JP2997090B2 - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光方法に関し、特
に、マスク上の各点におけるＸ線露光光の強度に応じて
露光量の制御を行うＸ線露光方法に関する。
に、マスク上の各点におけるＸ線露光光の強度に応じて
露光量の制御を行うＸ線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリの大容量化に伴い、半導体
製造装置における微細化技術の向上が叫ばれている。該
微細化技術の向上の一手段として、シンクロトロン放射
光をＸ線ミラーで反射させてマスクに照射させることに
より、該マスク上に形成されたパターンを、レジストが
塗布されたウエハに転写するＸ線露光装置が提案されて
いる（たとえば、特開平２ー１００３１１号公報）。
製造装置における微細化技術の向上が叫ばれている。該
微細化技術の向上の一手段として、シンクロトロン放射
光をＸ線ミラーで反射させてマスクに照射させることに
より、該マスク上に形成されたパターンを、レジストが
塗布されたウエハに転写するＸ線露光装置が提案されて
いる（たとえば、特開平２ー１００３１１号公報）。
【０００３】図２は、特開平２ー１００３１１号公報に
記載されているＸ線露光装置を示す概略構成図である。
記載されているＸ線露光装置を示す概略構成図である。
【０００４】このＸ線露光装置は、図示左側に配設され
た、シート状（紙面に直角な方向にシート面をもつ）の
シンクロトロン放射光Ｓを出射する蓄積リング（不図
示）と、該蓄積リングと後述する露光室103 との間に介
在された、シンクロトロン放射光Ｓの通過路であるビー
ムライン101 と、ビームライン101 内に配設された、シ
ンクロトロン放射光Ｓを反射させて照射領域を拡大させ
る、凸面状のＸ線ミラー102 と、雰囲気気体であるＨｅ
ガスが満たされた露光室103 と、露光室103 の図示左側
の側面に設けられた、シンクロトロン放射光Ｓを露光室
103 内に導くＢｅ窓104 と、露光室103 内のシンクロト
ロン放射光Ｓの照射領域内に設けられた、レジストが塗
布されたウエハ107 を保持するステージ108 と、微小な
プロキシミティギャップをもってウエハ107 と対向して
Ｂｅ窓104 側に設けられた、パターンが形成されたマス
ク106 と、所定の間隔をもってマスク106 と対向してＢ
ｅ窓104 側に設けられた、シンクロトロン放射光Ｓを遮
断して露光量を調整するためのシャッタ105 と、ステー
ジ108 の図示上側に設けられた、マスク106 上の各点に
おけるシンクロトロン放射光Ｓの強度を検出する第１の
Ｘ線検出器109 と、露光室103 内のＢｅ窓104 とシャッ
タ105 との間に設けられた、Ｂｅ窓104 を透過してくる
シンクロトロン放射光Ｓの強度を検出する第２のＸ線検
出器110 とを有する。
た、シート状（紙面に直角な方向にシート面をもつ）の
シンクロトロン放射光Ｓを出射する蓄積リング（不図
示）と、該蓄積リングと後述する露光室103 との間に介
在された、シンクロトロン放射光Ｓの通過路であるビー
ムライン101 と、ビームライン101 内に配設された、シ
ンクロトロン放射光Ｓを反射させて照射領域を拡大させ
る、凸面状のＸ線ミラー102 と、雰囲気気体であるＨｅ
ガスが満たされた露光室103 と、露光室103 の図示左側
の側面に設けられた、シンクロトロン放射光Ｓを露光室
103 内に導くＢｅ窓104 と、露光室103 内のシンクロト
ロン放射光Ｓの照射領域内に設けられた、レジストが塗
布されたウエハ107 を保持するステージ108 と、微小な
プロキシミティギャップをもってウエハ107 と対向して
Ｂｅ窓104 側に設けられた、パターンが形成されたマス
ク106 と、所定の間隔をもってマスク106 と対向してＢ
ｅ窓104 側に設けられた、シンクロトロン放射光Ｓを遮
断して露光量を調整するためのシャッタ105 と、ステー
ジ108 の図示上側に設けられた、マスク106 上の各点に
おけるシンクロトロン放射光Ｓの強度を検出する第１の
Ｘ線検出器109 と、露光室103 内のＢｅ窓104 とシャッ
タ105 との間に設けられた、Ｂｅ窓104 を透過してくる
シンクロトロン放射光Ｓの強度を検出する第２のＸ線検
出器110 とを有する。
【０００５】このＸ線露光装置は、マスク106 上に形成
された１〜数個のパターンをシンクロトロン放射光Ｓで
ウエハ107 上に投影して、ステップアンドリピート（繰
返し）露光によりウエハ107 全面に前記パターンを配列
して焼付けるものであるが、従来の遠紫外光などを光源
とする露光装置と異なり、ウエハ107 およびマスク106
を縦にして露光する構成となっている。
された１〜数個のパターンをシンクロトロン放射光Ｓで
ウエハ107 上に投影して、ステップアンドリピート（繰
返し）露光によりウエハ107 全面に前記パターンを配列
して焼付けるものであるが、従来の遠紫外光などを光源
とする露光装置と異なり、ウエハ107 およびマスク106
を縦にして露光する構成となっている。
【０００６】また、Ｘ線露光光として用いるシンクロト
ロン放射光Ｓは強度分布を有するため、シンクロトロン
放射光Ｓをマスク106 に直接照射すると、露光現像後の
レジスト線幅の均一性が損なわれる。そこで、第１のＸ
線検出器109 で検出した、露光時刻ｔ＝０でのマスク10
6 上の各点ｘにおけるシンクロトロン放射光Ｓの強度に
応じて、フォーカルプレーン状のシャッタ105 の開閉時
間を制御することにより、均一な露光を行っている。
ロン放射光Ｓは強度分布を有するため、シンクロトロン
放射光Ｓをマスク106 に直接照射すると、露光現像後の
レジスト線幅の均一性が損なわれる。そこで、第１のＸ
線検出器109 で検出した、露光時刻ｔ＝０でのマスク10
6 上の各点ｘにおけるシンクロトロン放射光Ｓの強度に
応じて、フォーカルプレーン状のシャッタ105 の開閉時
間を制御することにより、均一な露光を行っている。
【０００７】シャッタ105 の開閉時間を決定するために
は、マスク106 上の各点ｘにおける露光時刻ｔでのシン
クロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) を知る必要がある。
そこで、このＸ線露光装置では、露光室内に設けた第１
および第２のＸ線検出器109，110の出力値Ｉ1(x)，Ｉ
2(t)を用いて、次式により前記強度Ｉ(x,t) を求めてい
る。
は、マスク106 上の各点ｘにおける露光時刻ｔでのシン
クロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) を知る必要がある。
そこで、このＸ線露光装置では、露光室内に設けた第１
および第２のＸ線検出器109，110の出力値Ｉ1(x)，Ｉ
2(t)を用いて、次式により前記強度Ｉ(x,t) を求めてい
る。
【０００８】 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・Ｉ2(t)／Ｉ2(0) （１） ここで、 Ｉ1(x)：第１のＸ線検出器109 の露光時刻ｔ＝０での出力値 Ｉ2(0)：第２のＸ線検出器110 の露光時刻ｔ＝０での出力値 Ｉ2(t)：第２のＸ線検出器110 の露光時刻ｔでの出力値 しかし、第２のＸ線検出器110 は、ウエハ107 よりも離
れた位置に設けられているため、第２のＸ線検出器110
とウエハ107 との間の雰囲気が変動すると、前記強度Ｉ
(x,t) が正しく求まらない。たとえば、波長１０ÅのＸ
線は、１気圧のＨｅガス雰囲気中では圧力が１０Ｔｏｒ
ｒ変化すると、５０ｃｍ移動する間に透過率が０．７％
変化し、空気が０．０５％混入すると約６％減衰する。
れた位置に設けられているため、第２のＸ線検出器110
とウエハ107 との間の雰囲気が変動すると、前記強度Ｉ
(x,t) が正しく求まらない。たとえば、波長１０ÅのＸ
線は、１気圧のＨｅガス雰囲気中では圧力が１０Ｔｏｒ
ｒ変化すると、５０ｃｍ移動する間に透過率が０．７％
変化し、空気が０．０５％混入すると約６％減衰する。
【０００９】そこで、このＸ線露光装置では、第２のＸ
線検出器110 を用いて、露光時刻ｔでのＢｅ窓104 を透
過してくるシンクロトロン放射光Ｓの強度を検出すると
ともに、不図示の圧力保持装置で露光室103 内の圧力を
一定に保ち、かつ酸素モニタなどでＨｅガスの純度を管
理して、Ｈｅガスの線吸収係数を一定値ｕ0 に保って、
シンクロトロン放射光Ｓの透過率を一定に保つ必要があ
る。
線検出器110 を用いて、露光時刻ｔでのＢｅ窓104 を透
過してくるシンクロトロン放射光Ｓの強度を検出すると
ともに、不図示の圧力保持装置で露光室103 内の圧力を
一定に保ち、かつ酸素モニタなどでＨｅガスの純度を管
理して、Ｈｅガスの線吸収係数を一定値ｕ0 に保って、
シンクロトロン放射光Ｓの透過率を一定に保つ必要があ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＸ線露光装置では、酸素モニタなどでＨｅガス
の純度を管理してもシンクロトロン放射光Ｓの強度の時
間的変化に追随させて精度よく管理することが困難であ
るため、Ｈｅガスの線吸収係数を一定値ｕ0 に保つこと
ができず、（１）式で求めた、マスク106 上の各点ｘに
おける露光時刻ｔでのシンクロトロン放射光Ｓの強度Ｉ
(x,t) に応じて露光量の制御を行っても、露光量の調整
を精度よく行うことができず、均一な露光ができないと
いう問題点があった。
た従来のＸ線露光装置では、酸素モニタなどでＨｅガス
の純度を管理してもシンクロトロン放射光Ｓの強度の時
間的変化に追随させて精度よく管理することが困難であ
るため、Ｈｅガスの線吸収係数を一定値ｕ0 に保つこと
ができず、（１）式で求めた、マスク106 上の各点ｘに
おける露光時刻ｔでのシンクロトロン放射光Ｓの強度Ｉ
(x,t) に応じて露光量の制御を行っても、露光量の調整
を精度よく行うことができず、均一な露光ができないと
いう問題点があった。
【００１１】本発明の目的は、Ｘ線の強度の時間的変化
に追随させて、均一な露光を行うことができるＸ線露光
方法を提供することにある。
に追随させて、均一な露光を行うことができるＸ線露光
方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線露光方法
は、マスク上の各点におけるＸ線露光光の強度に応じて
露光量の制御を行うＸ線露光方法において、露光時刻ｔ
＝０およびｔでの露光室内の前記マスクよりも前記Ｘ線
露光光の入射側における該Ｘ線露光光の強度Ｉ2(0)，Ｉ
2(t)と、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前記Ｘ線露光光の
強度の時間的変化に対応する物理量Ｉ3(0)，Ｉ3(t)とを
検出し、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
し、露光時刻ｔ＝０での前記マスク上の各点における前
記Ｘ線露光光の強度を前記雰囲気透過率Ｒ(t) で補正し
て、露光量の制御を行う。
は、マスク上の各点におけるＸ線露光光の強度に応じて
露光量の制御を行うＸ線露光方法において、露光時刻ｔ
＝０およびｔでの露光室内の前記マスクよりも前記Ｘ線
露光光の入射側における該Ｘ線露光光の強度Ｉ2(0)，Ｉ
2(t)と、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前記Ｘ線露光光の
強度の時間的変化に対応する物理量Ｉ3(0)，Ｉ3(t)とを
検出し、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
し、露光時刻ｔ＝０での前記マスク上の各点における前
記Ｘ線露光光の強度を前記雰囲気透過率Ｒ(t) で補正し
て、露光量の制御を行う。
【００１３】ここで、前記Ｘ線露光光の強度の時間的変
化に対応する物理量が、前記露光室内の前記Ｘ線露光光
の強度であってもよいし、前記Ｘ線露光光の強度の時間
的変化に対応する物理量が、前記露光室外の前記Ｘ線露
光光の強度または可視光の強度であってもよい。
化に対応する物理量が、前記露光室内の前記Ｘ線露光光
の強度であってもよいし、前記Ｘ線露光光の強度の時間
的変化に対応する物理量が、前記露光室外の前記Ｘ線露
光光の強度または可視光の強度であってもよい。
【００１４】また、前記Ｘ線露光光が、シンクロトロン
放射光であり、前記Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対
応する物理量が、前記シンクロトロン放射光を出射する
蓄積リングの軌道電流値であってもよい。
放射光であり、前記Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対
応する物理量が、前記シンクロトロン放射光を出射する
蓄積リングの軌道電流値であってもよい。
【００１５】前記露光量の制御は、前記Ｘ線露光光を遮
断するシャッタの開閉時間を制御することにより行われ
てもよいし、前記露光室内の雰囲気気体の純度を一定に
保つことにより行われてもよいし、前記露光室内の雰囲
気圧力を制御することにより行われてもよい。
断するシャッタの開閉時間を制御することにより行われ
てもよいし、前記露光室内の雰囲気気体の純度を一定に
保つことにより行われてもよいし、前記露光室内の雰囲
気圧力を制御することにより行われてもよい。
【００１６】
【作用】本発明のＸ線露光方法は、露光時刻ｔ＝０およ
びｔでの露光室内のマスクよりもＸ線露光光の入射側に
おけるＸ線露光光の強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) をそれぞれ検出
することにより、Ｘ線露光光の強度の時間的変化を検出
することができ、また、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前
記Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対応する物理量Ｉ
3(0)，Ｉ3(t)と前記強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) とを用いて、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
することにより、Ｘ線露光光の透過率の時間的変化を検
出することができるため、Ｘ線露光光の強度および透過
率の時間的変化に追随した露光量の制御を行うことがで
きる。
びｔでの露光室内のマスクよりもＸ線露光光の入射側に
おけるＸ線露光光の強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) をそれぞれ検出
することにより、Ｘ線露光光の強度の時間的変化を検出
することができ、また、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前
記Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対応する物理量Ｉ
3(0)，Ｉ3(t)と前記強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) とを用いて、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
することにより、Ｘ線露光光の透過率の時間的変化を検
出することができるため、Ｘ線露光光の強度および透過
率の時間的変化に追随した露光量の制御を行うことがで
きる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１８】図１は、本発明のＸ線露光方法の実施に用
いるＸ線露光装置の一例を示す概略構成図である。
いるＸ線露光装置の一例を示す概略構成図である。
【００１９】このＸ線露光装置は、図示左側に配設され
た、シート状（紙面に直角な方向にシート面をもつ）の
シンクロトロン放射光Ｓを出射する蓄積リング（不図
示）と、該蓄積リングと後述する露光室３との間に介在
された、シンクロトロン放射光Ｓの通過路であるビーム
ライン１と、ビームライン１内に配設された、シンクロ
トロン放射光Ｓを反射させて照射領域を拡大させる、凸
面状のＸ線ミラー（不図示）と、雰囲気気体であるＨｅ
ガスが満たされた露光室３と、露光室３の図示左側の側
面に設けられた、シンクロトロン放射光Ｓを露光室３内
に導くＢｅ窓４と、露光室３内のシンクロトロン放射光
Ｓの照射領域内に設けられた、レジストが塗布されたウ
エハ７を保持するステージ８と、ステージ８の図示上側
に設けられた、露光時刻ｔ＝０でのマスク６上の各点に
おけるシンクロトロン放射光Ｓの強度を検出する第１の
Ｘ線検出器９と、微小なプロキシミティギャップをもっ
てウエハ７と対向してＢｅ窓４側に設けられた、パター
ンが形成されたマスク６と、所定の間隔をもってマスク
６と対向してＢｅ窓４側に設けられた、シンクロトロン
放射光Ｓを遮断して露光量を調整するためのシャッタ５
とを有する点については、図２に示したＸ線露光装置と
同様である。
た、シート状（紙面に直角な方向にシート面をもつ）の
シンクロトロン放射光Ｓを出射する蓄積リング（不図
示）と、該蓄積リングと後述する露光室３との間に介在
された、シンクロトロン放射光Ｓの通過路であるビーム
ライン１と、ビームライン１内に配設された、シンクロ
トロン放射光Ｓを反射させて照射領域を拡大させる、凸
面状のＸ線ミラー（不図示）と、雰囲気気体であるＨｅ
ガスが満たされた露光室３と、露光室３の図示左側の側
面に設けられた、シンクロトロン放射光Ｓを露光室３内
に導くＢｅ窓４と、露光室３内のシンクロトロン放射光
Ｓの照射領域内に設けられた、レジストが塗布されたウ
エハ７を保持するステージ８と、ステージ８の図示上側
に設けられた、露光時刻ｔ＝０でのマスク６上の各点に
おけるシンクロトロン放射光Ｓの強度を検出する第１の
Ｘ線検出器９と、微小なプロキシミティギャップをもっ
てウエハ７と対向してＢｅ窓４側に設けられた、パター
ンが形成されたマスク６と、所定の間隔をもってマスク
６と対向してＢｅ窓４側に設けられた、シンクロトロン
放射光Ｓを遮断して露光量を調整するためのシャッタ５
とを有する点については、図２に示したＸ線露光装置と
同様である。
【００２０】しかし、露光室３内の、Ｂｅ窓４とシャッ
タ５との間に設けられた、露光時刻ｔ＝０およびｔでの
Ｂｅ窓４を透過してくるシンクロトロン放射光Ｓの強度
をそれぞれ検出する第２のＸ線検出器１０と、シンクロ
トロン放射光Ｓの強度の時間的変化に対応する物理量を
検出する物理量検出手段として、Ｂｅ窓４の近傍に設け
られた、露光時刻ｔ＝０およびｔでのＢｅ窓４を透過し
てくるシンクロトロン放射光Ｓの強度をそれぞれ検出す
る第３のＸ線検出器１１とを有する点が、図２に示した
Ｘ線露光装置と異なる。
タ５との間に設けられた、露光時刻ｔ＝０およびｔでの
Ｂｅ窓４を透過してくるシンクロトロン放射光Ｓの強度
をそれぞれ検出する第２のＸ線検出器１０と、シンクロ
トロン放射光Ｓの強度の時間的変化に対応する物理量を
検出する物理量検出手段として、Ｂｅ窓４の近傍に設け
られた、露光時刻ｔ＝０およびｔでのＢｅ窓４を透過し
てくるシンクロトロン放射光Ｓの強度をそれぞれ検出す
る第３のＸ線検出器１１とを有する点が、図２に示した
Ｘ線露光装置と異なる。
【００２１】なお、マスク６とシャッタ５との間に設け
られたアライメント光学系１２は、マスク６とウエハ７
との位置合わせに用いられる公知のものであり、図２に
示したＸ線露光装置では図示しなかったものである。
られたアライメント光学系１２は、マスク６とウエハ７
との位置合わせに用いられる公知のものであり、図２に
示したＸ線露光装置では図示しなかったものである。
【００２２】上記Ｘ線露光装置による露光量の均一化
は、以下のようにして行われる。
は、以下のようにして行われる。
【００２３】前記蓄積リング内の軌道電流の変動に伴う
シンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変化と、露光室
３内の雰囲気気体であるＨｅガスの圧力および純度の変
動に伴うシンクロトロン放射光Ｓの透過率の時間的変化
とを考慮すると、マスク６上の各点ｘにおける露光時刻
ｔでのシンクロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) は、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・｛Ｉ0(t)・ｅｘｐ（ーｕ(t)・Ｌ1）｝／｛Ｉ0(0)・ｅｘ ｐ （ーｕ(0)・Ｌ1）｝ （２） ここで、 Ｉ1(x)：第１のＸ線検出器９の露光時刻ｔ＝０での出力
値 Ｉ0(0)：Ｂｅ窓４における露光時刻ｔ＝０でのシンクロ
トロン放射光Ｓの強度 Ｉ0(t)：Ｂｅ窓４における露光時刻ｔでのシンクロトロ
ン放射光Ｓの強度 ｕ(0) ：Ｈｅガスの露光時刻ｔ＝０での線吸収係数 ｕ(t) ：Ｈｅガスの露光時刻ｔでの線吸収係数 Ｌ1 ：Ｂｅ窓４から第１のＸ線検出器９までの距離 で表される。
シンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変化と、露光室
３内の雰囲気気体であるＨｅガスの圧力および純度の変
動に伴うシンクロトロン放射光Ｓの透過率の時間的変化
とを考慮すると、マスク６上の各点ｘにおける露光時刻
ｔでのシンクロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) は、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・｛Ｉ0(t)・ｅｘｐ（ーｕ(t)・Ｌ1）｝／｛Ｉ0(0)・ｅｘ ｐ （ーｕ(0)・Ｌ1）｝ （２） ここで、 Ｉ1(x)：第１のＸ線検出器９の露光時刻ｔ＝０での出力
値 Ｉ0(0)：Ｂｅ窓４における露光時刻ｔ＝０でのシンクロ
トロン放射光Ｓの強度 Ｉ0(t)：Ｂｅ窓４における露光時刻ｔでのシンクロトロ
ン放射光Ｓの強度 ｕ(0) ：Ｈｅガスの露光時刻ｔ＝０での線吸収係数 ｕ(t) ：Ｈｅガスの露光時刻ｔでの線吸収係数 Ｌ1 ：Ｂｅ窓４から第１のＸ線検出器９までの距離 で表される。
【００２４】いま、第２のＸ線検出器１０および第３の
Ｘ線検出器１１の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値Ｉ
2(0)，Ｉ2(t)，Ｉ3(0)，Ｉ3(t)は、 Ｉ2(0)＝Ｉ0(0)・ｅｘｐ（ーｕ(0)・Ｌ2） （３） Ｉ2(t)＝Ｉ0(t)・ｅｘｐ（ーｕ(t)・Ｌ2） （４） Ｉ3(0)＝Ｉ0(0)・ｅｘｐ（ーｕ(0)・Ｌ3） （５） Ｉ3(t)＝Ｉ0(t)・ｅｘｐ（ーｕ(t)・Ｌ3） （６） ここで、 Ｌ2 ：Ｂｅ窓４から第２のＸ線検出器１０までの距離 Ｌ3 ：Ｂｅ窓４から第３のＸ線検出器１１までの距離 でそれぞれ表される。
Ｘ線検出器１１の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値Ｉ
2(0)，Ｉ2(t)，Ｉ3(0)，Ｉ3(t)は、 Ｉ2(0)＝Ｉ0(0)・ｅｘｐ（ーｕ(0)・Ｌ2） （３） Ｉ2(t)＝Ｉ0(t)・ｅｘｐ（ーｕ(t)・Ｌ2） （４） Ｉ3(0)＝Ｉ0(0)・ｅｘｐ（ーｕ(0)・Ｌ3） （５） Ｉ3(t)＝Ｉ0(t)・ｅｘｐ（ーｕ(t)・Ｌ3） （６） ここで、 Ｌ2 ：Ｂｅ窓４から第２のＸ線検出器１０までの距離 Ｌ3 ：Ｂｅ窓４から第３のＸ線検出器１１までの距離 でそれぞれ表される。
【００２５】（３）式および（４）式より、Ｂｅ窓４に
おける露光時刻ｔ＝０およびｔでのシンクロトロン放射
光Ｓの強度Ｉ0(0)，Ｉ0(t)の比は、 Ｉ0(t)／Ｉ0(0)＝（Ｉ2(t)／Ｉ2(0)）・ｅｘｐ｛（ｕ(t)ーｕ(0)）・Ｌ2｝ （７） で表される。また、第２のＸ線検出器１０および第３の
Ｘ線検出器１１の出力値を用いて、露光時刻ｔでの雰囲
気透過率Ｒ(t) を次式のように定義すると、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） （８） （３）式〜（６）式および（８）式より、雰囲気透過率
Ｒ(t) は、 Ｒ(t)＝ｅｘｐ｛（ｕ(t)ーｕ(0)）・（Ｌ2ーＬ3）｝ （９） で表される。
おける露光時刻ｔ＝０およびｔでのシンクロトロン放射
光Ｓの強度Ｉ0(0)，Ｉ0(t)の比は、 Ｉ0(t)／Ｉ0(0)＝（Ｉ2(t)／Ｉ2(0)）・ｅｘｐ｛（ｕ(t)ーｕ(0)）・Ｌ2｝ （７） で表される。また、第２のＸ線検出器１０および第３の
Ｘ線検出器１１の出力値を用いて、露光時刻ｔでの雰囲
気透過率Ｒ(t) を次式のように定義すると、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） （８） （３）式〜（６）式および（８）式より、雰囲気透過率
Ｒ(t) は、 Ｒ(t)＝ｅｘｐ｛（ｕ(t)ーｕ(0)）・（Ｌ2ーＬ3）｝ （９） で表される。
【００２６】したがって、（７）式および（９）式を
（２）式に代入すると、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ2(t)／Ｉ2(0)）・Ｒ(t)・ｅｘｐ｛ー（Ｌ1ーＬ2）／ （Ｌ2ーＬ3）｝ （１０） となるため、マスク６上の各点ｘにおける露光時刻ｔで
のシンクロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) は、第１，第
２および第３のＸ線検出器９，１０，１１の各出力値か
ら求まる。また、第１，第２および第３のＸ線検出器
９、１０，１１は，シンクロトロン放射光Ｓの強度の時
間的変化に追随して、その強度を検出することができる
ため、（１０）式で求めた前記強度Ｉ(x,t) に応じてシ
ャッタ５の開閉時間を制御することにより、均一な露光
が可能となる。
（２）式に代入すると、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ2(t)／Ｉ2(0)）・Ｒ(t)・ｅｘｐ｛ー（Ｌ1ーＬ2）／ （Ｌ2ーＬ3）｝ （１０） となるため、マスク６上の各点ｘにおける露光時刻ｔで
のシンクロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) は、第１，第
２および第３のＸ線検出器９，１０，１１の各出力値か
ら求まる。また、第１，第２および第３のＸ線検出器
９、１０，１１は，シンクロトロン放射光Ｓの強度の時
間的変化に追随して、その強度を検出することができる
ため、（１０）式で求めた前記強度Ｉ(x,t) に応じてシ
ャッタ５の開閉時間を制御することにより、均一な露光
が可能となる。
【００２７】次に、図１に示したＸ線露光装置の変形例
について説明する。
について説明する。
【００２８】［変形例１］第２のＸ線検出器１０および
第３のＸ線検出器１１はシンクロトロン放射光Ｓの光路
上の空間的に離れた位置に設けられていればよいため、
第３のＸ線検出器１１は露光室３内に設けられている必
要は必ずしもなく、露光室３外に設けられてもよい。た
だし、この場合には、（１０）式においてＬ1 ＝０とし
て、マスク６上の各点ｘにおける露光時刻ｔでのシンク
ロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) を求める必要がある。
第３のＸ線検出器１１はシンクロトロン放射光Ｓの光路
上の空間的に離れた位置に設けられていればよいため、
第３のＸ線検出器１１は露光室３内に設けられている必
要は必ずしもなく、露光室３外に設けられてもよい。た
だし、この場合には、（１０）式においてＬ1 ＝０とし
て、マスク６上の各点ｘにおける露光時刻ｔでのシンク
ロトロン放射光Ｓの強度Ｉ(x,t) を求める必要がある。
【００２９】なお、第３のＸ線検出器１１の代わりに、
別の波長域の光（たとえば、可視光）の強度を検出する
光検出器を露光室３外に設けてもよい。
別の波長域の光（たとえば、可視光）の強度を検出する
光検出器を露光室３外に設けてもよい。
【００３０】［変形例２］図１に示したＸ線露光装置を
用いたＸ線露光方法では、（１０）式から求めた前記強
度Ｉ(x,t) に応じてシャッタ５の開閉時間を制御するこ
とにより均一な露光を可能とした。しかし、露光室３内
のＨｅガスの圧力（雰囲気圧力）が常に一定に保たれて
いると仮定すると、（３）式から求まる雰囲気透過率Ｒ
(t)がＲ(t)≠１となったときには、Ｈｅガス以外のガス
が露光室３内に混入したと考えられるので、雰囲気透過
率Ｒ(t)が常にＲ(t)＝１となるように、露光室３内のＨ
ｅガスの純度（雰囲気気体の純度）を一定に保つように
制御してもよい。
用いたＸ線露光方法では、（１０）式から求めた前記強
度Ｉ(x,t) に応じてシャッタ５の開閉時間を制御するこ
とにより均一な露光を可能とした。しかし、露光室３内
のＨｅガスの圧力（雰囲気圧力）が常に一定に保たれて
いると仮定すると、（３）式から求まる雰囲気透過率Ｒ
(t)がＲ(t)≠１となったときには、Ｈｅガス以外のガス
が露光室３内に混入したと考えられるので、雰囲気透過
率Ｒ(t)が常にＲ(t)＝１となるように、露光室３内のＨ
ｅガスの純度（雰囲気気体の純度）を一定に保つように
制御してもよい。
【００３１】すなわち、たとえば、露光室３内の雰囲気
圧力が１気圧一定に保たれている場合に、露光時刻ｔ＝
０においてＨｅガス９９．９５％，空気０．０５％であ
った雰囲気気体が、露光時刻ｔにおいてＨｅガス９９．
９０％，空気０．１０％になったと仮定する。このと
き、第２のＸ線検出器１０および第３のＸ線検出器１１
がＬ2 ＝１０ｃｍおよびＬ3 ＝３０ｃｍの場所にそれぞ
れ設けられており、シンクロトロン放射光Ｓのうち波長
１０ÅのＸ線の強度を検出したとすると、Ｉ2(0)／Ｉ
0(0)＝０．９０４５１，Ｉ3(0)／Ｉ0(0)＝０．７４１
０，Ｉ2(t)／Ｉ0(t)＝０．８９４５９およびＩ3(t)／Ｉ
0(t)＝０．７１５９５となるため、（３）式より雰囲気
透過率Ｒ(t) ＝１．０２３２が求まる。そこで、この場
合には、純度１００％のＨｅガスの露光室３内への流入
速度および排出速度を速めて、露光室３の体積の５０％
分の雰囲気気体を純度１００％のＨｅガスと置換するこ
とにより、常に雰囲気透過率Ｒ(t)＝１とすることがで
きる。
圧力が１気圧一定に保たれている場合に、露光時刻ｔ＝
０においてＨｅガス９９．９５％，空気０．０５％であ
った雰囲気気体が、露光時刻ｔにおいてＨｅガス９９．
９０％，空気０．１０％になったと仮定する。このと
き、第２のＸ線検出器１０および第３のＸ線検出器１１
がＬ2 ＝１０ｃｍおよびＬ3 ＝３０ｃｍの場所にそれぞ
れ設けられており、シンクロトロン放射光Ｓのうち波長
１０ÅのＸ線の強度を検出したとすると、Ｉ2(0)／Ｉ
0(0)＝０．９０４５１，Ｉ3(0)／Ｉ0(0)＝０．７４１
０，Ｉ2(t)／Ｉ0(t)＝０．８９４５９およびＩ3(t)／Ｉ
0(t)＝０．７１５９５となるため、（３）式より雰囲気
透過率Ｒ(t) ＝１．０２３２が求まる。そこで、この場
合には、純度１００％のＨｅガスの露光室３内への流入
速度および排出速度を速めて、露光室３の体積の５０％
分の雰囲気気体を純度１００％のＨｅガスと置換するこ
とにより、常に雰囲気透過率Ｒ(t)＝１とすることがで
きる。
【００３２】したがって、このＸ線露光方法では、露光
室３内のＨｅガスの純度（雰囲気気体の純度）を一定に
保って、Ｈｅガスの線吸収係数を常に一定（ｕ(t)＝ｕ
(0)）に保つことができるため、露光室３内におけるシ
ンクロトロン放射光Ｓの透過率の時間的変化を防止する
ことができる。
室３内のＨｅガスの純度（雰囲気気体の純度）を一定に
保って、Ｈｅガスの線吸収係数を常に一定（ｕ(t)＝ｕ
(0)）に保つことができるため、露光室３内におけるシ
ンクロトロン放射光Ｓの透過率の時間的変化を防止する
ことができる。
【００３３】また、前記蓄積リングの軌道電流の変動に
伴うシンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変動があっ
た場合には、次のようにして露光時間を制御するすれば
よい。Ｈｅガスの線吸収係数が常に一定（ｕ(t)＝ｕ
(0)）である場合には、（２）式より、マスク６上の各
点ｘにおける露光時刻ｔでのシンクロトロン放射光Ｓの
強度Ｉ(x,t) は、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ0(t)／Ｉ0(0)） （１１） で表され、また、（３）式〜（６）式より、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ2(t)／Ｉ2(0)） （１２） Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ3(t)／Ｉ3(0)） （１３） で表されるため、第２のＸ線検出器１０の露光時刻ｔ＝
０およびｔでの出力値の比Ｉ2(t)／Ｉ2(0)または第３の
Ｘ線検出器１１の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値の
比Ｉ3(t)／Ｉ3(0)を用いて、（１２）式または（１３）
式より求めた前記強度Ｉ(x,t)に応じてシャッタ５の開
閉時間を制御することにより、均一な露光が可能とな
る。
伴うシンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変動があっ
た場合には、次のようにして露光時間を制御するすれば
よい。Ｈｅガスの線吸収係数が常に一定（ｕ(t)＝ｕ
(0)）である場合には、（２）式より、マスク６上の各
点ｘにおける露光時刻ｔでのシンクロトロン放射光Ｓの
強度Ｉ(x,t) は、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ0(t)／Ｉ0(0)） （１１） で表され、また、（３）式〜（６）式より、 Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ2(t)／Ｉ2(0)） （１２） Ｉ(x,t)＝Ｉ1(x)・（Ｉ3(t)／Ｉ3(0)） （１３） で表されるため、第２のＸ線検出器１０の露光時刻ｔ＝
０およびｔでの出力値の比Ｉ2(t)／Ｉ2(0)または第３の
Ｘ線検出器１１の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値の
比Ｉ3(t)／Ｉ3(0)を用いて、（１２）式または（１３）
式より求めた前記強度Ｉ(x,t)に応じてシャッタ５の開
閉時間を制御することにより、均一な露光が可能とな
る。
【００３４】［変形例３］本変形例のＸ線露光方法は、
露光室３内に他のガスが混入して雰囲気透過率Ｒ(t) が
変化した場合には、露光室３内の雰囲気圧力Ｐ(t) を、 Ｐ(t)＝Ｐ(0)・ｌｎ（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)）／ｌｎ（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)） （１４ ） ここで、 Ｐ(0)：露光時刻ｔ＝０での露光室３内の雰囲気圧力 に従って補正することにより、常に雰囲気透過率Ｒ(t)
＝１に保つことができる点に着目したものである。
露光室３内に他のガスが混入して雰囲気透過率Ｒ(t) が
変化した場合には、露光室３内の雰囲気圧力Ｐ(t) を、 Ｐ(t)＝Ｐ(0)・ｌｎ（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)）／ｌｎ（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)） （１４ ） ここで、 Ｐ(0)：露光時刻ｔ＝０での露光室３内の雰囲気圧力 に従って補正することにより、常に雰囲気透過率Ｒ(t)
＝１に保つことができる点に着目したものである。
【００３５】すなわち、たとえば、露光室３内の雰囲気
圧力が１気圧一定に保たれている場合に、露光時刻ｔ＝
０においてＨｅガス１００％であった雰囲気気体が、露
光時刻ｔにおいてＨｅガスの純度が下がりＨｅガス９
９．９５％，空気０．０５％になったと仮定する。この
とき、第２のＸ線検出器１０および第３のＸ線検出器１
１がＬ2 ＝１０ｃｍおよびＬ3 ＝３０ｃｍの場所にそれ
ぞれ設けられており、シンクロトロン放射光Ｓのうち波
長１０ÅのＸ線の強度を検出したとすると、Ｉ2(0)／Ｉ
0(0)＝０．９１５３６，Ｉ3(0)／Ｉ0(0)＝０．７６６９
７，Ｉ2(0)／Ｉ0(0)＝０．９０４９５１およびＩ3(0)／
Ｉ0(0)＝０．７４１０２１となるため、（３）式より雰
囲気透過率Ｒ(t) ＝１．０２３２が求まる。そこで、こ
の場合には、（１４）式より、純度１００％のＨｅガス
の露光室３内への流入速度を小さくするか排出速度を速
めて、露光室３の雰囲気圧力を０．８８５気圧にするこ
とにより、常に雰囲気透過率Ｒ(t) ＝１とすることがで
きる。
圧力が１気圧一定に保たれている場合に、露光時刻ｔ＝
０においてＨｅガス１００％であった雰囲気気体が、露
光時刻ｔにおいてＨｅガスの純度が下がりＨｅガス９
９．９５％，空気０．０５％になったと仮定する。この
とき、第２のＸ線検出器１０および第３のＸ線検出器１
１がＬ2 ＝１０ｃｍおよびＬ3 ＝３０ｃｍの場所にそれ
ぞれ設けられており、シンクロトロン放射光Ｓのうち波
長１０ÅのＸ線の強度を検出したとすると、Ｉ2(0)／Ｉ
0(0)＝０．９１５３６，Ｉ3(0)／Ｉ0(0)＝０．７６６９
７，Ｉ2(0)／Ｉ0(0)＝０．９０４９５１およびＩ3(0)／
Ｉ0(0)＝０．７４１０２１となるため、（３）式より雰
囲気透過率Ｒ(t) ＝１．０２３２が求まる。そこで、こ
の場合には、（１４）式より、純度１００％のＨｅガス
の露光室３内への流入速度を小さくするか排出速度を速
めて、露光室３の雰囲気圧力を０．８８５気圧にするこ
とにより、常に雰囲気透過率Ｒ(t) ＝１とすることがで
きる。
【００３６】したがって、このＸ線露光方法では、露光
室３内の雰囲気圧力を制御して、Ｈｅガスの線吸収係数
を常に一定（ｕ(t)＝ｕ(0)）に保つことができるため、
露光室３内におけるシンクロトロン放射光Ｓの透過率の
時間的変化を防止することができる。
室３内の雰囲気圧力を制御して、Ｈｅガスの線吸収係数
を常に一定（ｕ(t)＝ｕ(0)）に保つことができるため、
露光室３内におけるシンクロトロン放射光Ｓの透過率の
時間的変化を防止することができる。
【００３７】また、前記蓄積リングの軌道電流の変動に
伴うシンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変動があっ
た場合には、上記変形例２と同様にして、第２のＸ線検
出器１０の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値の比Ｉ
2(t)／Ｉ2(0)または第３のＸ線検出器１１の露光時刻ｔ
＝０およびｔでの出力値の比Ｉ3(t)／Ｉ3(0)を用いて、
（１２）式または（１３）式より求めた前記強度Ｉ(x,
t)に応じてシャッタ５の開閉時間を制御することによ
り、均一な露光が可能となる。
伴うシンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変動があっ
た場合には、上記変形例２と同様にして、第２のＸ線検
出器１０の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値の比Ｉ
2(t)／Ｉ2(0)または第３のＸ線検出器１１の露光時刻ｔ
＝０およびｔでの出力値の比Ｉ3(t)／Ｉ3(0)を用いて、
（１２）式または（１３）式より求めた前記強度Ｉ(x,
t)に応じてシャッタ５の開閉時間を制御することによ
り、均一な露光が可能となる。
【００３８】［変形例４］上記した変形例２および変形
例３では、第２のＸ線検出器１０および第３のＸ線検出
器１１を用いて雰囲気透過率Ｒ(t) を求めることによ
り、均一な露光を可能としたが、露光室３内の雰囲気純
度の変化が緩やかな場合には、雰囲気透過率Ｒ(t) を常
時求める必要は必ずしもなく、所定の時間間隔で雰囲気
透過率Ｒ(t)を求め、 露光室３内の雰囲気気体の純度の
補正を行ってもよい。この場合には、第３のＸ線検出器
１１の代わりにステージ８に設けられた第１のＸ線検出
器９を用いて、同様の補正を行うことにより、均一な露
光が可能となる。
例３では、第２のＸ線検出器１０および第３のＸ線検出
器１１を用いて雰囲気透過率Ｒ(t) を求めることによ
り、均一な露光を可能としたが、露光室３内の雰囲気純
度の変化が緩やかな場合には、雰囲気透過率Ｒ(t) を常
時求める必要は必ずしもなく、所定の時間間隔で雰囲気
透過率Ｒ(t)を求め、 露光室３内の雰囲気気体の純度の
補正を行ってもよい。この場合には、第３のＸ線検出器
１１の代わりにステージ８に設けられた第１のＸ線検出
器９を用いて、同様の補正を行うことにより、均一な露
光が可能となる。
【００３９】以上の説明においては、シンクロトロン放
射光ＳをＸ線露光光とするＸ線露光装置について述べた
が、シンクロトロン放射光Ｓ以外のＸ線（たとえば、ｇ
線，ｉ線，エキシマレーザなど）を露光光とするＸ線露
光装置においても同様の効果が得られる。
射光ＳをＸ線露光光とするＸ線露光装置について述べた
が、シンクロトロン放射光Ｓ以外のＸ線（たとえば、ｇ
線，ｉ線，エキシマレーザなど）を露光光とするＸ線露
光装置においても同様の効果が得られる。
【００４０】次に、本発明のＸ線露光方法の他の実施例
について説明する。
について説明する。
【００４１】本実施例の実施に用いるＸ線露光装置は、
蓄積リングから出射されたシンクロトロン放射光をＸ線
露光光とする点については、図１に示したＸ線露光装置
と同じであるが、シンクロトロン放射光の強度の時間的
変化に対応する物理量を検出する物理量検出手段とし
て、第３のＸ線検出器１１の代わりに、蓄積リングの軌
道電流値を検出する軌道電流検出器（たとえば、直流変
成器など）を有する点が、図１に示したＸ線露光装置と
異なる。
蓄積リングから出射されたシンクロトロン放射光をＸ線
露光光とする点については、図１に示したＸ線露光装置
と同じであるが、シンクロトロン放射光の強度の時間的
変化に対応する物理量を検出する物理量検出手段とし
て、第３のＸ線検出器１１の代わりに、蓄積リングの軌
道電流値を検出する軌道電流検出器（たとえば、直流変
成器など）を有する点が、図１に示したＸ線露光装置と
異なる。
【００４２】本実施例では、露光時刻ｔ＝０およびｔで
の蓄積リングの軌道電流値Ｄ(0),Ｄ(t) を軌道電流検出
器で検出して、（８）式において第３のＸ線検出器１１
の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値Ｉ3(0),Ｉ3(t)の
代わりに軌道電流値Ｄ(0),Ｄ(t)を用いて雰囲気透過率
Ｒ(t) を求める。そして、この求めた雰囲気透過率Ｒ
(t) および距離Ｌ3 ＝０を（１０）式に代入することに
より、マスク上の各点ｘにおける露光時刻ｔでのシンク
ロトロン放射光の強度Ｉ(x,t) が、第１および第２のＸ
線検出器９，１０の出力値Ｉ1(x),Ｉ2(0),Ｉ2(t)と軌道
電流検出器で検出した軌道電流値Ｄ(0),Ｄ(t)とから精
度よく求まる。また、第１および第２のＸ線検出器９，
１０はシンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変化に追
随して、その強度を検出することができ、軌道電流検出
器は、前記蓄積リングの軌道電流値の時間的変化に追随
して、軌道電流値を検出することができるため、（１
０）式で求めた前記強度Ｉ(x,t) に応じてシャッタ５の
開閉時間を制御することにより、均一な露光が可能とな
る。
の蓄積リングの軌道電流値Ｄ(0),Ｄ(t) を軌道電流検出
器で検出して、（８）式において第３のＸ線検出器１１
の露光時刻ｔ＝０およびｔでの出力値Ｉ3(0),Ｉ3(t)の
代わりに軌道電流値Ｄ(0),Ｄ(t)を用いて雰囲気透過率
Ｒ(t) を求める。そして、この求めた雰囲気透過率Ｒ
(t) および距離Ｌ3 ＝０を（１０）式に代入することに
より、マスク上の各点ｘにおける露光時刻ｔでのシンク
ロトロン放射光の強度Ｉ(x,t) が、第１および第２のＸ
線検出器９，１０の出力値Ｉ1(x),Ｉ2(0),Ｉ2(t)と軌道
電流検出器で検出した軌道電流値Ｄ(0),Ｄ(t)とから精
度よく求まる。また、第１および第２のＸ線検出器９，
１０はシンクロトロン放射光Ｓの強度の時間的変化に追
随して、その強度を検出することができ、軌道電流検出
器は、前記蓄積リングの軌道電流値の時間的変化に追随
して、軌道電流値を検出することができるため、（１
０）式で求めた前記強度Ｉ(x,t) に応じてシャッタ５の
開閉時間を制御することにより、均一な露光が可能とな
る。
【００４３】
【発明の効果】本発明は、露光時刻ｔ＝０およびｔでの
露光室内のマスクよりもＸ線露光光の入射側におけるＸ
線露光光の強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) を検出することにより、
Ｘ線露光光の強度の時間的変化を検出することができ、
また、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前記Ｘ線露光光の強
度の時間的変化に対応する物理量Ｉ3(0)，Ｉ3(t)と前記
強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) とを用いて、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
することにより、Ｘ線露光光の透過率の時間的変化を検
出することができるため、Ｘ線露光光の強度および透過
率の時間的変化に追随した露光量の制御を行うことがで
きるので、均一な露光ができるという効果がある。
露光室内のマスクよりもＸ線露光光の入射側におけるＸ
線露光光の強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) を検出することにより、
Ｘ線露光光の強度の時間的変化を検出することができ、
また、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前記Ｘ線露光光の強
度の時間的変化に対応する物理量Ｉ3(0)，Ｉ3(t)と前記
強度Ｉ2(0),Ｉ2(t) とを用いて、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
することにより、Ｘ線露光光の透過率の時間的変化を検
出することができるため、Ｘ線露光光の強度および透過
率の時間的変化に追随した露光量の制御を行うことがで
きるので、均一な露光ができるという効果がある。
【図１】本発明のＸ線露光方法の実施に用いるＸ線露光
装置の一例を示す概略構成図である。
装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】特開平２ー１００３１１号公報に記載されてい
るＸ線露光装置を示す概略構成図である。
るＸ線露光装置を示す概略構成図である。
１ ビームライン ３ 露光室 ４ Ｂｅ窓 ５ シャッタ ６ マスク ７ ウエハ ８ ステージ ９ 第１のＸ線検出器 １０ 第２のＸ線検出器 １１ 第３のＸ線検出器 １２ アライメント光学系
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−311800（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (7)
- 【請求項１】 マスク上の各点におけるＸ線露光光の強
度に応じて露光量の制御を行うＸ線露光方法において、
露光時刻ｔ＝０およびｔでの露光室内の前記マスクより
も前記Ｘ線露光光の入射側における該Ｘ線露光光の強度
Ｉ2(0)，Ｉ2(t)と、露光時刻ｔ＝０およびｔでの前記Ｘ
線露光光の強度の時間的変化に対応する物理量Ｉ3(0)，
Ｉ3(t)とを検出し、 Ｒ(t)＝（Ｉ3(t)／Ｉ2(t)）／（Ｉ3(0)／Ｉ2(0)） で定義される露光時刻ｔでの雰囲気透過率Ｒ(t) を計算
し、露光時刻ｔ＝０での前記マスク上の各点における前
記Ｘ線露光光の強度を前記雰囲気透過率Ｒ(t) で補正し
て、露光量の制御を行うことを特徴とするＸ線露光方
法。 - 【請求項２】 Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対応す
る物理量が、露光室内の前記Ｘ線露光光の強度である請
求項１記載のＸ線露光方法。 - 【請求項３】 Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対応す
る物理量が、露光室外の前記Ｘ線露光光の強度または可
視光の強度である請求項１記載のＸ線露光方法。 - 【請求項４】 Ｘ線露光光が、シンクロトロン放射光で
あり、Ｘ線露光光の強度の時間的変化に対応する物理量
が、前記シンクロトロン放射光を出射する蓄積リングの
軌道電流値である請求項１記載のＸ線露光方法。 - 【請求項５】 露光量の制御は、Ｘ線露光光を遮断する
シャッタの開閉時間を制御することにより行われる請求
項１乃至請求項４いずれか１項記載のＸ線露光方法。 - 【請求項６】 露光量の制御は、露光室内の雰囲気気体
の純度を一定に保つことにより行われる請求項１乃至請
求項４いずれか１項記載のＸ線露光方法。 - 【請求項７】 露光量の制御は、露光室内の雰囲気圧力
を制御することにより行われる請求項１乃至請求項４い
ずれか１項記載のＸ線露光方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP3126443A JP2997090B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP3126443A JP2997090B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | Ｘ線露光方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04329624A JPH04329624A (ja) | 1992-11-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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-
1991
- 1991-05-01 JP JP3126443A patent/JP2997090B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH04329624A (ja) | 1992-11-18 |
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