JPS5951369A - 自動特性測定装置 - Google Patents
自動特性測定装置Info
- Publication number
- JPS5951369A JPS5951369A JP57161873A JP16187382A JPS5951369A JP S5951369 A JPS5951369 A JP S5951369A JP 57161873 A JP57161873 A JP 57161873A JP 16187382 A JP16187382 A JP 16187382A JP S5951369 A JPS5951369 A JP S5951369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- test program
- sampling
- time
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主としてトランジスタ、集積回路等の半導体
装置の特性の良否判定を行なう自動特性測定装置に関す
る。
装置の特性の良否判定を行なう自動特性測定装置に関す
る。
一般に、半導体装置の機能的な特性を保証する手段の一
つとして直流特性を測定し、規格値と比較、良否判定を
行なっている。この場合、被試験装置の機能、使用条件
を考鳳して、バイアス（電圧又は電流）を特定端子に印
加して、特性出力信号又は等価抵抗値等を測定すること
になる〇従来、このような測定装置は、バイアス条件、
規格値、測定シーケンス、等がプログラマブルになって
おシ、あらかじめ、各特性に応じてそれぞれの条件をテ
ストプログラムとして作成、記憶せしめた後、連続的に
測定、良否判定を自動的に行なわせている。
つとして直流特性を測定し、規格値と比較、良否判定を
行なっている。この場合、被試験装置の機能、使用条件
を考鳳して、バイアス（電圧又は電流）を特定端子に印
加して、特性出力信号又は等価抵抗値等を測定すること
になる〇従来、このような測定装置は、バイアス条件、
規格値、測定シーケンス、等がプログラマブルになって
おシ、あらかじめ、各特性に応じてそれぞれの条件をテ
ストプログラムとして作成、記憶せしめた後、連続的に
測定、良否判定を自動的に行なわせている。
次に従来の自動＠性測定装置について、図面をもち＾て
説明する。
説明する。
第１図は、従来の直流特性測定装置の一例を示すプロ、
り図である。
り図である。
第１・図中、被試験装置１は、自動特性測定装置Ａで測
定されるものであり、この自動特性側ｙ、ｉ、 、
、 。
定されるものであり、この自動特性側ｙ、ｉ、 、
、 。
置Ａは、被試験装置１にバイアス信号■を供給するバイ
アス供給回路２と、特性を示す出力信号■全サンプリン
グ信号■のタイミングで入力するサンプリング入力回路
３と、各特性に応じたバイアス条件、規格値、測定シー
ケンス等のテストプログラムを記憶するテストプログラ
ム記憶回路４と、前記テストプログラムに基づきバイア
ス供給回路２及びサンプリング入力回路３を制御し、又
、測定値と規格値との比較、良否判定を行なう演算制御
回路５とを含んで構成される。
アス供給回路２と、特性を示す出力信号■全サンプリン
グ信号■のタイミングで入力するサンプリング入力回路
３と、各特性に応じたバイアス条件、規格値、測定シー
ケンス等のテストプログラムを記憶するテストプログラ
ム記憶回路４と、前記テストプログラムに基づきバイア
ス供給回路２及びサンプリング入力回路３を制御し、又
、測定値と規格値との比較、良否判定を行なう演算制御
回路５とを含んで構成される。
次に、第１図に示す特性測定装置の動作を第２図のタイ
ムチャートとより説明する。第２図は、いくつかの特性
を測定する上での１項目をノ（イアス信号■、出力信号
■、サンプリング信号■に着目して示したタイムチャー
トである。
ムチャートとより説明する。第２図は、いくつかの特性
を測定する上での１項目をノ（イアス信号■、出力信号
■、サンプリング信号■に着目して示したタイムチャー
トである。
テストプログラム記憶回路４に記憶されているテストプ
ログラムのバイアス値に基すき、）くイアス供給回路２
は、バイアス信号■ｔ−＠２図で示されるタイミングで
、被試験装置１に出力する。これにより、被試験装置１
は、特性を示す出力信号■を出力する。このとき、被試
験装置１の回路構成により、出力信号■の波形は、容量
性又は誘導性負荷による出力応答時間及び、熱応答時間
等に・ よる、さまざまな過渡現象を伴ったものが考え
られる０そこで、測定項目に応じて、安定するまでの待
ち時間（安定待ち時間という）ＴＴｈあらかじめテスト
プログラムに設定しており、サンプリング入力回路３は
、サンプリング信号■のタイミングで測定値を演算制御
回路５に入力し規格値と比較良否判定される。
ログラムのバイアス値に基すき、）くイアス供給回路２
は、バイアス信号■ｔ−＠２図で示されるタイミングで
、被試験装置１に出力する。これにより、被試験装置１
は、特性を示す出力信号■を出力する。このとき、被試
験装置１の回路構成により、出力信号■の波形は、容量
性又は誘導性負荷による出力応答時間及び、熱応答時間
等に・ よる、さまざまな過渡現象を伴ったものが考え
られる０そこで、測定項目に応じて、安定するまでの待
ち時間（安定待ち時間という）ＴＴｈあらかじめテスト
プログラムに設定しており、サンプリング入力回路３は
、サンプリング信号■のタイミングで測定値を演算制御
回路５に入力し規格値と比較良否判定される。
このようにして、従来の特性測定装置は、いくつかの特
性に対してそれぞれのタイミングで測定し、各規格値と
送入比較され、最終的に被測定装置の良否判定が行なわ
れる。
性に対してそれぞれのタイミングで測定し、各規格値と
送入比較され、最終的に被測定装置の良否判定が行なわ
れる。
ここで、サンプリング信号■のタイミング７決める安定
待ち時間Ｔは、測定項目と被試験ｉｔの構成によりめら
かじめ安定時間を推測してプログラムに設定するか、又
は実際に出力波形ケ観測して待ち時間を読み取り再設定
をすることが行なわれている。すなわち、この安定待ち
時間Ｔを測定に問題のない限り、最小に設定することＶ
Ｃ、Ｃす、測定時間を短くすることができる。
待ち時間Ｔは、測定項目と被試験ｉｔの構成によりめら
かじめ安定時間を推測してプログラムに設定するか、又
は実際に出力波形ケ観測して待ち時間を読み取り再設定
をすることが行なわれている。すなわち、この安定待ち
時間Ｔを測定に問題のない限り、最小に設定することＶ
Ｃ、Ｃす、測定時間を短くすることができる。
しかし、この最小女足待ち時間ＴＯを読み取るためには
、１項目ごとに、繰り返し、測定を行ない、オシロスコ
ープ等で波形全解析しなければならず、多大な時間を費
やさなければならないＯ又、目視により読み取っている
ため、Ｍ密性に欠けており、必要以上に長す時間全設定
し無駄な待ち時間を生じるとか、必、要とする時間より
も短く設定して正確な特性値を測定できないなどの欠点
を従来の自動特性測定装置は有している。
、１項目ごとに、繰り返し、測定を行ない、オシロスコ
ープ等で波形全解析しなければならず、多大な時間を費
やさなければならないＯ又、目視により読み取っている
ため、Ｍ密性に欠けており、必要以上に長す時間全設定
し無駄な待ち時間を生じるとか、必、要とする時間より
も短く設定して正確な特性値を測定できないなどの欠点
を従来の自動特性測定装置は有している。
不発明の目的は、か＼る前述の欠点を除去し、テストプ
ログラムの開発時間及び、測定実行時間が短縮できると
ともにより正確な測定が行なわれるところの自動特性測
定装置を提供することにあるＯ 本発明の装置は、半導体装置の自動特性測定装置におい
て、被試験装置にノくイアス信号を供給す５− るバイアス供給手段と、特性出力信号をサンプリング信
号のタイミングで入力するサンプリング入力手段と、テ
ストプログラムを記憶するテストプログラム記憶手段と
、一連の前記サンプリング信号による出力データを遂次
記憶するサンプルデータ記憶回路と、前記出力データの
微分演算を行ない安定待ち時間を検出し前記テストプロ
グラムを再設定する微分演算制御手段と、前記テストプ
ログラムに基づき前記バイアス信号、前記サンプリング
信号の制御並びに前記出力データの演算を行なう演算制
御手段とを含むことからなっている０次に本発明につめ
て、図面全もちいて詳細に説明する。
ログラムの開発時間及び、測定実行時間が短縮できると
ともにより正確な測定が行なわれるところの自動特性測
定装置を提供することにあるＯ 本発明の装置は、半導体装置の自動特性測定装置におい
て、被試験装置にノくイアス信号を供給す５− るバイアス供給手段と、特性出力信号をサンプリング信
号のタイミングで入力するサンプリング入力手段と、テ
ストプログラムを記憶するテストプログラム記憶手段と
、一連の前記サンプリング信号による出力データを遂次
記憶するサンプルデータ記憶回路と、前記出力データの
微分演算を行ない安定待ち時間を検出し前記テストプロ
グラムを再設定する微分演算制御手段と、前記テストプ
ログラムに基づき前記バイアス信号、前記サンプリング
信号の制御並びに前記出力データの演算を行なう演算制
御手段とを含むことからなっている０次に本発明につめ
て、図面全もちいて詳細に説明する。
米例のものと同じ機能部は、同一番号を符してその説明
を省略する〇 第３図で第１図に示すものと異なるところは、一連のサ
ンプル信号による測定値を記憶するサンプルデータ記憶
回路６と、前記サンプルデータの６− 微分演算を行ない、最小安定待ち時間を検出、テストプ
ログラムに設定する微分演算制御回路７を備え、又、演
算制御回路５′は従来の機能に加え、プログラム開発時
に、サンプリング信号ａつが一連のパルス出力信号とな
る機能を備えていることである。
を省略する〇 第３図で第１図に示すものと異なるところは、一連のサ
ンプル信号による測定値を記憶するサンプルデータ記憶
回路６と、前記サンプルデータの６− 微分演算を行ない、最小安定待ち時間を検出、テストプ
ログラムに設定する微分演算制御回路７を備え、又、演
算制御回路５′は従来の機能に加え、プログラム開発時
に、サンプリング信号ａつが一連のパルス出力信号とな
る機能を備えていることである。
次に本発明の動作を第４図に示すタイムチャート全もち
いて説明する。なお、測定時における動作は従来と全く
同一である為説明を省き、特に安定待ち時間Ｔの検出時
の動作について説明する。
いて説明する。なお、測定時における動作は従来と全く
同一である為説明を省き、特に安定待ち時間Ｔの検出時
の動作について説明する。
第３図中、演算制御回路５′は、第４図で示されるサン
プリング信号＠をサンプリング入力回路３に供給する。
プリング信号＠をサンプリング入力回路３に供給する。
このサンプリング信号■は、あらかじめ設定された周期
で出湛又、テストプログラムに可変可能な最大待ち時間
の聞出力するように制御されている・これにより、特性
を示す測定値がサンプリングデータ記憶回路６１Ｃ，次
々と記憶される。次に微分演算制御１回路７は、前記サ
ンプリングデータの微分演算を行ない第４図中■に示す
ような演算結果が得られる。
で出湛又、テストプログラムに可変可能な最大待ち時間
の聞出力するように制御されている・これにより、特性
を示す測定値がサンプリングデータ記憶回路６１Ｃ，次
々と記憶される。次に微分演算制御１回路７は、前記サ
ンプリングデータの微分演算を行ない第４図中■に示す
ような演算結果が得られる。
ここで、あらかじめ設定される微分規格値のと個々の演
算データを比較し、微分規格値■′ｆｒ越えない演算デ
ータのポイントラ検出、サンプリング信号の周期から最
小安定待ち時間Ｔｏを割り出し、テストプログシム上に
設定する演舞−処理を行なう。
算データを比較し、微分規格値■′ｆｒ越えない演算デ
ータのポイントラ検出、サンプリング信号の周期から最
小安定待ち時間Ｔｏを割り出し、テストプログシム上に
設定する演舞−処理を行なう。
なお、前記微分規格値■は、過渡現象が安定したと判断
される値ｉｌ′ｉｃあらかじめ設定しておく。
される値ｉｌ′ｉｃあらかじめ設定しておく。
このようにして、本発明の一実施例の特性測定装＃、は
、被試験装置のあらゆる出力信号における過渡現象に対
して、最小安５Ｅ待ち時間Ｔｏ全正確ＶＣ読み取り、デ
スドブログラムに設定されるため、従来のように各項目
ごとの繰り返し測定により、波形観測７行ない最小安定
待ち時間ＴＯの再設定全行なう必要がｌく、大幅なテス
トプログラム開発時間の短縮となる。更に、従来の波形
観測による安定待ち時間の判断にくらべ、より正確で最
ｌ」＼安定待ち時１ｌｆＪＴｏが得られ測定実行時間が
短靴されるとともに正Ｈな測定が行われるようになる。
、被試験装置のあらゆる出力信号における過渡現象に対
して、最小安５Ｅ待ち時間Ｔｏ全正確ＶＣ読み取り、デ
スドブログラムに設定されるため、従来のように各項目
ごとの繰り返し測定により、波形観測７行ない最小安定
待ち時間ＴＯの再設定全行なう必要がｌく、大幅なテス
トプログラム開発時間の短縮となる。更に、従来の波形
観測による安定待ち時間の判断にくらべ、より正確で最
ｌ」＼安定待ち時１ｌｆＪＴｏが得られ測定実行時間が
短靴されるとともに正Ｈな測定が行われるようになる。
以上の説明においては、被測定物を単に半導体装置とし
たが、これはパッケージに封入された完成品のみならず
ウェハ中のチップの測定あるいはチップ状のものの測定
にも適用されることはいうまでもない。又、測定される
特性値は直流的なパルス出力として測定されるが、又流
特注値でもこれを検波してやれば良いのでこの測足装酋
では直流特性測定だけでなく又流物性も含めた一般の特
性測定に適用できる。
たが、これはパッケージに封入された完成品のみならず
ウェハ中のチップの測定あるいはチップ状のものの測定
にも適用されることはいうまでもない。又、測定される
特性値は直流的なパルス出力として測定されるが、又流
特注値でもこれを検波してやれば良いのでこの測足装酋
では直流特性測定だけでなく又流物性も含めた一般の特
性測定に適用できる。
以上詳細に説明したとおり、本発明の自動特性測定装置
は、−遅のサンプル信号による測定値を記憶するサンプ
ルデータ記憶回路と、前記サンプルデータの微分演算全
行ない最小安定待ち時間を検出、テストプログラムに設
定する微分演算制御・ 回路とプログラム開発時にサン
プリング信号が一連のパルス出力信号となる機能を有す
る演算制御回路とを含んでいるので、自動的にしかも正
確に最小安定待ち時間の設定ができるので、従来のよう
に目視による各項目毎の繰り返し測定による設定は必要
でなくなり、テストプログラムの開発時間及び測定実行
時間が大幅に短縮されるとともによフ正確な測定ケ行な
うことができるという効果９− 分有している。
は、−遅のサンプル信号による測定値を記憶するサンプ
ルデータ記憶回路と、前記サンプルデータの微分演算全
行ない最小安定待ち時間を検出、テストプログラムに設
定する微分演算制御・ 回路とプログラム開発時にサン
プリング信号が一連のパルス出力信号となる機能を有す
る演算制御回路とを含んでいるので、自動的にしかも正
確に最小安定待ち時間の設定ができるので、従来のよう
に目視による各項目毎の繰り返し測定による設定は必要
でなくなり、テストプログラムの開発時間及び測定実行
時間が大幅に短縮されるとともによフ正確な測定ケ行な
うことができるという効果９− 分有している。
一般に、集積回路は高集積化、多機能化してきており、
測定項目も多くなってきているので、本発明の自動測定
装置を適用することにより一層大きな効果が得られる◎
測定項目も多くなってきているので、本発明の自動測定
装置を適用することにより一層大きな効果が得られる◎
第１図は従来の自動特性測定装置の一例ケ示すブロック
図、第２図はその動作を説明するためのタイムチャート
、駆３図は本発明の一実施例を示すブロック図、第４図
はその動作全説明するためのタイムチャートである。 １・・・・・・被試験装置、Ａ、Ａ’・旧・・自動特性
測定装置、２・・・・・・バイアス供給回路、３・・・
・・・サンプリング入力回路、４・・・・・・テストプ
ログラム記憶回路、５．５′・・・・・・演算制御回路
、６・・・・・・サンプルデータ記憶回路、７・・・・
・・微分演算制御回路、■・・・・・・バイアス信号、
■・・・・・・出力信号、■、■・川・・サンプリング
信号、■・・・・・・微分演算データ、■川・・・微分
規格値。 代理人 弁理士 内 原 音第１回 第 Ｚ 図 躬３面 −ｗ！ｔＰＩ！１ 聾壇 ｆ５４図
図、第２図はその動作を説明するためのタイムチャート
、駆３図は本発明の一実施例を示すブロック図、第４図
はその動作全説明するためのタイムチャートである。 １・・・・・・被試験装置、Ａ、Ａ’・旧・・自動特性
測定装置、２・・・・・・バイアス供給回路、３・・・
・・・サンプリング入力回路、４・・・・・・テストプ
ログラム記憶回路、５．５′・・・・・・演算制御回路
、６・・・・・・サンプルデータ記憶回路、７・・・・
・・微分演算制御回路、■・・・・・・バイアス信号、
■・・・・・・出力信号、■、■・川・・サンプリング
信号、■・・・・・・微分演算データ、■川・・・微分
規格値。 代理人 弁理士 内 原 音第１回 第 Ｚ 図 躬３面 −ｗ！ｔＰＩ！１ 聾壇 ｆ５４図
Claims (1)
- 半導体装置の自動特性測定装置において、被試験装置に
バイアス信号全供給するバイアス供給手段と、特性出力
信号をサンプリング信号のタイミングで入力するサンプ
リング入力手段と、テストプログラムを記憶するテスト
プログラム記憶手段と、一連の前記サンプリング信号に
よる出力データを遂次記憶するサンプルデータ記憶手段
と、前記出力データの微分演算を行な込安定待ち時間を
検出し前記テストプログラムを再設定する微分演算制御
手段と、前記テストプログラムに基づき前記バイアス信
号、前記サンプリング信号の制御並びに前記出力データ
の演算を行なう演算制御手段とを含むことｔ−特徴とす
る自動特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161873A JPS5951369A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 自動特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161873A JPS5951369A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 自動特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951369A true JPS5951369A (ja) | 1984-03-24 |
Family
ID=15743591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57161873A Pending JPS5951369A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 自動特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951369A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014109531A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Toshiba Corp | 半導体検査装置および半導体検査方法 |
| CN109490753A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-19 | 吉林大学 | 一种结合极小碰集约简集成电路测试模式集的方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57161873A patent/JPS5951369A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014109531A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Toshiba Corp | 半導体検査装置および半導体検査方法 |
| CN109490753A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-19 | 吉林大学 | 一种结合极小碰集约简集成电路测试模式集的方法 |
| CN109490753B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-12-08 | 吉林大学 | 一种结合极小碰集约简集成电路测试模式集的方法 |
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