KR100233383B1 - 노광상태검출계 및 이것을 사용한 노광장치 - Google Patents

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마사노부 하세가와
쿄이치 미야자키
세이지 타케우치
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미다라이 후지오
캐논 가부시키가이샤
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Abstract

감광재료가 도포된 물체위에 형성된 주기패턴의 형성상태를 노광광을 통해 검출하는 형성상태검출계는, 주기패턴위로 입력광을 투영하는 광투영장치와, 주기패턴으로부터의 신호광을 수광하고 입력광의 변화를 검출하여 이 입력광의 변화에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정장치를 구비한다.

Description

노광상태검출계 및 이것을 사용한 노광장치
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 투영노광장치의 주요부분의 개략단면도.
제2도는 본 발명의 제1실시예의 투영노광장치의 일부의 평면도.
제3도는 제1도의 실시예의 편광해석장치의 일부를 설명하는 개략단면도.
제4도는 노광장치에서의 포커스검출 및 노광량제어를 설명하는 개략도.
제5도는 노광조건측정용 레티클패턴을 설명하는 확대도.
제6도는 노광조건을 계속 변화시켜서 형성된 웨이퍼상의 레지스트잠상을 설명하는 개략도.
제7(a)도 내지 제7(c)도는 각각 제6도의 웨이퍼잠상을 설명하는 개략도.
제8도는 주사형 전자현미경을 통한 편광해석장치의 측정치의 조정을 설명하는 개략도.
제9도는 △-ψ지도의 그래프
제10도는 노광조건설정에 편광해석법을 적용한 경우를 설명하는 흐름도.
제11도는 편광해석을 위한 배치를 설명하는 개략도.
제12도는 편광해석장치를 분리하여 설치한 본 발명의 제2실시예를 설명하는 개략도.
제13도는 레지스트현상공정이 추가된 본 발명의 제3실시예를 설명하는 개략도.
제14도는 현상공정에 의해 형성된 단면구성을 설명하는 개략도.
제15도는 현상공정이 추가된 경우를 설명하는 흐름도.
제16도는 주사형 전자현미경을 나란히 배치한 본 발명의 제4실시예를 설명하는 개략도.
제17도는 본 발명의 제5실시예에 의한 투영노광장치의 주요부분의 개략단면도.
제18(a)도 내지 제18(c)도는 각각 본 발명의 일실시예에 이용된 분광반사기로부터 두께를 결정하는 기본원리를 설명하는 개략도 및 그래프.
제19도는 본 발명의 일실시예에 의한 구조를 설명하는 블록도.
제20도는 본 발명의 일실시예에서의 처리동작을 설명하는 흐름도.
제21(a)도 내지 제21(d)도는 각각 본 발명의 일실시예에서의 신호상태를 설명하는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 축소형 투영렌즈계 102 : 레티클
102a : 기준패턴 103 : 웨이퍼
104 : 웨이퍼척 105 : 조미동스테이지
106 : XY스테이지 107 : 광원
201 : 고휘도광원 202 : 검출소자
203 : 포커스제어장치 204 : 적산노광제어장치
205 : 조도센서 206 : 셔터개폐기구
207 : 해프미러 208,209 : 편향미러
300 : 편광해석장치 301 : 광원수단(제1 편광해석계)
302 : 수광수단(제1편광해석계) 303 : 구동수단
304 : 편광처리수단 305 : 광
311,312 : 제2편광해석계 501 : 단색광기
502 : 광전검출기 503 : 구동처리수단
1021,1022 : 패턴 1031 : 영역
3011 : 광원 3012 : 편광소자
3021 : 검출소자(광전변환소자) 3022 : 해석소자
3023 : 회전기구 3024 : 1/4파장판
5001 : 분광기 5002 : 제1등속추출기억장치(RAM1)
5003 : 제1중앙처리장치(CPU1) 5004 : 제2중앙처리장치(CPU2)
5005 : 제2등속추출기억장치(RAM2)
5006 : 제3중앙처리장치(CPU3) 5007 : 출력기기
10311,10312 : 잠상
본 발명은 일반적으로 투영노광장치 및 이것을 사용한 디바이스제조방법에 관한 것이고, 특히 노광상태검출계 및 이것을 사용한 노광장치에 관한 것이다. 본 발명은 반도체디바이스(예를 들면, IC 또는 LSI), 촬상소자(예를 들면, CCD), 표시장치(예를 들면, 액정패널) 및 자기헤드 등의 마이크로디바이스제조용 디바이스제조공정에 적절하게 사용가능하고, 리소그래피공정에 사용된 투영노광장치에 있어서 노광상태의 측정 및 노광공정에 대한 최적노광조건의 실시간결정 또는 신속한 결정에 적절하게 적용가능하다.
최근, IC 또는 LSI 등의 반도체디바이스의 집적화는 보다 가속화되고 있고, 반도체웨이퍼의 미세가공기술도 눈에 띄게 진보하고 있다. 이 미세가공기술에서는, 마스크(레티클)의 회로패턴상을 투영광학계(투영렌즈계)를 통해서 감광기판(웨이퍼)위에 형성하는 것으로서 감광기판을 스텝앤드리피트방식으로 노광시키는 축소 투영노광장치가 많이 제안되고 있다.
이러한, 스테퍼에서는, 레티클의 회로패턴을 소정의 축소배율을 지닌 투영광학계를 통해서 웨이퍼위에 축소하여 투영시킴으로써 웨이퍼위에 회로패턴을 전사인쇄한다. 1회의 투영인쇄(프린트 또는 전사)동작이 종료된 후에는, 웨이퍼가 놓여 있는 스테이지를 소정량으로 이동시켜서 인쇄동작을 반복한다. 이러한 공정의 반복으로, 웨이퍼면 전체의 노광이 행해진다.
일반적으로, 투영광학계를 구비한 스테퍼를 이용하여 미세회로패턴을 인쇄하고자하는 경우에는, 웨이퍼면의 노광량 또는 웨이퍼의 포커스위치(투영광학계의 광축방향에 대한 위치)등의 노광조건을 적절하게 설정하는 것이 중요하다.
이러한 이유로, 종래의 스테퍼에서는, 대량생산의 시작전에 시험인쇄공정을 행하여 각 쇼트마다 노광조건(즉, 포커스위치와 노광량(셔터개방시간)중 적어도 하나)을 변화시키면서 감광기판을 노광시킨다. 이후, 감광기판에 현상공정을 행하고, 직선형상의 패턴의 라인폭을 광학현미경 또는 라인폭측정장치를 이용하여 측정한다. 이러한 방식으로 최적노광조건을 결정하고 있다.
일례로서, 웨이퍼상의 쇼트영역의 배열의 가로방향의 쇼트영역에 관해서는 포커스값을 일정하게 하고 노광량(셔터시간)을 계속 변화시키면서 노광공정을 행한다. 또, 쇼트배열의 세로방향의 영역에 관해서는 노광량을 일정하게 하고, 포커스값을 계속 변화시키면서 노광공정을 행한다.
그 다음에, 현상공정후 형성된 각 쇼트영역내의 라인앤드스페이스(L&S)패턴의 라인폭을 주사형 전자현미경(SEM)에 의해 측정한다. 이 측정치에 의거해서, 투영렌즈의 최적포커스위치와 최적노광량을 계산한다.
종래의 스테퍼에서는, 최적노광조건(노광량과 포커스위치)을 설정하기 위해, 예를 들면, 주사형 전자현미경을 이용하여 웨이퍼위에 형성된 레지스트패턴의 라인폭을 측정한다. 하지만, 이것은 처리시간이 많이 필요하다고 하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 단축된 시간내에 최적노광조건을 설정할 수 있음으로써 고집적도 투영패턴이 용이하게 얻어지는 투영노광장치 및/또는 이것을 사용한 디바이스제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 측면에 의하면, 감광재료로 도포된 물체위에 노광광을 통해서 형성된 주기패턴의 형성상태를 검출하는 형성상태검출계에 있어서, 상기 형성상태 검출계는, 상기 주기패턴위로 입력광을 투영하는 광투영수단과; 상기 주기패턴으로부터의 신호광을 수광하고 입력광의 변화를 검출하여, 상기 입력광의 변화에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 형성상태검출계가 얻어진다.
본 발명의 상기 측면에 의한 바람직한 일형태에 있어서, 상기 검출하려는 주기패턴의 형성상태는 주기패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 입력광의 변화는 상기 입력광의 편광상태의 변화에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 입력광의 변화는 상기 입력광의 강도변화에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 감광재가 도포된 제2물체위에 노광광으로 조명된 제1물체의 주기패턴을 투영광학계를 통해서 투영시키는 투영노광장치에 있어서, 상기 투영노광장치는, 상기 감광재료위에 형성된 인쇄패턴위에 입력광을 투영하는 광투영수단과; 상기 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고 상기 입력광의 변화를 검출하여, 상기 입력광의 변화에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치가 얻어진다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 일형태에 있어서, 상기 검출하려는 인쇄패턴의 형성상태는 상기 인쇄패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 입력광의 변화는 상기 엽력광의 편광상태의 변화에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 입력광의 변화는 상기 입력광의 강도변화에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또다른 측면에 의하면, 감광재료가 도포된 제2물체위에 노광광으로 조명된 제1물체의 주기패턴을 투영광학계를 통해서 투영하는 투영노광방법에 있어서, 상기 투영노광방법은, 노광조건을 변화시키면서 상기 제2물체의 감광재료위로 상기 제1물체의 주기패턴을 투영하고 인쇄하여 복수의 인쇄패턴을 형성하는 스텝과; 상기 인쇄패턴의 각각에 입력광을 투영하고, 상기 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고, 상기 입력광의 변화를 검출하여, 상기 입력광의 변화에 의거해서 상기 인쇄패턴의 형성상태를 결정하는 스텝과; 상기 인쇄패턴의 형성상태에 의거해서 노광조건을 결정하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투영노광방법이 얻어진다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 일형태에 있어서, 상기 노광조건은 상기 제2물체의 노광량에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 다른 형태에 있어서, 상기 노광조건은 상기 투영광학계의 광축을 따르는 방향에 대해서 상기 제2물체의 위치에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 인쇄패턴의 형성상태는 인쇄패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 입력광의 변화는 상기 입력광의 편광상태의 변화에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 검출하려는 입력광의 변화는 상기 입력광의 강도변화에 관계된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측면의 바람직한 또다른 형태에 있어서, 상기 입력광은 상기 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또다른 측면에 의하면, 레티클패턴을 투영광학계를 통해서 웨이퍼위로 투영하고, 상기 웨이퍼를 현상공정에 의해 순차 처리하는 것에 의해 디바이스를 제조하는 디바이스제조방법에 있어서, 상기 디바이스제조방법은, 노광조건을 변화시키면서 상기 웨이퍼의 감광재료위에 상기 레티클의 주기패턴을 투영하여 상기 웨이퍼위에 복수의 인쇄패턴을 형성하는 스텝과; 상기 인쇄패턴의 각각에 입력광을 투영하고, 상기 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고, 상기 입력광의 변화를 검출하여, 상기 입력광의 변화에 의거해서 상기 인쇄패턴의 형성상태를 결정하는 스텝과; 상기 인쇄패턴의 형성상태에 의거해서 노광조건을 결정하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법이 얻어진다.
본 발명의 상기와 이외의 목적, 특징 및 이점은 첨부도면과 관련하여 취한 본 발명의 바람직한 실시예의 이하의 설명을 고려하면 보다 명백해질 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명에 의한, 제2물체(웨이퍼)위로의 제1물체(레티클)의 패턴의 투영 및 인쇄시 최적노광조건을 설정하는 방법의 특징에 대해서 설명한다.
본 발명은, (a) 최적포커스위치 및 (b) 최적노광량의 조건하에서 라인앤드스페이스(L&S)패턴을 레지스트에 전사하는 경우에, 듀티(레지스트잔재부의 폭과 레지스트제거부의 폭의 합계, 즉, 레지스트잔재부 폭과 피치와의 비)는 2:1이 된다는 원리를 이용한다.
이와 같이, 본 발명에서는, 그 위에 일방향으로 주기성을 갖는 노광조건측정용 기준패턴(예를 들면, L&S 듀티 2:1)이 형성되어 있는 마스크를 레티클로서 사용하고 이 기준패턴상을 노광량과 포커스위치중에서 적어도 하나를 변화시키면서 웨이퍼(W)위에 순차 인쇄시킨다.
그 다음에, 웨이퍼위의 레지스트내의 잠상(즉, 노광에 의한 레지스트의 화학변화로 인해 굴절률이 변화된 부분으로 정의되는 상) 또는 현상공정에 의해 형성되는 표면단차패턴 등의, 상기 인쇄동작의 결과로서 형성된 인쇄패턴상에 소정의 파장 및 소정의 편광상태를 가지는 광을 소정의 입사각도로 투영시킨다.
투영광은 레지스트재료를 통과하여 웨이퍼기판에 의해 반사된 다음, 다시 레지스트재료를 통과해서 웨이퍼밖으로 방사된다. 이 광을 레지스트표면에 의해 정반사된 광과 결합시킨 다음에, 결합된 광의 편광상태를 측정한다.
일반적으로, 표면단차형상으로 구성된 위상형의 회절격자는 파장이 피치보다도 길기 때문에 회절광을 발생하지 않고, 이중굴절특성을 가지는 것으로 알려져 있다.
본 발명의 어떤 바람직한 실시예는 주로 반사광을 검출하는 경우에 관해서 설명하고 있지만, 레지스트패턴의 피치가 파장보다도 길면, 회절광이 발생된다. 이러한 회절광에 의해 동일한 측정이 가능하다.
다음에, 본 발명에 이용할 수 있는 편광해석법에 대해서 설명한다.
격자두께를 d, 듀티비를 t라 하고, 주기보다도 긴 파장을 지닌 레이저광을 이중굴절소자위에 수직으로 투영시킨다고 가정하자. 그런 경우에는, 입사광의 편광상태가 격자의 홈부에 대해서 평행한지 아니면 수직인지에 의해서, 주기적인 구조부내의 이중굴절소자의 굴절률 n∥ 및 n⊥이 이하의 식으로 주어진다고 공지되어 있으며, 상기 n∥은 격자의 홈부에 대해서 평행한 광에 대한 굴절률이고, 상기 n⊥은 수직인 광에 대한 굴절률이다.
식중, n1, n2는 격자의 L(라인부) 및 S(스테이스부)의 굴절률이다. 라인부 L과 스페이스부 S는 레지스트잠상에 관해서, L은 레지스트, S는 노광된 레지스트에 대응한다. 레지스트가 현상된 후에는, 예를 들면 L이 레지스트에 대응하고, S가 공기 등의 가스에 대응한다.
편광해석의 모델은 웨이퍼기판위에서 소정두께의 이중굴절매질의 이중굴절을 측정하는 것이다. 편광해석법은:(P편광광과 S편광광사이의) P/S위상차가 0이고 진폭비가 1인 선형편광광을 소정각 θ로 웨이퍼기판위에 투영하고, 반사광의 위상차 △와 진폭비 ψ를 측정한 다음, 최종적으로 미리 측정한 라인부 L 및 스페이스부 S의 굴절률 n1,n2와 레지스트두께 d에 의거해서 굴절률 n∥ 및 n⊥을 결정하는 것이다. 편광해석법을 통해서 결정된 굴절률 n∥ 및 n⊥의 값으로부터 듀티 t를 결정할 수 있다.
상기 편광해석법은 종래예에 공지되어 있으므로, 여기서는 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 레지스트내의 잠상패턴 또는 현상공정후에 형성된 표면단차패턴의 듀티를 측정하는 편광해석법을 사용한다.
본 발명의 일실시예에는, 다른 노광조건하에서 감광재료 표면상에 L&S패턴을 반복해서 전사 및 인쇄하여 복수의 인쇄패턴을 형성하는 스텝, 상기 인쇄패턴에 광을 순차로 투영하고 그로부터의 반사광의 편광상태를 검출하여, 이 편광상태에 의거해서 인쇄패턴의 듀티를 계산하는 스텝, 희망하는 듀티를 제공하는 노광조건을 결정하는 스텝 및 상기 결정된 노광조건하에서 복수의 웨이퍼에 대해서 인쇄동작을 행하는 스텝을 포함하고 있다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 투영노광장치의 주요부분의 개략도이다. 제2도 내지 제6도는 본 실시예를 설명하기 위한 제1도의 각 부의 설명도이다.
제1도중, (101)은 노광광원(107)(후술함)으로부터의 노광광에 의해 조명되는 레티클(102)의 회로패턴(102a)을 웨이퍼(103)위로 투영하는 축소형 투영렌즈계이고, (104)는 흡인에 의해 웨이퍼(103)를 유지하는 웨이퍼척, (105)는 웨이퍼척(104)을 Z방향으로 대강 및 미세하게 이동시키는 조미동스테이지, (106)은 웨이퍼척을 X 및 Y방향으로 이동시키는 XY스테이지, (107)은 노광광원, (108)은 예를 들면, 노광광원(107), 레티클(102), 배럴(101) 및 웨이퍼스테이지(106)를 지지하는 구조대이다.
제4도를 참조하여, 레티클(102)을 노광광에 의해 조명할 때 노광량을 제어하는 노광량제어계와, 투영렌즈계(101)의 광축방향에 대한 웨이퍼(103)의 위치 즉, 포커스위치를 검출하는 포커스위치제어계를 포함하는 제어수단에 대해서 설명한다.
제4도중, (201)은 예를 들면, 반도체레이저 등의 고휘도광원이다. 광원(201)에 의해 발생된 레이저광은 편향미러(208)에 의해 편향되어 웨이퍼(103)면위에 투영된다. 이 광은 웨이퍼(103)위의 측정점 P1에서 반사된 후, 편향미러(209)에 의해 편향되어 입사광의 2차원위치를 검출하는 검출소자(202)위에 투영된다. 상기 검출소자(202)는 예를 들면 CCD로 구성되어 있고, 그 위로 입사하는 광의 위치를 검출한다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(103)면의 Z방향(투영렌즈계(101)의 광축방향)의 위치변화를 검출소자(202)위에 광입사위치의 변위로서 검출한다. 이 검출소자(202)로부터 신호에 의거해서, 포커스제어장치(203)가 Z스테이지(105)를 통해서 Z방향으로 웨이퍼(103)의 위치, 즉, 포커스위치를 제어한다.
(206)은 셔텨개폐기구이고, (207)은 해프미러이다. (206)은 해프미러(207)에 의해 반사된 광원(107)으로부터의 광에 대해 노광량을 검출하는 조도센서이다. 적산노광제어장치(204)는 조도센서(205)로부터의 신호에 의거해서 셔터개폐기구(206)를 제어하고, 광원(107)으로부터의 광의 통과량을 제어한다. 이것에 의해, 레티클(102)상의 노광량이 미리 설정한 레벨로 조정된다.
본 실시예에서는, 상술한 노광량제어장치와, 포커스위치제어장치를 구비한 제어수단을 이용해서, 레티클(102)의 패턴을 웨이퍼(103)면위에 투영시킬 때의 노광조건을 제어한다.
이하에, 광원(107)으로부터의 노광광에 의해 조명된 레티클(102)의 패턴을 웨이퍼(103)면위에 투영하는 공정에 대해서 설명한다.
제5도는 레티클(102)면위에 형성된 기준패턴(102a)을 설명하는 확대도이다. 기준패턴(102a)은 도시한 바와 같이 수직으로 배열된 라인(L)과 스페이스(S)로 구성된 라인앤드스페이스(L&S)패턴 (1021),(1022)을 포함하고 있다.
본 실시예에서는, 그 위에 L&S패턴(1021),(1022)으로 구성된 기준패턴(102a)이 형성되어 있는 레티클(102)을 레티클스테이지위에 탑재하고, 레지스트로 피복된 웨이퍼(103)를 웨이퍼척(104)위에 탑재한다. 그 다음에, 레티클(102)의 패턴(102a)을 스텝앤드리피트방식을 통해 웨이퍼(103)위에 반복해서 인쇄한다. 이 스텝앤드리피트 노광공정중에, 포커스제어장치(203)와 적산노광제어장치(204)를 사용하여, 패턴(1021),(1022)의 잠상(10312),(10311)이 매회 인쇄되도록 영역(1031)(1개의 쇼트영역에 상당함)을 반복해서 인쇄한다.
X방향의 쇼트위치에 의해 희망하는 최적위치부근에서 포커스오프셋이 증가 또는 감소하도록 변화시키면서 순차 이동을 행한다. 마찬가지로, Y방향의 쇼트위치에 관해서도 최적노광량(셔터개방시간)부근에서 노광량을 계속 변화시키면서 노광동작을 행한다. 제6도의 예에는 3×3매트릭스가 도시되어 있다. 하지만, 설명을 간략화하기 위한 것이다. 쇼트수가 많을수록, 조건의 결정이 보다 용이해진다.
제7(a)도 내지 제7(c)도는 상기 방식으로 행한 순차 노광의 결과를 설명하는, 웨이퍼(103)위의 레지스트의 단면도이다. 노광된 웨이퍼(103)의 레지스트에는 제7(a)도 내지 제7(c)도에 도시한 바와 같이 잠상이 형성되어 있다. 잠상은 예를 들면, 노광광에 의한 조사로 인해 야기된 레지스트의 화학변화에 의한 특성변화에서 기인한 것이다. 빗금으로 표시된 부분은 광으로 조사된 영역이다. 이들 영역에서는 굴절률이 변화하였다.
제7(a)도 내지 제7(c)도의 매트릭스어드레스는 제6도에 도시된 어드레스의 단면에 상당하고, 제7(a)도 내지 제7(c)도는 각각 칩(1.1), (1.2), (1.3)의 패턴상의 단면을 도시한 것이다.
그 다음에, 제7(a)도 내지 제7(c)도에 도시된 바와 같이 잠상을 지닌 노광웨이퍼(103)의 레지스트를 광원수단(301), 수광수단(302), 구동수단(303) 및 편광처리수단(304)을 구비한 편광해석장치(300)(제1도)를 이용하여 해석한다. 이 편광해석장치(300)는 반사광의 위상차 △ 및 진폭비 ψ를 측정하여 광을 입력시킨다.
제3도는 제1도의 편광해석장치(300)의 주요부분의 단면도이다. 제11도는 제3도의 연장광로의 개략도이다. 제3도 및 제11도에서, 광원수단(301)은 광원(3011)(웨이퍼(103)상의 L&S피치보다도 큰 파장을 지닌 He-Ne레이저로 이루어지거나 또는 분광계로부터 단색광으로 이루어짐)과 편광소자(3012)(예를 들면, 글랜-톰슨 등)를 포함하고 있다. 편광소자(3012)는 그 편광면이 도면의 시트에 대해서 45도 각도로 배치되도록 웨이퍼(103)에 대해서 설정되어, P편광성분(도면의 시트에 대해서 평행)과 S편광성분(도면의 시트에 대해서 수직)이 동일량이 되는 것을 보장한다. 따라서, 상기 광 P, S는 위상차 △가 0이고 진폭비 ψ가 1이다.
수광수단(302)은 광(305)에 대해서 직교하는 비등방성축을 지닌 1/4파장(λ/4)판(3024), 편광소자 또는 해석소자(3022)(예를 들면, 글랜-톰슨 등) 및 광전변환소자(3021)를 포함하고 있다. 1/4파장판(3024)은 광(305)을 따라서 그 회전축을 지닌 회전기구(3023)에 의해 지지되어 있고, 구동수단(303)으로부터의 신호에 응해서 일정한 속도로 회전가능하다.
광원수단(301)으로부터 출사된 광(305)은 웨이퍼(103)위의 레지스트면 및 웨이퍼면에 의해 반사된다. 반사광의 합성파중에서, P편광광과 S편광광의 위상차 △와 진폭비 ψ는 예를 들면, 웨이퍼위의 레지스트의 이중굴절률 n1 및 n2에 의해 변화한다.
편광해석장치(300)는 광이 1/4파장판(3024)과 해석소자(3022)를 통해서 검출소자(광전변환소자)(3021)에 의해 검출되도록 동작함으로써 위상차 △와 진폭비 ψ에 대응하는 사인파의 전기신호를 공급한다. CD(직류)성분의 크기의 사인파의 위상정보 및 진폭으로부터, 위상차 △와 진폭비 ψ가 결정된다.
편광해석법은 상기와 같이 이용되고, 미리 측정된 레지스트의 비노광영역의 굴절률 n1, 레지스트의 노광영역의 굴절률 n2, 레지스트의 두께 d 및 기판의 이중 굴절률 ns를 부여함으로써, 라인앤드스페이스 레지스트패턴(이중굴절성 구조)의 굴절률 n⊥이 결정된다.
그 다음에, 상기 굴절률 n⊥로부터, 이하의 계산에 의해 듀티 t⊥가 결정된다.
굴절률 n∥의 값으로부터, 듀티 t∥가:
로 얻어진다.
이들 2개 값은 정확도를 향상시키기 위해 이하와 같이 평균화된다:
듀티는 통상 상기 방법으로 결정될 수 있다. 하지만, 측정치는 레지스트의 불균일 또는 기반구조에 의해 변화하는 경우가 있다. 이것을 상기 X방향으로의 편광해석측정에 고려하여, X방향 편광해석측정에 수직인, 즉, Y방향인, 제2도의 평면도에 도시한 제2편광해석계(311) 및 (312)를 추가해서 제1편광해석계(301),(302)에 의해 측정된 측정점에 관해서 대략 동일한 점에 대해 동시에 계측을 행한다. 이것은 이하와 같이 정확도를 향상시킨다:
이 경우, 듀티 t1가 결정되는 경우와 마찬가지로, 이하:
가 얻어진다. 상기 듀티(t1)에 의해 평균화한다.
이와 같이 해서 듀티 t의 측정정밀도가 보다 향상된다.
한편, 제8도는 L&S샘플의 현상에 의해 얻어진 값에 이한 상기 L&S샘플의 편광해석과 주사형 전자현미경(SEM)을 통한 측정에 의해 결정된 듀티의 비교에 의거해서 최적노광조건을 찾아내는 공정을 예시한 것이다. 이 공정은 예를 들면, 기반구조에 의한 편광해석법에서 야기될 수 있는 듀티의 오프셋을 결정하는 기능을 한다. 다음의 측정공정에서는 오프셋치를 측정치에서 차감하고 얻어진 값을 보정치로서 이용한다. SEM을 이용한 비교는 예를 들면 공정조건을 변화시키는 제1회에서 단한번 행해도 된다. 그 후에는 필요없을 것이다.
다음에, 제9도 및 제10도를 참조하여 노광조건최적화공정의 순서를 설명한다. 제9도는 웨이퍼위에 8×6수의 칩을 인쇄한 경우에 상당하며, △-ψ지도로서 편광해석의 결과를 도시하고 있다. 곡선(410)상의 측정점에서, 예를 들면, 포커스는 변화하는 반면 노광량은 일정하다. 한편, 곡선(401)상의 측정점에서는 노광량이 변화하는 반면 포커스는 일정하다.
△-ψ지도내의 사각프레임 AX로 표시되는 쇼트영역은 전술한 SEM측정과 관련된 최적듀티의 영역을 나타낸다. 이와 같이, 편광해석법에 의해 노광쇼트를 측정한 경우, △와 ψ가 이 프레임 AX의 범위내에 있으며, 듀티가 최적인 것으로 입증된다.
제10도는 상기 동작의 순서를 예시한 것이다. 먼저, 레지스트재료로 웨이퍼를 코팅한다. 레지스트의 두께를 미리 검출하지 않았으면, 이 단계에서 측정한다. 다음에, 전술한 바와 같이 스테이지를 순차이동시키고 포커스와 노광량(셔터시간)을 변화시키면서 시험인쇄공정을 행한다.
그 다음에, 웨이퍼척에 웨이퍼를 그대로 탑재한 채, 동일한 방식으로 스테이지를 이동시키고, 편광해석법을 통해 계속해서 다른 쇼트영역으로 △와 ψ에 대한 소정의 범위 AX내에 있으면 그 쇼트영역을 노광한 노광조건을 대량생산인쇄용 최적 노광조건으로서 취한다.
상기 편광해석공정에 의한 듀티검사는 수율을 증가시키기 위해 효과적인 웨이퍼대량생산 인쇄공정시 희망하는 스테이지에서 행해도 된다.
본 실시예에서는, 최적노광조건을 상기 방식으로 설정한 후, 웨이퍼를 현상공정에 의해 처리함으로써 고집적화장치를 생산하고 있다.
제12도는 본 발명의 제2실시예를 도시한 것이다. 본 실시예는, 제1실시예와 비교해서, 예를 들면 노광장치의 구조에 약간의 물리적 한계가 있는 경우에, 편광해석장치를 노광장치의 웨이퍼스테이지로부터 분리하여 설치한다. 본 실시예의 나머지부분은 본래 제1실시예와 동일한 구조이다.
제13도는 본 발명의 제3실시예를 예시한 것이다. 웨이퍼상의 레지스트를 현상하지 않고, 잠상에 편광해석을 행하는 제1실시예와 비교해서, 본 실시예에서는, 레지스트에 현상공정을 실행한 후에 현광해석을 행한다. 본 실시예의 나머지 부분은 대략 제1실시예와 동일한 구조이다.
제14도는 본 실시예에 있어서의 레지스트현상공정 후의 인쇄패턴의 단면형상의 개략도이다. 본 실시예에서는, 제1 및 제2실시예의 잠상해석법과 비교해서, 굴절률 n2가 1.0정도의 굴절률을 가지는 가스의 굴절률이므로, 라인과 스페이스간의 굴절률차가 크다는 것을 제14도로부터 알 수 있다. 그것은 듀티측정의 정밀도의 관점에서 유리하다. 이와 같이, 이 방법은 엄격한 조건이 있는 경우에 유효하다.
본 실시예에서는, 현상공정에 의해 처리한 후 인쇄패턴에 대해 편광해석을 행하고 최적노광조건을 결정한다. 이것에 의해 SEM을 사용한 경우와 비교해서 보다 단축된 시간에 최적노광조건의 결정을 행할 수 있다.
제15도는 본 실시예에 의한 흐름도이다.
제16도는 본 발명의 제4실시예의 개략도이다. 본 실시예는 레지스트현상 공정과 SEM공정을 병행한다는 점에서 제1실시예와 다르다. 본 실시예의 나머지 부분은 대략 제1실시예와 동일한 구조이다. 본 실시예에서 편광해석공정에 의거한 듀티측정의 조정을 위해 SEM을 사용하여 필요에 응해서 현상레지스트상을 검사하는 것에 주목한다.
이하, 제17도를 참조하여, 본 발명의 제5실시예를 설명한다. 제17도중, (501) 내지 (503)이외의 참조숫자로 표시한 소자는 동일한 참조숫자로 표시한 제1실시예의 소자에 대응한다. 본 실시예의 중요한 특징은 그 안에 백색광원(도시생략)을 수납하고 있는 단색광기(501)에 있다. 백색광원으로부터의 광을 예를 들면, 회절격자에 의해 파장분산시킨 다음, 그 부분을 슬릿을 이용해서 추출한다. 이것에 의해 웨이퍼위의 레지스트막의 상하면에서 간섭이 야기되는 순서로 파장의 단축화가 부여된다. (502)는 레지스트패턴(현상된 상 또는 잠상)의 상하면으로부터의 반사간섭광을 양을 검출하는 광전검출기이고, (503)은 단색광기(501)의 파장을 구동하고, 광전검출기(502)로부터의 전기신호에 의거해서 레지스트패턴의 귤절률을 계산하고, 상기 계산의 결과를 중앙처리장치(109)로 전송하는 구동처리수단이다. 여기서는 소자(501)를 백색광원으로 대체해도 되고, 소자(502)를 분광반사율을 검출하는 분광계로 대체해도 된다는 것에 주목한다.
이하에, 측정의 원리에 대해서 설명한다. 레지스트의 막두께를 예를 들면, 개별막두께측정장치를 이용한 측정에 의해 미리 검출하는 것에 주목한다. 또, 레지스트패턴의 굴절률측정, 상기 패턴의 듀티연산 및 포커스와 노광량의 제어공정은 본래 제1실시예와 동일하다. 따라서, 이들 설명은 여기서 생략한다.
제18(a)도 내지 제18(c)도를 참조하여 측정의 원리를 설명하고, 제19도 내지 제21(d)도를 참조하여 구조 및 동작을 설명한다.
먼저, 제18(a)도 내지 제18(c)도를 참조하여 굴절률을 계산하는 측정의 기본원리를 설명한다. 이제 매질의 굴절률을 광입사측으로부터 손서대로 각각 n1, n2 및 n3이라 하고, 막두께를 d라고 가정하자. 또, 사용한 파장(진공의 파장은 λ0)의 입사각을 각각 θ1, θ2, θ3이라 하자. 이 경우의 진폭반사율 Y는 이하의 식(“광학의 원리” 제3판, M.Born 및 E.Wolf, PREGAMON PRESS, 62페이지)에 의해 얻어진다.
식중, Y12는 매질(1)과 매질(2)과의 경계에서의 프레넬반사계수이고, Y23은 매질(2)과 매질(3)과의 경계에서의 프레넬반사계수, β는 β=(2π/λ0)n2d cosθ2이다. 실제로 측정할 수 있는 양은 반사강도 즉, R=│Y│2(통상“반사율”이라 칭함)이고, 이하로 표시된다.
식(2)으로부터, 측정하려는 굴절률 n2는:
로 얻어진다. 식중 N은 정수이다.
파장 λ0으로서 이용되는 반사율 R과 굴절률 n2는 제18(b)도와 제18(c)도에 도시한 바와 같이 변화한다. 따라서, 굴절률로서 다른 파장에서 굴절률 n2의 평균 n2AV를 취함으로써 양호한 재현성의 고정밀도측정이 확보된다.
굴절률의 보다 높은 정밀도측정을 위해서는 반사율측정의 정밀도를 증가시키는 것이 중요하다. 본 실시예는 반사율의 측정정밀도를 향상시킨다. 측정정밀도는 이하의 요인에 의해 열화된다:
(1) 표유광;
(2) 광량검출기에서의 변화
(3) 시간에 의한 변화
본 실시예에 의하면, 이들 요인을 자동적으로 보정함으로써, 측정정밀도의 향상이 달성된다.
제19도, 제20도 및 제21(a)도 내지 제21(d)도는 측정원리를 설명하기 위한 예시로서, 보다 구체적으로, 제19도는 구조를 도시한 것이고, 제10도는 과정을, 제21(a)도 내지 제21(d)도는 제20도의 순서에서의 각 공정의 신호를 도시한 것이다.
본 실시예의 구조를 도시한 제19도에서, (5001)은 분광기, (5002)는 각 파장에서의 반사율에 대응하는 분광기(5001)로부터의 출력신호를 기억하는 제1등속 추출기억장치(RAM1), (5003)은 상기 출력신호에 대해서 계산동작을 행하는 제1중앙처리장치(CPU1),(5004)는 막의 소정의 이상적인 굴절률을 계산하여 계산치에 대해서 데이터처리를 행하는 제2중앙처리장치(CPU2), (5005)는 CPU2(5004)에 의해 처리된 데이터를 기억하는 제2등속추출기억장치(RAM2), (5006)은 RAM2(5005)로부터의 처리데이터에 의거해서 RAM1(5002)으로부터의 데이터를 보정하고, 막두께도 연산하는 제3중앙처리장치(CPU3), (5007)은 막두께연산의 결과를 출력하는 출력기기이다.
이하, 제20도 및 제21(a)도 내지 제21(d)도를 참조하여 본 실시예의 동작을 설명한다.
먼저, 분광기로부터의 각 파장에서의 반사율측정(제20도의 스텝 5013)의 데이터, 즉, RAM1(5002)의 데이터를 예를 들면, CPU1(5003)에 의해 고속푸리에변환에 의해서 평활화한다(제20도의 스텝 5014). 즉, 제21(a)도에서 X로 표시한 점이 측정치이고, 실선 f(λ)가 평활화의 결과이다. 여기서, f는 파장(λ)의 함수이다.
다음에, 이들의 최대레벨, 최소레벨 및 중간레벨을 결정한다(제20도의 스텝 5015). 이 목적을 위해서는, 최대점을 연결하여 곡선 max(λ)을 얻고, 최소점을 연결하여 곡선 min(λ)을 얻는다. 그 다음에 식:
에 의해 중간레벨 (ave(λ)을 결정한다.
한편, 조사하려는 막의 굴절률의 이론치, 즉 각 파장에서의 이상적인 반사율을 CPU2(5004)에 의해 계산하고(제20도의 스텝 5016), 얻어진 곡선 F(λ)로부터, 최대점을 연결하는 곡선 MAX(λ)와 최소점을 연결하는 곡선 MIN(λ)뿐 아니라, 중간레벨 AVE(λ)도 계산에 의해 결정한다(제20도의 스텝 5017), MAX(λ), MIN(λ) 및 AVE(λ)의 데이터를 RAM2(5005)에 저장한다.
상기 데이터로부터 CPU3(5006)이 동작해서 f(λ)를 수정하여, 이하와 같이 f′(λ)가 얻어진다.
측정정밀도열화에 대한 상기 요인중 어느 하나에 의해 야기되는 반사율데이터에서의 게인변화는 식(4)의 제1항에 의해 수정되고, 비어어스변화는 제2항에 의해 수정된다(제20도의 스텝 5018 및 스텝 5019).
또, 상기 수정된 f′(λ)를 R로서 취하고, 굴절률 n2를 전술한 식(3)에 의해 계산한다(제20도의 스텝 5020). 그 결과, 막두께가 매우 정밀하게 측정된다.
동일한 샘플이 반복해서 측정되는 경우, 매 측정동작마다 max(λ), min(λ) 및 ave(λ)를 계산하는 것은 시간낭비일 뿐이다. 따라서, 제1회 측정시 얻어진 샘플의 데이터를 이용해도 되고, 이 데이터에 의거해서 수정을 행해도 된다. N번째 샘플측정 f′N(λ)는 이하의 식에 의해 계산해도 된다:
식중, 아래첨자 1 및 N은 값이 제1측정동작 또는 N번째 측정동착에서의 결과인 것을 의미한다.
제1샘플은 N번째 샘플과 완전히 동일할 필요는 없다. 즉, 게인과 바이어스는 fN(λ)로 충분히 인가된다. 측정정밀도의 열화요인이 변화하지 않는 범위내에 있으면 대체로 결함은 없다.
이상, 본 발명은 여기에 개시된 구조를 참조해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 개량의 목적이나 이하의 특허청구범위의 범위내에 들어가는, 이러한 모든 변형이나 수정도 포함하는 것은 물론이다.

Claims (24)

  1. 주기패턴의 형성상태를 검출하는 형성상태 검출계에 있어서, 상기 형성상태 검출계는, 소정의 편광상태를 가지고 주기패턴위로 입력광을 투영하는 광투영수단과; 주기패턴으로부터의 신호광을 수광하고 입력광의 편광상태의 변화를 검출하여, 편광상태의 변화에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 형성상태검출계.
  2. 제1항에 있어서, 검출될 주기패턴의 형성상태는 주기패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 하는 형성상태검출계.
  3. 제1항에 있어서, 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 형성상태검출계.
  4. 노광광으로 조명된 제1물체의 주기패턴을, 투영광학계를 통하여 감광재료가 도포된 제2물체위로 투영하는 투영노광장치에 있어서, 상기 투영노광장치는, 소정의 편광상태를 가지는 입력광을 감광재료위에 형성된 인쇄패턴위로 투영하는 광투영수단과; 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고 입력광의 편광상태의 변화를 검출하여, 편광상태의 변화에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 검출될 인쇄패턴의 형성상태는 인쇄패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  6. 제4항에 있어서, 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  7. 노광광으로 조명된 제1물체의 주기패턴을, 투영광학계를 통하여 감광재료가 도포된 제1물체위로 투영하는 투영노광방법에 있어서, 상기 투영노광방법은, 제1물체의 주기패턴을 노광조건을 변화시키면서 제2물체의 감광재료위로 투영하여 제2물체위에 복수의 인쇄패턴을 형성하는 패턴투영스텝과; 소정의 편광상태를 가지는 입력광을 감광재료위에 형성된 인쇄패턴위로 투영하고, 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고, 입력광의 편광상태의 변화를 검출하여, 편광상태의 변화에 의거해서 인쇄패턴의 형성상태를 결정하는 제1결정스텝과; 인쇄패턴의 형성상태에 의거해서 노광조건을 결정하는 제2결정스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  8. 제7항에 있어서, 노광조건은 제2물체의 노광량에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  9. 제7항에 있어서, 노광조건은 투영광학계의 광축을 따르는 방향에 대해서 제2물체의 위치에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  10. 제7항에 있어서, 검출될 인쇄패턴의 형성상태는 인쇄패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  11. 제7항에 있어서, 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  12. 레티클패턴을 투영광학계를 통해서 웨이퍼위로 투영하고, 웨이퍼를 현상공정에 의해 순차 처리하는 것에 의해 디바이스를 제조하는 디바이스제조방법에 있어서, 상기 디바이스제조방법은, 레티클의 주기패턴을 노광조건을 변화시키면서 웨이퍼의 감광재료위로 투영하여, 웨이퍼위에 복수의 인쇄패턴을 형성하는 패턴투영스텝과; 소정의 편광상태를 가지는 입력광을 감광재료위에 형성된 인쇄패턴위로 투영하고, 인새패턴으로부터의 신호광을 수광하고, 입력광의 편광상태의 변화를 검출하여, 편광상태의 변화에 의거해서 인쇄패턴의 형성상태를 결정하는 제1결정스텝과; 인쇄패턴의 형성상태에 의거해서 노광조건을 결정하는 제2결정스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  13. 주기패턴의 형성상태를 검출하는 형성상태검출계에 있어서, 상기 형성상태검출계는, 다른 파장을 가지는 입력광을 주기패턴위로 투영하는 광투영수단과; 주기패턴으로부터 신호광을 수광하고, 각각의 입력광의 다른 파장에 관해서 반사율을 검출하여, 다른 파장에 관한 반사율에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 형성상태검출계.
  14. 제13항에 있어서, 검출될 주기패턴의 형성상태는 주기패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 하는 형성상태검출계.
  15. 제13항에 있어서, 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 형성상태검출계.
  16. 노광광으로 조명된 제1물체의 주기패턴을, 투영광학계를 통하여 감광재료가 도포된 제2물체위로 투영하는 투영노광장치에 있어서, 상기 투영노광장치는, 다른 파장을 가지는 입력광을 감광재료위에 형성된 인쇄패턴위로 투영하는 광투영수단과; 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고 각각의 입력광의 다른 파장에 관해서 반사율을 검출하여, 다른 파장에 반사율에 의거해서 주기패턴의 형성상태를 결정하는 결정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  17. 제16항에 있어서, 검출될 주기패턴의 형성상태는 주기패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  18. 제16에 있어서, 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  19. 노광광으로 조명된 제1물체의 주기패턴을, 투영광학계를 통하여 감광재료가 도포된 제2물체위로 투영하는 투영노광방법에 있어서, 상기 투영노광방법은, 제1물체의 주기패턴을 노광조건을 변화시키면서 제2물체의 감광재료위로 투영하여, 감광재료위에 복수의 인쇄패턴을 형성하는 패턴투영스텝과; 다른 파장을 가지는 입력광을 인쇄패턴위로 투영하고, 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고, 각각의 입력광의 다른 파장에 관해서 반사율을 검출하여, 다른 파장에 관한 반사율에 의거해서 인새패턴의 형성상태를 결정하는 제1결정스텝과; 인쇄패턴의 형성상태에 의거하여 노광조건을 결정하는 제2결정스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  20. 제19항에 있어서, 검출될 주기패턴의 형성상태는 주기패턴의 듀티에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  21. 제19항에 있어서, 입력광은 노광광의 파장과 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  22. 제19항에 있어서, 노광조건은 제2물체의 노광량에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  23. 제19항에 있어서, 노광조건은 투영광학계의 광축에 따르는 방향에 대해서 제2물체의 위치에 관계된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
  24. 레티클패턴을 투영광확계를 통해서 웨이퍼위로 투영하고, 웨이퍼를 현상공정에 의해 순차 처리하는 것에 의해 디바이스를 제조하는 디바이스제조방법에 있어서, 상기 디바이스제조방법은, 레티클의 주기패턴을 노광조건을 변화시키면서 웨이퍼의 감광재료위로 투영하여, 웨이퍼위에 복수의 인쇄패턴을 형성하는 패턴투영스텝과; 다른 파장을 가지는 입력광을 감광재료위에 형성된 인쇄패턴위로 투영하고, 인쇄패턴으로부터의 신호광을 수광하고, 입력광의 각각의 다른 파장에 관해서 반사율을 검출하여, 다른 파장에 관한 반사율에 의거해서 인쇄패턴의 형성상태를 결정하는 제1결정스텝과; 인쇄패턴의 형성상태에 의거해서 노광조건을 결정하는 제2결정스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
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