JP3093960B2 - 半導体回路素子搭載基板フレームの製造方法 - Google Patents
半導体回路素子搭載基板フレームの製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、外部接続端子となる溶
融性ソルダー・ボールをグリッド・エリア・アレイ状に
配列した半導体装置の製造に用いる半導体回路素子搭載
基板フレームの製造方法に係る、特に、熱伝導性の良好
な金属基板シートと片面に導体回路層を設けた導体回路
基板シートを集積的に熱圧着して形成された半導体回路
素子搭載基板シートから単一の半導体回路素子搭載基板
を所要数連接した短冊状の半導体回路素子搭載基板フレ
ームの製造方法に関する。
融性ソルダー・ボールをグリッド・エリア・アレイ状に
配列した半導体装置の製造に用いる半導体回路素子搭載
基板フレームの製造方法に係る、特に、熱伝導性の良好
な金属基板シートと片面に導体回路層を設けた導体回路
基板シートを集積的に熱圧着して形成された半導体回路
素子搭載基板シートから単一の半導体回路素子搭載基板
を所要数連接した短冊状の半導体回路素子搭載基板フレ
ームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、IC、LSI等の半導体装置は、
回路素子の微細化及び半導体装置のダウン・サィジング
化、低コスト化に対応してBGA(Ball Grid
Array)と称され、半導体装置の複数の外部接続
端子に格子状に配列された溶融性ソルダー・ボールを用
い、これを実装基板上に設けたモールド・パッドに実装
する方法が提案されている。
回路素子の微細化及び半導体装置のダウン・サィジング
化、低コスト化に対応してBGA(Ball Grid
Array)と称され、半導体装置の複数の外部接続
端子に格子状に配列された溶融性ソルダー・ボールを用
い、これを実装基板上に設けたモールド・パッドに実装
する方法が提案されている。
【0003】この実装方法によれば、前記複数の溶融性
ソルダー・ボールのそれぞれに対応して設けた実装基板
上の複数のマウンティング・パッドに半導体装置の位置
決めを行って載置した後、加熱し、前記溶融性ソルダー
・ボールをリフローすることにより、前記実装基板上に
形成されたマウンティング・パッドに一括接続されるの
で、半導体装置の実装が容易となり、高密度の実装が可
能になるという利点がある。
ソルダー・ボールのそれぞれに対応して設けた実装基板
上の複数のマウンティング・パッドに半導体装置の位置
決めを行って載置した後、加熱し、前記溶融性ソルダー
・ボールをリフローすることにより、前記実装基板上に
形成されたマウンティング・パッドに一括接続されるの
で、半導体装置の実装が容易となり、高密度の実装が可
能になるという利点がある。
【0004】この種の半導体装置には、良好な熱伝導性
部材である銅系部材から成り、半導体回路素子搭載領域
を備えた金属基板に、ガラス・クロス・エポキシ樹脂部
材の一面に複数の導体リードから成る導体回路パターン
層と該導体回路パターン層上にドライフィルム・フォト
・レジスト・マスク層を形成した導体回路基板を熱硬化
性プリプレグ層を介して接合した単一の半導体回路素子
搭載基板が用いられている。ここで、前記導体リードは
その一端部にワイヤ・ボンディングパッドを、他端部に
は外部接続端子ランドを備えている、さらに、前記ドラ
イフィルム・フォトレジスト・マスク層は前記ワイヤ・
ボンディングパッド及びエリア・アレイ状の前記外部接
続端子ランドを露出する複数の導通孔が形成されてい
る。
部材である銅系部材から成り、半導体回路素子搭載領域
を備えた金属基板に、ガラス・クロス・エポキシ樹脂部
材の一面に複数の導体リードから成る導体回路パターン
層と該導体回路パターン層上にドライフィルム・フォト
・レジスト・マスク層を形成した導体回路基板を熱硬化
性プリプレグ層を介して接合した単一の半導体回路素子
搭載基板が用いられている。ここで、前記導体リードは
その一端部にワイヤ・ボンディングパッドを、他端部に
は外部接続端子ランドを備えている、さらに、前記ドラ
イフィルム・フォトレジスト・マスク層は前記ワイヤ・
ボンディングパッド及びエリア・アレイ状の前記外部接
続端子ランドを露出する複数の導通孔が形成されてい
る。
【0005】従来技術の一例である半導体回路素子搭載
基板の製造方法ついて、図8を参照しつつ説明する。
基板の製造方法ついて、図8を参照しつつ説明する。
【0006】この種の半導体回路素子搭載基板の製造方
法は、熱伝導性の金属基材シートに半導体回路素子搭載
領域を含む複数のユニット領域を周期律表的に設定した
図示していない金属基板シートの形成を行う工程と、片
面に銅箔層を設けた所定の電気的絶縁性樹脂基材シート
に、中央部に半導体回路素子に対応した状態の半導体回
路素子装着開口部と該開口部に沿ってこれを取り囲むよ
うに放射状に配列された複数の導体リードから成る導体
回路パターン層と前記導体リードをエリア・アレイ状に
露出させる複数の空白部を設けたフォトレジスト・マス
ク層とから成る複数のユニット領域を周期律表的に配列
した図示していない導体回路基板シートの形成を行う工
程とを具備し、耐熱性接着剤層を介し、前記導体回路基
板シートの前記導体回路パターン層の反対面側を前記金
属基板シートに熱圧着する積層加工をを行い前記ユニッ
ト区画領域15を集積的に形成すると共に、半導体回路
素子搭載用キャビティ16が形成される半導体素子搭載
基板シート17の形状を形成する工程と、前記半導体回
路素子搭載基板シート17から前記境界18に沿って切
断分離を行い図9に示す個別の半導体回路素子搭載基板
19を形成する工程より成るものである。
法は、熱伝導性の金属基材シートに半導体回路素子搭載
領域を含む複数のユニット領域を周期律表的に設定した
図示していない金属基板シートの形成を行う工程と、片
面に銅箔層を設けた所定の電気的絶縁性樹脂基材シート
に、中央部に半導体回路素子に対応した状態の半導体回
路素子装着開口部と該開口部に沿ってこれを取り囲むよ
うに放射状に配列された複数の導体リードから成る導体
回路パターン層と前記導体リードをエリア・アレイ状に
露出させる複数の空白部を設けたフォトレジスト・マス
ク層とから成る複数のユニット領域を周期律表的に配列
した図示していない導体回路基板シートの形成を行う工
程とを具備し、耐熱性接着剤層を介し、前記導体回路基
板シートの前記導体回路パターン層の反対面側を前記金
属基板シートに熱圧着する積層加工をを行い前記ユニッ
ト区画領域15を集積的に形成すると共に、半導体回路
素子搭載用キャビティ16が形成される半導体素子搭載
基板シート17の形状を形成する工程と、前記半導体回
路素子搭載基板シート17から前記境界18に沿って切
断分離を行い図9に示す個別の半導体回路素子搭載基板
19を形成する工程より成るものである。
【0007】前記個別の半導体回路素子搭載基板19を
用いて半導体装置20を形成するには、前記半導体回路
素子搭載基板19を図示していない搬送キャリアに搭載
又は個々に半導体装置の組立ラインに供給、位置決め
し、導電性接着剤を介在させて接合する半導体回路素子
21の搭載を行って、一端部を複数のワイヤボンディン
グ・パッド22の一つに接続し、他端部を前記半導体回
路素子21に設けた複数の電極端子の一つに接続して電
気的導通回路を形成するワイヤボンディングを行って
後、前記半導体回路素子21、前記ボンディング・ワイ
ヤ、ソルダー・レジン・マスク23の一端部側とを、樹
脂材24により、樹脂封止するポッティング・モールド
を行い前記エリア・アレイ状に露出した複数の前記外部
接続端子ランド上に、溶融性ソルダー・ボール25が接
続された状態で前記ソルダー・マスク23面側に突出状
態で形成された図7に示す半導体装置20が完成され
る。
用いて半導体装置20を形成するには、前記半導体回路
素子搭載基板19を図示していない搬送キャリアに搭載
又は個々に半導体装置の組立ラインに供給、位置決め
し、導電性接着剤を介在させて接合する半導体回路素子
21の搭載を行って、一端部を複数のワイヤボンディン
グ・パッド22の一つに接続し、他端部を前記半導体回
路素子21に設けた複数の電極端子の一つに接続して電
気的導通回路を形成するワイヤボンディングを行って
後、前記半導体回路素子21、前記ボンディング・ワイ
ヤ、ソルダー・レジン・マスク23の一端部側とを、樹
脂材24により、樹脂封止するポッティング・モールド
を行い前記エリア・アレイ状に露出した複数の前記外部
接続端子ランド上に、溶融性ソルダー・ボール25が接
続された状態で前記ソルダー・マスク23面側に突出状
態で形成された図7に示す半導体装置20が完成され
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例に係る半
導体回路素子搭載基板の製造方法にあっては、複数の個
別のユニット区画領域を有する金属基板シートと導体回
路基板シートとが集積的に熱圧着された半導体回路素子
搭載基板シートから切断分離を行い個々の半導体回路素
子搭載基板が形成されているので、半導体回路素子の実
装を行う際に、前記個別の半導体素子搭載基板の搬送や
位置決め等の取り扱い煩雑となり、位置ずれや損傷によ
る品質や半導体回路素子実装の作業効率が低下し、生産
性を著しく阻害するという問題が生じていた。さらに、
個別の半導体素子搭載基板用の搬送キャリアや位置決め
等の高価な実装設備を必要とし、半導体装置の製造コス
トを上昇させるという経済性の問題が生じていた。
導体回路素子搭載基板の製造方法にあっては、複数の個
別のユニット区画領域を有する金属基板シートと導体回
路基板シートとが集積的に熱圧着された半導体回路素子
搭載基板シートから切断分離を行い個々の半導体回路素
子搭載基板が形成されているので、半導体回路素子の実
装を行う際に、前記個別の半導体素子搭載基板の搬送や
位置決め等の取り扱い煩雑となり、位置ずれや損傷によ
る品質や半導体回路素子実装の作業効率が低下し、生産
性を著しく阻害するという問題が生じていた。さらに、
個別の半導体素子搭載基板用の搬送キャリアや位置決め
等の高価な実装設備を必要とし、半導体装置の製造コス
トを上昇させるという経済性の問題が生じていた。
【0009】本発明は、上記の実情に鑑みてなされたも
のであって、その目的とするとろは、従来のリードフレ
ームを用いた半導体回路素子の実装設備を活用すること
ができ、新たな設備や搬送キャリァ治具等を導入するこ
となく、半導体回路素子の実装が可能な半導体回路素子
搭載基板フレームを生産効率よく提供することにある。
さらに、他の目的とするとろは、従来の個別の半導体回
路素子搭載基板で生じていた搬送及び位置決め等の煩雑
さをなくし、半導体回路素子実装の作業性を向上させる
ことのできる半導体回路素子搭載基板を提供することに
ある。
のであって、その目的とするとろは、従来のリードフレ
ームを用いた半導体回路素子の実装設備を活用すること
ができ、新たな設備や搬送キャリァ治具等を導入するこ
となく、半導体回路素子の実装が可能な半導体回路素子
搭載基板フレームを生産効率よく提供することにある。
さらに、他の目的とするとろは、従来の個別の半導体回
路素子搭載基板で生じていた搬送及び位置決め等の煩雑
さをなくし、半導体回路素子実装の作業性を向上させる
ことのできる半導体回路素子搭載基板を提供することに
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
請求項1記載の半導体回路素子搭載基板の製造方法は、
複数の単一の半導体回路素子搭載基板が連接された半導
体回路素子搭載基板フレームの製造方法であって、耐腐
食性皮膜層を有する金属部材シートに、分離線で囲まれ
た短冊状ユニット・フレームとなる複数の区画領域が設
定された金属基板シートの所要の形状を形成する工程
と、片面に銅箔層を、他面に熱硬化性接着剤層を備えた
樹脂基材シートに、前記金属基板シートの短冊状ユニッ
ト・フレームに整合する複数の区画領域を設定し、前記
銅箔層面側のそれぞれの前記区画領域に半導体回路素子
に対応した状態で穿孔された半導体回路素子装着開口部
と該開口部を取り囲むように放射状に配列した複数の導
体リードから成る導体回路パターン層が形成された導体
回路基板シートの所要の形状を形成する工程とを具備し
ており、前記金属基板シートに、前記導体回路基板シー
トを前記熱硬化性接着剤層を介して集積的に熱圧着する
積層加工行い半導体回路素子搭載基板シートの所要の形
状を形成する工程と、前記半導体回路素子搭載基板シー
トのそれぞれの前記区画領域に、単一の半導体回路素子
搭載基板を連結するように複数の連結タブを残して単一
の半導体回路素子搭載基板とサイドレールを分割形成す
ると共に、該サイドレールに前記キャビティのそれぞれ
に対応した複数の位置決め用の基準孔を穿孔した所要の
形状を形成する加工を行った後、前記導体回路層の形成
面側に、前記導体リードの一部分をエリア・アレイ状に
露出させる複数の空洞部を設けたソルダー・レジスト・
マスク層を集積的に形成する加工を行い前記分離線に沿
って前記区画領域毎に分離して複数の単一の半導体回路
素子搭載基板が連結タフを介して連接された半導体回路
素子搭載基板フレームの所要の形状を形成する工程とを
含む構成とされている。
請求項1記載の半導体回路素子搭載基板の製造方法は、
複数の単一の半導体回路素子搭載基板が連接された半導
体回路素子搭載基板フレームの製造方法であって、耐腐
食性皮膜層を有する金属部材シートに、分離線で囲まれ
た短冊状ユニット・フレームとなる複数の区画領域が設
定された金属基板シートの所要の形状を形成する工程
と、片面に銅箔層を、他面に熱硬化性接着剤層を備えた
樹脂基材シートに、前記金属基板シートの短冊状ユニッ
ト・フレームに整合する複数の区画領域を設定し、前記
銅箔層面側のそれぞれの前記区画領域に半導体回路素子
に対応した状態で穿孔された半導体回路素子装着開口部
と該開口部を取り囲むように放射状に配列した複数の導
体リードから成る導体回路パターン層が形成された導体
回路基板シートの所要の形状を形成する工程とを具備し
ており、前記金属基板シートに、前記導体回路基板シー
トを前記熱硬化性接着剤層を介して集積的に熱圧着する
積層加工行い半導体回路素子搭載基板シートの所要の形
状を形成する工程と、前記半導体回路素子搭載基板シー
トのそれぞれの前記区画領域に、単一の半導体回路素子
搭載基板を連結するように複数の連結タブを残して単一
の半導体回路素子搭載基板とサイドレールを分割形成す
ると共に、該サイドレールに前記キャビティのそれぞれ
に対応した複数の位置決め用の基準孔を穿孔した所要の
形状を形成する加工を行った後、前記導体回路層の形成
面側に、前記導体リードの一部分をエリア・アレイ状に
露出させる複数の空洞部を設けたソルダー・レジスト・
マスク層を集積的に形成する加工を行い前記分離線に沿
って前記区画領域毎に分離して複数の単一の半導体回路
素子搭載基板が連結タフを介して連接された半導体回路
素子搭載基板フレームの所要の形状を形成する工程とを
含む構成とされている。
【0011】また、請求項2の半導体回路素子搭載基板
の製造方法は、請求項1記載の半導体回路素子搭載基板
の製造方法にあって、前記金属基板シートの所要の形状
を形成する工程は、前記区画領域のそれぞれに複数の半
導体回路素子搭載部を規準とし、所定の間隔で配置され
た複数の位置決め用の基準孔を予め形成する手段を含む
構成とされている。
の製造方法は、請求項1記載の半導体回路素子搭載基板
の製造方法にあって、前記金属基板シートの所要の形状
を形成する工程は、前記区画領域のそれぞれに複数の半
導体回路素子搭載部を規準とし、所定の間隔で配置され
た複数の位置決め用の基準孔を予め形成する手段を含む
構成とされている。
【0012】また、請求項3の半導体回路素子搭載基板
の製造方法は、請求項1及び2記載の半導体回路素子搭
載基板の製造方法にあって、前記導体回路基板シートの
所要の形状を形成する工程は、片面に銅箔層を、他面に
熱硬化性のプリプレグ層を有するガラス・クロス・エポ
キシ樹脂基材が用いられており、前記区画領域のそれぞ
れに、半導体回路素子に対応した複数の開口部を規準と
し、所定の間隔で配置された複数の位置決め用の基準孔
を予め形成する手段を含む構成とされている。
の製造方法は、請求項1及び2記載の半導体回路素子搭
載基板の製造方法にあって、前記導体回路基板シートの
所要の形状を形成する工程は、片面に銅箔層を、他面に
熱硬化性のプリプレグ層を有するガラス・クロス・エポ
キシ樹脂基材が用いられており、前記区画領域のそれぞ
れに、半導体回路素子に対応した複数の開口部を規準と
し、所定の間隔で配置された複数の位置決め用の基準孔
を予め形成する手段を含む構成とされている。
【0013】
【作用】請求項1〜3記載の半導体回路素子搭載基板フ
レームの製造方法によれば、所定の間隔で配置された複
数の位置決め用の基準孔を配列したサイドレールに、個
別の半導体回路素子搭載基板を連結タブを介して複数連
結した半導体回路素子搭載基板フレームを形成するよう
にしているので、従来の個別に分離された半導体回路素
子搭載基板の形成に比べて、その取り扱い作業がリード
フレームと同様に行うことが可能となり、取り扱の作業
性を著しく向上させることができると共に、取り扱いに
よって生じる損傷がなくなり、半導体回路素子搭載基板
の品質を向上させることができる。その結果として、半
導体装置の長期信頼性が向上する。
レームの製造方法によれば、所定の間隔で配置された複
数の位置決め用の基準孔を配列したサイドレールに、個
別の半導体回路素子搭載基板を連結タブを介して複数連
結した半導体回路素子搭載基板フレームを形成するよう
にしているので、従来の個別に分離された半導体回路素
子搭載基板の形成に比べて、その取り扱い作業がリード
フレームと同様に行うことが可能となり、取り扱の作業
性を著しく向上させることができると共に、取り扱いに
よって生じる損傷がなくなり、半導体回路素子搭載基板
の品質を向上させることができる。その結果として、半
導体装置の長期信頼性が向上する。
【0014】さらに、サイドレールに所要数の位置決め
用のパイロット孔が離間配列されたリードフレームと同
様な構成とされているので、これを用いて半導体素子の
実装を行う際に、既存の半導体装置の製造設備を活用す
ることができると共に、従来技術に比べ、高価な位置決
め設備を必要とせず、容易に位置決め作業を行うことが
でき、半導体回路素子の実装作業を生産効率よく行うこ
とができる。
用のパイロット孔が離間配列されたリードフレームと同
様な構成とされているので、これを用いて半導体素子の
実装を行う際に、既存の半導体装置の製造設備を活用す
ることができると共に、従来技術に比べ、高価な位置決
め設備を必要とせず、容易に位置決め作業を行うことが
でき、半導体回路素子の実装作業を生産効率よく行うこ
とができる。
【0015】
【実施例】続いて、本発明の実施の一例を添付した図面
を参照しつつ詳細に説明する。
を参照しつつ詳細に説明する。
【0016】図1は本発明の実施の一例に係る金属基板
シートを示す平面図、図2(a)は本発明の実施の一例
に係る導体回路基板シートを示す平面図、(b)は本発
明の実施の一例に係る導体回路基材の構成を示す断面
図、図3は本発明の実施の一例に係る熱圧着状態を示す
一部断面図、図4は本発明の実施の一例に係る個別の半
導体回路素子搭載基板の連結状態を示す半導体回路素子
搭載基板シートの平面図、図5(a)は本発明の実施の
一例に係る半導体回路素子搭載基板フレームを示す平面
図、(b)は本発明の実施の一例に係る半導体回路素子
搭載基板フレームの断面図、図6は本発明の実施の一例
に係る半導体回路素子搭載基板フレームの製造工程を示
すブロック図、図7は本発明の実施の一例に係る半導体
装置を示す平面図、図8は従来の一例に係る個別の半導
体回路素子搭載基板の配列状態を示す平面図、図9は従
来の一例に係る個別の半導体回路素子搭載基板を示す平
面図である。
シートを示す平面図、図2(a)は本発明の実施の一例
に係る導体回路基板シートを示す平面図、(b)は本発
明の実施の一例に係る導体回路基材の構成を示す断面
図、図3は本発明の実施の一例に係る熱圧着状態を示す
一部断面図、図4は本発明の実施の一例に係る個別の半
導体回路素子搭載基板の連結状態を示す半導体回路素子
搭載基板シートの平面図、図5(a)は本発明の実施の
一例に係る半導体回路素子搭載基板フレームを示す平面
図、(b)は本発明の実施の一例に係る半導体回路素子
搭載基板フレームの断面図、図6は本発明の実施の一例
に係る半導体回路素子搭載基板フレームの製造工程を示
すブロック図、図7は本発明の実施の一例に係る半導体
装置を示す平面図、図8は従来の一例に係る個別の半導
体回路素子搭載基板の配列状態を示す平面図、図9は従
来の一例に係る個別の半導体回路素子搭載基板を示す平
面図である。
【0017】まず、図5を参照して、本発明に係る半導
体回路素子搭載基板フレームの構造について説明する。
体回路素子搭載基板フレームの構造について説明する。
【0018】図5(a)、(b)によれば、本発明の方
法を用いて形成された半導体回路素子搭載基板フレーム
14iは、熱伝導性の良好な基材の一例である銅基材か
ら成る単一の金属基板層14fと、絶縁性樹脂基材の一
例であるガラス・クロス・エポキシ樹脂基材12dに、
半導体素子装着開口部12fと該開口部12fを取り囲
むように放射状に配列された複数の導体リード12hと
から成る導体回路パターン層12gが形成された単一の
導体回路基板14gと、これらを集積的に熱圧着する熱
伝導性接着剤層の一例であるプリプレグ層12cと、そ
れぞれの前記導体回路パターン層12gの形成面側に集
積的に設けた、外部接続端子ランド12iをエリア・ア
レイ状に露出させる複数の空洞部13cとワイヤ・ボン
ディング・パッド12jを露出させる保護被膜の一例で
あるドライフィルム・フォトレジスト・マスク層13d
とから成り、半導体回路素子搭載用キャビティー部13
bを設けた複数の単一の半導体回路素子搭載基板14h
を、複数の位置決め用規準孔14bを配置したサイドレ
ール14cに連結された複数の連結タブ14dを介して
連結支持された構成とされている。ここで、前記導体リ
ード12hは、その一端部にワイヤ・ボンディング・パ
ッド12j、他端部に外部接続端子ランド12iを具備
するものである。
法を用いて形成された半導体回路素子搭載基板フレーム
14iは、熱伝導性の良好な基材の一例である銅基材か
ら成る単一の金属基板層14fと、絶縁性樹脂基材の一
例であるガラス・クロス・エポキシ樹脂基材12dに、
半導体素子装着開口部12fと該開口部12fを取り囲
むように放射状に配列された複数の導体リード12hと
から成る導体回路パターン層12gが形成された単一の
導体回路基板14gと、これらを集積的に熱圧着する熱
伝導性接着剤層の一例であるプリプレグ層12cと、そ
れぞれの前記導体回路パターン層12gの形成面側に集
積的に設けた、外部接続端子ランド12iをエリア・ア
レイ状に露出させる複数の空洞部13cとワイヤ・ボン
ディング・パッド12jを露出させる保護被膜の一例で
あるドライフィルム・フォトレジスト・マスク層13d
とから成り、半導体回路素子搭載用キャビティー部13
bを設けた複数の単一の半導体回路素子搭載基板14h
を、複数の位置決め用規準孔14bを配置したサイドレ
ール14cに連結された複数の連結タブ14dを介して
連結支持された構成とされている。ここで、前記導体リ
ード12hは、その一端部にワイヤ・ボンディング・パ
ッド12j、他端部に外部接続端子ランド12iを具備
するものである。
【0019】続いて、図6に基づき、本発明に係る半導
体回路素子搭載基板フレームの製造工程の構成について
説明する。
体回路素子搭載基板フレームの製造工程の構成について
説明する。
【0020】図に示すように、所定の金属基材から所要
サイズの金属基材シートを形成する手段と該基材シート
の表面に耐腐食性の皮膜層を形成する手段等から成る金
属基板シートの形状加工工程11と、所定の樹脂基材か
ら所要サイズの樹脂基材シートを形成する手段と熱伝導
性接着剤を貼着する手段と半導体回路素子装着用開口部
を穿孔する手段と前記基材シートの一面に導体回路パタ
ーン層を形成する手段等から成る導体回路基板シートの
形状加工工程12と、前記金属基材シートと前記導体回
路基板シートを集積的に熱圧着する加工を行い半導体回
路素子装着用キャビティを形成する手段と前記導体回路
パターン層上にドライフィルム・フォトレジスト・マス
ク層を形成する手段とから成る半導体回路素子搭載基板
シートの形状加工工程13と、前記半導体回路素子搭載
基板シートの前記区画領域に、連結タブを残して複数の
単一の半導体回路素子搭載基板とサイドレールの形成を
行うスリット加工手段と前記サイドレールに、前記キャ
ビティに対応する位置決め用基準孔を穿孔する手段と前
記半導体回路素子搭載基板シートから分離線に沿って半
導体回路素子搭載基板フレームを切断分離する手段とか
ら成る半導体回路素子搭載基板フレームの形状加工工程
14とを具備する構成とされている。
サイズの金属基材シートを形成する手段と該基材シート
の表面に耐腐食性の皮膜層を形成する手段等から成る金
属基板シートの形状加工工程11と、所定の樹脂基材か
ら所要サイズの樹脂基材シートを形成する手段と熱伝導
性接着剤を貼着する手段と半導体回路素子装着用開口部
を穿孔する手段と前記基材シートの一面に導体回路パタ
ーン層を形成する手段等から成る導体回路基板シートの
形状加工工程12と、前記金属基材シートと前記導体回
路基板シートを集積的に熱圧着する加工を行い半導体回
路素子装着用キャビティを形成する手段と前記導体回路
パターン層上にドライフィルム・フォトレジスト・マス
ク層を形成する手段とから成る半導体回路素子搭載基板
シートの形状加工工程13と、前記半導体回路素子搭載
基板シートの前記区画領域に、連結タブを残して複数の
単一の半導体回路素子搭載基板とサイドレールの形成を
行うスリット加工手段と前記サイドレールに、前記キャ
ビティに対応する位置決め用基準孔を穿孔する手段と前
記半導体回路素子搭載基板シートから分離線に沿って半
導体回路素子搭載基板フレームを切断分離する手段とか
ら成る半導体回路素子搭載基板フレームの形状加工工程
14とを具備する構成とされている。
【0021】続いて、上記の半導体回路素子搭載基板フ
レームの製造工程について図1〜図5を参照しつつ詳細
に説明する。
レームの製造工程について図1〜図5を参照しつつ詳細
に説明する。
【0022】まず、図1を参照して、本発明の実施の一
例である金属基板はシートの形状加工程11(図6参
照)について説明する。
例である金属基板はシートの形状加工程11(図6参
照)について説明する。
【0023】金属基板シート形成工程11においては、
熱伝導性の良好な部材一例である銅系の定尺又は帯状の
板厚0.25〜0.55mmの金属部材(図示していな
い)から複数の半導体回路素子搭載領域11cの配列
(本実施例では四個の領域が配列されたいる)を可能と
した所定の幅(本実施例では、一列の短冊状のユニット
・フレームの区画領域11bに対応する幅)の金属部材
を慣用の切断用プレスにより分離境界線(図に示す一点
鎖線)で囲まれた所要数の短冊状のユニット・フレーム
の区画領域11bを配列する長さに切断して金属部材シ
ート(図示していない)の形成を行つて、その表面に耐
食性のめっき被膜層11dの一例であるNiめっき層の
被膜処理を行った複数の短冊状のユニット・フレームの
区画領域11bを有する図1に示す金属基板シート11
aの所要の形状が形成される。ここで、前記被膜層は半
導体素子搭載領域にNiめっき層11dを下地とし、予
めAu等の貴金属の部分めっき層を形成しても良い、こ
れによって半導体素子搭載をより容易に行うことができ
ると共に、導体回路シートの接合の際の位置決め用パタ
ーンとして利用することができる。
熱伝導性の良好な部材一例である銅系の定尺又は帯状の
板厚0.25〜0.55mmの金属部材(図示していな
い)から複数の半導体回路素子搭載領域11cの配列
(本実施例では四個の領域が配列されたいる)を可能と
した所定の幅(本実施例では、一列の短冊状のユニット
・フレームの区画領域11bに対応する幅)の金属部材
を慣用の切断用プレスにより分離境界線(図に示す一点
鎖線)で囲まれた所要数の短冊状のユニット・フレーム
の区画領域11bを配列する長さに切断して金属部材シ
ート(図示していない)の形成を行つて、その表面に耐
食性のめっき被膜層11dの一例であるNiめっき層の
被膜処理を行った複数の短冊状のユニット・フレームの
区画領域11bを有する図1に示す金属基板シート11
aの所要の形状が形成される。ここで、前記被膜層は半
導体素子搭載領域にNiめっき層11dを下地とし、予
めAu等の貴金属の部分めっき層を形成しても良い、こ
れによって半導体素子搭載をより容易に行うことができ
ると共に、導体回路シートの接合の際の位置決め用パタ
ーンとして利用することができる。
【0024】次に、図2(a)、(b)を参照して、本
発明の実施の一例である導体回路基板シート12aの所
要の形状を形成する工程12(図6参照)について説明
する。
発明の実施の一例である導体回路基板シート12aの所
要の形状を形成する工程12(図6参照)について説明
する。
【0025】導体回路基板シート形成工程12において
は、電気的絶縁性部材の一例であるガラス・クロス・エ
ポキシ樹脂基材(板厚0.3〜0.5mm、FR−4又は
FR−5)12dの片面に銅箔層(32ミクロン)12b
を、他面に、熱硬化性接着剤の一例であるプリプレグ層
12c(50〜100ミクロン)を備えた定尺の前記樹脂基
材(図2(b)参照)から複数の半導体回路素子装着開
口部12fが配列(本実施例では四個の領域が配列され
たいる)される所定の幅(本実施例では、一列の短冊状
のユニット・フレームの区画領域12eに対応する幅)
の樹脂部材を、慣用の切断用プレス又はジグ・フライス
加工により、分離境界線(図に示す一点鎖線)で囲まれ
た所要数の区画領域12eを配列する長さに切断して樹
脂部材シート(図示していない)の形成を行う。次に、
プレス又はジグ・フライス加工により、複数の半導体回
路素子装着開口部12fの形成を行って、銅箔層12b
の表面に慣用のエッチング法により、一端部に、ワイヤ
・ボンディング・パッド12j、その他端部に外部接続
端子ランド12iを具備した複数の導体リード12hか
ら成る所定の導体回路パターン12gの形成を行い図2
(a)に示す導体回路基板シート12aの所要の形状が
形成される。
は、電気的絶縁性部材の一例であるガラス・クロス・エ
ポキシ樹脂基材(板厚0.3〜0.5mm、FR−4又は
FR−5)12dの片面に銅箔層(32ミクロン)12b
を、他面に、熱硬化性接着剤の一例であるプリプレグ層
12c(50〜100ミクロン)を備えた定尺の前記樹脂基
材(図2(b)参照)から複数の半導体回路素子装着開
口部12fが配列(本実施例では四個の領域が配列され
たいる)される所定の幅(本実施例では、一列の短冊状
のユニット・フレームの区画領域12eに対応する幅)
の樹脂部材を、慣用の切断用プレス又はジグ・フライス
加工により、分離境界線(図に示す一点鎖線)で囲まれ
た所要数の区画領域12eを配列する長さに切断して樹
脂部材シート(図示していない)の形成を行う。次に、
プレス又はジグ・フライス加工により、複数の半導体回
路素子装着開口部12fの形成を行って、銅箔層12b
の表面に慣用のエッチング法により、一端部に、ワイヤ
・ボンディング・パッド12j、その他端部に外部接続
端子ランド12iを具備した複数の導体リード12hか
ら成る所定の導体回路パターン12gの形成を行い図2
(a)に示す導体回路基板シート12aの所要の形状が
形成される。
【0026】次に、図3を参照して、本発明の実施の一
例である半導体回路素子搭載基板シートの所要の形状を
形成する工程13(図6参照)について説明する。
例である半導体回路素子搭載基板シートの所要の形状を
形成する工程13(図6参照)について説明する。
【0027】半導体回路素子搭載基板シート形成工程1
3においては、前記金属基板シート形成工程11、前記
導体回路基板シート形成工程12でそれぞれ別体に形成
された前記金属基板シート11aと前記導体回路基板シ
ート12aを前記導体回路基板シート12aに張り付け
られた前記プリプレグ層12cのカバーフイルムを除去
し、前記開口部12fと半導体回路素子搭載搭載領域1
1cが整合するように慣用の多層プリント基板の積層加
工法に用いる熱圧着プレスにより、集積的に熱圧着を行
い半導体回路素子搭載用キャビティ部13bの形成を行
って後、慣用のスクリーン・印刷法により、導体回路パ
ターン12gのワイヤ・ボンディング・パッド12j、
外部接続端子ランド12iを露出した空洞部13cを設
けたドライフイルム・フォトレジスト・マスク層13d
の形成を行い図3に示す半導体回路素子搭載基板シート
13aの所要の形状が形成される。ここで、前記ワイヤ
・ボンディング・パッド12j、前記外部接続端子ラン
ド12i等の露出部分にAuメッキ層13e又はAgペ
ーストを充填することもできる。これによつて、溶融ソ
ルダー・ボールの接合が容易になる。
3においては、前記金属基板シート形成工程11、前記
導体回路基板シート形成工程12でそれぞれ別体に形成
された前記金属基板シート11aと前記導体回路基板シ
ート12aを前記導体回路基板シート12aに張り付け
られた前記プリプレグ層12cのカバーフイルムを除去
し、前記開口部12fと半導体回路素子搭載搭載領域1
1cが整合するように慣用の多層プリント基板の積層加
工法に用いる熱圧着プレスにより、集積的に熱圧着を行
い半導体回路素子搭載用キャビティ部13bの形成を行
って後、慣用のスクリーン・印刷法により、導体回路パ
ターン12gのワイヤ・ボンディング・パッド12j、
外部接続端子ランド12iを露出した空洞部13cを設
けたドライフイルム・フォトレジスト・マスク層13d
の形成を行い図3に示す半導体回路素子搭載基板シート
13aの所要の形状が形成される。ここで、前記ワイヤ
・ボンディング・パッド12j、前記外部接続端子ラン
ド12i等の露出部分にAuメッキ層13e又はAgペ
ーストを充填することもできる。これによつて、溶融ソ
ルダー・ボールの接合が容易になる。
【0028】次に、図4、図5(a)、(b)を参照し
て、本発明の実施の一例である半導体回路素子搭載基板
フレーム14aの所要の形状を形成する工程14(図6
参照)について説明する。
て、本発明の実施の一例である半導体回路素子搭載基板
フレーム14aの所要の形状を形成する工程14(図6
参照)について説明する。
【0029】半導体回路素子搭載基板フレーム形成工程
14においては、前記半導体回路素子搭載基板シート形
成工程13で形成された前記半導体回路素子搭載基板シ
ート13aから、プレス加工又はジグ・フライス加工に
より、単一の半導体回路素子搭載基板14hの側端面を
形成するスリット14e加工を行って、単一の半導体回
路素子搭載基板14hの一部が連結(本実施例では4カ
所の角部)されるように複数の連結タブ14dを残して
単一の半導体回路素子搭載基板14hとサイドレール1
4cの所要の形状加工を行った後、前記サイドレールに
前記半導体回路素子搭載用キャビティ13bに対応した
状態で離間配列した複数の位置決め用基準孔14bの穿
孔加工を行い前記区画領域に単一の半導体回路素子搭載
基板を複数連接した図4に示す半導体回路素子搭載基板
シート14aの所要の形状が形成される。
14においては、前記半導体回路素子搭載基板シート形
成工程13で形成された前記半導体回路素子搭載基板シ
ート13aから、プレス加工又はジグ・フライス加工に
より、単一の半導体回路素子搭載基板14hの側端面を
形成するスリット14e加工を行って、単一の半導体回
路素子搭載基板14hの一部が連結(本実施例では4カ
所の角部)されるように複数の連結タブ14dを残して
単一の半導体回路素子搭載基板14hとサイドレール1
4cの所要の形状加工を行った後、前記サイドレールに
前記半導体回路素子搭載用キャビティ13bに対応した
状態で離間配列した複数の位置決め用基準孔14bの穿
孔加工を行い前記区画領域に単一の半導体回路素子搭載
基板を複数連接した図4に示す半導体回路素子搭載基板
シート14aの所要の形状が形成される。
【0030】さらに、前記半導体回路素子搭載基板シー
ト14aから図に示す短冊状ユニットフレームの区画領
域を一点鎖線で示す分離境界線に沿って前記区画領域毎
に分離して図5(b)に示す単一の金属基板14fと単
一の導体回路基板14gとから成る図5(a)単一の半
導体回路素子搭載基板14hを複数連結した半導体回路
素子搭載基板フレーム14iの所要の形状が形成され
る。
ト14aから図に示す短冊状ユニットフレームの区画領
域を一点鎖線で示す分離境界線に沿って前記区画領域毎
に分離して図5(b)に示す単一の金属基板14fと単
一の導体回路基板14gとから成る図5(a)単一の半
導体回路素子搭載基板14hを複数連結した半導体回路
素子搭載基板フレーム14iの所要の形状が形成され
る。
【0031】ここで、図7を参照しつつ、前記半導体回
路素子搭載基板フレーム14i(図5(a)参照)を用
いて半導体装置を形成について説明する。
路素子搭載基板フレーム14i(図5(a)参照)を用
いて半導体装置を形成について説明する。
【0032】前記半導体回路素子搭載基板フレーム14
i(図5(a)参照)をチップ・キャリアとして、図示
していない慣用の半導体装置の組立ラインに間欠供給
し、前記位置決め用基準孔14b(図5(a)参照)に
より、前記半導体回路素子搭載基板フレーム14i(図
5(a)参照)を位置決めし、前記半導体回路素子搭載
用キャビティ16に導電性接着剤(例えば、Agペース
ト)を介在させて半導体回路素子21を順次接合する半
導体回路素子のボンディング加工を行って、ボンディン
グ・ワイヤの一端部を複数のワイヤボンディング・パッ
ド22の一つに接続し、他端部を前記半導体回路素子2
1に設けた複数の電極端子の一つに接続して電気的導通
回路を形成するワイヤボンディング加工を行って後、前
記半導体回路素子21、前記ボンディング・ワイヤ、ソ
ルダー・レジン・マスク層23の一端部側とを、エポキ
シ樹脂材24により、樹脂封止するポッティング・モー
ルドを行い前記エリア・アレイ状に露出した空洞部13
c(図5(a)参照)を介して複数の前記外部接続端子
ランド12i(図5(a)参照)上に、溶融性ソルダー
・ボール25が接続された状態で前記ソルダー・マスク
面側に突出状態に形成を行い前記連結タブ14d(図5
(a)参照)から個々に分離して図7に示す半導体装置
が完成される。
i(図5(a)参照)をチップ・キャリアとして、図示
していない慣用の半導体装置の組立ラインに間欠供給
し、前記位置決め用基準孔14b(図5(a)参照)に
より、前記半導体回路素子搭載基板フレーム14i(図
5(a)参照)を位置決めし、前記半導体回路素子搭載
用キャビティ16に導電性接着剤(例えば、Agペース
ト)を介在させて半導体回路素子21を順次接合する半
導体回路素子のボンディング加工を行って、ボンディン
グ・ワイヤの一端部を複数のワイヤボンディング・パッ
ド22の一つに接続し、他端部を前記半導体回路素子2
1に設けた複数の電極端子の一つに接続して電気的導通
回路を形成するワイヤボンディング加工を行って後、前
記半導体回路素子21、前記ボンディング・ワイヤ、ソ
ルダー・レジン・マスク層23の一端部側とを、エポキ
シ樹脂材24により、樹脂封止するポッティング・モー
ルドを行い前記エリア・アレイ状に露出した空洞部13
c(図5(a)参照)を介して複数の前記外部接続端子
ランド12i(図5(a)参照)上に、溶融性ソルダー
・ボール25が接続された状態で前記ソルダー・マスク
面側に突出状態に形成を行い前記連結タブ14d(図5
(a)参照)から個々に分離して図7に示す半導体装置
が完成される。
【0033】
【効果】以上のように、本発明では、位置決め用基準孔
を設けたサイドレールに単一の半導体回路素子搭載基板
フレーム形成し、これを半導体素子キャリァとして半導
体回路素子の実装を行う構成とされているので、従来技
術で生じていた問題点が開昭され、半導体回路素子搭載
基板の取り扱いが簡素化され、半導体回路素子実装の作
業性が向上し、生産性の優れた、高品質の半導体装置を
低コストで提供することができる。
を設けたサイドレールに単一の半導体回路素子搭載基板
フレーム形成し、これを半導体素子キャリァとして半導
体回路素子の実装を行う構成とされているので、従来技
術で生じていた問題点が開昭され、半導体回路素子搭載
基板の取り扱いが簡素化され、半導体回路素子実装の作
業性が向上し、生産性の優れた、高品質の半導体装置を
低コストで提供することができる。
【図1】本発明の実施の一例に係る金属基板シートを示
す平面図である。
す平面図である。
【図2】(a)は、本発明の実施の一例に係る導体回路
基板シートを示す平面図である。(b)は、本発明の実
施の一例に係る導体回路基材の断面図である。
基板シートを示す平面図である。(b)は、本発明の実
施の一例に係る導体回路基材の断面図である。
【図3】本発明の実施の一例に係る集積状態を示す一部
断面図である。
断面図である。
【図4】本発明の実施の一例に係る個別の半導体回路素
子搭載基板の連結状態を示す平面図である。
子搭載基板の連結状態を示す平面図である。
【図5】(a)は、本発明の実施の一例に係る半導体回
路素子搭載基板フレームを示す平面図である。(b)
は、本発明の実施の一例に係る半導体回路素子搭載基板
フレームを示す断面図である。
路素子搭載基板フレームを示す平面図である。(b)
は、本発明の実施の一例に係る半導体回路素子搭載基板
フレームを示す断面図である。
【図6】本発明の実施の一例に係る半導体回路素子搭載
基板フレームの製造工程を示すブロック図である。
基板フレームの製造工程を示すブロック図である。
【図7】本発明の実施の一例に係る半導体装置を示す平
面図である。
面図である。
【図8】従来技術の一例である半導体回路素子搭載基板
シートを示す平面図である。
シートを示す平面図である。
【図9】従来技術の一例である分離された半導体回路素
子搭載基板を示す平面図である。
子搭載基板を示す平面図である。
11 金属基板シート形成加工工程 11a 金属基板シート 11b 短冊状ユニットフレームの区画領域 11c 半導体素子搭載領域 11d 耐食性めっき被膜層(Ni) 12 導体回路基板シート形成加工工程 12a 導体回路基板シート 12b 銅箔層 12c プリプレグ層 12d ガラス・クロス・エポキシ樹脂基材 12e 短冊状ユニットフレームの区画領域 12f 半導体素子装着開口部 12g 導体回路パターン層 12h 導体リード 12i 外部接続端子ランド 12j ワイヤ・ボンデング・パッド 13 半導体回路素子搭載基板シート形成加工工程 13a 半導体回路素子搭載基板シート 13b 半導体回路素子搭載用キャビティ部 13c 空洞部 13d ドライフィルム・フォトレジスト・マスク 13e 金属被膜層(Au) 14 半導体回路素子搭載基板フレーム形成加工工程 14a 半導体回路素子搭載基板シート 14b 位置決め用規準孔 14c サイドレール 14d 連結タブ 14e スリット 14f 単一の金属基板層 14g 単一の導体回路基板層 14h 単一の半導体回路素子搭載基板 14i 半導体回路素子搭載基板フレーム 15 ユニット区画領域 16 半導体回路素子搭載用キャビティ 17 半導体素子搭載基板シート 18 境界線 19 個別の半導体回路素子搭載基板 20 半導体装置 21 半導体回路素子 22 ワイヤボンディング・パッド 23 ソルダー・レジン・マスク 24 エポキシ樹脂材 25 溶融性ソルダー・ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−222151(JP,A) 特開 平5−67694(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項1】 複数の単一の半導体回路素子搭載基板が
連接された半導体回路素子搭載基板フレームの製造方法
であって、複数の半導体回路素子搭載領域が所定の間隔
で離間配置される、分離線で囲まれた短冊状の区画領域
が設定された金属基板シートを準備する工程と、複数の
前記半導体回路素子搭載領域のそれぞれに整合し、半導
体回路素子に対応した状態で穿孔された複数の開口部と
該開口部を取り囲むように放射状に配列された複数の導
体リードから成る導体回路パターン層が形成され、前記
短冊状のユニット・フレームに整合する区画領域が設定
された導体回路基板シートを準備する工程とを具備して
おり、前記金属基板シートと前記導体回路基板シートを
集積的に熱圧着して半導体回路素子搭載用キャビティが
形成された半導体回路素子搭載基板シートの所要の形状
を形成する工程と、積層された前記半導体回路素子搭載
基板シートのそれぞれの前記区画領域に、単一の半導体
回路素子搭載基板を連結するように複数の連結タブを残
して単一の半導体回路素子搭載基板とサイドレールを分
割形成すると共に、該サイドレールに前記キャビティの
それぞれに対応した複数の位置決め用の基準孔を穿孔し
た所要の形状を形成する加工を行った後、前記導体回路
層の形成面側に、前記導体リードの一部分をエリア・ア
レイ状に露出させる複数の空洞部を設けたソルダー・レ
ジスト・マスク層を集積的に形成する加工を行い前記分
離線に沿って前記区画領域毎に分離して、複数の単一の
半導体回路素子搭載基板が連結タフを介して連接された
半導体回路素子搭載基板フレームの所要の形状を形成す
る工程とを含む構成ととしたことを特徴とする半導体回
路素子搭載基板フレームの製造方法。 - 【請求項2】 前記金属基板シートの所要の形状を形成
する工程は、前記区画領域のそれぞれに複数の半導体回
路素子搭載部を規準とし、所定の間隔で配置された複数
の位置決め用の基準孔を予め形成する手段を含む構成と
したことを特徴とする請求項1記載の半導体回路素子搭
載基板フレームの製造方法。 - 【請求項3】 前記導体回路基板シートの所要の形状を
形成する工程は、片面に銅箔層を、他面に熱硬化性のプ
リプレグ層を有するガラス・クロス・エポキシ樹脂基材
が用いられており、前記区画領域のそれぞれに、半導体
回路素子に対応した複数の開口部を規準とし、所定の間
隔で配置された複数の位置決め用の基準孔を予め形成す
る手段を含む構成としたことを特徴とする請求項1また
は請求項2記載の半導体回路素子搭載基板フレームの製
造方法。
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