CN112945418B - 集成芯片的测温装置及测温方法 - Google Patents

集成芯片的测温装置及测温方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种集成芯片的测温装置及测温方法，测温装置包括：测试机，与待测芯片的测试管脚连接，用于对待测芯片进行参数和性能测试；电流源模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于向待测芯片提供设定电流；电压测量模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于测量待测芯片中寄生二极管两端的电压，以便根据测量电压获得待测芯片的工作温度，空闲管脚至少包括连接ESD保护电路的第一管脚和第二管脚，第一管脚和所述第二管脚的其中之一与参考地之间存在寄生二极管，其中另一与电流源模块连接。可以在芯片高温测试阶段实时的测量芯片的工作温度，测量准确度高，装置简单，测试成本低。

Description

集成芯片的测温装置及测温方法
技术领域
本发明涉及测试技术领域，具体涉及一种集成芯片的测温装置及测温方法。
背景技术
随着集成芯片功能的增强和集成规模的不断扩大，芯片的测试变得越来越困难，测试费用往往比设计费用还要高，测试成本已成为产品开发成本的重要组成部分，测试时间的长短也直接影响到产品上市时间进而影响经济效益。
集成芯片的参数和性能在不同的温度条件下所表现出的特征是不同的，主要包括常温(25℃)特性，低温(低于25℃)特性和高温(高于25℃)特性。在集成电路的研发、出厂测试及应用开发等环节，通常需要考察集成芯片的高温特性。
对于集成芯片的高温特性，需要结合集成芯片的具体工作温度或自身温度来进行衡量，而现有的在芯片测试中测试芯片温度大都通过外部加设传感器或铂电阻来实现测量芯片的工作温度。这种方法是以环境温度间接的表征芯片温度，受环境温度的均匀性、稳定性的影响严重，不科学，不准确。而且，当芯片在一定的功率下稳定工作时，芯片的实际温度必然会与环境温度存在偏差，而传感器无法察觉这个偏差，也无法做到对芯片温度的实时跟踪。
另一方面，现有的芯片测温方法仅能测量芯片工作时自身的温度，无法做到同时测量芯片测试时其高温工作环境的温度，进而无法起到对芯片高温特性测试的监控效果。
因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种集成芯片的测温装置及测温方法，可以在芯片高温测试阶段实时的测量芯片的工作温度，测量准确度高，装置简单，测试成本低。
根据本发明提供的一种集成芯片的测温装置，包括：测试机，与待测芯片的测试管脚连接，用于对待测芯片进行参数和性能测试；电流源模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于向待测芯片提供设定电流；电压测量模块，与待测芯片的空闲管脚连接，用于测量待测芯片中寄生二极管两端的电压，以便根据测量电压获得待测芯片的工作温度，空闲管脚至少包括连接ESD保护电路的第一管脚和第二管脚，第一管脚和第二管脚的其中之一与参考地之间存在寄生二极管，其中另一与电流源模块连接。
优选地，电压测量模块为数字式电压表。
优选地，测温装置还包括：显示模块，分别与电流源模块和电压测量模块连接，用以接收和显示电流源模块输出的电流值以及电压测量模块测量的电压值，以便根据电流值和电压值实时显示待测芯片的工作温度。
优选地，测温装置还包括：调节模块，分别与电流源模块和电压测量模块连接，用以接收电压测量模块测量的电压数据，并根据电压数据输出电流调节信号，电流调节信号用以控制电流源模块调整输出的电流。
根据本发明提供的一种集成芯片的测温方法，包括：为待测芯片的空闲管脚提供设定电流通过，分别测量多组不同环境温度下待测芯片空闲管脚的电压，获得多个电压值；根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数；测量待测芯片空闲管脚当前的电压值，根据平均温度系数和当前测量的电压值获得待测芯片当前的工作温度。
优选地，根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数包括：根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度绘制电压值与温度的变化曲线；计算变化曲线的平均斜率，根据平均斜率获得平均温度系数。
优选地，根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数包括：根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度计算获得多个温度系数；计算多个温度系数的平均值，进而获得平均温度系数。
优选地，测温方法还包括：测量待测芯片空闲管脚的电压值；将测量的电压值与参考电压值进行比较，判断测量的电压值与参考电压值是否相等或误差是否满足精度要求；当测量的电压值与参考电压值不相等或误差不满足精度要求时，调整待测芯片的加热电流以改变待测芯片的工作温度，直到测量的电压值与参考电压值相等或误差满足精度要求为止，参考电压值为待测芯片理想的测试环境温度所对应的待测芯片空闲管脚的电压值。
优选地，根据电压值与温度的变化曲线获得参考电压值。
优选地，根据电压值与温度的查找表获得参考电压值。
根据本发明提供的一种集成芯片的测温方法，包括：为待测芯片的空闲管脚提供设定电流通过，分别测量多组不同环境温度下待测芯片空闲管脚的电压，获得多个电压值；根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度绘制电压值与温度的查找表；测量待测芯片空闲管脚当前的电压值，根据当前的电压值和查找表直接获得待测芯片当前的工作温度。
优选地，测温方法还包括：测量待测芯片空闲管脚的电压值；将测量的电压值与参考电压值进行比较，判断测量的电压值与参考电压值是否相等或误差是否满足精度要求；当测量的电压值与参考电压值不相等或误差不满足精度要求时，调整待测芯片的加热电流以改变待测芯片的工作温度，直到测量的电压值与参考电压值相等或误差满足精度要求为止，参考电压值为待测芯片理想的测试环境温度所对应的待测芯片空闲管脚的电压值。
优选地，根据电压值与温度的变化曲线获得参考电压值。
优选地，根据电压值与温度的查找表获得参考电压值。
本发明的有益效果是：本发明公开了一种集成芯片的测温装置和测温方法，通过待测芯片的空闲管脚进行测温，可以在芯片高温测试阶段实时的测量芯片的工作温度，测量准确度高，装置简单，测试成本低。
采用数字式电压表可以直观的表现待测芯片中寄生二极管两端的电压情况，方便记录与进一步测试、分析。
设置显示装置可以实时的、直观的呈现待测芯片的温度参数和温度参数的变化情况，方便测试人员记录和调试测试数据。
设置调节模块可以实现芯片的测温与高温特性测试的结合，即能够根据测温结果实时、自动的调节电流源模块输出的加热电流，使得芯片的工作温度更接近实际的理解测试环境温度，提高芯片高温特性测试结果的准确性。
采用平均温度系数来获取待测芯片的工作温度，进一步提高了测量结果的准确性，降低了错误率。
通过绘制电压值与温度的变化曲线可以很直观的展现出待测芯片中ESD二极管两端的电压与待测芯片的工作温度之间的关系特性，方便进行芯片特性分析。
通过公式获得待测芯片当前的工作温度便于测试人员编辑计算公式进而快速、自动的获得计算结果。
根据查找表直接获得待测芯片当前的工作温度可以更加快速的获得待测芯片当前的工作温度，节省计算资源。
应当说明的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
图1示出本发明第一实施例提供的集成芯片的测温装置的系统框图；
图2示出本发明第一实施例提供的集成芯片的测温装置的结构示意图；
图3示出本发明第二实施例提供的集成芯片的测温装置的系统框图；
图4示出本发明实施例提供的待测芯片的工作温度与寄生二极管两端电压之间的变化曲线图；
图5示出本发明实施例提供的一种集成芯片的测温方法的流程框图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以通过不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反的，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
下面，参照附图对本发明进行详细说明。
图1示出本发明第一实施例提供的集成芯片的测温装置的系统框图。
如图1所示，本实施例中，集成芯片的高温测试装置包括测试机100、电流源模块300和电压测量模块400。
测试机100与待测芯片200的测试管脚连接，用于对待测芯片200进行参数和性能测试。
电流源模块300与待测芯片200的空闲管脚连接，用于向待测芯片200提供设定电流。
其中，待测芯片200的空闲管脚表示在进行芯片某一参数的测试时，该管脚上的电平状态对芯片的该参数测试不造成影响。本实施例中，待测芯片200的空闲管脚至少包括连接ESD(Electro-Static discharge，静电阻抗器)保护电路的第一管脚和第二管脚(即ESD管脚)。该第一管脚和第二管脚的其中之一对地存在寄生二极管(本文中该寄生二极管均用ESD二极管表示，以区分芯片内部的其它寄生二极管)，其中另一与电流源模块300连接。
应当理解的是，现有集成芯片中通常都会存在有上述寄生二极管，该寄生二极管的阳极对地，用以代替大电阻而对集成芯片提供ESD保护。
电压测量模块400与待测芯片200的空闲管脚连接，用于测量待测芯片200中寄生二极管两端的电压，以便根据测量电压获得待测芯片200的工作温度。
进一步地，电压测量模块400包括但不限于数字式电压表，可以直观的表现待测芯片200中寄生二极管两端的电压情况，方便记录与进一步测试、分析。
在本发明的一个优选实施方式中，集成芯片的高温测试装置还包括显示模块，该显示模块连接电流源模块300和电压测量模块400，接收和显示电流源模块300的输出电流值和电压测量模块400的测量电压值，同时根据电流值和电压值实时显示待测芯片200的工作温度和工作环境温度。通过上述方式，可以实时的、直观的呈现待测芯片200的温度参数和温度参数的变化情况，方便测试人员记录和调试测试数据。
可以理解的是，本文中，待测芯片200的工作温度代指高温特性测试中待测芯片200的自身芯片温度。待测芯片200的工作环境温度代指高温特性测试中待测芯片200所处的高温环境的温度。
本实施例中，通过测量芯片空闲管脚的电流和电压进而推算出芯片的工作温度，测温装置结构简单，成本低。同时使用芯片的空闲管脚进行测量，可以获得出芯片在高温测试时的实时工作温度，方便测试人员判断测试进程，另一方面也优化了测试故障(如芯片是否烧坏)的判断和处理。
图2示出本发明第一实施例提供的集成芯片的测温装置的结构示意图。
如图2所示，参考图1，以具有6个管脚的待测芯片200为例对集成芯片的测温装置的工作原理进行具体说明。
本实施例中，待测芯片200包括管脚1、管脚2、管脚3、管脚4、管脚5以及管脚6。假设在进行芯片的某一参数或性能测试时，管脚1和管脚2为测试管脚，管脚3、管脚4、管脚5以及管脚6为空闲管脚，其中管脚5和管脚6之间具有ESD二极管D1，对应为图1中所描述的第一管脚和第二管脚。
如上述，一个可能的实施方式中，在进行该待测芯片200的工作温度测试时，将管脚1和管脚2分别作为信号输入和信号输出管脚与测试机100连接，管脚5接地，管脚6与电流源模块300连接，电压测量模块400的测量端分别与管脚5和管脚6连接。
进一步地，电流源模块300对ESD二极管D1提供设定电流，也可理解为通过ESD二极管D1从接地端拉电流(如设定100uA)。在此基础上，于常温(记为T1)下测试芯片空闲管脚即管脚5和管脚6之间的电压(记为V1)；再于另一环境温度如T2下测试芯片空闲管脚即管脚5和管脚6之间的电压(记为V2)。根据V1、V2、T1和T2，确定ESD二极管D1的温度系数k1。
可选地，上述根据V1、V2、T1和T2，确定ESD二极管D1的温度系数k1的计算公式如下：
Figure BDA0002309638400000071
相同原理的，在不同环境温度下进行多次测量以获得多个温度系数k2，k3，...，kn，求取该多个温度系数k1～kn的平均值获得平均温度系数k，该平均温度系数k记为待测芯片200中ESD二极管D1的电压随温度变化关系。因此，根据平均温度系数k即可推算待测芯片200的工作温度。其中，n为自然数。
可选地，上述根据多个温度系数k1～kn获得平均温度系数k的计算公式如下：
Figure BDA0002309638400000072
进一步地，在采用上述测温装置对待测芯片200的工作温度进行测量时，先测量获得待测芯片200空闲管脚之间的ESD二极管两端的电压(记为VT)，再根据所获得的电压VT和已获得的平均温度系数k获得当前待测芯片200的工作温度(记为T)。
可选地，上述根据电压VT和平均温度系数k获得待测芯片200的工作温度的计算公式如下：
Figure BDA0002309638400000073
可以理解的是，电流源模块300提供的设定电流值应当在工艺保护的范围内，且设定电流对ESD二极管D1的温度提升也应当在工艺保护范围内进行，以避免元器件烧坏而无法进行测试。
进一步地，在进行芯片的高温测试前，可以测量获得待测芯片200中ESD二极管D1的电压随温度的变化曲线或对照表，进而在高温测试中可以根据测量的电压值和变化曲线或对照表获得待测芯片200的工作温度，测温速度快，效率高。
需要说明的，在采用上述方式测量芯片的工作温度时，虽然电流源模块300输出的电流会影响芯片中ESD二极管D1的PN结温度，但是在求取温度系数的过程中，电流源模块300输出的电流对PN结温度造成的影响会被抵消，因此不会影响最终的计算结果的精确性。
可选地，通过本发明所公开的测温装置，可以实现待测芯片200的测温与加热的同时测试，即在对待测芯片200加热的同时，测量芯片的工作温度，提高了芯片高温测试结果的准确性。也可以实现待测芯片200的测温与加热的分时测试，即先对待测芯片200加热，在加热结束后再测量芯片的工作温度，可以提高芯片温度测量结果的准确性。其中，上述对待测芯片200的加热测试代指为：由电流源模块300输出加热电流，使得待测芯片200中的ESD二极管D1的等效PN结升温，进而实现待测芯片200的高温特性测试。
图3示出本发明第二实施例提供的集成芯片的测温装置的系统框图。
如图3所示，相较于图1所示第一实施例，本实施例中，测温装置还包括调节模块500。
调节模块500分别与电压测量模块400和电流源模块300连接，用于接收电压测量模块400测量的电压数据，并根据电压数据输出电流调节信号，以控制电流源模块300调整输出的电流。
进一步地，调节模块500接收电压测量模块400测量的电压值数据，同时将所接收到的电压值与参考电压值进行比较，当所接收的电压值与参考电压值不相等或误差不满足要求时，输出控制信号控制电流源模块300按照一定的步进精度调节输出的电流以改变芯片的工作温度和ESD二极管两端的电压值，之后持续上述比较和调整步骤，直到调节模块500接收到的电压值与参考电压值相等或误差满足要求为止。通过此种方式，可以实现芯片的测温与高温特性测试的结合，即能够根据测温结果实时、自动的调节电流源模块300输出的加热电流，使得芯片的工作温度更接近实际的理解测试环境温度，提高芯片高温特性测试结果的准确性。
进一步的，上述参考电压为待测芯片200的理想测试环境温度下对应的ESD二极管D1两端的电压。
图4示出本发明实施例提供的待测芯片的工作温度与寄生二极管两端电压之间的变化曲线图，图5示出本发明实施例提供的一种集成芯片的测温方法的流程框图。
如图5所示，本实施例中，集成芯片的测温方法包括执行步骤S01至步骤S03，具体为：
在步骤S01中，为待测芯片的空闲管脚提供设定电流通过，并分别测量多组不同环境温度下待测芯片空闲管脚的电压，获得多个电压值。
本实施例中，待测芯片空闲管脚至少包括连接ESD保护电路的第一管脚和第二管脚，第一管脚和第二管脚的其中之一与参考地之间存在寄生二极管，其中另一与电流源模块连接。
结合图2，电流源模块300为待测芯片200中的ESD二极管D1提供设定电流(如设定100uA)，在常温(记为T1)下测试芯片空闲管脚即管脚5和管脚6之间的电压(记为V1)。再在另一环境温度如T2下测试芯片空闲管脚即管脚5和管脚6之间的电压(记为V2)。
相同原理的，在多组不同环境温度下进行多次测量以获得多个电压值V1～Vn。其中，n为自然数。
在步骤S02中，根据多个电压值和多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数。
在本发明的一种可能实施方式中，据多个电压值V1～Vn以及每个电压值对应的环境温度如T1～Tn绘制电压值与温度的变化曲线，如图4所示，根据该变化曲线获得平均温度系数或待测芯片的当前温度。在图4中，变化曲线图的横坐标为待测芯片的工作温度，纵坐标为测芯片中ESD二极管D1两端的电压，由图4可知，该被测芯片中ESD二极管D1两端的电压与待测芯片的工作温度呈线性关系，通过求取该曲线的平均斜率进而可以得出平均温度系数。通过此种方式，可以很直观的展现出待测芯片中ESD二极管D1两端的电压与待测芯片的工作温度之间的关系特性，方便进行芯片特性分析。
在本发明的另一种可能实施方式中，根据多个电压值V1～Vn以及每个电压值对应的环境温度如T1～Tn按照如公式1.1获得多个温度系数k1，k2，k3，...，kn，再按照如公式1.2求取多个温度系数k1～kn的平均值，进而获得平均温度系数。通过此种方式，可以编辑相应的计算公式来快速、自动的获得计算结果。
在步骤S03中，测量待测芯片空闲管脚当前的电压值，根据平均温度系数和当前测量的电压值获得待测芯片当前的工作温度。
本实施例中，根据所获得的平均温度系数以及通过测量得到的当前待测芯片中ESD二极管D1两端的电压值，按照如公式1.3的方法获得待测芯片的当前工作温度。
本实施例中采用芯片的空闲管脚来进行温度测试，可以在芯片高温测试阶段实时的测量芯片的工作温度，测量准确度高。同时采用平均温度系数来获取待测芯片的工作温度，进一步提高了测量结果的准确性，降低了错误率。
进一步地，在本发明的另一种可能实施方式中，上述步骤S02和步骤S03也可替换为：根据多个电压值V1～Vn以及每个电压值对应的环境温度如T1～Tn绘制电压值与温度的查找表，根据该查找表直接获得待测芯片当前的工作温度。通过此种方式，可以更加快速的获得待测芯片当前的工作温度，节省计算资源。
进一步地，本实施例对芯片的测温方法还包括：测量待测芯片200中ESD二极管D1两端当前的电压值，将所测量的电压值与参考电压值进行比较，若所测量的电压值与参考电压值不相等或误差未满足精度要求，控制电流源模块300调整输出的电流以改变待测芯片200的工作温度，直到所测量的电压值与参考电压值相等或误差满足精度要求为止。其中，参考电压为待测芯片200理想的测试环境温度所对应的待测芯片200中ESD二极管D1两端电压。
进一步地，可以通过上述查找表或变化曲线获得参考电压值，以方便后续进行所测量的电压值与参考电压值的比较。
通过此种方式，可以实现芯片的测温与高温特性测试的结合，能够根据测温结果实时的自动调节电流源模块300输出的加热电流，以使得芯片的工作温度更接近实际的理解环境温度，提高芯片高温特性测试结果的准确性。
应当说明的是，在本文中，所含术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (12)

1.一种集成芯片的测温装置，其中，包括：
测试机，与待测芯片的测试管脚连接，用于对高温环境下的所述待测芯片进行参数和性能测试；
电流源模块，与所述待测芯片的空闲管脚连接，用于向所述待测芯片中的寄生二极管提供设定电流，所述设定电流用于在所述寄生二极管两端产生电压，并作为加热电流对所述待测芯片进行加热；
电压测量模块，与所述待测芯片的空闲管脚连接，用于测量所述待测芯片中寄生二极管两端的电压，以便根据测量电压获得所述待测芯片的工作温度，
所述空闲管脚至少包括连接ESD保护电路的第一管脚和第二管脚，所述第一管脚和所述第二管脚的其中之一与参考地之间存在寄生二极管，其中另一与所述电流源模块连接。
2.根据权利要求1所述的测温装置，其中，所述电压测量模块为数字式电压表。
3.根据权利要求1所述的测温装置，其中，所述测温装置还包括：
显示模块，所述显示模块分别与所述电流源模块和所述电压测量模块连接，用以接收和显示所述电流源模块输出的电流值以及所述电压测量模块测量的电压值，以便根据电流值和电压值实时显示所述待测芯片的工作温度。
4.根据权利要求3所述的测温装置，其中，所述测温装置还包括：
调节模块，分别与所述电流源模块和所述电压测量模块连接，用以接收所述电压测量模块测量的电压数据，并根据所述电压数据输出电流调节信号，所述电流调节信号用以控制所述电流源模块调整输出的电流。
5.一种集成芯片的测温方法，应用于如权利要求1-4中任一项所述的集成芯片的测温装置，其中，所述测温方法包括：
为待测芯片的空闲管脚提供设定电流通过，分别测量多组不同环境温度下所述待测芯片空闲管脚的电压，获得多个电压值，并为所述待测芯片提供高温测试环境；
根据所述多个电压值和所述多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数；
测量所述待测芯片空闲管脚当前的电压值，根据所述平均温度系数和所述当前的电压值获得所述待测芯片当前的工作温度。
6.根据权利要求5所述的测温方法，其中，根据所述多个电压值和所述多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数包括：
根据所述多个电压值和所述多个电压值中每个电压值对应的环境温度绘制电压值与温度的变化曲线；
计算所述变化曲线的平均斜率，根据所述平均斜率获得所述平均温度系数。
7.根据权利要求5所述的测温方法，其中，根据所述多个电压值和所述多个电压值中每个电压值对应的环境温度，获得平均温度系数包括：
根据所述多个电压值和所述多个电压值中每个电压值对应的环境温度计算获得多个温度系数；
计算所述多个温度系数的平均值，进而获得所述平均温度系数。
8.根据权利要求6所述的测温方法，其中，所述测温方法还包括：
测量所述待测芯片空闲管脚的电压值；
将测量的电压值与参考电压值进行比较，判断所述测量的电压值与所述参考电压值是否相等或误差是否满足精度要求；
当所述测量的电压值与所述参考电压值不相等或误差不满足精度要求时，调整所述待测芯片的加热电流以改变所述待测芯片的工作温度，直到所述测量的电压值与所述参考电压值相等或误差满足精度要求为止，
所述参考电压值为所述待测芯片理想的测试环境温度所对应的所述待测芯片空闲管脚的电压值。
9.根据权利要求8所述的测温方法，其中，根据所述电压值与温度的变化曲线获得所述参考电压值。
10.一种集成芯片的测温方法，应用于如权利要求1-4中任一项所述的集成芯片的测温装置，其中，所述测温方法包括：
为待测芯片的空闲管脚提供设定电流通过，分别测量多组不同环境温度下所述待测芯片空闲管脚的电压，获得多个电压值，并为所述待测芯片提供高温测试环境；
根据所述多个电压值和所述多个电压值中每个电压值对应的环境温度绘制电压值与温度的查找表；
测量所述待测芯片空闲管脚当前的电压值，根据所述当前的电压值和所述查找表直接获得所述待测芯片当前的工作温度。
11.根据权利要求10所述的测温方法，其中，所述测温方法还包括：
测量所述待测芯片空闲管脚的电压值；
将测量的电压值与参考电压值进行比较，判断所述测量的电压值与所述参考电压值是否相等或误差是否满足精度要求；
当所述测量的电压值与所述参考电压值不相等或误差不满足精度要求时，调整所述待测芯片的加热电流以改变所述待测芯片的工作温度，直到所述测量的电压值与所述参考电压值相等或误差满足精度要求为止，
所述参考电压值为所述待测芯片理想的测试环境温度所对应的所述待测芯片空闲管脚的电压值。
12.根据权利要求11所述的测温方法，其中，根据电压值与温度的查找表获得所述参考电压值。
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