JP3108455B2 - ブレークダウン電圧の測定方法 - Google Patents
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/1227—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ブレークダウン電圧の
測定方法に関し、特にダイオード，サイリスタその他各
種半導体装置のブレークダウン電圧の自動測定に適した
測定方法に関するものである。
測定方法に関し、特にダイオード，サイリスタその他各
種半導体装置のブレークダウン電圧の自動測定に適した
測定方法に関するものである。
【０００２】
【技術背景】近年、半導体装置の微細化が進んでおり、
該半導体装置にジュール熱等のストレスが加わると容易
に破壊・焼損する傾向が強くなっている。上記半導体装
置の破壊・焼損は、半導体装置を被測定デバイス（ＤＵ
Ｔ）とするブレークダウン電圧測定の際に、測定用の電
圧を印加したような場合にも当然生じる。すなわち、例
えばダイオード等のブレークダウン電圧の測定において
は、何度も一時的にＤＵＴをブレークダウン状態に置く
ので、ＤＵＴに流れる電流はパルス状となる。ＤＵＴ
は、このパルス電流によりミクロ的なストレスを受ける
と共に、上記パルス電流とブレークダウン電圧とによる
発熱によりマクロ的な熱的ストレスを受ける。
該半導体装置にジュール熱等のストレスが加わると容易
に破壊・焼損する傾向が強くなっている。上記半導体装
置の破壊・焼損は、半導体装置を被測定デバイス（ＤＵ
Ｔ）とするブレークダウン電圧測定の際に、測定用の電
圧を印加したような場合にも当然生じる。すなわち、例
えばダイオード等のブレークダウン電圧の測定において
は、何度も一時的にＤＵＴをブレークダウン状態に置く
ので、ＤＵＴに流れる電流はパルス状となる。ＤＵＴ
は、このパルス電流によりミクロ的なストレスを受ける
と共に、上記パルス電流とブレークダウン電圧とによる
発熱によりマクロ的な熱的ストレスを受ける。
【０００３】ところで、従来、ダイオード等の半導体装
置のブレークダウン電圧を測定するためには、マニュア
ル測定，自動測定の双方が行われており、上記ストレス
をできる限り小さくするような工夫がなされている。
置のブレークダウン電圧を測定するためには、マニュア
ル測定，自動測定の双方が行われており、上記ストレス
をできる限り小さくするような工夫がなされている。
【０００４】マニュアル測定では、例えばカーブトレー
サが用いられる。図３に示すようにダイオード等のＤＵ
Ｔのブレークダウン電圧ＶBDより大きい波高値の半波正
弦波電圧ｖHSをＤＵＴに印加し、正弦波形の頂部付近で
ブレークダウンを生じさせ（図３の斜線部参照）、オペ
レータの目視により所定電流値でのブレークダウン電圧
を測定する。ｖHSの周期をＴ、ブレークダウン状態の継
続時間をｔBDとすると、測定時間に対するブレークダウ
ン状態の時間比率はｔBD／Ｔとなる。例えば、目視時間
が３秒、ｔBD／Ｔ＝０．１である場合には、ブレークダ
ウン状態は３００msecにも及ぶ。このため、上記ストレ
スは解消されているとは言えず、場合によってはＤＵＴ
が破壊・焼損に至るという不都合がある。
サが用いられる。図３に示すようにダイオード等のＤＵ
Ｔのブレークダウン電圧ＶBDより大きい波高値の半波正
弦波電圧ｖHSをＤＵＴに印加し、正弦波形の頂部付近で
ブレークダウンを生じさせ（図３の斜線部参照）、オペ
レータの目視により所定電流値でのブレークダウン電圧
を測定する。ｖHSの周期をＴ、ブレークダウン状態の継
続時間をｔBDとすると、測定時間に対するブレークダウ
ン状態の時間比率はｔBD／Ｔとなる。例えば、目視時間
が３秒、ｔBD／Ｔ＝０．１である場合には、ブレークダ
ウン状態は３００msecにも及ぶ。このため、上記ストレ
スは解消されているとは言えず、場合によってはＤＵＴ
が破壊・焼損に至るという不都合がある。
【０００５】また、自動測定では、例えばランプ電圧発
生器が用いられる。この方法では、図４に示すようにラ
ンプ電圧の立ち上りを所定時刻ｔ0にセットしておき、
所定電圧をＤＵＴに印加する。応答電圧Ｖがある値に達
すると、ＤＵＴにブレークダウンが生じ、ブレークダウ
ン電流ＩBDが急激にＤＵＴに流れる。このとき、ランプ
電圧発生器とＤＵＴとの間に介在した電流制限回路が作
動しＤＵＴに流れる電流を一定に制限し、これによりＤ
ＵＴの応答電圧Ｖは一定となる。そして、ｔ0から一定
時間経過後の時刻ｔ11における応答電圧Ｖを測定するこ
とで該電流値におけるブレークダウン電圧ＶBDを求めて
いる。上記ランプレートＲＲは、測定系のスルーレー
ト、ＤＵＴの静電容量Ｃ、電流制限器の設定値Ｉ
LIMを考慮して設定されている。
生器が用いられる。この方法では、図４に示すようにラ
ンプ電圧の立ち上りを所定時刻ｔ0にセットしておき、
所定電圧をＤＵＴに印加する。応答電圧Ｖがある値に達
すると、ＤＵＴにブレークダウンが生じ、ブレークダウ
ン電流ＩBDが急激にＤＵＴに流れる。このとき、ランプ
電圧発生器とＤＵＴとの間に介在した電流制限回路が作
動しＤＵＴに流れる電流を一定に制限し、これによりＤ
ＵＴの応答電圧Ｖは一定となる。そして、ｔ0から一定
時間経過後の時刻ｔ11における応答電圧Ｖを測定するこ
とで該電流値におけるブレークダウン電圧ＶBDを求めて
いる。上記ランプレートＲＲは、測定系のスルーレー
ト、ＤＵＴの静電容量Ｃ、電流制限器の設定値Ｉ
LIMを考慮して設定されている。
【０００６】ところで、同種のＤＵＴにおいてもブレー
クダウン電圧ＶBDはまちまちであり、例えば１０Ｖ〜１
００Ｖの範囲でばらつくことさえある。このため、以下
に述べる問題が生じる。例えば、図２（Ｂ）において、
あるＤＵＴ、Ａ，Ｂについての電圧応答ＶAとＶBとを比
較すると、両者のランプレートは同一であるが、ブレー
クダウン電圧が低いＶBについては早期にブレークダウ
ンを起こしている。このため、ＶBについてのブレーク
ダウンから測定時刻ｔM迄の時間ＴBが、ＶAについての
ブレークダウンから測定時刻ｔM迄の時間ＴAに比較して
長くなる。また、ＤＵＴ、Ｂ，Ｃについての電圧応答Ｖ
BとＶCとを比較すると、ブレークダウン電圧はＶCの方
が高いにもかかわらず、ランプレートが大きいため、Ｖ
Cの測定時間ＴCはＶBの測定時間ＴBより長くなる。この
ため、ＡとＢとＣとでは同一条件での測定が実現され
ず、均一な測定を実現することができないという問題が
ある。
クダウン電圧ＶBDはまちまちであり、例えば１０Ｖ〜１
００Ｖの範囲でばらつくことさえある。このため、以下
に述べる問題が生じる。例えば、図２（Ｂ）において、
あるＤＵＴ、Ａ，Ｂについての電圧応答ＶAとＶBとを比
較すると、両者のランプレートは同一であるが、ブレー
クダウン電圧が低いＶBについては早期にブレークダウ
ンを起こしている。このため、ＶBについてのブレーク
ダウンから測定時刻ｔM迄の時間ＴBが、ＶAについての
ブレークダウンから測定時刻ｔM迄の時間ＴAに比較して
長くなる。また、ＤＵＴ、Ｂ，Ｃについての電圧応答Ｖ
BとＶCとを比較すると、ブレークダウン電圧はＶCの方
が高いにもかかわらず、ランプレートが大きいため、Ｖ
Cの測定時間ＴCはＶBの測定時間ＴBより長くなる。この
ため、ＡとＢとＣとでは同一条件での測定が実現され
ず、均一な測定を実現することができないという問題が
ある。
【０００７】しかも、例えば上記図２（Ｂ）のＢやＣの
ように、ブレークダウンが生じている時間が長くなる
と、前述した熱等によるストレスが顕著に現れる。すな
わち、ＤＵＴが破壊されたりストレスそのものによりブ
レークダウン電圧が変化してしまう。また、ストレスに
基づく発熱によっても、ブレークダウン電圧そのものが
変化し、所定条件下におけるブレークダウン電圧の正確
な測定が行えないという問題がある。加えて、ランプ電
圧発生器として、ランプレートを変更できる高価なもの
を使用しなければならないという製造コスト上の問題も
あった。
ように、ブレークダウンが生じている時間が長くなる
と、前述した熱等によるストレスが顕著に現れる。すな
わち、ＤＵＴが破壊されたりストレスそのものによりブ
レークダウン電圧が変化してしまう。また、ストレスに
基づく発熱によっても、ブレークダウン電圧そのものが
変化し、所定条件下におけるブレークダウン電圧の正確
な測定が行えないという問題がある。加えて、ランプ電
圧発生器として、ランプレートを変更できる高価なもの
を使用しなければならないという製造コスト上の問題も
あった。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、上記のような問題点を解決す
るために提案されたものであって、半導体デバイス等の
ブレークダウン電圧を測定するに際し、測定時間を短く
することで熱的ストレス等を激減させ、高精度の測定を
行うことができ、かつ測定条件を一様とすることで再現
性が高い自動測定を行うことができるブレークダウン電
圧測定方法を提供することを目的とする。
るために提案されたものであって、半導体デバイス等の
ブレークダウン電圧を測定するに際し、測定時間を短く
することで熱的ストレス等を激減させ、高精度の測定を
行うことができ、かつ測定条件を一様とすることで再現
性が高い自動測定を行うことができるブレークダウン電
圧測定方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の概要】ダイオード等の半導体素子には、上記ラ
ンプ状に立ち上がるステップ電圧が印加された場合、該
電圧が一定状態に変化した後においてもその応答が経時
的に変化するものが多い。本発明はこのようなＤＵＴに
好ましく適用される。ブレークダウン状態となった場合
には、ＤＵＴには電流制限器により制限された一定電流
がＤＵＴに流れ、ＤＵＴの応答電圧は一定状態となるよ
うに変化する。本発明の測定方法では、ＤＵＴの応答電
圧のランプ部が一定状態に変化する時（例えば、電圧勾
配がランプレートに対して一定率減少した時）を基準時
点として、該時点からの一定短時間後に測定が行われ
る。すなわち、該時点後に熱等のストレスによりＤＵＴ
の応答の変化が増大する前にブレークダウン電圧の測定
が行われる。また、複数のＤＵＴに対して一様な測定が
なされる。更に電力消費による発熱も極小となり、ＤＵ
Ｔに余分なストレスが加わらず、ＤＵＴの破壊・焼損も
生じない。
ンプ状に立ち上がるステップ電圧が印加された場合、該
電圧が一定状態に変化した後においてもその応答が経時
的に変化するものが多い。本発明はこのようなＤＵＴに
好ましく適用される。ブレークダウン状態となった場合
には、ＤＵＴには電流制限器により制限された一定電流
がＤＵＴに流れ、ＤＵＴの応答電圧は一定状態となるよ
うに変化する。本発明の測定方法では、ＤＵＴの応答電
圧のランプ部が一定状態に変化する時（例えば、電圧勾
配がランプレートに対して一定率減少した時）を基準時
点として、該時点からの一定短時間後に測定が行われ
る。すなわち、該時点後に熱等のストレスによりＤＵＴ
の応答の変化が増大する前にブレークダウン電圧の測定
が行われる。また、複数のＤＵＴに対して一様な測定が
なされる。更に電力消費による発熱も極小となり、ＤＵ
Ｔに余分なストレスが加わらず、ＤＵＴの破壊・焼損も
生じない。
【００１０】
【実施例】図１（Ａ）は本発明の測定方法を実施するた
めの回路の一例を示すブロック図である。同図（Ａ）に
おいて、ランプ電圧発生器１は電流制限器２を介してＤ
ＵＴ３に接続されている。上記電流制限器２は電流制限
値ＩLIMの設定が適宜変更できるように構成されてい
る。そして、ＤＵＴ３の端子間電圧（応答電圧）Ｖは、
電圧モニタ４により測定される。なお、同図（Ａ）にお
いて、ランプ電圧発生器１によるランプ電圧ＶRの発生
や電圧モニタ４によるＤＵＴの応答電圧Ｖの測定は、制
御部５（ＣＰＵからなる）の指示により行われる。
めの回路の一例を示すブロック図である。同図（Ａ）に
おいて、ランプ電圧発生器１は電流制限器２を介してＤ
ＵＴ３に接続されている。上記電流制限器２は電流制限
値ＩLIMの設定が適宜変更できるように構成されてい
る。そして、ＤＵＴ３の端子間電圧（応答電圧）Ｖは、
電圧モニタ４により測定される。なお、同図（Ａ）にお
いて、ランプ電圧発生器１によるランプ電圧ＶRの発生
や電圧モニタ４によるＤＵＴの応答電圧Ｖの測定は、制
御部５（ＣＰＵからなる）の指示により行われる。
【００１１】以下、図１（Ｂ）を参照しつつ本発明のブ
レークダウン電圧の測定方法を説明する。まず、予め、
ランプ電圧発生器１の電流制限値ＩLIMを設定する。こ
の設定値は、測定されるブレークダウン電圧ＶBDに対応
するブレークダウン電流ＩBDである。ここで、制御部５
によりランプ電圧発生器１にランプ電圧ＶRの発生を指
示する。このランプ電圧ＶRの印加により、ＤＵＴ３の
電圧応答Ｖもランプ状に立ち上がる（同図（Ｂ）の時刻
ｔ0参照）。このときのＤＵＴ３の応答電圧Ｖのランプ
レートＲＲは概ねＤＵＴ３の充電電流ＩCが電流制限値
ＩLIMより大きくならない程度に設定することが好まし
い。例えば、ＩLIMは、 ＩLIM＞Ｃ・(dV/dt) （１） としてもよいし、ＤＵＴ３のリーク電流ＩLeakを考慮
し、 ＩLIM＞Ｃ・(dV/dt)＋ＩLeak （２） とすることもできる。そして、次第に上昇するＤＵＴの
応答電圧Ｖの勾配ＳＲを電圧モニタ４により検出し続け
る。
レークダウン電圧の測定方法を説明する。まず、予め、
ランプ電圧発生器１の電流制限値ＩLIMを設定する。こ
の設定値は、測定されるブレークダウン電圧ＶBDに対応
するブレークダウン電流ＩBDである。ここで、制御部５
によりランプ電圧発生器１にランプ電圧ＶRの発生を指
示する。このランプ電圧ＶRの印加により、ＤＵＴ３の
電圧応答Ｖもランプ状に立ち上がる（同図（Ｂ）の時刻
ｔ0参照）。このときのＤＵＴ３の応答電圧Ｖのランプ
レートＲＲは概ねＤＵＴ３の充電電流ＩCが電流制限値
ＩLIMより大きくならない程度に設定することが好まし
い。例えば、ＩLIMは、 ＩLIM＞Ｃ・(dV/dt) （１） としてもよいし、ＤＵＴ３のリーク電流ＩLeakを考慮
し、 ＩLIM＞Ｃ・(dV/dt)＋ＩLeak （２） とすることもできる。そして、次第に上昇するＤＵＴの
応答電圧Ｖの勾配ＳＲを電圧モニタ４により検出し続け
る。
【００１２】ＤＵＴ３に印加される電圧Ｖが次第に上昇
し、ブレークダウン電圧ＶBDに達すると、ＤＵＴには急
激にブレークダウン電流ＩBDが流れる。ＩBDがＩLIMに
達すると、例えば、電流制限器２はランプ電圧発生器１
にその出力を抑制するようにフィードバック信号を出力
する。これにより、ＩBDがＩLIMのまま応答電圧Ｖの勾
配ＳＲは一定状態に向かって変化する。ここで、上記勾
配ＳＲが所定分だけ低下する時点（以下、「基準時点」
と言う）ｔ1を電圧モニタ４により検出する。通常は、
ＳＲの上記所定分の低下はランプレートＲＲに対する比
率を用いて決定される。図１（Ｂ）では、ＳＲ＝ＲＲ／
２となった時点を基準時点ｔ1としている。そして、該
基準時点ｔ1または該時点ｔ1から一定期間経過後におけ
る時刻（これらの時刻はユーザにより設定される）ｔ2
のＤＵＴ３の応答電圧Ｖをブレークダウン電圧ＶBDとし
て測定した後、ランプ電圧発生器１の出力電圧を零とす
る。
し、ブレークダウン電圧ＶBDに達すると、ＤＵＴには急
激にブレークダウン電流ＩBDが流れる。ＩBDがＩLIMに
達すると、例えば、電流制限器２はランプ電圧発生器１
にその出力を抑制するようにフィードバック信号を出力
する。これにより、ＩBDがＩLIMのまま応答電圧Ｖの勾
配ＳＲは一定状態に向かって変化する。ここで、上記勾
配ＳＲが所定分だけ低下する時点（以下、「基準時点」
と言う）ｔ1を電圧モニタ４により検出する。通常は、
ＳＲの上記所定分の低下はランプレートＲＲに対する比
率を用いて決定される。図１（Ｂ）では、ＳＲ＝ＲＲ／
２となった時点を基準時点ｔ1としている。そして、該
基準時点ｔ1または該時点ｔ1から一定期間経過後におけ
る時刻（これらの時刻はユーザにより設定される）ｔ2
のＤＵＴ３の応答電圧Ｖをブレークダウン電圧ＶBDとし
て測定した後、ランプ電圧発生器１の出力電圧を零とす
る。
【００１３】このようにすることで、従来不可能であっ
た応答電圧Ｖの立上り時刻ｔ0から測定時刻迄の時間を
従来の３msecから１〜２msecとすることができた。ま
た、ストレスに起因する発熱量が、図３により説明した
カーブトレーサによる計測方法に比べて１／１５０に、
図４により説明した従来のランプ電圧を用いた方法と比
べて１／５０に激減した。
た応答電圧Ｖの立上り時刻ｔ0から測定時刻迄の時間を
従来の３msecから１〜２msecとすることができた。ま
た、ストレスに起因する発熱量が、図３により説明した
カーブトレーサによる計測方法に比べて１／１５０に、
図４により説明した従来のランプ電圧を用いた方法と比
べて１／５０に激減した。
【００１４】更に、図２（Ａ）に示すように、例えば複
数のＤＵＴ（Ａ，Ｂ，Ｃ）のブレークダウン電圧にばら
つきがあり、しかも各応答電圧ＶA，ＶB，ＶCのランプ
レートＲＲが異なっていても（ただし、図２（Ａ）では
ＶAとＶBとのランプレートは同一）、各ＤＵＴについて
ブレークダウンが生じてから一定時間後（ＴA，ＴB，Ｔ
C）に測定がなされるので、測定のばらつきが無く再現
性が高くなった。
数のＤＵＴ（Ａ，Ｂ，Ｃ）のブレークダウン電圧にばら
つきがあり、しかも各応答電圧ＶA，ＶB，ＶCのランプ
レートＲＲが異なっていても（ただし、図２（Ａ）では
ＶAとＶBとのランプレートは同一）、各ＤＵＴについて
ブレークダウンが生じてから一定時間後（ＴA，ＴB，Ｔ
C）に測定がなされるので、測定のばらつきが無く再現
性が高くなった。
【００１５】
【発明の効果】本発明のブレークダウン電圧の測定方法
では、ブレークダウンが発生した時または該時刻から一
定時間経過後にＤＵＴの応答電圧を測定するので、次の
ような効果を奏することができる。 ＤＵＴの応答電圧の立上り時を基準にした測定ではな
い。従って、ＤＵＴの静電容量や充電電圧を考慮してラ
ンプレートの決定等を行い、これにより測定精度を向上
させる、という煩雑な手段を講ずるする必要がない。こ
の結果、速やかな測定が可能となる。 ブレークダウン発生時から短い時間内に測定を行うこ
とができるので、ＤＵＴへのストレスを小さくするとが
でき、ＤＵＴの破壊・焼損も生じない。 ＤＵＴへの電力条件が比較的一定となることから、測
定条件が一様であり再現性の高い測定方法の提供が可能
となる。 ランプレートを変更できるランプ電圧発生器を用いな
くてもよいので、製造コストの低減に寄与できる。
では、ブレークダウンが発生した時または該時刻から一
定時間経過後にＤＵＴの応答電圧を測定するので、次の
ような効果を奏することができる。 ＤＵＴの応答電圧の立上り時を基準にした測定ではな
い。従って、ＤＵＴの静電容量や充電電圧を考慮してラ
ンプレートの決定等を行い、これにより測定精度を向上
させる、という煩雑な手段を講ずるする必要がない。こ
の結果、速やかな測定が可能となる。 ブレークダウン発生時から短い時間内に測定を行うこ
とができるので、ＤＵＴへのストレスを小さくするとが
でき、ＤＵＴの破壊・焼損も生じない。 ＤＵＴへの電力条件が比較的一定となることから、測
定条件が一様であり再現性の高い測定方法の提供が可能
となる。 ランプレートを変更できるランプ電圧発生器を用いな
くてもよいので、製造コストの低減に寄与できる。
【図１】（Ａ）は本発明のブレークダウン電圧の測定方
法を実施するための回路の一例を示すブロック図、
（Ｂ）は（Ａ）の回路におけるＤＵＴの応答電圧を示す
図である。
法を実施するための回路の一例を示すブロック図、
（Ｂ）は（Ａ）の回路におけるＤＵＴの応答電圧を示す
図である。
【図２】（Ａ）は本発明のブレークダウン電圧の測定方
法による効果を説明するための図であり、（Ｂ）は従来
の測定方法による欠点を説明するための図である。
法による効果を説明するための図であり、（Ｂ）は従来
の測定方法による欠点を説明するための図である。
【図３】ブレークダウン電圧をカーブトレーサにより測
定する従来の方法を示す図である。
定する従来の方法を示す図である。
【図４】ブレークダウン電圧をランプ電圧発生器を用い
て測定する従来の方法を示す図である。
て測定する従来の方法を示す図である。
１ ランプ電圧発生器 ２ 電流制限器 ３ ＤＵＴ ４ 電圧モニタ ５ 制御部
Claims (1)
- 【請求項１】ランプ電圧を電流制限器を介して被測定デ
バイスに印加してブレークダウンを生じさせ、該デバイ
スの応答に基づいてブレークダウン電圧を測定する方法
であって、被測定デバイスの応答電圧勾配が所定分低下
した時点または該時点から一定時間経過時に被測定デバ
イスの応答電圧を測定することを特徴とするブレークダ
ウン電圧の測定方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03083554A JP3108455B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ブレークダウン電圧の測定方法 |
| DE4208146A DE4208146B4 (de) | 1991-03-22 | 1992-03-13 | Verfahren und Anordnung zum Messen einer Durchbruchspannung |
| US07/854,205 US5285151A (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Method and apparatus for measuring the breakdown voltage of semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03083554A JP3108455B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ブレークダウン電圧の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294286A JPH04294286A (ja) | 1992-10-19 |
| JP3108455B2 true JP3108455B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=13805731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03083554A Expired - Fee Related JP3108455B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ブレークダウン電圧の測定方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5285151A (ja) |
| JP (1) | JP3108455B2 (ja) |
| DE (1) | DE4208146B4 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101951523B1 (ko) * | 2016-12-06 | 2019-02-22 | 백현종 | 사인보드 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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