JP2675859B2 - Ｘ線マスクおよびこれを用いたｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびこれを用いたｘ線露光方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はＸ線を露光光として用いるＸ線露光装置にお
いて好適なＸ線露光用マスクやこれを用いたＸ線露光方
法に関する。
いて好適なＸ線露光用マスクやこれを用いたＸ線露光方
法に関する。
［従来の技術］ 近年の集積回路の微細化に伴い現像後のレジスタ線幅
の均一性が一層要求されるようになってきた。レジスト
線幅の均一性を達成するにはマスク線幅の均一性や現像
条件の安定性はもちろんのこと露光量の一様性が重要と
なってくる。露光領域内の各位置で単位時間当たりのレ
ジストの露光量を測定できれば、各位置で露光量に見合
った時間露光することにより領域内で一定の露光量を得
ることができる。
の均一性が一層要求されるようになってきた。レジスト
線幅の均一性を達成するにはマスク線幅の均一性や現像
条件の安定性はもちろんのこと露光量の一様性が重要と
なってくる。露光領域内の各位置で単位時間当たりのレ
ジストの露光量を測定できれば、各位置で露光量に見合
った時間露光することにより領域内で一定の露光量を得
ることができる。
一般にレジストと検出器に感度は一致しないが、ウェ
ハ面内で相対的な分光強度が同じ場合、例えば光露光や
Ｘ線管球等による露光では、各点での安定した検出器の
出力が得られれば、それに応じた時間だけ露光すること
により均一な露光量を得ることができる。
ハ面内で相対的な分光強度が同じ場合、例えば光露光や
Ｘ線管球等による露光では、各点での安定した検出器の
出力が得られれば、それに応じた時間だけ露光すること
により均一な露光量を得ることができる。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、近年注目を浴びているシンクロトロン
放射光をＸ線ミラーによって反射させる露光方法では、
一般には露光位置によってＸ線の絶縁強度はもちろん波
長分布に大きな差がある。従って、ミラー揺動法や固定
ミラー等によって放射光を拡大する場合、露光位置によ
る波長分布の差異を無視してＸ線強度測定を行い、検出
器の出力に基づいて各露光位置における露光時間を決定
すると、ウエハ面内で±10％以上の露光むらが生じるお
それがあった。
放射光をＸ線ミラーによって反射させる露光方法では、
一般には露光位置によってＸ線の絶縁強度はもちろん波
長分布に大きな差がある。従って、ミラー揺動法や固定
ミラー等によって放射光を拡大する場合、露光位置によ
る波長分布の差異を無視してＸ線強度測定を行い、検出
器の出力に基づいて各露光位置における露光時間を決定
すると、ウエハ面内で±10％以上の露光むらが生じるお
それがあった。
これは検出器とレジストの感じる波長が異なるためで
ある。
ある。
更にもう一つ重要な問題として、個々のＸ線マスクの
基板の厚さが異なることである。例えば、代表的な無機
系のSiNのＸ線マスク基板はSolid State Technol.vol.1
9 Sep.1976,955に示される様にCVD等で作製されるので
必ずしも所定の厚さになるとは限らず、マスクを透過し
て強度に変化がおきる可能性が生じる。
基板の厚さが異なることである。例えば、代表的な無機
系のSiNのＸ線マスク基板はSolid State Technol.vol.1
9 Sep.1976,955に示される様にCVD等で作製されるので
必ずしも所定の厚さになるとは限らず、マスクを透過し
て強度に変化がおきる可能性が生じる。
本発明は上記従来の技術が有する課題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決する本発明は、転写パターンを有する
Ｘ線マスクにおいて、該転写パターンとは別にレジスト
によるパターンを設けたことを特徴とするものである。
また、本発明の別の形態は、Ｘ線マスクに転写パターン
とは別に設けられたレジストパターンにＸ線を照射し、
該レジストパターンを透過したＸ線を検出し、該検出に
基づいて転写パターンの露光量を決定することを特徴と
するＸ線露光方法である。
Ｘ線マスクにおいて、該転写パターンとは別にレジスト
によるパターンを設けたことを特徴とするものである。
また、本発明の別の形態は、Ｘ線マスクに転写パターン
とは別に設けられたレジストパターンにＸ線を照射し、
該レジストパターンを透過したＸ線を検出し、該検出に
基づいて転写パターンの露光量を決定することを特徴と
するＸ線露光方法である。
［実施例］ SRリングからのＸ線を凸面ミラー等によって拡大し、
一括転写する方式において露光位置各点での露光強度の
測定に関して、本発明を用いて場合について説明する。
一括転写する方式において露光位置各点での露光強度の
測定に関して、本発明を用いて場合について説明する。
まず、第４図に示す様に、凸面ミラー11によって拡大
したＸ線はｘ方向（紙面に直角）に等しいＸ線強度をも
つがｙ方向には、視射角による凸面ミラー11の反射率の
違いから各露光位置ｙによって強度が異なるという性質
がある。本露光方式はマスク12にＸ線を一括照射して各
点で露光量が等しくなる様に、第５図に示す様にシャッ
ター20を駆動して露光位置各位置における露光時間を補
正する。このシャッター20はドラム21とシャッターベル
ト22から構成されている。シャッターベルト22に開けら
れた露光アパーチャー25の先エッジ23の軌跡を26後エッ
ジ24のそれを27とすると、露光領域L0の各点で露光量
（＝露光時間×照度）が等しくなる様に、シャッター20
の開いている時間Te（ｙ）を設定し、それによって後エ
ッジ24の速度を制御する。
したＸ線はｘ方向（紙面に直角）に等しいＸ線強度をも
つがｙ方向には、視射角による凸面ミラー11の反射率の
違いから各露光位置ｙによって強度が異なるという性質
がある。本露光方式はマスク12にＸ線を一括照射して各
点で露光量が等しくなる様に、第５図に示す様にシャッ
ター20を駆動して露光位置各位置における露光時間を補
正する。このシャッター20はドラム21とシャッターベル
ト22から構成されている。シャッターベルト22に開けら
れた露光アパーチャー25の先エッジ23の軌跡を26後エッ
ジ24のそれを27とすると、露光領域L0の各点で露光量
（＝露光時間×照度）が等しくなる様に、シャッター20
の開いている時間Te（ｙ）を設定し、それによって後エ
ッジ24の速度を制御する。
この様な露光量制御方式を用いた露光装置において
は、各露光位置での照度測定が重要となってくる。
は、各露光位置での照度測定が重要となってくる。
そこで本発明では、一般に同種のレジストにおいて感
度はＸ線の吸収量に比例すると考えられていることを利
用して露光領域の各点でレジストの吸収量に対応する量
を測定しウエハ面上の各点における露光時間を求めるも
のである。
度はＸ線の吸収量に比例すると考えられていることを利
用して露光領域の各点でレジストの吸収量に対応する量
を測定しウエハ面上の各点における露光時間を求めるも
のである。
第１図は本発明の実施例であるＸ線マスクで通常の露
光領域５の外側に吸収材のない領域、即ち露光照度測定
用窓４が設けられている。その窓４は、露光に使用する
レジスト７が塗布されている第２の領域２と塗布されて
いない第１の領域１から構成されている。
光領域５の外側に吸収材のない領域、即ち露光照度測定
用窓４が設けられている。その窓４は、露光に使用する
レジスト７が塗布されている第２の領域２と塗布されて
いない第１の領域１から構成されている。
第２図は前述のＸ線マスクを用いた露光強度測定を示
す斜視図で主要部分のみを示してある。第３図は第２図
のAA断面である。
す斜視図で主要部分のみを示してある。第３図は第２図
のAA断面である。
この様な系において、Ｘ線検出器９を露光照度測定用
窓４のレジストが塗布されている第２の領域２の後方に
設置し第２図中の矢印Ｂ方向に走査してレジスト７及び
マスク基板６を透過してきたＸ線強度I2（ｙ）を各点に
おいて測定し次に、Ｘ線照度検出器９をレジストが塗布
されていない第１の領域１の後方に移動した後、前述と
同様に走査し、マスク基板６を透過してきたＸ線照度I1
（ｙ）を各点において測定する。
窓４のレジストが塗布されている第２の領域２の後方に
設置し第２図中の矢印Ｂ方向に走査してレジスト７及び
マスク基板６を透過してきたＸ線強度I2（ｙ）を各点に
おいて測定し次に、Ｘ線照度検出器９をレジストが塗布
されていない第１の領域１の後方に移動した後、前述と
同様に走査し、マスク基板６を透過してきたＸ線照度I1
（ｙ）を各点において測定する。
次に、各点ｙにおいて Ｉ（ｙ）＝I1（ｙ）−I2（ｙ） …（１） を求めてこれとその点におけるＸ線照度データＩ（ｙ）
とする。
とする。
この様にして求められたＸ線照度データＩ（ｙ）に反
比例する様に各点における露光時間Te（ｙ）を決定す
る。即ち、 Te（ｙ）＝C/I（ｙ） …（２） である。ここで比例定数Ｃはレジストの感度とレジスト
のＸ線吸収量との関係、目標とする露光現像後のレジス
ト線巾および露光時のＸ線照度によって決定されるレジ
ストのＸ線吸収量の目標値である。こうして求められた
露光時間Te（ｙ）となる様にシャッター20の速度を制御
する。
比例する様に各点における露光時間Te（ｙ）を決定す
る。即ち、 Te（ｙ）＝C/I（ｙ） …（２） である。ここで比例定数Ｃはレジストの感度とレジスト
のＸ線吸収量との関係、目標とする露光現像後のレジス
ト線巾および露光時のＸ線照度によって決定されるレジ
ストのＸ線吸収量の目標値である。こうして求められた
露光時間Te（ｙ）となる様にシャッター20の速度を制御
する。
なお、露光照度測定時は、露光用ウエハ13にＸ線が照
射されない様に遮蔽板14を繰り出し、露光時は露光照度
測定用窓がウエハに転写されない様に遮蔽板14が調整さ
れる。なお、遮蔽板14の機能をシャッター20で兼用して
もよい。
射されない様に遮蔽板14を繰り出し、露光時は露光照度
測定用窓がウエハに転写されない様に遮蔽板14が調整さ
れる。なお、遮蔽板14の機能をシャッター20で兼用して
もよい。
そのためには、シャッターベルト22に露光アパルチャ
ー25の他、照度測定用窓４のみにＸ線が照射される様な
照度測定アパルチャーを設けることが必要である。
ー25の他、照度測定用窓４のみにＸ線が照射される様な
照度測定アパルチャーを設けることが必要である。
また本実施例では凸面ミラー11によって拡大されたＸ
線を一括転写する方式について述べたが、本発明は前述
の露光方式に限られるものではなく、ミラー揺動露光方
式等にも有効である。
線を一括転写する方式について述べたが、本発明は前述
の露光方式に限られるものではなく、ミラー揺動露光方
式等にも有効である。
その場合、特定位置ｙ露光照度測定用窓４の第１の領
域１の後方にＸ線照度検出器９を固定し、ミラーを揺動
し、検出器出力I1（ｙ）を求め次に、Ｘ線検出器を第２
の領域後方に移動し、I2（ｙ）を求め、式（１）に従っ
てＩ（ｙ）を測定すればよい。
域１の後方にＸ線照度検出器９を固定し、ミラーを揺動
し、検出器出力I1（ｙ）を求め次に、Ｘ線検出器を第２
の領域後方に移動し、I2（ｙ）を求め、式（１）に従っ
てＩ（ｙ）を測定すればよい。
本実施例のマスクに基づいた別の測定方法について説
明する。本測定では第６図中のＸ方向にＸ線照度検出器
９を振動させることによって検出器９へ領域１と領域２
を透過してきたＸ線を交互に入射させてもよい。その場
合、検出器９からI1（ｙ）とI2（ｙ）が交互に出力され
るので、交流成分が測定位置ｙにおけるＸ線照度データ
になる。その場合、直線、Ｘ線照度データＩ（ｙ）が得
られることから式（２）に示される様な演算が不必要な
他、測定精度も向上する。
明する。本測定では第６図中のＸ方向にＸ線照度検出器
９を振動させることによって検出器９へ領域１と領域２
を透過してきたＸ線を交互に入射させてもよい。その場
合、検出器９からI1（ｙ）とI2（ｙ）が交互に出力され
るので、交流成分が測定位置ｙにおけるＸ線照度データ
になる。その場合、直線、Ｘ線照度データＩ（ｙ）が得
られることから式（２）に示される様な演算が不必要な
他、測定精度も向上する。
第６図に別の第２の実施例を示す。
本実施例では露光照度測定用窓 ４は、レジスト７を
塗布した第２の領域２の両側にレジストを塗布してない
領域1a,bによって構成される。この第７図が第３図に対
応する強度測定時の断面図である。本実施例のマスクに
よる照度測定は、Ｘ線照度検出器９をｘ方向（図示）に
走査することで第1aと第２、第1bの領域を透過してきた
Ｘ線を順次Ｘ線照度検出器９に取り込む方法である。こ
うして得られたI1a（y0）とI2（y0）,I1b（y0）を用い
て、式（１）中のI1（y0）をI1a（y0）,I1b（y0）の平
均値としてＸ線強度データI1（y0）を求める。即ち Ｉ（y0）＝1/2［I1a（y0）＋I1b（y0）］−I2（ｙ） とする。
塗布した第２の領域２の両側にレジストを塗布してない
領域1a,bによって構成される。この第７図が第３図に対
応する強度測定時の断面図である。本実施例のマスクに
よる照度測定は、Ｘ線照度検出器９をｘ方向（図示）に
走査することで第1aと第２、第1bの領域を透過してきた
Ｘ線を順次Ｘ線照度検出器９に取り込む方法である。こ
うして得られたI1a（y0）とI2（y0）,I1b（y0）を用い
て、式（１）中のI1（y0）をI1a（y0）,I1b（y0）の平
均値としてＸ線強度データI1（y0）を求める。即ち Ｉ（y0）＝1/2［I1a（y0）＋I1b（y0）］−I2（ｙ） とする。
次に、Ｘ線照度検出器９をｙ方向にΔｙだけ移動し、
前述と同様に測定することでｙ＋ΔｙのＸ線照度データ
Ｉ（y0＋Δｙ）を得る。
前述と同様に測定することでｙ＋ΔｙのＸ線照度データ
Ｉ（y0＋Δｙ）を得る。
この様に得られたＸ線照度データＩ（ｙ）を式（２）
に代入して各位置での露光時間Te（ｙ）を決定し、その
値を基にシャッターを駆動する。
に代入して各位置での露光時間Te（ｙ）を決定し、その
値を基にシャッターを駆動する。
第８図に、第３の実施例を示す。第３と第７図に対応
する測定中の断面である。本実施例の強度測定用窓４
は、複数種のレジスト７が線状に塗布され、第１の領域
と第２の領域が交互に並んだ構成となっている。強度測
定方法は、前述のレジストが塗布された第２の領域の中
から露光に使用するレジストを選択し、その領域及び隣
接した第１の領域を用いて、実施例１又は２に示した方
法と同様に行なわれる。
する測定中の断面である。本実施例の強度測定用窓４
は、複数種のレジスト７が線状に塗布され、第１の領域
と第２の領域が交互に並んだ構成となっている。強度測
定方法は、前述のレジストが塗布された第２の領域の中
から露光に使用するレジストを選択し、その領域及び隣
接した第１の領域を用いて、実施例１又は２に示した方
法と同様に行なわれる。
また、本実施例は、単１つ強度測定用窓上に多種のレ
ジストが塗布された例について述べたが、複数の照度測
定用窓を設けてもよい。
ジストが塗布された例について述べたが、複数の照度測
定用窓を設けてもよい。
本実施例では単一のＸ線マスクで複数のレジストに対
応したＸ線強度データが得られるので、露光に使用する
レジストを替えても対応できる。
応したＸ線強度データが得られるので、露光に使用する
レジストを替えても対応できる。
［発明の効果］ 以上本発明によれば、Ｘ線マスクに転写パターンとは
別にレジストによるパターンを設け、これを利用するこ
とによって、簡単に転写パターンの最適露光量を決定す
ることができる。
別にレジストによるパターンを設け、これを利用するこ
とによって、簡単に転写パターンの最適露光量を決定す
ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例である。 第２図は本発明の第１の実施例であるＸ線マスクを用い
た露光強度測定用マスクである。 第３図は第２図中のAA断面を示す。 第４図は本発明を用いた露光装置の実施例である。 第５図は露光量の制御を示す図である。 第６図は本発明の第２の実施例である。 第７図は本発明の第２の実施例であるＸ線マスクを用い
た露光強度測定を示す図である。 第８図は本発明の第３の実施例であるＸ線マスクを用い
た露光強度測定を示す図である。 １はレジストが塗布されていない露光強度測定用窓４の
第１の領域 ２はレジストが塗布されている露光強度測定用窓４は第
２の領域 ３はフレーム ４は露光強度測定用窓 ５は回路等のＸ線吸収パターンがある露光領域 ６はマスク基板 ７は第２の領域に塗布されたレジスト ８は絞り ９はＸ線検出器 10はｘ線 11はＸ線ミラー 12はＸ線マスク 13はウエハ 14は遮蔽板 20はシャッター 21はドラム 22はシャッターベルト 23は先エッジ 24は後エッジ、 25は露光アパーチャ 26は先エッジの軌跡 27は後エッジの軌跡
た露光強度測定用マスクである。 第３図は第２図中のAA断面を示す。 第４図は本発明を用いた露光装置の実施例である。 第５図は露光量の制御を示す図である。 第６図は本発明の第２の実施例である。 第７図は本発明の第２の実施例であるＸ線マスクを用い
た露光強度測定を示す図である。 第８図は本発明の第３の実施例であるＸ線マスクを用い
た露光強度測定を示す図である。 １はレジストが塗布されていない露光強度測定用窓４の
第１の領域 ２はレジストが塗布されている露光強度測定用窓４は第
２の領域 ３はフレーム ４は露光強度測定用窓 ５は回路等のＸ線吸収パターンがある露光領域 ６はマスク基板 ７は第２の領域に塗布されたレジスト ８は絞り ９はＸ線検出器 10はｘ線 11はＸ線ミラー 12はＸ線マスク 13はウエハ 14は遮蔽板 20はシャッター 21はドラム 22はシャッターベルト 23は先エッジ 24は後エッジ、 25は露光アパーチャ 26は先エッジの軌跡 27は後エッジの軌跡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−305518（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−197000（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−77627（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−302020（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】転写パターンを有するＸ線マスクにおい
て、該転写パターンとは別に、Ｘ線透過強度が測定され
るレジストパターンを同一マスクに設けたことを特徴と
するＸ線マスク。 - 【請求項２】Ｘ線マスクに転写パターンとは別に設けら
れたレジストパターンにＸ線を照射し、該レジストパタ
ーンを透過したＸ線を検出し、該検出に基づいて転写パ
ターンの露光量を決定することを特徴とするＸ線露光方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13068289A JP2675859B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | Ｘ線マスクおよびこれを用いたｘ線露光方法 |
| DE68929356T DE68929356T2 (de) | 1988-06-03 | 1989-06-05 | Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung |
| EP89305669A EP0345097B1 (en) | 1988-06-03 | 1989-06-05 | Exposure method and apparatus |
| US07/769,493 US5131022A (en) | 1988-06-03 | 1991-10-01 | Exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13068289A JP2675859B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | Ｘ線マスクおよびこれを用いたｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308518A JPH02308518A (ja) | 1990-12-21 |
| JP2675859B2 true JP2675859B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=15040096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13068289A Expired - Fee Related JP2675859B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-05-23 | Ｘ線マスクおよびこれを用いたｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675859B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2723081B2 (ja) * | 1995-05-15 | 1998-03-09 | 日本電気株式会社 | スキャン露光方式における照度むら検出方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770466B2 (ja) * | 1989-05-17 | 1995-07-31 | 松下電子工業株式会社 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP13068289A patent/JP2675859B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02308518A (ja) | 1990-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |