粒子含有複合材料の製法である。
本発明方法において、周期律表第６〜15族金属および
ランタニド金属の溶剤可溶性化合物を原料として使用す
る。
ランタニド金属の溶剤可溶性化合物を原料として使用す
る。
金属としては特に、Cr、Mo、Ｗ（第６族）、Mn、Ra
（第７族）、Fe、Ru（第８族）、Co、Rh（第９族）、N
i、Pd、Pt（第10族）、Cu、Ag、Au（第11族）、Zn、C
d、Hg（第12族）、Al、Ga、In（第13族）、Ge、Sn、Pb
（第14族）、As、Sb、Bi（第15族）およびLa、Ce、Gd、
Pr、Nd、Sn、Eu、Er、Tb（ランタニド）が挙げられる。
金属化合物（ａ）としては、使用する溶剤に可溶な化合
物、例えば、塩（例えばハロゲン化物、硫酸塩、硝酸
塩、リン酸塩）、錯塩（例えばテトラフルオルボトー
ト、ヘキサクロルプラチネート）、アルコール（例えば
メチレート、エチレート、イソプロピレート、ブチレー
ト、グリコレート）、フェノレート、炭酸塩、カルボキ
シレート（例えばホルミエート、アセテート、プロピオ
ネート、オキサレート、サクシネート、ベンゾエー
ト）、水素化物、錯体（配位化合物、例えばアミン錯
体、アミド錯体、シアノ錯体、およびキレート、例えば
アセチルアセトネート、アミノカルボキシレート）、金
属有機化合物（例えばカルボキシル−、ニトロシル−、
σ−およびπ−錯体）が適している。
（第７族）、Fe、Ru（第８族）、Co、Rh（第９族）、N
i、Pd、Pt（第10族）、Cu、Ag、Au（第11族）、Zn、C
d、Hg（第12族）、Al、Ga、In（第13族）、Ge、Sn、Pb
（第14族）、As、Sb、Bi（第15族）およびLa、Ce、Gd、
Pr、Nd、Sn、Eu、Er、Tb（ランタニド）が挙げられる。
金属化合物（ａ）としては、使用する溶剤に可溶な化合
物、例えば、塩（例えばハロゲン化物、硫酸塩、硝酸
塩、リン酸塩）、錯塩（例えばテトラフルオルボトー
ト、ヘキサクロルプラチネート）、アルコール（例えば
メチレート、エチレート、イソプロピレート、ブチレー
ト、グリコレート）、フェノレート、炭酸塩、カルボキ
シレート（例えばホルミエート、アセテート、プロピオ
ネート、オキサレート、サクシネート、ベンゾエー
ト）、水素化物、錯体（配位化合物、例えばアミン錯
体、アミド錯体、シアノ錯体、およびキレート、例えば
アセチルアセトネート、アミノカルボキシレート）、金
属有機化合物（例えばカルボキシル−、ニトロシル−、
σ−およびπ−錯体）が適している。
沈殿剤（ｂ）は、金属化合物（ａ）との反応の際に金
属のアンチモン化物、ヒ素化物、カルコゲン化物、ハロ
ゲン化物またはリン化物を生成する化合物である。沈殿
剤（ｂ）としては、例えば相当するアニオン（アンチモ
ン化物、ヒ素化物、水酸化物、硫化物、セレン化物、テ
ルル化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、リン
化物）の反応媒質に可溶な塩（例えばアルカリ金属また
はアルカリ土類金属塩）または相当する水素化合物（例
えばSbH3、AsH3、H2S、H2Se、H2Te、HCl、HBr、HI、PH3
が挙げられる。更に沈殿剤（ｂ）として、本来の沈殿剤
がその場で遊離される反応性化合物を使用することがで
きる。このようなものは例えば、NaBH4との反応により
テトラサルファイドからH2Sを遊離するもの、アンモニ
ア、アミン（例えばアルキルアミン、イキサメチレンテ
トラミン）または尿素によりヒドロキシルイオンを生成
するもの、およびカルボン酸ハロゲン化物の加水分解に
よりハロゲン化水素酸を生成するものがある。
属のアンチモン化物、ヒ素化物、カルコゲン化物、ハロ
ゲン化物またはリン化物を生成する化合物である。沈殿
剤（ｂ）としては、例えば相当するアニオン（アンチモ
ン化物、ヒ素化物、水酸化物、硫化物、セレン化物、テ
ルル化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、リン
化物）の反応媒質に可溶な塩（例えばアルカリ金属また
はアルカリ土類金属塩）または相当する水素化合物（例
えばSbH3、AsH3、H2S、H2Se、H2Te、HCl、HBr、HI、PH3
が挙げられる。更に沈殿剤（ｂ）として、本来の沈殿剤
がその場で遊離される反応性化合物を使用することがで
きる。このようなものは例えば、NaBH4との反応により
テトラサルファイドからH2Sを遊離するもの、アンモニ
ア、アミン（例えばアルキルアミン、イキサメチレンテ
トラミン）または尿素によりヒドロキシルイオンを生成
するもの、およびカルボン酸ハロゲン化物の加水分解に
よりハロゲン化水素酸を生成するものがある。
金属化合物（ａ）および沈殿剤（ｂ）はそれぞれ、反
応媒質に不溶性または難溶性の化合物がゾルの形で生成
するように選択される。
応媒質に不溶性または難溶性の化合物がゾルの形で生成
するように選択される。
製造できるナノスケール粒子の例としては特に、酸化
物、例えばZnO、CdO、SiO2、TiO2、ZrO2、CeO2、SnO2、
Al2O3、In2O3、La2O3、Fe2O3、Cu2O、MoO3またはWO3;硫
化物、例えばCdS、ZnS、PbSまたはAg2S;セレン化物、例
えばGaSe、CdSeまたはZnSe;テルル化物、例えばZnTeま
たはCdTe;ハロゲン化物、例えばAgCl、AgBr、AgI、CuC
l、CuBr、CdI2、またはPbI2;ヒ素化物、例えばAlAs、Ga
AsまたはGeAs;アンチモン化物、例えばInSb;およびリン
化物、例えばGaP、InP、Zn3P2またはCd3P2が挙げられ
る。
物、例えばZnO、CdO、SiO2、TiO2、ZrO2、CeO2、SnO2、
Al2O3、In2O3、La2O3、Fe2O3、Cu2O、MoO3またはWO3;硫
化物、例えばCdS、ZnS、PbSまたはAg2S;セレン化物、例
えばGaSe、CdSeまたはZnSe;テルル化物、例えばZnTeま
たはCdTe;ハロゲン化物、例えばAgCl、AgBr、AgI、CuC
l、CuBr、CdI2、またはPbI2;ヒ素化物、例えばAlAs、Ga
AsまたはGeAs;アンチモン化物、例えばInSb;およびリン
化物、例えばGaP、InP、Zn3P2またはCd3P2が挙げられ
る。
すべての反応成分およびその他の本発明方法で使用さ
れる物質は、個々の化合物の形および２種またはそれ以
上の化合物の混合物の形で適用できることは勿論であ
る。
れる物質は、個々の化合物の形および２種またはそれ以
上の化合物の混合物の形で適用できることは勿論であ
る。
２官能性化合物（ｃ）は、少なくとも１個の電子対−
ドナー基、またはこのような電子対−ドナー基に変えら
れる基を有している。電子対−ドナー基は中性である
が、または意気的陰性に荷電することができ、通常例え
ばＯ、ＮまたはＳのような原子から導かれる。このよう
な基は例えば、第１、第２または第３アミン基、アミド
基、ニトリル基、イソニトリル基、シアネート基、イソ
シアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート
基、アジド基、チオール基、チオレート基、サルファイ
ド基、スルフィネート基、スルホネート基、ホスフェー
ト基、ヒドロキシル基、アルコレート基、フェノレート
基、カルボキシル基およびカルボキシレート基である。
電子対−ドナー基に変えることのできる基は例えばカル
ボン酸基、カルボン酸無水物基およびグリシジル基であ
る。
ドナー基、またはこのような電子対−ドナー基に変えら
れる基を有している。電子対−ドナー基は中性である
が、または意気的陰性に荷電することができ、通常例え
ばＯ、ＮまたはＳのような原子から導かれる。このよう
な基は例えば、第１、第２または第３アミン基、アミド
基、ニトリル基、イソニトリル基、シアネート基、イソ
シアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート
基、アジド基、チオール基、チオレート基、サルファイ
ド基、スルフィネート基、スルホネート基、ホスフェー
ト基、ヒドロキシル基、アルコレート基、フェノレート
基、カルボキシル基およびカルボキシレート基である。
電子対−ドナー基に変えることのできる基は例えばカル
ボン酸基、カルボン酸無水物基およびグリシジル基であ
る。
多数の電子対−ドナー基を有する２官能性化合物
（ｃ）は、例えばエチレンジアミン基または全部または
一部アルキル化された相当する基、グリコール基、グリ
コレート基、ケトカルボン酸基、ケトカルボン酸エステ
ル基、β−ジカルボニル基（例えばアセチルアセトネー
ト基）、β−ケトエステル基（例えばアセト酢酸エチル
−、−アリル−または−ビニルエステル基）または（メ
タ）アクリル酸基を含有している。
（ｃ）は、例えばエチレンジアミン基または全部または
一部アルキル化された相当する基、グリコール基、グリ
コレート基、ケトカルボン酸基、ケトカルボン酸エステ
ル基、β−ジカルボニル基（例えばアセチルアセトネー
ト基）、β−ケトエステル基（例えばアセト酢酸エチル
−、−アリル−または−ビニルエステル基）または（メ
タ）アクリル酸基を含有している。
２官能性化合物（ｃ）は更に、少なくとも１個の重縮
合により無機ネットワークを形成し得る基を含有してい
る。この基は、中心原子としての元素、例えばSi、Al、
Ｂ、Sn、Ti、Zr、Ge、Ｐ、AsまたはＶ、好ましくはSi、
Al、TiまたはZrから導かれる。この中心原子には少なく
とも２個のヒドロキシル化可能または重縮合可能な基、
例えば水素、ヒドロキシ基、ハロゲン、アルコキシ基、
アルコキシルキル基、アシル基、アシルオキシ基、アル
コキシカルボニル基またはNRa（Ｒ＝Ｈおよび／または
アルキル基）が結合している。このような２官能性化合
物は例えば米国特許第5,030,608号明細書に記載されて
いる。
合により無機ネットワークを形成し得る基を含有してい
る。この基は、中心原子としての元素、例えばSi、Al、
Ｂ、Sn、Ti、Zr、Ge、Ｐ、AsまたはＶ、好ましくはSi、
Al、TiまたはZrから導かれる。この中心原子には少なく
とも２個のヒドロキシル化可能または重縮合可能な基、
例えば水素、ヒドロキシ基、ハロゲン、アルコキシ基、
アルコキシルキル基、アシル基、アシルオキシ基、アル
コキシカルボニル基またはNRa（Ｒ＝Ｈおよび／または
アルキル基）が結合している。このような２官能性化合
物は例えば米国特許第5,030,608号明細書に記載されて
いる。
２官能性化合物（ｃ）はまた別に、少なくとも１個の
重縮合によって有機ネットワークを形成し得る基を含有
している。このような基は例えばエポキシ基、および２
重結合または３重結合を有する基、例えばビニル基、ア
リル基、（メタ）アクリル基およびエチニル基である。
重縮合によって有機ネットワークを形成し得る基を含有
している。このような基は例えばエポキシ基、および２
重結合または３重結合を有する基、例えばビニル基、ア
リル基、（メタ）アクリル基およびエチニル基である。
２官能性化合物（ｃ）の電子対−ドナー基および有機
または無機ネットワークを形成し得る基は互いに直接結
合しているか、または好ましくは架橋基（例えばアルキ
レン基またはアリーレン基）を介して互いに結合してい
る。
または無機ネットワークを形成し得る基は互いに直接結
合しているか、または好ましくは架橋基（例えばアルキ
レン基またはアリーレン基）を介して互いに結合してい
る。
適している２官能化合物（ｃ）の例としては、特に次
のものが挙げられる： H2N−（CH2）３−Si（OC2H5）3, （C2H5）2N（CH2）3Si（OC2H5）3, （CH3）2N（CH2）3Si（OC2H5）3, H2N−C6H4−Si（OCH3）3, （CH3）2N−CH2−CH2−Ｎ（CH3）−（CH2）３−Si（O
C2H5）3, H2N−CH2−CH2−NH−（CH2）３−Si（OCH3）3, H2N−（CH2）２−NH−（CH2）２−NH−（CH2）３−Si
（OCH3）3, CN−（CH2）３−Si（OCH3）3, HOOC−HC＝CH−Ｏ−（CH2）３−Si（OCH3）3, OCN−CH2−CH2−CH2−Si（OC2H5）3, HS−CH2−CH2−CH2−Si（OC2H5）3, HS−CH2−Si（OC2H5）3, -OOC−CH2−CH2−CH2−Si（OC2H5）3, （H5C2O）3Si−（CH2）３−Ｓ−Ｓ−Ｓ−Ｓ−（CH2）
３−Si（OC2H5）3, ２官能性化合物（ｃ）の存在下での金属化合物（ａ）
と沈殿剤（ｂ）との反応は、例えば０℃から使用する溶
剤の沸点までの温度で行うことができる。室温で行うの
が好ましい。反応圧力も臨界的ではない。反応は通常大
気圧で行われる。しかしながら高圧または減圧で行うこ
ともできる。
のものが挙げられる： H2N−（CH2）３−Si（OC2H5）3, （C2H5）2N（CH2）3Si（OC2H5）3, （CH3）2N（CH2）3Si（OC2H5）3, H2N−C6H4−Si（OCH3）3, （CH3）2N−CH2−CH2−Ｎ（CH3）−（CH2）３−Si（O
C2H5）3, H2N−CH2−CH2−NH−（CH2）３−Si（OCH3）3, H2N−（CH2）２−NH−（CH2）２−NH−（CH2）３−Si
（OCH3）3, CN−（CH2）３−Si（OCH3）3, HOOC−HC＝CH−Ｏ−（CH2）３−Si（OCH3）3, OCN−CH2−CH2−CH2−Si（OC2H5）3, HS−CH2−CH2−CH2−Si（OC2H5）3, HS−CH2−Si（OC2H5）3, -OOC−CH2−CH2−CH2−Si（OC2H5）3, （H5C2O）3Si−（CH2）３−Ｓ−Ｓ−Ｓ−Ｓ−（CH2）
３−Si（OC2H5）3, ２官能性化合物（ｃ）の存在下での金属化合物（ａ）
と沈殿剤（ｂ）との反応は、例えば０℃から使用する溶
剤の沸点までの温度で行うことができる。室温で行うの
が好ましい。反応圧力も臨界的ではない。反応は通常大
気圧で行われる。しかしながら高圧または減圧で行うこ
ともできる。
有機溶剤としては、本発明によれば、好ましくはアル
コール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール
およびブタノール；エーテル、例えばジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテルおよびテトラヒドロフラン；エー
テルアルコール、例えばブトキシエタノール、エステ
ル、例えば酢酸エチルエステル、脂肪族および脂環式炭
化水素、例えばペンタン、ヘキサンおよびシクロヘキサ
ン、ならびに芳香族炭化水素、例えばトルエンが適用さ
れる。
コール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール
およびブタノール；エーテル、例えばジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテルおよびテトラヒドロフラン；エー
テルアルコール、例えばブトキシエタノール、エステ
ル、例えば酢酸エチルエステル、脂肪族および脂環式炭
化水素、例えばペンタン、ヘキサンおよびシクロヘキサ
ン、ならびに芳香族炭化水素、例えばトルエンが適用さ
れる。
反応は数分〜数時間内に行われる。不活性ガス（例え
ば窒素、アルゴン、２酸化炭素の保護下で行うのが好ま
しい。
ば窒素、アルゴン、２酸化炭素の保護下で行うのが好ま
しい。
沈殿剤（ｂ）は一般に、金属化合物（ａ）に対して、
少なくとも化学量論的に必要な量で、好ましくは僅かに
過剰な量で適用される。
少なくとも化学量論的に必要な量で、好ましくは僅かに
過剰な量で適用される。
金属化合物（ａ）対２官能性化合物（ｂ）のモル比は
好ましくは1:1〜1:50、特に1:5〜1:20である。
好ましくは1:1〜1:50、特に1:5〜1:20である。
反応の際に生成し２官能性化合物（ｃ）によって安定
化されたナノスケール粒子ゾルは、場合により部分的に
溶剤を分離した後、熱的または光化学的に重合体に硬化
または重合することのできる化合物（ｄ）および重合開
始剤（ｅ）と混合される。
化されたナノスケール粒子ゾルは、場合により部分的に
溶剤を分離した後、熱的または光化学的に重合体に硬化
または重合することのできる化合物（ｄ）および重合開
始剤（ｅ）と混合される。
熱的または光化学的に硬化または重合することのでき
る化合物（ｄ）の一部は、場合により、相当する得られ
た重合体（ｆ）により置き換えることができる。この重
合体は追加的に例えば有機溶液の形で混合される。
る化合物（ｄ）の一部は、場合により、相当する得られ
た重合体（ｆ）により置き換えることができる。この重
合体は追加的に例えば有機溶液の形で混合される。
重合体（ｆ）としては、任意の公知の合成樹脂、例え
ばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、ポリオレフィン、ポリスチレ
ン、ポリアミド、ポリイミド、ポリビニル化合物例えば
ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルアセテート、および相当する共重
合体、例えばポリ（エチレン−ビニルアセテート）、ポ
リエステル例えばポリエチレンテレフタレートまたはポ
リジアリルフタレート、ポリアリーレート、ポリカーボ
ネート、ポリエーテル例えばポリオキシメチレン、ポリ
エチレンオキサイドまたはポリフェニレンオキサイド、
ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエポキシド、
フッ素重合体例えばポリテトラフルオルエチレン、およ
びオルガノポリシロキサンが適している。透明な重合体
（ｆ）を使用するのが好ましい。
ばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、ポリオレフィン、ポリスチレ
ン、ポリアミド、ポリイミド、ポリビニル化合物例えば
ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルアセテート、および相当する共重
合体、例えばポリ（エチレン−ビニルアセテート）、ポ
リエステル例えばポリエチレンテレフタレートまたはポ
リジアリルフタレート、ポリアリーレート、ポリカーボ
ネート、ポリエーテル例えばポリオキシメチレン、ポリ
エチレンオキサイドまたはポリフェニレンオキサイド、
ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエポキシド、
フッ素重合体例えばポリテトラフルオルエチレン、およ
びオルガノポリシロキサンが適している。透明な重合体
（ｆ）を使用するのが好ましい。
熱的または光化学的に重合体に硬化または重合するこ
とのできる化合物（ｄ）は一般に、重縮合可能または重
合可能で不飽和基を有しているモノマー、オリゴマーま
たはプレポリマーであり、これらのものは熱的または光
化学的に開始される前記重合体の重合または重縮合の際
に与えられるものである。
とのできる化合物（ｄ）は一般に、重縮合可能または重
合可能で不飽和基を有しているモノマー、オリゴマーま
たはプレポリマーであり、これらのものは熱的または光
化学的に開始される前記重合体の重合または重縮合の際
に与えられるものである。
純粋な有機重合体マトリックスを与える重合可能なモ
ノマー（ｄ）の例は、特に（メタ）アクリル酸、（メ
タ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリロニトリル、
スチレンおよびスチレン誘導体である。アルケン（例え
ばエチレン、プロピレン、ブテン、イソブテン）、ハロ
ゲン化アルケン（例えばテトラフルオロエチレン、クロ
ルトリフルオロエチレン、塩化ビニル、フッ化ビニル、
フッ化ビニリデン、塩化ビニリデン）、酢酸ビニル、ビ
ニルピロリドン、ビニルカルバゾールおよびこれらのモ
ノマーの混合物である。多不飽和モノマー（ｄ）、例え
ばブタジエンおよびエチレンジメタクリレートも適用で
きる。
ノマー（ｄ）の例は、特に（メタ）アクリル酸、（メ
タ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリロニトリル、
スチレンおよびスチレン誘導体である。アルケン（例え
ばエチレン、プロピレン、ブテン、イソブテン）、ハロ
ゲン化アルケン（例えばテトラフルオロエチレン、クロ
ルトリフルオロエチレン、塩化ビニル、フッ化ビニル、
フッ化ビニリデン、塩化ビニリデン）、酢酸ビニル、ビ
ニルピロリドン、ビニルカルバゾールおよびこれらのモ
ノマーの混合物である。多不飽和モノマー（ｄ）、例え
ばブタジエンおよびエチレンジメタクリレートも適用で
きる。
有機／重機重合体マトリックスまたは純粋な無機重合
体マトリックスを与えるモノマー（ｄ）は、例えば周期
律表第３〜第６族および第13〜第15族元素またはランタ
ニド元素のヒドロキシル化可能および縮合可能な化合物
である。このようなヒドロキシル化可能および縮合可能
な化合物は、好ましくはSi、Al、Ｂ、Pb、Sn、Ti、Zr、
ＶおよびZnの化合物、特にSi、Al、TiおよびZrの化合物
またはそれらの混合物である。しかしながら他のヒドロ
キシル化可能な化合物も使用することができて、特に周
期律表第１および第２族元素（例えばNa、Ｋ、Caおよび
Mg）または周期律表第７〜第10族元素（例えばMn、Fe、
CoおよびNi）の化合物を使用することができる。しかし
ながら上記化合物は使用するヒドロキシル化可能なモノ
マー化合物の全量の20モル％以下、そして特に10モル％
以下であることが好ましい。
体マトリックスを与えるモノマー（ｄ）は、例えば周期
律表第３〜第６族および第13〜第15族元素またはランタ
ニド元素のヒドロキシル化可能および縮合可能な化合物
である。このようなヒドロキシル化可能および縮合可能
な化合物は、好ましくはSi、Al、Ｂ、Pb、Sn、Ti、Zr、
ＶおよびZnの化合物、特にSi、Al、TiおよびZrの化合物
またはそれらの混合物である。しかしながら他のヒドロ
キシル化可能な化合物も使用することができて、特に周
期律表第１および第２族元素（例えばNa、Ｋ、Caおよび
Mg）または周期律表第７〜第10族元素（例えばMn、Fe、
CoおよびNi）の化合物を使用することができる。しかし
ながら上記化合物は使用するヒドロキシル化可能なモノ
マー化合物の全量の20モル％以下、そして特に10モル％
以下であることが好ましい。
上記化合物中のヒドロキシル化可能な基は、例えばハ
ロゲン（Ｆ、Cl、BrおよびＩ、特にClおよびBr）、アル
コキシ基（特にC2-4アルコキシ基、例えばメトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基およ
びブトキシ基）、アリールオキシ基（特にC6-10アリー
ルオキシ基、例えばフェノキシ基）、アシロキシ基（特
にC1-4アシロキシ基、例えばアセトキシ基およびプロピ
オニルオキシ基）およびアルキルカルボニル基（例えば
アセチル基）である。
ロゲン（Ｆ、Cl、BrおよびＩ、特にClおよびBr）、アル
コキシ基（特にC2-4アルコキシ基、例えばメトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基およ
びブトキシ基）、アリールオキシ基（特にC6-10アリー
ルオキシ基、例えばフェノキシ基）、アシロキシ基（特
にC1-4アシロキシ基、例えばアセトキシ基およびプロピ
オニルオキシ基）およびアルキルカルボニル基（例えば
アセチル基）である。
上記のヒドロキシル化可能な基の外に、その他の適し
ている基として、水素および炭素原子５〜20個、特に５
〜10個のアルコキシ基、およびハロゲン−およびアルコ
キシ−置換されたアルコキシ基（例えばβ−メトキシエ
トキシ基）が挙げられる。
ている基として、水素および炭素原子５〜20個、特に５
〜10個のアルコキシ基、およびハロゲン−およびアルコ
キシ−置換されたアルコキシ基（例えばβ−メトキシエ
トキシ基）が挙げられる。
ヒドロキシル化可能な基は目的生成物中に実際上も早
や存在せず、加水分解によって失われ、加水分解生成物
は遅かれ早かれ任意の適当な方法で除去されなければな
らないので、置換基を有せず、低分子量の加水分解生成
物、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ｎ
−、ｉ−、第２−および第３−ブタノールになるように
ヒドロキシル化可能な基が特に好ましい。上記のような
基は加水分解の際に実際上pH−値に影響を与えない（例
えばハロゲンとは異なる）ので好ましい。このことは、
出発混合物のpH−値が好ましくは４〜９、特に５〜6.5
にあり、pH−値をこの範囲から明らかに移行させる加水
分解生成物を適当な物質（酸または塩基）の添加により
中和するのが好ましいので、有利なことである。
や存在せず、加水分解によって失われ、加水分解生成物
は遅かれ早かれ任意の適当な方法で除去されなければな
らないので、置換基を有せず、低分子量の加水分解生成
物、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ｎ
−、ｉ−、第２−および第３−ブタノールになるように
ヒドロキシル化可能な基が特に好ましい。上記のような
基は加水分解の際に実際上pH−値に影響を与えない（例
えばハロゲンとは異なる）ので好ましい。このことは、
出発混合物のpH−値が好ましくは４〜９、特に５〜6.5
にあり、pH−値をこの範囲から明らかに移行させる加水
分解生成物を適当な物質（酸または塩基）の添加により
中和するのが好ましいので、有利なことである。
使用する重縮合可能なモノマー（ｄ）の加水分解不可
能な基は、アルキル基（特にC1-4アルキル基、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基およびブチル基）、アル
ケニル基（特にC2-4アルケニル基、例えばビニル基、１
−プロペニル基、２−プロペニル基およびブテニル
基）、アルキニル基（特にC2-4アルキニル基、例えばア
セチレニル基およびプロパルギル基）およびアリール基
（特にC6-10アリール基、例えばフェニル基およびナフ
チル基）から選択するのが好ましく、ここで上記の基は
場合により１個またはそれ以上の置換基、例えばハロゲ
ン、ヒドロキシル基、アルコキシ基、エポキシ基、場合
により置換されたアミノ基などを持つことができる。上
記アルキル基は相当する環式基およびアリール置換され
た基、例えばシクロヘキシル基およびベンジル基も含む
が、同様にアルケニル基およびアルキニル基は、環式で
あってもよく、前記アリール基はアルカリール基（例え
ばトリル基およびキシリル基）も包含する。特に好まし
い加水分解不可能な基は、一個（または複数個）の不飽
和炭素−炭素結合を与えるような基である。このような
関係で特筆される基は、１個（または複数個）のアクリ
ルオキシ基、特に（メタ）アクリルオキシ−C1-4アルキ
ル基例えば（メタ）アクリルオキシプロピル基である。
能な基は、アルキル基（特にC1-4アルキル基、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基およびブチル基）、アル
ケニル基（特にC2-4アルケニル基、例えばビニル基、１
−プロペニル基、２−プロペニル基およびブテニル
基）、アルキニル基（特にC2-4アルキニル基、例えばア
セチレニル基およびプロパルギル基）およびアリール基
（特にC6-10アリール基、例えばフェニル基およびナフ
チル基）から選択するのが好ましく、ここで上記の基は
場合により１個またはそれ以上の置換基、例えばハロゲ
ン、ヒドロキシル基、アルコキシ基、エポキシ基、場合
により置換されたアミノ基などを持つことができる。上
記アルキル基は相当する環式基およびアリール置換され
た基、例えばシクロヘキシル基およびベンジル基も含む
が、同様にアルケニル基およびアルキニル基は、環式で
あってもよく、前記アリール基はアルカリール基（例え
ばトリル基およびキシリル基）も包含する。特に好まし
い加水分解不可能な基は、一個（または複数個）の不飽
和炭素−炭素結合を与えるような基である。このような
関係で特筆される基は、１個（または複数個）のアクリ
ルオキシ基、特に（メタ）アクリルオキシ−C1-4アルキ
ル基例えば（メタ）アクリルオキシプロピル基である。
このようなモノマー（ｄ）の例としては特に有機シラ
ン（例えば３−グリシジルオキシプロピルトリナトキシ
シラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシ
ランまたはビニルシラン）が挙げられる。モノマー
（ｄ）としては更にケイ素−、アルミニウム−、チタン
−およびジルコニウムアルコキサイド、−アクリレート
および−ハロゲン化物および他の、例えば米国特許第5,
030,608号明細書に記載されたネットワーク形成剤が適
している。
ン（例えば３−グリシジルオキシプロピルトリナトキシ
シラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシ
ランまたはビニルシラン）が挙げられる。モノマー
（ｄ）としては更にケイ素−、アルミニウム−、チタン
−およびジルコニウムアルコキサイド、−アクリレート
および−ハロゲン化物および他の、例えば米国特許第5,
030,608号明細書に記載されたネットワーク形成剤が適
している。
化合物（ｄ）および／または重合体（ｆ）はそのまま
か、または好ましくは有機溶剤中の溶液として使用する
ことができる。ここで使用される溶剤は、前記沈殿反応
に使用される溶剤と同一かまたはこれと混合できるもの
である。
か、または好ましくは有機溶剤中の溶液として使用する
ことができる。ここで使用される溶剤は、前記沈殿反応
に使用される溶剤と同一かまたはこれと混合できるもの
である。
化合物（ｄ）および場合により混合される重合体
（ｆ）は、一般に、得られる複合材料がナノスケール粒
子0.01〜90重量％および重合体マトリックス10〜99.99
重量％を含むような量で使用される。重合体（ｆ）を使
用する場合に、重合体（ｆ）と化合物（ｄ）との全量に
対するその割合は少なくとも１重量％で最大95重量％、
好ましくは最大50重量％である。
（ｆ）は、一般に、得られる複合材料がナノスケール粒
子0.01〜90重量％および重合体マトリックス10〜99.99
重量％を含むような量で使用される。重合体（ｆ）を使
用する場合に、重合体（ｆ）と化合物（ｄ）との全量に
対するその割合は少なくとも１重量％で最大95重量％、
好ましくは最大50重量％である。
存在する不飽和化合物の重合および網状化を熱的およ
び／または光化学的に誘起することのできる重合開始剤
（ｅ）としては、例えば市販の光開始剤が適している。
この例として例えばイルガキュア（IrgacureR）184（１
−ヒドロキシシクロイキシルフェニルケトン）、イルガ
キュア500（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トン、ベンゾフェノン）およびチバ−ガイギー社から入
手できるイルガキュア型のその他の光開始剤；ダロキュ
ア（DarocurR）1173、1116、1398、1174および1020（メ
ルク社から入手できる）、ベンゾフェノン、２−フロル
チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソ
プロピルチオキサントン、ベンゾイン、4,4′−ジメト
キシベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイ
ンイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール、
1,1,1−トリクロルアセトフェノン、ジエトキシアセト
フェノンおよびジベンゾスベロンが挙げられる。
び／または光化学的に誘起することのできる重合開始剤
（ｅ）としては、例えば市販の光開始剤が適している。
この例として例えばイルガキュア（IrgacureR）184（１
−ヒドロキシシクロイキシルフェニルケトン）、イルガ
キュア500（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トン、ベンゾフェノン）およびチバ−ガイギー社から入
手できるイルガキュア型のその他の光開始剤；ダロキュ
ア（DarocurR）1173、1116、1398、1174および1020（メ
ルク社から入手できる）、ベンゾフェノン、２−フロル
チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソ
プロピルチオキサントン、ベンゾイン、4,4′−ジメト
キシベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイ
ンイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール、
1,1,1−トリクロルアセトフェノン、ジエトキシアセト
フェノンおよびジベンゾスベロンが挙げられる。
熱的開始剤としては特に、ジアシルパーオキサイド、
パーオキシジカルボネート、アルキルパーエステル、ジ
アルキルパーオキサイド、パーケタール、ケトンパーオ
キサイドおよびアルキルヒドロパーオキサイドの形の有
機パーオキサイドが挙げられる。このような熱的開始剤
の具体例はジベンゾイルパーオキサイド、第３−ブチル
パーベンゾエートおよびアゾビスイソブチロニトリルで
ある。
パーオキシジカルボネート、アルキルパーエステル、ジ
アルキルパーオキサイド、パーケタール、ケトンパーオ
キサイドおよびアルキルヒドロパーオキサイドの形の有
機パーオキサイドが挙げられる。このような熱的開始剤
の具体例はジベンゾイルパーオキサイド、第３−ブチル
パーベンゾエートおよびアゾビスイソブチロニトリルで
ある。
重縮合を誘起する重合触媒（ｅ）は例えば、アニオン
性重縮合にはブレンステッド−酸および−塩基、例えば
鉱酸または第３アミン、そしてカチオン性重縮合にはル
イス酸、例えば金属アルコレート（例えばエポキシシラ
ンの場合にはアルミニウムアルコレート）である。
性重縮合にはブレンステッド−酸および−塩基、例えば
鉱酸または第３アミン、そしてカチオン性重縮合にはル
イス酸、例えば金属アルコレート（例えばエポキシシラ
ンの場合にはアルミニウムアルコレート）である。
重合開始剤（ｅ）は通常、混合物に対して0.1〜５、
好ましくは0.5〜３重量％の量で使用される。
好ましくは0.5〜３重量％の量で使用される。
使用する反応成分が無機ネットワーク中に導入できる
基を含有しているときは、水の添加によってこの基の加
水分解および重縮合が行われる。添加水の全量対全使用
出発化合物中の加水分解可能な基の割合は、好ましくは
1:1〜0.3:1、特に0.7:1〜0.5:1である。重縮合は例え
ば、０℃ないし使用溶剤の沸点までの温度、通常は室温
で大気中で行うことができる。反応の終了は例えばカー
ル・フィッシャー適度法によって決定できる。
基を含有しているときは、水の添加によってこの基の加
水分解および重縮合が行われる。添加水の全量対全使用
出発化合物中の加水分解可能な基の割合は、好ましくは
1:1〜0.3:1、特に0.7:1〜0.5:1である。重縮合は例え
ば、０℃ないし使用溶剤の沸点までの温度、通常は室温
で大気中で行うことができる。反応の終了は例えばカー
ル・フィッシャー適度法によって決定できる。
反応混合物はそのままか、または使用した有機溶剤ま
たは反応中に生成した溶剤（例えばアルコキサイドの加
水分解によって生成するアルコール）の一部または全部
を除去した後に更に加工処理することができる。
たは反応中に生成した溶剤（例えばアルコキサイドの加
水分解によって生成するアルコール）の一部または全部
を除去した後に更に加工処理することができる。
被覆する場合には、反応混合物をその粘度を関連し
て、直接にかまたは溶剤を一部除去した後または更に溶
剤を添加した後に基質上に施こし、次いで乾燥する。
て、直接にかまたは溶剤を一部除去した後または更に溶
剤を添加した後に基質上に施こし、次いで乾燥する。
成形体を製造する場合には、反応混合物を例えば適当
な型に注入し、次に溶剤を完全に取除いて、ゲルを残留
させる。
な型に注入し、次に溶剤を完全に取除いて、ゲルを残留
させる。
次にこの物質を重合体マトリックスおよび使用する重
合開始剤（ｅ）の種類により、熱によりそして／または
活性線（例えば紫外線またはレーザー光線）の照射によ
って硬化する。硬化条件（温度、紫外線波長など）は、
不飽和基の重合の場合には、重合開始剤の分解条件に従
う。熱による硬化は通常150℃以下の温度で行われる。
合開始剤（ｅ）の種類により、熱によりそして／または
活性線（例えば紫外線またはレーザー光線）の照射によ
って硬化する。硬化条件（温度、紫外線波長など）は、
不飽和基の重合の場合には、重合開始剤の分解条件に従
う。熱による硬化は通常150℃以下の温度で行われる。
本発明による複合材料は、重合体マトリックス中に約
0.5〜20mmの平均粒径のナノスケール粒子（クラスタ
ー）を含有している。反応成分および反応条件を適当に
選択することにより、所定のクラスター寸法およびクラ
スター分布に調節することができる。
0.5〜20mmの平均粒径のナノスケール粒子（クラスタ
ー）を含有している。反応成分および反応条件を適当に
選択することにより、所定のクラスター寸法およびクラ
スター分布に調節することができる。
本発明による複合材料は、透明の重合体成分を使用す
る場合には、光学的用途に極めて適している。光学的透
明成形体および被覆物を製造することができ、例えばレ
ーザー書込み、エンポスまたは光マスク技術によって形
成することができる。
る場合には、光学的用途に極めて適している。光学的透
明成形体および被覆物を製造することができ、例えばレ
ーザー書込み、エンポスまたは光マスク技術によって形
成することができる。
応用分野としては特に次のものがある：受動的用途の
ための調節可能に構成された線状光学素子、例えばフィ
ルターまたは導波管；能動的用途のための調節可能に構
成された非線状光学素子、例えば信号加工、コンピュー
ター、周波数倍増または３倍増、光情報伝達用光増幅、
レーザー、レーザー自動集点、光波混成、相合成または
ホログロフィー、例えば光スイッチ、脱色可能なアブソ
ーバーおよびホログラフィー素子；光電圧固体電池、光
電気化学的太陽電池および量子点半導体。
ための調節可能に構成された線状光学素子、例えばフィ
ルターまたは導波管；能動的用途のための調節可能に構
成された非線状光学素子、例えば信号加工、コンピュー
ター、周波数倍増または３倍増、光情報伝達用光増幅、
レーザー、レーザー自動集点、光波混成、相合成または
ホログロフィー、例えば光スイッチ、脱色可能なアブソ
ーバーおよびホログラフィー素子；光電圧固体電池、光
電気化学的太陽電池および量子点半導体。
発明を実施するための最良の形態 以下の実施例によって本発明を更に詳しく説明する。
実施例１ 酢酸カドミウム２×10-3モルを室温でエタノールに20
0mlに溶解し、３−アミノプロピルトリエトキシシラン
２×10-3モルを添加する。この混合物をN2−雰囲気下で
脱気する。この混合物にH2S 5×10-3モルを添加し、室
温で10分間かきまぜる。続いて真空中で溶剤150mlを蒸
留する。
0mlに溶解し、３−アミノプロピルトリエトキシシラン
２×10-3モルを添加する。この混合物をN2−雰囲気下で
脱気する。この混合物にH2S 5×10-3モルを添加し、室
温で10分間かきまぜる。続いて真空中で溶剤150mlを蒸
留する。
得られた溶液に３−グリシジルオキシプロピルトリメ
トキシシラン２×10-1モルを添加し、15分間かきまぜた
後、アルミニウムトリブトキシエタノレート２×10-2モ
ルを添加する。室温で30分間かきまぜた後、加水分解の
ためにこの混合物に水3.6×10-1モルを添加する。続い
て３時間かきまぜる。
トキシシラン２×10-1モルを添加し、15分間かきまぜた
後、アルミニウムトリブトキシエタノレート２×10-2モ
ルを添加する。室温で30分間かきまぜた後、加水分解の
ためにこの混合物に水3.6×10-1モルを添加する。続い
て３時間かきまぜる。
得られた被覆溶液を浸漬によりガラス基質上に施こ
し、60℃で60分間硬化する。成形体を製造するために、
残りの溶剤を真空蒸留し、得られた粘稠溶液を型に注入
し、60℃で１時間硬化する。
し、60℃で60分間硬化する。成形体を製造するために、
残りの溶剤を真空蒸留し、得られた粘稠溶液を型に注入
し、60℃で１時間硬化する。
実施例２ 実施例１と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りにＮ−［２−アミノエチル］−３−
アミノプロピルトリメトキシシランを使用する。
トキシシランの代りにＮ−［２−アミノエチル］−３−
アミノプロピルトリメトキシシランを使用する。
実施例３ 実記例１と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りにトリアミノ変性されたプロピルト
リメトキシシラン［H2N−（CH2）2NH（CH2）2NH（CH2）
3Si（OCH3）３］を使用する。
トキシシランの代りにトリアミノ変性されたプロピルト
リメトキシシラン［H2N−（CH2）2NH（CH2）2NH（CH2）
3Si（OCH3）３］を使用する。
実施例４ 実施例１と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りに３−メルカプトプロピルトリエト
キシシランを使用する。
トキシシランの代りに３−メルカプトプロピルトリエト
キシシランを使用する。
実施例５ 酢酸カドミウム２×10-3モルを室温でエタノール200m
lに溶解し、ビス［３−トリエトキシシリルプロピル］
−テトラサルファイド２×10-3を添加する。この混合物
をN2雰囲気下で脱気する。続いてこの溶液にエタノール
10ml中のナトリウムホウ水素化物２×10-3モルを添加
し、室温で30分間かきまぜ、続いて真空中で溶剤150ml
を蒸留する。
lに溶解し、ビス［３−トリエトキシシリルプロピル］
−テトラサルファイド２×10-3を添加する。この混合物
をN2雰囲気下で脱気する。続いてこの溶液にエタノール
10ml中のナトリウムホウ水素化物２×10-3モルを添加
し、室温で30分間かきまぜ、続いて真空中で溶剤150ml
を蒸留する。
得られた溶液に先づ３−グリシジルオキシプロピルト
リメトキシシラン２×10-1モルを添加し、15分間かきま
ぜた後アルミニウムトリブトキシエタノレート２×10-2
モルを添加する。室温で30分間かきまぜた後、この混合
物に加水分解のために水3.6×10-1を添加する。続いて
３時間かきまぜる。
リメトキシシラン２×10-1モルを添加し、15分間かきま
ぜた後アルミニウムトリブトキシエタノレート２×10-2
モルを添加する。室温で30分間かきまぜた後、この混合
物に加水分解のために水3.6×10-1を添加する。続いて
３時間かきまぜる。
得られた被覆用溶液を浸漬によりガラス基質上に施こ
し、60℃で60分間硬化する。成形体を製造するために、
残りの溶液を真空蒸留し、得られた粘稠溶液を型に注入
し、60℃で１時間硬化する。
し、60℃で60分間硬化する。成形体を製造するために、
残りの溶液を真空蒸留し、得られた粘稠溶液を型に注入
し、60℃で１時間硬化する。
実施例６ 実施例１と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りに、（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸無水物２×10-2モルおよび水２×10-2
モルから新たに製造した（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸を使用する。
トキシシランの代りに、（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸無水物２×10-2モルおよび水２×10-2
モルから新たに製造した（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸を使用する。
実施例７ 酢酸カドミウム２×10-3モルを室温でエタノール200m
lに溶解し、３−アミノプロピルトリエトキシシラン２
×10-2モルを添加する。この混合物をN2雰囲気下で脱気
する。この混合物にH2S2×10-2モルを添加し、室温（R
T）で10分間かきまぜ、続いて溶剤150mlを蒸留する。
lに溶解し、３−アミノプロピルトリエトキシシラン２
×10-2モルを添加する。この混合物をN2雰囲気下で脱気
する。この混合物にH2S2×10-2モルを添加し、室温（R
T）で10分間かきまぜ、続いて溶剤150mlを蒸留する。
得られた溶液に次に３−メタクリルオキシプロピルト
リメトキシシラン２×10-1モルを添加し、室温で15分間
かきまぜる。この混合物に加水分解のためにH2O 3.3×1
0-1モルを添加し、室温で３時間かきまぜる。基質を被
覆し、成形体を製造するために、得られた粘稠溶液に１
重量％の第３−ブチルパーベンゾエートを添加する。実
施例１と同様に更に加工処理する。
リメトキシシラン２×10-1モルを添加し、室温で15分間
かきまぜる。この混合物に加水分解のためにH2O 3.3×1
0-1モルを添加し、室温で３時間かきまぜる。基質を被
覆し、成形体を製造するために、得られた粘稠溶液に１
重量％の第３−ブチルパーベンゾエートを添加する。実
施例１と同様に更に加工処理する。
実施例８ 実施例７と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りにＮ−［２−アミノエチル］−３−
アミノプロピルトリエトキシシランを使用する。
トキシシランの代りにＮ−［２−アミノエチル］−３−
アミノプロピルトリエトキシシランを使用する。
実施例９ 実施例７と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りにトリアミノ変性されたプロピルト
リメトキシシラン［H2N−（CH2）2NH（CH2）NH（CH2）3
Si（OCH3）３］を使用する。
トキシシランの代りにトリアミノ変性されたプロピルト
リメトキシシラン［H2N−（CH2）2NH（CH2）NH（CH2）3
Si（OCH3）３］を使用する。
実施例10 実施例７と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りに３−メルカプトプロピルトリエト
キシシランを使用する。
トキシシランの代りに３−メルカプトプロピルトリエト
キシシランを使用する。
実施例11 酢酸カドミウム２×10-3モルを室温でエタノール200m
lに溶解し、ビス−［３−トリエトキシシリルプロピ
ル］−テトラサルファイド２×10-2モルを添加する。こ
の混合物をN2雰囲気下で脱気する。続いてこの混合物に
エタノール10ml中のナトリウムホウ水素化物２×10-2モ
ルを添加し、室温で30分間かきまぜる。溶剤150mlを蒸
留した後、更に実施例７と同様に加工処理する。
lに溶解し、ビス−［３−トリエトキシシリルプロピ
ル］−テトラサルファイド２×10-2モルを添加する。こ
の混合物をN2雰囲気下で脱気する。続いてこの混合物に
エタノール10ml中のナトリウムホウ水素化物２×10-2モ
ルを添加し、室温で30分間かきまぜる。溶剤150mlを蒸
留した後、更に実施例７と同様に加工処理する。
実施例12 実施例７と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りに、（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸無水物２×10-2モルおよび水２×10-2
モルから新たに製造した（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸を使用する。
トキシシランの代りに、（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸無水物２×10-2モルおよび水２×10-2
モルから新たに製造した（３−トリエトキシシリルプロ
ピル）−コハク酸を使用する。
実施例13 実施例１と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例14 実施例２と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例15 実施例３と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例16 実施例４と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例17 実施例５と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例18 実施例６と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例19 実施例７と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例20 実施例８と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例21 実施例９と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例22 実施例10と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例23 実施例11と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例24 実施例12と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例25 実施例７と同様に行うが、３−アミノプロピルトリエ
トキシシランの代りにメタクリル酸を使用する。
トキシシランの代りにメタクリル酸を使用する。
実施例26 実施例25と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例27 実施例25と同様に行うが、３−メタクリルオキシプロ
ピルトリメトキシシランの代りにトリエチレングリコー
ルジメタクリレートを使用する。
ピルトリメトキシシランの代りにトリエチレングリコー
ルジメタクリレートを使用する。
実施例28 実施例27と同様に行うが、酢酸カドミウムの代りに硝
酸銀を使用する。
酸銀を使用する。
実施例29 酢酸カドミウム0.1モルを室温でエタノール250mlに溶
解し、３−アミノプロピルトリエトキシシラン２モルを
添加する。この混合物をN2雰囲気下で脱気する。この混
合物に（CH3）３−Si−Ｓ−Si（CH3）３（テトラヒドロ
フランで1:1に希釈する）を滴加する。続いで真空中で
溶剤200mlを蒸留する。
解し、３−アミノプロピルトリエトキシシラン２モルを
添加する。この混合物をN2雰囲気下で脱気する。この混
合物に（CH3）３−Si−Ｓ−Si（CH3）３（テトラヒドロ
フランで1:1に希釈する）を滴加する。続いで真空中で
溶剤200mlを蒸留する。
実施例１と同様に更に加工処理を行う。この処理工程
の成形では、実施例２〜４および13の条件を適用する。
の成形では、実施例２〜４および13の条件を適用する。
実施例30 酢酸亜鉛（Zn（Ac）２・2H2O）0.1モルを80℃（３時
間）でエタノール260mlに溶解し、この溶液を室温に冷
却し、２−アミノプロピルトリエトキシシラン２モルを
添加する。この混合物をN2で満たす。実施例29のように
更に加工処理を行う。
間）でエタノール260mlに溶解し、この溶液を室温に冷
却し、２−アミノプロピルトリエトキシシラン２モルを
添加する。この混合物をN2で満たす。実施例29のように
更に加工処理を行う。
実施例31 実施例30と同様に行うが、酢酸亜鉛の代りに鉛エトキ
シエタノレートを使用する。
シエタノレートを使用する。
実施例32 HAuCl40.01モルをエタノール50mlに溶解し、トリアミ
ノ官能化されたシランで処理する（Au/Siモル比は1/5〜
1:100の範囲内にある）。
ノ官能化されたシランで処理する（Au/Siモル比は1/5〜
1:100の範囲内にある）。
このとき自動的に金属クラスターの生成および長期間
安定なゾルの生成が起る。実施例７と同様にして、すな
わちこの溶液に３−メタクリルオキシプロピルトリメト
キシシラン（MEMO）0.2モルを添加し、更に加工処理す
る。
安定なゾルの生成が起る。実施例７と同様にして、すな
わちこの溶液に３−メタクリルオキシプロピルトリメト
キシシラン（MEMO）0.2モルを添加し、更に加工処理す
る。
実施例33 実施例32と同様に行うが、HAuCl4の代りに酢酸銀また
は硝酸銀を使用する。
は硝酸銀を使用する。
実施例34 実施例32と同様に行うが、HAuCl4の代りにH2PtCl6を
使用する。
使用する。
実施例35 HAuCl40.01モルをエタノール50mlに溶解し、Ｎ−アミ
ノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（DI
AMO）で処理する。続いてMEMO−前加水分解物0.1モルを
添加する。得られた被覆用溶液にアゾイソブチロニトリ
ル開始剤0.1重量％を添加し、ガラス基質の被覆のため
に更に加工処理する。湿潤フィルムを光化学的に処理す
る（紫外線照射、１分間、20℃）。このときにAu粒子の
形成およびマトリックスの硬化が同時に起る。
ノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（DI
AMO）で処理する。続いてMEMO−前加水分解物0.1モルを
添加する。得られた被覆用溶液にアゾイソブチロニトリ
ル開始剤0.1重量％を添加し、ガラス基質の被覆のため
に更に加工処理する。湿潤フィルムを光化学的に処理す
る（紫外線照射、１分間、20℃）。このときにAu粒子の
形成およびマトリックスの硬化が同時に起る。
実施例36 実施例35と同様に行うが、HAuCl4の代りに酢酸銀また
は硝酸銀を使用する。
は硝酸銀を使用する。
実施例37 実施例35と同様に行うが、HAuCl4の代りにH2PtCl6を
使用する。
使用する。
実施例38 ナノ結晶性ZnOにエタノール中でDIAMOを添加し（ZnO/
DIAMOのモル比＝1:20）、室温でMEMO−前加水分解物に
導入する。ZnO/DIAMOのモル比は1/3〜1:100の間で変え
ることができる。溶剤を除去し、生成物は成形体の製造
に使用する。
DIAMOのモル比＝1:20）、室温でMEMO−前加水分解物に
導入する。ZnO/DIAMOのモル比は1/3〜1:100の間で変え
ることができる。溶剤を除去し、生成物は成形体の製造
に使用する。
実施例39 実施例38と同様に行うが、ZnOの代りにTiO2を使用す
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルパック，エルツグルル トルコ共和国 アンタリア、フェン・エ デビヤット・ファキュールテシ、アクデ ニッツ・ユニヴァーシテシ（番地なし) (72)発明者 ナース，レーディガー ドイツ連邦共和国 リエゲルスベルク、 ヴァイール シュトラーセ ７ (72)発明者 シュミット，ヘルムート ドイツ連邦共和国 ザールブリューケン −ゲーディンゲン、イム・ケーニグスフ ェルト 29 (56)参考文献 特開 平２−80404（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−305001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−95130（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08F 2/44 - 2/48
Claims (11)
- 【請求項１】有機溶剤中で、 ａ）周期律表第６〜15族金属またはランタニド金属の溶
剤可溶性化合物を、 ｂ）金属化合物（ａ）の金属のアンチモン化物、ヒ素化
物、カルコゲン化物、ハロゲン化物またはリン化物を生
成するための沈殿剤と、 ｃ）少なくとも１個の電子対−ドナー基および少なくと
も１個の重合または重縮合により有機または無機ネット
ワークを形成し得る基を有する２官能性化合物の存在下
で、反応させ、こうして得られた安定化されたナノスケ
ール粒子ゾルを、 ｄ）熱的または光化学的に重合体に硬化または重合する
ことのできる化合物および ｅ）重合開始剤と混合し、 場合により存在していて無機ネットワークを形成し得る
基の加水分解または重縮合を行い、この物質を熱的また
は光化学的に硬化すること を特徴とするナノスケール粒子含有複合材料の製法。 - 【請求項２】熱的または光化学的に重合体に硬化または
重合することのできる化合物（ｄ）の有機溶剤中の溶液
を使用することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の
製法。 - 【請求項３】ナノスケール粒子の安定化されたゾルを更
に有機溶剤可溶性重合体（ｆ）と混合することを特徴と
する請求の範囲第１項に記載の製法。 - 【請求項４】有機溶剤として、アルコール、エーテル、
エステル、脂肪族または芳香族炭化水素を使用すること
を特徴とする請求の範囲第１項に記載の製法。 - 【請求項５】沈殿剤（ｂ）として、相当するアニオンの
塩、相当する水素化合物または本来の沈殿剤がその場で
遊離されるような化合物を使用することを特徴とする請
求の範囲第１に記載の製法。 - 【請求項６】沈殿剤（ｂ）を、金属化合物（ａ）に対し
て、化学量論的に僅かに過剰な量で使用することを特徴
とする請求の範囲第１項に記載の製法。 - 【請求項７】金属化合物（ａ）対２官能性化合物（ｃ）
のモル比が約1:1〜1:50であることを特徴とする請求の
範囲第１項に記載の製法。 - 【請求項８】熱的または光化学的に重合体に硬化または
重合することのできる化合物（ｄ）および場合により混
合される有機溶剤可溶性重合体（ｆ）を、得られる複合
材料がナノスケールまたは0.01〜90重量％および重合体
マトリックス10〜99.99重量％を含有するような量で使
用することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の製
法。 - 【請求項９】請求の範囲第１項に記載の製法によって得
られるナノスケール粒子含有複合材料。 - 【請求項１０】被覆または成形体の形の請求の範囲第９
項に記載の複合材料。 - 【請求項１１】請求の範囲第10項に記載の透明複合材料
よりなる光学素子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4133621A DE4133621A1 (de) | 1991-10-10 | 1991-10-10 | Nanoskalige teilchen enthaltende kompositmaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung fuer optische elemente |
| DE4133621.6 | 1991-10-10 | ||
| PCT/EP1992/002327 WO1993007179A2 (de) | 1991-10-10 | 1992-10-09 | Nanoskalige teilchen enthaltende kompositmaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung für optische elemente |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07502055A JPH07502055A (ja) | 1995-03-02 |
| JP3115323B2 true JP3115323B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=6442447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05506632A Expired - Lifetime JP3115323B2 (ja) | 1991-10-10 | 1992-10-09 | ナノスケール粒子含有複合材料、その製造および該材料からなる光学素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| EP (1) | EP0607213B1 (ja) |
| JP (1) | JP3115323B2 (ja) |
| DE (2) | DE4133621A1 (ja) |
| WO (1) | WO1993007179A2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US5817410A (en) * | 1991-11-18 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nonlinear optical composites using linear transparent substances and method for producing the same |
| DE4338361A1 (de) * | 1993-11-10 | 1995-05-11 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Zusammensetzungen auf der Basis von Epoxidgruppen-haltigen Silanen |
| US5587422A (en) * | 1994-05-18 | 1996-12-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Single phase solids containing metalloploymers |
| EP1315006A1 (en) * | 1994-06-22 | 2003-05-28 | Fujitsu Limited | Method of producing optical waveguide system, optical device and optical coupler employing the same, optical network and optical circuit board |
| DE19544912A1 (de) * | 1995-12-01 | 1997-06-05 | Gore W L & Ass Gmbh | PTFE-Körper aus mikroporösem Polytetrafluorethylen mit Füllstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6126740A (en) * | 1995-09-29 | 2000-10-03 | Midwest Research Institute | Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films |
| US5711803A (en) * | 1995-09-29 | 1998-01-27 | Midwest Research Institute | Preparation of a semiconductor thin film |
| DE19540623A1 (de) * | 1995-10-31 | 1997-05-07 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Kompositmaterialien mit hohem Grenzflächenanteil und dadurch erhältliche Kompositmaterialien |
| DE19613645A1 (de) * | 1996-04-04 | 1997-10-09 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Optische Bauteile mit Gradientenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| EP0880349A4 (en) * | 1996-09-27 | 2005-04-13 | Southwest Res Inst | METAL OXIDE COMPOUNDS AND METHOD |
| DE19706515A1 (de) * | 1997-02-19 | 1998-08-20 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Hydroxylgruppen-arme organisch/anorganische Komposite, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
| DE19710685B4 (de) * | 1997-03-14 | 2005-12-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Nanokristalline Partikel enthaltendes Material, Verfahren zur Herstellung und dessen Verwendung |
| US6099798A (en) * | 1997-10-31 | 2000-08-08 | Nanogram Corp. | Ultraviolet light block and photocatalytic materials |
| US7226966B2 (en) * | 2001-08-03 | 2007-06-05 | Nanogram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
| DE19740343A1 (de) * | 1997-09-13 | 1998-09-17 | Kuhnke Gmbh Kg H | Vorrichtung, insbesondere fluidische oder elektromagnetische Vorrichtung |
| AU752003B2 (en) * | 1997-10-03 | 2002-09-05 | Dentsply International Inc. | Dental materials having a nanoscale filler |
| DE19756790A1 (de) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Fraunhofer Ges Forschung | Prepolymer mit darin isoliert dispergierten nanoskaligen Feststoffteilchen, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
| US7347974B1 (en) * | 1998-05-04 | 2008-03-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Materials, method and apparatus for detection and monitoring of chemical species |
| GB9815270D0 (en) * | 1998-07-14 | 1998-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Particles and devices comprising particles |
| GB9815271D0 (en) | 1998-07-14 | 1998-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Particles and devices comprising particles |
| US6329058B1 (en) | 1998-07-30 | 2001-12-11 | 3M Innovative Properties Company | Nanosize metal oxide particles for producing transparent metal oxide colloids and ceramers |
| US6294401B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-09-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same |
| CN1094467C (zh) * | 1999-02-15 | 2002-11-20 | 上海跃龙有色金属有限公司 | 纳米铈锆复合氧化物、其制备方法及用途 |
| DE19948548B4 (de) | 1999-04-19 | 2006-04-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Pastöse Massen mit nanokristallinen Materialien für elektrochemische Bauelemente und daraus hergestellte Schichten und elektrochemische Bauelemente |
| GB9923747D0 (en) * | 1999-10-07 | 1999-12-08 | Welding Inst | Composite materials,their production and uses |
| DE19952040A1 (de) | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Substrat mit einem abriebfesten Diffusionssperrschichtsystem |
| US6730156B1 (en) | 1999-10-28 | 2004-05-04 | 3M Innovative Properties Company | Clustered particle dental fillers |
| US6387981B1 (en) | 1999-10-28 | 2002-05-14 | 3M Innovative Properties Company | Radiopaque dental materials with nano-sized particles |
| US6572693B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Aesthetic dental materials |
| US6376590B2 (en) | 1999-10-28 | 2002-04-23 | 3M Innovative Properties Company | Zirconia sol, process of making and composite material |
| JP4537528B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 光記録媒体 |
| AT411306B (de) * | 2000-04-27 | 2003-11-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
| AT410729B (de) | 2000-04-27 | 2003-07-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten |
| AT410859B (de) * | 2000-04-27 | 2003-08-25 | Qsel Quantum Solar Energy Linz | Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten |
| JP3559962B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2004-09-02 | 日本航空電子工業株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| FR2816756B1 (fr) * | 2000-11-15 | 2003-10-31 | Univ Paris Curie | Procede d'obtention d'une composition polymere dopee par des nanoparticules pour la realisation de materiaux composites polymeres, dispositif pour sa mise en oeuvre, composition et materiaux obtenus |
| DE10136583B4 (de) * | 2000-11-24 | 2006-01-05 | Nanosolutions Gmbh | Phasentransfer von Nanopartikeln, Nanopartikel enthaltende wässrige oder alkoholische Phase und deren Verwendung |
| JP4429602B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2010-03-10 | ナノゲート アーゲー | ナノ粒子の相間移動 |
| US6458462B1 (en) | 2000-12-13 | 2002-10-01 | 3M Innovative Properties Company | Sporting goods having a ceramer coating |
| US6518353B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-02-11 | Eastman Kodal Company | Reduced temperature sensitive polymeric optical article and method of making same |
| US6586096B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-07-01 | Eastman Kodak Company | Polymethylmethacrylate nanocomposite optical article and method of making same |
| US6441077B1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-08-27 | Eastman Kodak Company | Polysulfone nanocomposite optical plastic article and method of making same |
| US6498208B2 (en) * | 2000-12-22 | 2002-12-24 | Eastman Kodak Company | Polystyrene nanocomposite optical plastic article and method of making same |
| US6759452B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-07-06 | Eastman Kodak Company | Polycarbonate nanocomposite optical plastic article and method of making same |
| US6552111B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-04-22 | Eastman Kodak Company | Cyclic olefin polymeric nanocomposite optical plastic article and method of making same |
| US7265174B2 (en) * | 2001-03-22 | 2007-09-04 | Clemson University | Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions |
| DE10118309C2 (de) * | 2001-04-12 | 2003-03-20 | Bayer Ag | Anionisch stabilisierte, wässrige Dispersionen von nanopartikulärem Zinkoxid, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
| US6846870B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-01-25 | Sunoco, Inc. (R&M) | Hydrotalcites, syntheses, and uses |
| US6979708B2 (en) | 2001-08-23 | 2005-12-27 | Sunoco, Inc. (R&M) | Hydrotalcites, syntheses, and uses |
| US7588699B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-09-15 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Electrically conductive, optically transparent polymer/carbon nanotube composites and process for preparation thereof |
| US6642295B2 (en) | 2001-12-21 | 2003-11-04 | Eastman Kodak Company | Photoresist nanocomposite optical plastic article and method of making same |
| DE10200648A1 (de) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verfahren zur Herstellung Optischer Elemente mit Gradientenstruktur |
| DE10200760A1 (de) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Clariant Gmbh | Nanokompositmaterial zur Herstellung von Brechzahlgradientenfolien |
| JP2004168846A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Asahi Glass Co Ltd | 複合微粒子およびその製造方法 |
| TWI252215B (en) * | 2003-03-27 | 2006-04-01 | Univ Nat Central | Zirconia sol and method of preparing the same |
| JP4283026B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2009-06-24 | 株式会社日本触媒 | 光学樹脂用添加剤とその製造方法および光学樹脂組成物 |
| WO2005008310A1 (ja) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Konica Minolta Opto, Inc. | 撮像レンズ及び撮像装置 |
| US6913830B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-07-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coating compositions containing semiconductor colorants |
| US11591436B2 (en) | 2004-09-01 | 2023-02-28 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethane article and methods of making the same |
| US9464169B2 (en) | 2004-09-01 | 2016-10-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethanes, articles and coatings prepared therefrom and methods of making the same |
| US11008418B2 (en) | 2004-09-01 | 2021-05-18 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethanes, articles and coatings prepared therefrom and methods of making the same |
| US11149107B2 (en) | 2004-09-01 | 2021-10-19 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethanes, articles and coatings prepared therefrom and methods of making the same |
| US20090280329A1 (en) | 2004-09-01 | 2009-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethanes, Articles and Coatings Prepared Therefrom and Methods of Making the Same |
| US8178615B2 (en) * | 2004-09-01 | 2012-05-15 | Ppg Industries Ohio, Inc | Process for making polymers having nanostructures incorporated into the matrix of the polymer |
| US9598527B2 (en) | 2004-09-01 | 2017-03-21 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethanes, articles and coatings prepared therefrom and methods of making the same |
| US20090280709A1 (en) | 2004-09-01 | 2009-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polyurethanes, Articles and Coatings Prepared Therefrom and Methods of Making the Same |
| US11248083B2 (en) | 2004-09-01 | 2022-02-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Aircraft windows |
| US7507480B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-03-24 | Brookhaven Science Associates, Llc | Corrosion-resistant metal surfaces |
| US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US7749761B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-07-06 | Industrial Technology Research Institute | Hydrogel composition for cell culture apparatus |
| US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US8849087B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| EP2041478B1 (en) | 2006-03-07 | 2014-08-06 | QD Vision, Inc. | An article including semiconductor nanocrystals |
| US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| EP2022123B1 (en) | 2006-05-04 | 2016-09-28 | LG Chem, Ltd. | Electrochemical energy storage device with high capacity and high power using conductive polymer composite |
| US8822030B2 (en) | 2006-08-11 | 2014-09-02 | Aqua Resources Corporation | Nanoplatelet metal hydroxides and methods of preparing same |
| US7892447B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-02-22 | Aqua Resources Corporation | Nanoplatelet metal hydroxides and methods of preparing same |
| WO2008063658A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
| WO2008063653A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
| WO2008063652A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
| US8322754B2 (en) * | 2006-12-01 | 2012-12-04 | Tenaris Connections Limited | Nanocomposite coatings for threaded connections |
| US7972691B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-07-05 | Nanogram Corporation | Composites of polymers and metal/metalloid oxide nanoparticles and methods for forming these composites |
| EP2114349B1 (en) | 2006-12-28 | 2016-09-14 | 3M Innovative Properties Company | Dental filler and methods |
| US8836212B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
| US8119233B2 (en) * | 2007-02-17 | 2012-02-21 | Nanogram Corporation | Functional composites, functional inks and applications thereof |
| WO2009014590A2 (en) | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions and methods including depositing nanomaterial |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
| EP2231760A1 (en) * | 2007-12-28 | 2010-09-29 | Dow Global Technologies Inc. | Small scale functional materials |
| EP2225604A1 (en) * | 2007-12-28 | 2010-09-08 | Dow Global Technologies Inc. | Phase compensation film comprising polymer nanoparticles imbibed with liquid crystal material |
| WO2009145813A1 (en) | 2008-03-04 | 2009-12-03 | Qd Vision, Inc. | Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods |
| JP2009256616A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | グリセリン変性シリコーン及びそれを含む化粧料 |
| US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| JP5532648B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2014-06-25 | 信越化学工業株式会社 | カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンで表面処理された粉体、該粉体の分散物および該粉体を含む化粧料 |
| KR101995371B1 (ko) | 2008-04-03 | 2019-07-02 | 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
| JP5353357B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-11-27 | 信越化学工業株式会社 | カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン |
| EP2297762B1 (en) | 2008-05-06 | 2017-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
| JP5661040B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2015-01-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ジルコニア及びシリカナノ粒子を含む充填剤、並びにコンポジット材料 |
| CN102272218B (zh) | 2009-01-08 | 2014-07-16 | 纳克公司 | 聚硅氧烷聚合物与无机纳米颗粒的复合物 |
| US20100264371A1 (en) * | 2009-03-19 | 2010-10-21 | Nick Robert J | Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods |
| CN105713599B (zh) | 2009-08-14 | 2018-09-11 | 三星电子株式会社 | 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法 |
| JP5744033B2 (ja) | 2009-09-09 | 2015-07-01 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | ナノ粒子を含む粒子、それの使用および方法 |
| WO2011031876A1 (en) | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Qd Vision, Inc. | Formulations including nanoparticles |
| JP2011256394A (ja) * | 2011-08-09 | 2011-12-22 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 |
| US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
| EP2900409B1 (en) | 2012-09-27 | 2019-05-22 | Rhodia Operations | Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process |
| AR100953A1 (es) | 2014-02-19 | 2016-11-16 | Tenaris Connections Bv | Empalme roscado para una tubería de pozo de petróleo |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3891594A (en) * | 1972-04-07 | 1975-06-24 | Lynn J Taylor | Direct synthesis of composite materials |
| JPS6137817A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-22 | Toray Ind Inc | ポリエステルの製造方法 |
| JPH0735407B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1995-04-19 | 住友化学工業株式会社 | 反応性モノマ−を分散媒とする酸化物ゾル |
| DE3824333A1 (de) * | 1988-07-18 | 1990-01-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur fixierung einer anorganischen spezies in einer organischen matrix |
| JPH04305001A (ja) * | 1989-08-23 | 1992-10-28 | Fraunhofer Ges | 酸化物マトリックス中に金属小粒子または金属酸化物小粒子を含む複合材料の製造方法 |
| JP3133357B2 (ja) * | 1990-06-11 | 2001-02-05 | 日本エーアールシー株式会社 | 高屈折率耐擦傷性被膜形成用コーティング組成物および該組成物を用いる成形体 |
| AU653825B2 (en) * | 1991-06-25 | 1994-10-13 | Itoh Optical Industrial Co., Ltd. | Coating composition for optical plastic moldings |
-
1991
- 1991-10-10 DE DE4133621A patent/DE4133621A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-10-09 US US08/211,431 patent/US5470910A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-09 WO PCT/EP1992/002327 patent/WO1993007179A2/de active IP Right Grant
- 1992-10-09 EP EP92920737A patent/EP0607213B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-09 DE DE59207816T patent/DE59207816D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-09 JP JP05506632A patent/JP3115323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1993007179A3 (de) | 1993-05-27 |
| DE4133621A1 (de) | 1993-04-22 |
| US5470910A (en) | 1995-11-28 |
| DE59207816D1 (de) | 1997-02-13 |
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| EP0607213B1 (de) | 1997-01-02 |
| JPH07502055A (ja) | 1995-03-02 |
| EP0607213A1 (en) | 1994-07-27 |
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