JP3107658B2 - 電子写真用有機感光体の下地処理方法 - Google Patents

電子写真用有機感光体の下地処理方法

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JP3107658B2 JP04251205A JP25120592A JP3107658B2 JP 3107658 B2 JP3107658 B2 JP 3107658B2 JP 04251205 A JP04251205 A JP 04251205A JP 25120592 A JP25120592 A JP 25120592A JP 3107658 B2 JP3107658 B2 JP 3107658B2
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雅章 大出
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、レ−ザビ−ムプリン
タの感光ドラム等のように、露光光源としてレーザ等の
可干渉性単色光を用いる形式の電子写真用有機感光体、
及びその下地処理方法に関する。
【0002】なおこの明細書において、アルミニウムの
語はその合金を含む意味で用いる。
【0003】
【従来の技術】一般に、電子写真用感光体は、アルミニ
ウム又はその合金からなる導電性支持体に感光層が被覆
されたものに構成されるが、かかる感光層として、セレ
ン等の無機系光導電材料に代えて有機物系材料を用いた
有機感光体(いわゆるOPC感光体)が、成膜性、軽量
性、低価格性等の面で優れているところから用いられる
ようになっている。
【0004】そして、有機感光体の機能、特性をさらに
向上させるために、近時、感光層を電荷発生層(CG
L)と電荷輸送層(CTL)を有するものに構成した積
層型と称される有機感光体が提供されている。
【0005】ところで、上記の積層型感光体等の有機感
光体を用いてデジタル画像情報を記録する方法として、
レ−ザビ−ムプリンタ(LBP)の場合のように、レ−
ザ光で感光体表面を光学的に走査することにより静電潜
像を記録するものがある。この際のレ−ザとして、一般
に半導体レ−ザ(発光波長650〜820nm程度)が
使用される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、レ−ザ光が可
干渉性の単色光であるが故に、感光層を透過した光の支
持体表面での反射光と、感光層表面での反射光とが干渉
を起こすことがあり、ベタ画像(特に中間調)の場合、
干渉縞状の濃淡ムラが現れるという問題があった。
【0007】このため、露光時に導電性支持体表面に到
達した入射光を乱反射させて、支持体表面からの反射光
を減少させる目的で、液体ホ−ニング法(特開昭50−
98327号)、超仕上げ法(特公昭50−27496
号)等により、支持体表面を粗面化する試みがなされて
いる。
【0008】しかし、これらの方法では支持体表面を均
一に粗面化することは実際上極めて困難であり、大きな
うねりや局部的な凹凸が発生するため、表面帯電位が低
下する等の問題を生じ、実用的ではなかった。
【0009】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、電子写真用感光体において、レ−
ザ光のような可干渉性の単色光により静電潜像を記録す
る際の干渉による画像の濃淡ムラを防止した有機感光体
を提供することを目的とし、そのためにアルミニウム支
持体表面を均一に粗面化しうる電子写真用有機感光体の
下地処理方法を提供するものである。
【0010】上記目的を達成するために、この発明は、
光源として可干渉性の単色光が用いられる電子写真用有
機感光体の下地処理方法であって、NaF、KF、Li
Fの1種または2種以上を5〜50g/1含有するNa
OH水溶液にてアルミニウム支持体をエッチング処理す
る工程を含むことを特徴とするものである。
【0011】上記支持体を構成するアルミニウム材の種
類は特に限定されるものではなく、切削性、強度、硬さ
等を考慮して各種アルミニウム材の中から適宜のものを
選択使用することができる。一般的には、純アルミニウ
ム系、A3000系、A6000系等のアルミニウム展
伸材が好適に用いられる。
【0012】上記アルミニウム支持体に、一般には、感
光層と支持体との密着性の付与、電化注入防止性の向上
等を目的として、陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を
形成するが、この発明では陽極酸化処理の前処理とし
て、NaF、KF、LiFの1種または2種以上を含有
するNaOH水溶液に支持体表面を接触させてエッチン
グ処理を実施する。これは、アルミニウム支持体表面を
エッチングにより均一に粗面化して支持体表面への入射
光を不規則に散乱させることにより、感光層表面の反射
光との干渉を抑制するためである。即ち、NaOH水溶
液を用いることで、アルミニウム支持体の表面がエッチ
ングされるとともに、水溶液中に含有されたNaF(フ
ッ化ナトリウム)、KF(フッ化カリウム)、LiF
(フッ化リチウム)が粗面の程度をより細かくするよう
に作用し、アルミニウム支持体表面が均一微細に粗面化
されたいわゆる梨地状態となる。かかる作用効果の点で
NaF、KF、LiFは相互に均等物であり、少なくと
も1種が含有されれば良いが、水溶液中の合計含有量が
5g/l未満では上記の微細粗面化の効果に乏しい。一
方、50g/lを越えると反応が激しくなり、大きな凹
凸が発生する等の欠点を派生する。従ってNaOH水溶
液中に含有されるNaF、KF、LiFの1種または2
種以上の合計含有量は5〜50g/l(リットル)とし
なければならない。特に好ましい含有量は10〜30g
/lである。
【0013】また、水溶液中のNaOH量は5〜100
g/lとするのがよい。5g/l未満では支持体表面の
エッチングによる粗面化を十分に進行させることができ
ないおそれがあり、一方100g/lを越えるとエッチ
ングが進行し過ぎて支持体表面に大きなうねりや局部的
な凹凸を生じる危険がある。特に好ましいNaOHの含
有量は10〜50g/lである。また、NaOH水溶液
の温度は30〜50℃に、エッチング時間は10秒以上
3分以下に設定するのが良い。温度が30℃未満、エッ
チング時間が10秒未満では、十分な粗面化を行うこと
ができない恐れがある。一方、50℃を越える温度、3
分を越えるエッチング時間ではやはり粗面化の程度が進
み過ぎる危険がある。特に好ましい液温、エッチング時
間は30〜40℃、30秒〜2分である。
【0014】なお、上記のエッチング処理に先立ち、要
すればアルミニウム支持体に脱脂、水洗等の処理を施す
ものとしても良い。
【0015】上記エッチング処理後に行う陽極酸化処理
の条件は特に限定されることはないが、一般的には、硫
酸陽極酸化処理により行われ、硫酸皮膜の膜厚は1〜2
0μm程度に設定される。
【0016】なお、画像安定化のために前記陽極酸化処
理後に酢酸ニッケル溶液等に浸漬して封孔処理を実施す
ることも、画像ノイズを減少し得る点で推奨される。
【0017】以上のような下地処理の施された導電性支
持体には、続いて、有機物系材料からなる感光層とし
て、例えば電荷発生層と電荷輸送層を有する積層型感光
層を被覆形成する。かかる感光層の材料は、従来から知
られているものを適宜用いれば良い。例えば、電荷発生
層に用いる光導電体としては、フタロシアニン、アゾ、
キナクリドン、多環キノン、ペリレン、インジゴ、ベン
ズイミダゾ−ルなどの各種有機顔料を使用することがで
きる。なかでも、無金属フタロシアニン、銅、塩化イン
ジウム、塩化ガリウム、スズ、オキシチタニウム、亜
鉛、バナジウムなどの金属、又はその酸化物、塩化物の
配位したフタロシアニン類、モノアゾ、ビスアゾ、トリ
スアゾ、ポリアゾ類などのアゾ顔料が好ましい。
【0018】電荷発生層はこれらの物質の均一層として
あるいはバインダ−中に微粒子分散した状態で形成され
る。ここで使用されるバインダ−樹脂としてはポリビニ
ルブチラ−ル、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ酢酸
ビニル、ポリ塩化ビニル、メチルセルロ−ス、ポリカ−
ボネ−ト樹脂などを挙げうる。バインダ−樹脂100重
量部中、上記光導電体を20〜300重量部含有させる
ことが好ましく、特に30〜150重量部が好ましい。
この様な電荷発生層の膜厚は通常5μm以下、好ましく
は0.01〜1μmが適当である。
【0019】前記電荷輸送層中に用いる電荷輸送材料と
しては、ポリビニルカルバゾ−ル、ポリビニルピレン、
ポリアセナフチレンなどの高分子化合物又は、各種ピラ
ゾリン誘導体、オキサゾ−ル誘導体、ヒドラゾン誘導
体、スチルベン誘導体などの低分子化合物を使用でき
る。これらの電荷輸送材料と共に必要に応じてバインダ
−樹脂が配合される。
【0020】好ましいバインダ−樹脂としては、ポリメ
チルメタクリレ−ト、ポリスチレン、ポリ塩化ビニルな
どのビニル重合体及びその共重合体、ポリカ−ボネ−
ト、ポリエステル、ポリサルホン、フェノキシ樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂などを挙げうる。またこれら
の部分的架橋硬化物も使用される。上記電荷輸送材料
を、バインダ−樹脂100重量部中に30〜200重量
部、特に50〜150重量部含有させることが好まし
い。
【0021】また電荷輸送層には、必要に応じて酸化防
止剤、増感剤などの各種添加剤を含んでいても良い。
【0022】電荷輸送層の膜厚は通常10〜40μm、
好ましくは10〜25μmの厚みで使用される。
【0023】
【作用】NaF、KF、LiFの1種または2種以上を
所定量含有するNaOH水溶液にてアルミニウム支持体
表面をエッチングするから、溶液中のこれらNaF、K
F、LiFにより支持体表面が微細均一に粗面化され
る。このため、支持体表面への入射光が支持体表面で乱
反射され、感光層表面の反射光との干渉が抑制される。
また、陽極酸化皮膜の存在により、支持体と感光層との
密着性、電荷注入防止性が向上する。
【0024】
【発明の効果】この発明は、上述の次第で、光源として
可干渉性の単色光が用いられる電子写真用有機感光体の
下地処理方法であって、NaF、KF、LiFの1種ま
たは2種以上を5〜50g/l含有するNa0H水溶液
にてアルミニウム支持体をエッチング処理する工程と、
次いで、アルミニウム支持体を陽極酸化処理する工程と
を含むことを特徴とするものであるから、大きなうねり
や局部的な凹凸を生じることなく、アルミニウム支持体
表面を微細均一に粗面化することができる。このため、
支持体表面への入射光を不規則に散乱させることがで
き、感光層表面の反射光との干渉を抑制することができ
る。その結果、レーザ光の如き可干渉性の単色光で感光
体表面を走査して静電潜像を記録する方式の有機感光体
において、支持体表面からの反射光と感光層表面での反
射光との干渉に起因して生じていたベタ画像(特に中間
調)の干渉縞状の濃淡ムラの発生を抑制することがで
き、画像品質を向上することができる。しかも、所定溶
液でのエッチング処理による極めて簡単な処理操作で濃
淡ムラの発生を確実に防止できる。もとより、陽極酸化
皮膜の存在により、支持体と感光層との密着性、電荷注
入防止性は良好に確保されたものとなる。
【0025】
【実施例】A3003−H14の引抜管を複数個用意し、
これら管材を表面粗さ0.5Sに切削したものをアルミ
ニウム支持体として用いた。
【0026】そして、上記各支持体に、脱脂(使用界面
活性剤:JCB−12A(日本シービーケミカル社
製)、30g/l、65℃×5分)、水洗(井水、3
分)の各処理を行ったのち、表1に示すようなNa0H
水溶液、処理条件にてエッチング処理を行った。なお、
試料No1の支持体についてはエッチング処理は行わな
かった。
【0027】次に、上記エッチング処理後、アルミニウ
ム支持体を水洗(井水、3分)したのち、電解液として
濃度13%、液温20℃の硫酸を用い、電流密度1A/
dm2 、処理時間30分にて陽極酸化処理を行った。
【0028】上記の下地処理を終了した後、後処理とし
て2度の水洗(井水、3分)、酢酸ニッケル封孔(酢酸
Ni5g/l、50℃×5分)、水洗(井水、3分)及
び湯洗(純水、60℃、3分)を順次的に行った。
【0029】上記工程を終了したのち、各アルミニウム
支持体表面に電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光層
を以下のようにして被覆形成した。即ち、CGL層は、
無金属フタロシアニンをテトラヒドロフランにて4%に
希釈して、膜厚が約0.5μmになるように塗工し乾燥
して形成した。次に、CT剤(ヒドラゾン化合物)とC
T樹脂(ポリカーボネート)を1:2の比率で塩化メチ
レンに溶解して、膜厚が約20μmになるように塗工し
乾燥してCTL層とした。
【0030】上記により得た各種感光体につき、画像試
験を行った。画像試験は、上記感光体をレーザビームプ
リンターに取付け、ドットパターンによる中間調の画像
を出し、干渉縞状のムラの有無を評価した。その結果を
表1に併せて示す。
【0031】
【表1】 上記表1の結果から、エッチング処理を行わなかった比
較例No1やNaF、KF、LiFをまったく含まない
比較例No2では干渉縞状の濃淡ムラを生じる一方、本
発明によればこれを抑制できることがわかる。また、比
較例No11はエッチング後の表面粗度が大きく、感光層
塗工時の塗膜厚ムラを生じており、NaF等が50g/
lを越えるとエッチングが過度に進行して微細粗面化を
実現できないことも確認し得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03G 5/00 101 G03G 5/10 G03G 5/14 101

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源として可干渉性の単色光が用いられ
    る電子写真用有機感光体の下地処理方法であって、 NaF、KF、LiFの1種または2種以上を5〜50
    g/1含有するNaOH水溶液にてアルミニウム支持体
    をエッチング処理する工程を含むことを特徴とする電子
    写真用有機感光体の下地処理方法。
  2. 【請求項2】 エッチング処理後、アルミニウム支持体
    を陽極酸化処理する請求項1に記載の電子写真用有機感
    光体の下地処理方法。
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