JP3096529B2 - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線放射光を照明光と
してウエハ等基板を露光するＸ線露光方法に関するもの
である。
してウエハ等基板を露光するＸ線露光方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、荷電粒子蓄積リング放射光（以下
「ＳＲ−Ｘ線」という）を照明光としてウエハ等基板
（以下「基板」という）を露光するＸ線露光装置の開発
が進んでいる。一般にＳＲ−Ｘ線は光源である荷電粒子
蓄積リングの軌道面に垂直な方向（以下「ｙ軸方向」と
いう）への発散角度が小さいために、荷電粒子蓄積リン
グの発光点から基板へ至る光路に凸面状のミラーを配置
して、ｙ軸方向への発散率を大きくする工夫がなされて
いる。前記ミラーによってｙ軸方向へ拡大されたＳＲ−
Ｘ線のＸ線強度は、ｙ軸方向と直交する方向（以下「ｘ
軸方向」という）には均一であるが、ｙ軸方向には、図
６に実線で示すような曲線状の分布をもつ。このため
に、ミラーと基板の間に配置されたシャッターによって
露光時間を制御することで、基板表面の露光量を均一に
する。
「ＳＲ−Ｘ線」という）を照明光としてウエハ等基板
（以下「基板」という）を露光するＸ線露光装置の開発
が進んでいる。一般にＳＲ−Ｘ線は光源である荷電粒子
蓄積リングの軌道面に垂直な方向（以下「ｙ軸方向」と
いう）への発散角度が小さいために、荷電粒子蓄積リン
グの発光点から基板へ至る光路に凸面状のミラーを配置
して、ｙ軸方向への発散率を大きくする工夫がなされて
いる。前記ミラーによってｙ軸方向へ拡大されたＳＲ−
Ｘ線のＸ線強度は、ｙ軸方向と直交する方向（以下「ｘ
軸方向」という）には均一であるが、ｙ軸方向には、図
６に実線で示すような曲線状の分布をもつ。このため
に、ミラーと基板の間に配置されたシャッターによって
露光時間を制御することで、基板表面の露光量を均一に
する。
【０００３】図５は、凸面状のミラーを用いるＸ線露光
装置の一例を説明するもので、荷電粒子蓄積リングの発
光点１０１から引出されたシート状のＳＲ−Ｘ線Ｌは凸
面状の反射面をもつミラー１０２によってｙ軸方向へ拡
大され、Ｘ線透過膜１０３を経て図示しない減圧室へ導
入され、シャッター１０７の開口を通って基板ステージ
１０４に保持された基板１０５に到達する。なお、基板
１０５の表面近傍には図示しないパターン開口を有する
マスクが配置されている。基板ステージ１０４の図示上
端にはＸ線検出器１０６が配置され、基板１０５の露光
を開始する前に、基板ステージ１０４を図示下方へ移動
させ、Ｘ線検出器１０６によって露光領域のＸ線強度分
布を測定する。
装置の一例を説明するもので、荷電粒子蓄積リングの発
光点１０１から引出されたシート状のＳＲ−Ｘ線Ｌは凸
面状の反射面をもつミラー１０２によってｙ軸方向へ拡
大され、Ｘ線透過膜１０３を経て図示しない減圧室へ導
入され、シャッター１０７の開口を通って基板ステージ
１０４に保持された基板１０５に到達する。なお、基板
１０５の表面近傍には図示しないパターン開口を有する
マスクが配置されている。基板ステージ１０４の図示上
端にはＸ線検出器１０６が配置され、基板１０５の露光
を開始する前に、基板ステージ１０４を図示下方へ移動
させ、Ｘ線検出器１０６によって露光領域のＸ線強度分
布を測定する。
【０００４】ｙ軸方向の各位置における露光時間は、Ｘ
線検出器１０６によって測定されたＸ線強度分布に逆比
例するようにシャッター１０７によって制御される。加
えて、基板の表面のレジスト感度による焼付けの不均一
を補正する必要があり、このために様々な工夫がなされ
てるがいずれも複雑な測定工程を必要とするうえに充分
な精度が得られない。そこで、露光を開始する前に試し
焼きを行い、試し焼きによって露光された基板に残存す
るレジスト膜の厚さあるいは線幅から露光量の分布を算
出し、これによって単位時間当りの露光量（以下「露光
強度」という）の分布を求め、求められた露光強度分布
と荷電粒子蓄積リングの軌道電流の減衰量に基づいてシ
ャッターの移動速度曲線を設定し、露光時間を制御する
方法が開発された。
線検出器１０６によって測定されたＸ線強度分布に逆比
例するようにシャッター１０７によって制御される。加
えて、基板の表面のレジスト感度による焼付けの不均一
を補正する必要があり、このために様々な工夫がなされ
てるがいずれも複雑な測定工程を必要とするうえに充分
な精度が得られない。そこで、露光を開始する前に試し
焼きを行い、試し焼きによって露光された基板に残存す
るレジスト膜の厚さあるいは線幅から露光量の分布を算
出し、これによって単位時間当りの露光量（以下「露光
強度」という）の分布を求め、求められた露光強度分布
と荷電粒子蓄積リングの軌道電流の減衰量に基づいてシ
ャッターの移動速度曲線を設定し、露光時間を制御する
方法が開発された。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、振動、温度変化等による発光点の変位
や軌道電子注入による放射角の変動によってＳＲ−Ｘ線
の光路が変化したとき、再度レジストの試し焼きを行っ
て露光強度分布の変化を測定し、シャッターの移動速度
曲線を修正する必要があり、このためにＸ線露光装置の
操作を長時間中断しなればならない。
の技術によれば、振動、温度変化等による発光点の変位
や軌道電子注入による放射角の変動によってＳＲ−Ｘ線
の光路が変化したとき、再度レジストの試し焼きを行っ
て露光強度分布の変化を測定し、シャッターの移動速度
曲線を修正する必要があり、このためにＸ線露光装置の
操作を長時間中断しなればならない。
【０００６】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、発光点の変位や放射角
の変動等によってＳＲ−Ｘ線の光路が変化したとき、再
度露光強度分布を測定することなく、簡単な方法で露光
強度分布の変化を推定し、シャッターの移動速度曲線を
修正することができるＸ線露光方法を提供することを目
的とするものである。
に鑑みてなされたものであって、発光点の変位や放射角
の変動等によってＳＲ−Ｘ線の光路が変化したとき、再
度露光強度分布を測定することなく、簡単な方法で露光
強度分布の変化を推定し、シャッターの移動速度曲線を
修正することができるＸ線露光方法を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の方法は、Ｘ線放射光の光路に設けられたシ
ャッターを、露光が開始される前に測定された露光強度
分布に基づく移動速度曲線によって制御するＸ線露光方
法であって、前記光路が変化したときに、前記光路の変
化によるＸ線放射光のＸ線強度分布の位置ずれを検出
し、検出されたＸ線強度分布の位置ずれに基づいて前記
露光強度分布の変化を推定し、推定された変化に基づい
て前記移動速度曲線を修正することを特徴とするもので
ある。
めに本発明の方法は、Ｘ線放射光の光路に設けられたシ
ャッターを、露光が開始される前に測定された露光強度
分布に基づく移動速度曲線によって制御するＸ線露光方
法であって、前記光路が変化したときに、前記光路の変
化によるＸ線放射光のＸ線強度分布の位置ずれを検出
し、検出されたＸ線強度分布の位置ずれに基づいて前記
露光強度分布の変化を推定し、推定された変化に基づい
て前記移動速度曲線を修正することを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】露光が開始される前にレジストの試し焼き等に
よって露光強度分布を測定し、これに基づいてシャッタ
ーの移動速度曲線を設定する。軌道電子の注入等によっ
て荷電粒子蓄積リング放射光の光路が変化したときに、
Ｘ線強度分布を測定し、露光が開始される前に測定され
たＸ線強度分布と比較して両者の位置ずれを算出する。
算出された位置ずれに基づいて露光強度分布の変化を推
定し、シャッターの移動速度曲線を修正する。
よって露光強度分布を測定し、これに基づいてシャッタ
ーの移動速度曲線を設定する。軌道電子の注入等によっ
て荷電粒子蓄積リング放射光の光路が変化したときに、
Ｘ線強度分布を測定し、露光が開始される前に測定され
たＸ線強度分布と比較して両者の位置ずれを算出する。
算出された位置ずれに基づいて露光強度分布の変化を推
定し、シャッターの移動速度曲線を修正する。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１０】図１は凸面状のミラーを用いるＸ線露光装
置において、露光が開始されるときに実線で示す光路を
有するＸ線放射光であるＳＲ−Ｘ線Ｌ0 が、露光を中断
して軌道電子を注入したのちに破線で示す光路を有する
ＳＲ−Ｘ線Ｌ1 に変化した場合を説明する説明図であ
る。
置において、露光が開始されるときに実線で示す光路を
有するＸ線放射光であるＳＲ−Ｘ線Ｌ0 が、露光を中断
して軌道電子を注入したのちに破線で示す光路を有する
ＳＲ−Ｘ線Ｌ1 に変化した場合を説明する説明図であ
る。
【００１１】荷電粒子蓄積リングの発光点１から引出さ
れたＳＲ−Ｘ線Ｌ0 ，Ｌ1 は凸面状のミラー２によって
荷電粒子蓄積リングの軌道面に垂直なｙ軸方向へ拡大さ
れたのち、Ｘ線透過膜３を経て図示しない減圧室へ導入
され、基板ステージ４に保持された基板５に照射され
る。基板ステージ４の図示上端にはＸ線検出器６が保持
され、Ｘ線透過膜３と基板ステージ４の間には露光時間
を制御するシャッター７が設けられている。
れたＳＲ−Ｘ線Ｌ0 ，Ｌ1 は凸面状のミラー２によって
荷電粒子蓄積リングの軌道面に垂直なｙ軸方向へ拡大さ
れたのち、Ｘ線透過膜３を経て図示しない減圧室へ導入
され、基板ステージ４に保持された基板５に照射され
る。基板ステージ４の図示上端にはＸ線検出器６が保持
され、Ｘ線透過膜３と基板ステージ４の間には露光時間
を制御するシャッター７が設けられている。
【００１２】露光を開始する前に、まず基板ステージ４
を図示下方へ移動させ、Ｘ線検出器６によってＳＲ−Ｘ
線Ｌ0 のｙ軸方向のＸ線強度分布Ｖ0 （ｙ）（図２の
（ａ）に実線で示す）を測定する。
を図示下方へ移動させ、Ｘ線検出器６によってＳＲ−Ｘ
線Ｌ0 のｙ軸方向のＸ線強度分布Ｖ0 （ｙ）（図２の
（ａ）に実線で示す）を測定する。
【００１３】なお、Ｘ線検出器６の出力Ｖｘ（ｙ，ｔ）
は軌道電流値Ｉ（ｔ）に比例して変化するので、Ｘ線強
度分布Ｖ（ｙ）が時間に対して一定となるように、Ｉ
（ｔ）で規格して以下の通り定義しておく。
は軌道電流値Ｉ（ｔ）に比例して変化するので、Ｘ線強
度分布Ｖ（ｙ）が時間に対して一定となるように、Ｉ
（ｔ）で規格して以下の通り定義しておく。
【００１４】Ｖ（ｙ）＝Ｖx （ｙ，ｔ）／Ｉ（ｔ） なお、軌道電流値Ｉ（ｔ）は、ＤＣＣＴ（不示図）のよ
うな電流計で測定される。
うな電流計で測定される。
【００１５】次いで、基板５を露光してレジストの試し
焼きを行い、露光後のレジストの残膜率と予め測定され
たレジスト特性曲線から露光量の分布を算出し、これに
基づいて露光強度分布Ｄ0 （ｙ，ｔ0 ）（図２の（ｂ）
に実線で示す）を得るとともに、公知のＤＣＣＴ等の電
流計によって、荷電粒子蓄積リング１の初期軌道電流Ｉ
（ｔ0 ）を測定する。
焼きを行い、露光後のレジストの残膜率と予め測定され
たレジスト特性曲線から露光量の分布を算出し、これに
基づいて露光強度分布Ｄ0 （ｙ，ｔ0 ）（図２の（ｂ）
に実線で示す）を得るとともに、公知のＤＣＣＴ等の電
流計によって、荷電粒子蓄積リング１の初期軌道電流Ｉ
（ｔ0 ）を測定する。
【００１６】次にＸ線強度分布Ｖ0 （ｙ）、露光強度分
布Ｄ0 （ｙ，ｔ0 ）および初期軌道電流Ｉ（ｔ0 ）から
露光中の時刻ｔ、露光位置ｙにおける露光時間ｔexp を
式（１）によって求め、これに基づいてシャッター７の
移動速度曲線を設定し、製品となる基板の露光、焼付を
行う。
布Ｄ0 （ｙ，ｔ0 ）および初期軌道電流Ｉ（ｔ0 ）から
露光中の時刻ｔ、露光位置ｙにおける露光時間ｔexp を
式（１）によって求め、これに基づいてシャッター７の
移動速度曲線を設定し、製品となる基板の露光、焼付を
行う。
【００１７】
【数１】 ここで、Ｉ（ｔ）：時刻ｔにおいて測定された荷粒子蓄
積リングの軌道電流 Ｃ0 ：設定露光量に基づく定数 なお、時刻ｔにおける荷電粒子蓄積リングの軌道電流Ｉ
（ｔ）は、初期軌道電流Ｉ（ｔ0 ）と同じく公知のＤＣ
ＣＴ等の電流計によって測定してもよいし、また、シャ
ッター７の近傍に配置されたＸ線センサー（図示せず）
の出力の変動から算出することもできる。
積リングの軌道電流 Ｃ0 ：設定露光量に基づく定数 なお、時刻ｔにおける荷電粒子蓄積リングの軌道電流Ｉ
（ｔ）は、初期軌道電流Ｉ（ｔ0 ）と同じく公知のＤＣ
ＣＴ等の電流計によって測定してもよいし、また、シャ
ッター７の近傍に配置されたＸ線センサー（図示せず）
の出力の変動から算出することもできる。
【００１８】荷電粒子蓄積リングの軌道電子が減少して
再注入が行われ、荷電粒子蓄積リングの発光点１やＳＲ
−Ｘ線の放射角の変動によってＳＲ−Ｘ線の光路が変化
した場合には、変化したＳＲ−Ｘ線Ｌ1 の露光強度分布
Ｄ1 （ｔ1 ）を以下の方法で推定し、これに基づいて移
動シャツター７の移動速度曲線を修正する。
再注入が行われ、荷電粒子蓄積リングの発光点１やＳＲ
−Ｘ線の放射角の変動によってＳＲ−Ｘ線の光路が変化
した場合には、変化したＳＲ−Ｘ線Ｌ1 の露光強度分布
Ｄ1 （ｔ1 ）を以下の方法で推定し、これに基づいて移
動シャツター７の移動速度曲線を修正する。
【００１９】まず、基板ステージ４を図示下方へ移動さ
せて、変化したＳＲ−Ｘ線Ｌ1 のＸ線強度分布Ｖ1
（ｙ）（図２の（ａ）に破線で示す）をＸ線検出器によ
って測定し、露光が開始されるときのＳＲ−Ｘ線Ｌ0 の
Ｘ線強度分布Ｖ0 のピーク位置ｙP0と、変化したＳＲ−
Ｘ線Ｌ1 のＸ線強度分布Ｖ1 のピーク位置ｙP1の差Δｙ
を算出し、変化したＳＲ−Ｘ線Ｌ1 の露光強度分布Ｄ1
（ｙ，ｔ1 ）（図２の（ｂ）に破線で示す）を式（２）
のように推定する。
せて、変化したＳＲ−Ｘ線Ｌ1 のＸ線強度分布Ｖ1
（ｙ）（図２の（ａ）に破線で示す）をＸ線検出器によ
って測定し、露光が開始されるときのＳＲ−Ｘ線Ｌ0 の
Ｘ線強度分布Ｖ0 のピーク位置ｙP0と、変化したＳＲ−
Ｘ線Ｌ1 のＸ線強度分布Ｖ1 のピーク位置ｙP1の差Δｙ
を算出し、変化したＳＲ−Ｘ線Ｌ1 の露光強度分布Ｄ1
（ｙ，ｔ1 ）（図２の（ｂ）に破線で示す）を式（２）
のように推定する。
【００２０】
【数２】 すなわち、ＳＲ−Ｘ線の光路の変化による露光強度分の
変化は、Ｘ線強度分布の位置ずれΔｙと同じ位置ずれで
あると推定する。
変化は、Ｘ線強度分布の位置ずれΔｙと同じ位置ずれで
あると推定する。
【００２１】式（１），式（２）から式（３）によって
変動後の露光時間ｔ1 を求め、これに基づいて移動シャ
ツター７の移動速度曲線を修正する。
変動後の露光時間ｔ1 を求め、これに基づいて移動シャ
ツター７の移動速度曲線を修正する。
【００２２】
【数３】 なお、シャッター７の移動速度曲線を修正する替わり
に、基ステージ４を−Δｙだけ移動させることもでき
る。
に、基ステージ４を−Δｙだけ移動させることもでき
る。
【００２３】次に計算例を説明する。
【００２４】荷電粒子蓄積リングの軌道半径０．６ｍ、
加速電圧８００ＨｅＶ、ミラーの半径５０ｍ、反射角１
５ｍｒａｄ、荷電粒子蓄積リングの発光点とミラーの間
の距離７ｍ、ミラーとＸ線透過膜の間の距離４ｍ、Ｘ線
透過膜と基板の間の距離０．８ｍ、レジスト材料ＰＭＭ
Ａ、マスク材料ＳｉＮ、Ｘ線検出器ＧａＡｓ、露光領域
±１５ｍｍであるＸ線露光装置において、荷電粒子蓄積
リングの軌道電子注入後にＳＲ−Ｘ線の放射角が０．０
１ｍｒａｄ変動した場合に、Ｘ線検出器によってＸ線強
度分布Ｖ1 （ｙ，ｔ1 ）を測定し、ピーク付近の数点を
２次関数で近似して最小二乗法でピーク位置を算出し、
露光が開始される前に測定されたＸ線強度分布Ｖ0 のピ
ーク位置と比較してその位置ずれΔｙを求め、式（２）
よって露光強度分布Ｄ1 （ｙ，ｔ1 ）を推定し、基板の
試し焼きを行って実際の露光強度分布との差を算出する
と、誤差の分布は図３に実線で示す通りであり、±０．
２％以内になる。
加速電圧８００ＨｅＶ、ミラーの半径５０ｍ、反射角１
５ｍｒａｄ、荷電粒子蓄積リングの発光点とミラーの間
の距離７ｍ、ミラーとＸ線透過膜の間の距離４ｍ、Ｘ線
透過膜と基板の間の距離０．８ｍ、レジスト材料ＰＭＭ
Ａ、マスク材料ＳｉＮ、Ｘ線検出器ＧａＡｓ、露光領域
±１５ｍｍであるＸ線露光装置において、荷電粒子蓄積
リングの軌道電子注入後にＳＲ−Ｘ線の放射角が０．０
１ｍｒａｄ変動した場合に、Ｘ線検出器によってＸ線強
度分布Ｖ1 （ｙ，ｔ1 ）を測定し、ピーク付近の数点を
２次関数で近似して最小二乗法でピーク位置を算出し、
露光が開始される前に測定されたＸ線強度分布Ｖ0 のピ
ーク位置と比較してその位置ずれΔｙを求め、式（２）
よって露光強度分布Ｄ1 （ｙ，ｔ1 ）を推定し、基板の
試し焼きを行って実際の露光強度分布との差を算出する
と、誤差の分布は図３に実線で示す通りであり、±０．
２％以内になる。
【００２５】一方、露光を開始する前の試し焼きによっ
て測定された露光強度分布Ｄ0 （ｙ，ｔ0 ）の、軌道電
子注入後の試し焼きによって測定された露光強度分布に
対する誤差は破線で示す通りであり、その平均値±４％
であった。
て測定された露光強度分布Ｄ0 （ｙ，ｔ0 ）の、軌道電
子注入後の試し焼きによって測定された露光強度分布に
対する誤差は破線で示す通りであり、その平均値±４％
であった。
【００２６】なお、Ｘ線強度分布のピーク位置の位置ず
れΔｙを算出する方法は、以下の式によって誤差εrrを
求め、これが最小となるときのΔｙの値から求めてもよ
い。
れΔｙを算出する方法は、以下の式によって誤差εrrを
求め、これが最小となるときのΔｙの値から求めてもよ
い。
【００２７】
【数４】 さらに、露光強度布がピーク位置の変動とともに、ｙ方
向に伸縮した場合の補正を以下のように行うこともでき
る。変動前後で測定したＸ線強度分布が各々式（５）と
式（６）、また、変動前の露光強度分布が式（７）の２
次関数で近似できる場合、 Ｖ0 （ｙ）＝ａ0 （ｙ−ｙP0）2 ＋ＶP0 ・・・・・（５） Ｖ1 （ｙ）＝ａ1 （ｙ−ｙP1）2 ＋ＶP1 ・・・・・（６） Ｄ0 （ｙ1 ｔ1 ）＝（ｂ・Ｄ（ｙ−ｙd ）2 ＋ＤP ）・ｆ（ｔ）・・（７） 変動後の露光強度分布は次の様になる。
向に伸縮した場合の補正を以下のように行うこともでき
る。変動前後で測定したＸ線強度分布が各々式（５）と
式（６）、また、変動前の露光強度分布が式（７）の２
次関数で近似できる場合、 Ｖ0 （ｙ）＝ａ0 （ｙ−ｙP0）2 ＋ＶP0 ・・・・・（５） Ｖ1 （ｙ）＝ａ1 （ｙ−ｙP1）2 ＋ＶP1 ・・・・・（６） Ｄ0 （ｙ1 ｔ1 ）＝（ｂ・Ｄ（ｙ−ｙd ）2 ＋ＤP ）・ｆ（ｔ）・・（７） 変動後の露光強度分布は次の様になる。
【００２８】
【数５】 ここで、Δｙ＝ｙp1−ｙP0 であり、ｆ（ｘ）はＤ1
（ｙ，ｔ）時間に依存する項を表わすものとする。
（ｙ，ｔ）時間に依存する項を表わすものとする。
【００２９】また変動前後のＸ線強度分布がそれぞれ式
（９），（１０）のガウス分布、また、変動前の露光強
度分布が式（１１）で表わされるとき、露光強度分布は
式（１２）のように補正される。
（９），（１０）のガウス分布、また、変動前の露光強
度分布が式（１１）で表わされるとき、露光強度分布は
式（１２）のように補正される。
【００３０】
【数６】 さらに、Ｘ線強度分布が特定の関数で近似できな程度に
変化した場合は、以下のように補正できる。
変化した場合は、以下のように補正できる。
【００３１】もとのＸ線強度分布Ｖ0 （ｙ）で表わさ
れ、ｙP0でピークをもつ分布がｙP1でピークを持つＸ線
強度分布Ｖ1 （ｙ）に変化した場合、変動後の露光強度
分布Ｄ1 （ｙ，ｔ）は
れ、ｙP0でピークをもつ分布がｙP1でピークを持つＸ線
強度分布Ｖ1 （ｙ）に変化した場合、変動後の露光強度
分布Ｄ1 （ｙ，ｔ）は
【００３２】
【数７】 と補正される。
【００３３】なお、Ｘ線出器はＸ線が照射されると損傷
をうける。損傷の程度は全照射量に依存するので、入射
Ｘ線量を減少させることが望ましい。このためにＸ線検
出器６の前方にフィルターを設けてもよい。
をうける。損傷の程度は全照射量に依存するので、入射
Ｘ線量を減少させることが望ましい。このためにＸ線検
出器６の前方にフィルターを設けてもよい。
【００３４】しかしながら、ＳＲ−Ｘ線のミラーによる
反射率は波長と視射角に依存するため、フィルターの厚
さを増加させるにつれてピークの位置は上方へずれてい
き、ついには露光領域からはずれてしまう。第４図にア
ルミニウムフィルター、Ｃｒフィルター、Ｔｉフィルタ
ーのそれぞれの透過率とＸ線強度分布のピーク位置の関
係を示す。そこで、使用するフィルターの材質に応じて
ピーク位置が露光領域からはずれないようにフィルター
の膜厚を選定することが望ましい。
反射率は波長と視射角に依存するため、フィルターの厚
さを増加させるにつれてピークの位置は上方へずれてい
き、ついには露光領域からはずれてしまう。第４図にア
ルミニウムフィルター、Ｃｒフィルター、Ｔｉフィルタ
ーのそれぞれの透過率とＸ線強度分布のピーク位置の関
係を示す。そこで、使用するフィルターの材質に応じて
ピーク位置が露光領域からはずれないようにフィルター
の膜厚を選定することが望ましい。
【００３５】また、本発明は、図７に示すような、ミラ
ー揺動方式のＸ線露光装置にも適用できる。この場合
は、平面ミラー２００を揺動することでシート状のＸ線
Ｌを矢印のように振ってＸ線照射領域を拡大し、ミラー
の揺動速度を変えることで露光時間を制御する。従っ
て、Ｘ線強度分布の測定は、Ｘ線検出器６が露光領域内
の適当な位置にくるように、ステージを固定し、ミラー
揺動を行ないＸ線強度を測定し、順次ステージを移動
し、露光領域内のＸ線強度分布を求める。このようにし
て求められたＸ線強度分布をもとに、前述の方法で露光
強度分布を補正し、適切な露光時間となるようにミラー
揺動速度を制御する。
ー揺動方式のＸ線露光装置にも適用できる。この場合
は、平面ミラー２００を揺動することでシート状のＸ線
Ｌを矢印のように振ってＸ線照射領域を拡大し、ミラー
の揺動速度を変えることで露光時間を制御する。従っ
て、Ｘ線強度分布の測定は、Ｘ線検出器６が露光領域内
の適当な位置にくるように、ステージを固定し、ミラー
揺動を行ないＸ線強度を測定し、順次ステージを移動
し、露光領域内のＸ線強度分布を求める。このようにし
て求められたＸ線強度分布をもとに、前述の方法で露光
強度分布を補正し、適切な露光時間となるようにミラー
揺動速度を制御する。
【００３６】また、本発明は、マスクとウエハをステー
ジ上に固定し、ステージを移動して露光領域を拡大する
ステージ走査型露光装置にも適用できる。その場合、補
正された露光強度分布に従って適切な露光時間になるよ
うに、ステージ移動速度を補正すれば良い。
ジ上に固定し、ステージを移動して露光領域を拡大する
ステージ走査型露光装置にも適用できる。その場合、補
正された露光強度分布に従って適切な露光時間になるよ
うに、ステージ移動速度を補正すれば良い。
【００３７】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３８】軌道電子注入による放射角の変動や振動、
温度変化等による発光点の変位によって、ＳＲ−Ｘ線の
光路が変化したとき、再度露光強度分布を測定すること
なく簡単な方法で露光強度分布の変化を推定して、シャ
ッターの移動速度曲線を修正することができる。その結
果、前述のようなＳＲ−Ｘ線の光路の変化による露光む
らを容易に軽減できる。
温度変化等による発光点の変位によって、ＳＲ−Ｘ線の
光路が変化したとき、再度露光強度分布を測定すること
なく簡単な方法で露光強度分布の変化を推定して、シャ
ッターの移動速度曲線を修正することができる。その結
果、前述のようなＳＲ−Ｘ線の光路の変化による露光む
らを容易に軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】凸面状のミラーを用いる露光装置においてＳＲ
−Ｘ線の光路を説明する説明図である。
−Ｘ線の光路を説明する説明図である。
【図２】ＳＲ−Ｘ線の光路が変化することによってそれ
ぞれ変化する露光強度分布とＸ線強度分布を示すもの
で、（ａ）はＸ線強度分布、（ｂ）は露光強度分布を示
す図である。
ぞれ変化する露光強度分布とＸ線強度分布を示すもの
で、（ａ）はＸ線強度分布、（ｂ）は露光強度分布を示
す図である。
【図３】本発明によって推定された露光強度分布の、試
し焼きを行って測定した露光強度分布に対する誤差を示
す図である。
し焼きを行って測定した露光強度分布に対する誤差を示
す図である。
【図４】フィルターの透過率と、Ｘ線強度分布のピーク
位置の関係を示す図である。
位置の関係を示す図である。
【図５】凸面状のミラーを用いるＸ線露光装置を説明す
る説明図である。
る説明図である。
【図６】Ｘ線強度分布を示す図である。
【図７】ミラー揺動式のＸ線露光装置を説明する説明図
である。
である。
１ 発光点 ２ ミラー ３ Ｘ線透過膜 ４ 基板ステージ ５ 基板 ６ Ｘ線検出器 ７ シャッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−259508（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−243519（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−67718（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−53199（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−71188（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−101150（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ線放射光の光路に設けられたシャッタ
ーを、露光が開始されるに前に測定された露光強度分布
に基づく移動速度曲線によって制御するＸ線露光方法で
あって、前記光路が変化したときに、前記光路の変化に
よるＸ線放射光のＸ線強度分布の位置ずれを検出し、検
出されたＸ線強度分布の位置ずれに基づいて前記露光強
度分布の変化を推定し、推定された変化に基づいて前記
移動速度曲線を修正することを特徴とするＸ線露光方
法。 - 【請求項２】 露光強度分布の変化がＸ線強度分布の位
置ずれと同じ位置ずれであると推定することを特徴とす
る請求項１記載のＸ線露光方法。 - 【請求項３】 シャッターを、露光が開始される前に測
定された露光強度分布と、露光中の荷電粒子蓄積リング
の軌道電流の減衰率に基づく移動速度曲線によって制御
することを特徴とする請求項１または２記載のＸ線露光
方法。 - 【請求項４】 シャッターを、露光が開始される前に測
定された露光強度分布と、露光中の荷電粒子蓄積リング
の放射光のＸ線強度の減衰率に基づく移動速度曲線によ
って制御することを特徴とする請求項１または２記載の
Ｘ線露光方法。 - 【請求項５】 Ｘ線放射光の露光強度分布に基づいて露
光時間を制御する露光方法であって、前記Ｘ線放射光の
光路が変化した時の前記露光強度分布の変化を推定し、
推定された変化に基づいて前記露光時間を修正すること
を特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04270973A JP3096529B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Ｘ線露光方法 |
| EP93307186A EP0588579B1 (en) | 1992-09-14 | 1993-09-13 | Synchrotron X-ray exposure method |
| DE69322345T DE69322345T2 (de) | 1992-09-14 | 1993-09-13 | Synchrotron-Röntgenbelichtungsverfahren |
| US08/678,784 US5606586A (en) | 1992-09-14 | 1996-07-11 | X-ray exposure method and apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04270973A JP3096529B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Ｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697050A JPH0697050A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3096529B2 true JP3096529B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=17493614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04270973A Expired - Fee Related JP3096529B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3096529B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011102320A1 (ja) * | 2010-02-17 | 2011-08-25 | 株式会社アルバック | 電子線照射装置及び電子線照射方法 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP04270973A patent/JP3096529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697050A (ja) | 1994-04-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |