JP3087618B2 - スイッチング電源 - Google Patents
スイッチング電源Info
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/338—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement
- H02M3/3385—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement with automatic control of output voltage or current
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/618—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series and in parallel with the load as final control devices
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リンギングチョー
クコンバータ（ＲＣＣ）方式によるスイッチング電源に
関する。
クコンバータ（ＲＣＣ）方式によるスイッチング電源に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来使用されている通常のＲＣＣ方式に
よるスイッチング電源回路を図８に示す。同図におい
て、Ｔはトランスで、一次主巻線ＮＩ、二次出力巻線Ｎ
２および帰還巻線Ｎ３を有している。整流ダイオードＤ
１と平滑コンデンサＣ１により一次直流電源が構成され
る。この一次直流電源のマイスス（−）端子と帰還巻線
Ｎ３の巻き終り端とは接続されて、入力側の共通グラン
ドＧＮＤとなっている。
よるスイッチング電源回路を図８に示す。同図におい
て、Ｔはトランスで、一次主巻線ＮＩ、二次出力巻線Ｎ
２および帰還巻線Ｎ３を有している。整流ダイオードＤ
１と平滑コンデンサＣ１により一次直流電源が構成され
る。この一次直流電源のマイスス（−）端子と帰還巻線
Ｎ３の巻き終り端とは接続されて、入力側の共通グラン
ドＧＮＤとなっている。
【０００３】一次直流電源のプラス（＋）端子は一次主
巻線Ｎ１の巻き始め端から巻き終り端およびスイッチン
グ素子Ｑ１のドレインからソースを介してグランドＧＮ
Ｄに接続されている。また、一次直流電源のプラス
（＋）端子とマイナス（−）端子との間には、起動抵抗
Ｒ１およびバイアス抵抗Ｒ２の直列回路が接続されてい
る。そして、起動抵抗Ｒ１とバイアス抵抗Ｒ２の接続点
は、スイッチング素子Ｑ１のゲートに接続されている。
また、スイッチング素子Ｑ１のゲートはコンデンサＣ３
と抵抗Ｒ３を介して帰還巻線Ｎ３の巻き始め端に接続さ
れている。また、スイッチング素子Ｑ１のゲートは、制
御素子としてのＮＰＮ型制御トランジスタＴＲ１のコレ
クタからエミッタを介してグランドＧＮＤに接続されて
いる。制御トランジスタＴＲ１のベースとグランドＧＮ
Ｄ間には、時定数コンデンサＣ４と放電抵抗Ｒ４が並列
接続されている。
巻線Ｎ１の巻き始め端から巻き終り端およびスイッチン
グ素子Ｑ１のドレインからソースを介してグランドＧＮ
Ｄに接続されている。また、一次直流電源のプラス
（＋）端子とマイナス（−）端子との間には、起動抵抗
Ｒ１およびバイアス抵抗Ｒ２の直列回路が接続されてい
る。そして、起動抵抗Ｒ１とバイアス抵抗Ｒ２の接続点
は、スイッチング素子Ｑ１のゲートに接続されている。
また、スイッチング素子Ｑ１のゲートはコンデンサＣ３
と抵抗Ｒ３を介して帰還巻線Ｎ３の巻き始め端に接続さ
れている。また、スイッチング素子Ｑ１のゲートは、制
御素子としてのＮＰＮ型制御トランジスタＴＲ１のコレ
クタからエミッタを介してグランドＧＮＤに接続されて
いる。制御トランジスタＴＲ１のベースとグランドＧＮ
Ｄ間には、時定数コンデンサＣ４と放電抵抗Ｒ４が並列
接続されている。
【０００４】帰還巻線Ｎ３の巻き始め端とグランドＧＮ
Ｄとの間には、ダイオードＤ３とコンデンサＣ５の直列
回路よりなる発振安定化回路１が接続されている。この
場合、ダイオードＤ３のカソードが帰還巻線Ｎ３の巻き
始め端に接続されている。また、帰還巻線Ｎ３の巻き始
め端とトランジスタＴＲ１のベースとの間には、ダイオ
ードＤ４、抵抗Ｒ５およびフォトトランジスタＰＴ１の
直列回路よりなる出力安定化回路２が接続されている。
この場合、ダイオードＤ４のアノードが帰還巻線Ｎ３の
巻き始め端に接続され、フォトトランジスタＰＴ１のエ
ミッタがトランジスタＴＲ１のベースに接続されてい
る。ダイオードＤ４のカソードとトランジスタＴＲ１の
ベースとの間には、過電流保護回路３が接続されてい
る。この過電流保護回路３は、抵抗Ｒ６およびツェナー
ダイオードＤｚ１の直列回路と抵抗Ｒ７との並列回路よ
りなる。この場合、ツェナーダイオードＤｚ１のアノー
ドがトランジスタＴＲ１のベースに接続されている。ま
た、ダイオードＤ３とコンデンサＣ５の接続点は、抵抗
Ｒ８を介してトランジスタＴＲ１のベースに接続されて
いる。
Ｄとの間には、ダイオードＤ３とコンデンサＣ５の直列
回路よりなる発振安定化回路１が接続されている。この
場合、ダイオードＤ３のカソードが帰還巻線Ｎ３の巻き
始め端に接続されている。また、帰還巻線Ｎ３の巻き始
め端とトランジスタＴＲ１のベースとの間には、ダイオ
ードＤ４、抵抗Ｒ５およびフォトトランジスタＰＴ１の
直列回路よりなる出力安定化回路２が接続されている。
この場合、ダイオードＤ４のアノードが帰還巻線Ｎ３の
巻き始め端に接続され、フォトトランジスタＰＴ１のエ
ミッタがトランジスタＴＲ１のベースに接続されてい
る。ダイオードＤ４のカソードとトランジスタＴＲ１の
ベースとの間には、過電流保護回路３が接続されてい
る。この過電流保護回路３は、抵抗Ｒ６およびツェナー
ダイオードＤｚ１の直列回路と抵抗Ｒ７との並列回路よ
りなる。この場合、ツェナーダイオードＤｚ１のアノー
ドがトランジスタＴＲ１のベースに接続されている。ま
た、ダイオードＤ３とコンデンサＣ５の接続点は、抵抗
Ｒ８を介してトランジスタＴＲ１のベースに接続されて
いる。
【０００５】つぎに、整流ダイオードＤ２と平滑コンデ
ンサＣ２により二次直流電源が構成される。二次直流電
源のプラス（＋）端子とマイナス（−）端子との間に
は、抵抗Ｒ９、フォトダイオードＰＤ１およびシャント
レギュレータＳｒよりなる直列回路と、抵抗Ｒ１０およ
び抵抗Ｒ１１よりなる直列回路と、の並列回路からなる
出力電圧検出回路４が接続されている。なお、この出力
電圧検出回路４において、抵抗Ｒ１０と抵抗Ｒ１１の接
続点には、シャントレギュレータＳｒの基準端子が接続
されている。
ンサＣ２により二次直流電源が構成される。二次直流電
源のプラス（＋）端子とマイナス（−）端子との間に
は、抵抗Ｒ９、フォトダイオードＰＤ１およびシャント
レギュレータＳｒよりなる直列回路と、抵抗Ｒ１０およ
び抵抗Ｒ１１よりなる直列回路と、の並列回路からなる
出力電圧検出回路４が接続されている。なお、この出力
電圧検出回路４において、抵抗Ｒ１０と抵抗Ｒ１１の接
続点には、シャントレギュレータＳｒの基準端子が接続
されている。
【０００６】従来のスイッチング電源回路は上述のよう
な回路構成よりなるが、つぎに動作について説明する。
一次直流電源を起動すると、一次主巻線Ｎ１および起動
抵抗Ｒ１を介してスイッチング素子Ｑ１が導通する。そ
して、磁気誘導により帰還巻線Ｎ３にその巻き始め端を
正とする電圧が誘起して、その誘起電圧がダイオードＤ
４および抵抗７などを通してコンデンサＣ４を充電し始
める。このコンデンサＣ４の充電電圧がしきい値電圧に
なると、制御トランジスタＴｒ１が導通してスイッチン
グ素子Ｑ１をオフさせる。スイッチング素子Ｑ１がオフ
すると、一次主巻線Ｎ１に逆起電力が発生して、この逆
起電力により二次出力巻線Ｎ２に起電力が誘起し、この
誘起起電力はダイオードＤ２およびコンデンサＣ２によ
り整流平滑されて二次直流電源となり、出力電圧Ｖｏを
負荷に供給することになる。 ついで、コンデンサＣ４
の充電電荷が抵抗Ｒ４などの放電回路を通して放電し、
その充電電圧がしきい値電圧以下になると、トランジス
タＴＲ１がオフする。そして、二次主巻線Ｎ２および帰
還巻線Ｎ３の逆起電力がなくなると、帰還巻線Ｎ３に巻
き始め端を正とするキック電圧が生じ、このキック電圧
によりスイッチング素子Ｑ１が再度オンして当初の状態
に戻り、前記と同様の動作をして発振動作を行うことに
なる。この発振動作が定常の発振動作となる。
な回路構成よりなるが、つぎに動作について説明する。
一次直流電源を起動すると、一次主巻線Ｎ１および起動
抵抗Ｒ１を介してスイッチング素子Ｑ１が導通する。そ
して、磁気誘導により帰還巻線Ｎ３にその巻き始め端を
正とする電圧が誘起して、その誘起電圧がダイオードＤ
４および抵抗７などを通してコンデンサＣ４を充電し始
める。このコンデンサＣ４の充電電圧がしきい値電圧に
なると、制御トランジスタＴｒ１が導通してスイッチン
グ素子Ｑ１をオフさせる。スイッチング素子Ｑ１がオフ
すると、一次主巻線Ｎ１に逆起電力が発生して、この逆
起電力により二次出力巻線Ｎ２に起電力が誘起し、この
誘起起電力はダイオードＤ２およびコンデンサＣ２によ
り整流平滑されて二次直流電源となり、出力電圧Ｖｏを
負荷に供給することになる。 ついで、コンデンサＣ４
の充電電荷が抵抗Ｒ４などの放電回路を通して放電し、
その充電電圧がしきい値電圧以下になると、トランジス
タＴＲ１がオフする。そして、二次主巻線Ｎ２および帰
還巻線Ｎ３の逆起電力がなくなると、帰還巻線Ｎ３に巻
き始め端を正とするキック電圧が生じ、このキック電圧
によりスイッチング素子Ｑ１が再度オンして当初の状態
に戻り、前記と同様の動作をして発振動作を行うことに
なる。この発振動作が定常の発振動作となる。
【０００７】つぎに、出力回路側からのフィードバック
制御について説明する。いま、出力電圧Ｖｏが、上昇し
た場合を考える。すると、シャントレギュレータＳｒの
基準端子の電位（抵抗Ｒ９と抵抗Ｒ１０の接続点の電
位）も上昇し、その基準電圧と比較してその誤差増幅に
より、その内部抵抗が低下してフォトダイオードＰＤ１
を流れる電流が大きくなり、このフォトダイオードＰＤ
１とフォトカップルしているフォトトランジスタＰＴ１
を流れる電流も大きくなる。そして、このフォトトラン
ジスタＰＴ１を流れる電流は、コンデンサＣ４を所定の
充電時定数により充電していき、制御トランジスタＴＲ
１を早急にオンさせる。すると、スイッチング素子Ｑ１
は定常より早くオフして、二次直流電源Ｐ２の出力電圧
Ｖｏは低くなる方向に制御されて所定電圧に維持され
る。また、出力電圧Ｖｏが、下降した場合は以上の動作
と逆の動作となり、出力電圧Ｖｏは上昇して所定電圧に
維持される。なお、軽負荷時は上記出力電圧Ｖｏが上昇
した場合に相当し、重負荷時は上記出力電圧Ｖｏが下降
した場合に相当する。
制御について説明する。いま、出力電圧Ｖｏが、上昇し
た場合を考える。すると、シャントレギュレータＳｒの
基準端子の電位（抵抗Ｒ９と抵抗Ｒ１０の接続点の電
位）も上昇し、その基準電圧と比較してその誤差増幅に
より、その内部抵抗が低下してフォトダイオードＰＤ１
を流れる電流が大きくなり、このフォトダイオードＰＤ
１とフォトカップルしているフォトトランジスタＰＴ１
を流れる電流も大きくなる。そして、このフォトトラン
ジスタＰＴ１を流れる電流は、コンデンサＣ４を所定の
充電時定数により充電していき、制御トランジスタＴＲ
１を早急にオンさせる。すると、スイッチング素子Ｑ１
は定常より早くオフして、二次直流電源Ｐ２の出力電圧
Ｖｏは低くなる方向に制御されて所定電圧に維持され
る。また、出力電圧Ｖｏが、下降した場合は以上の動作
と逆の動作となり、出力電圧Ｖｏは上昇して所定電圧に
維持される。なお、軽負荷時は上記出力電圧Ｖｏが上昇
した場合に相当し、重負荷時は上記出力電圧Ｖｏが下降
した場合に相当する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＲＣＣ方式スイッチング電源は、図７に示すように、入
力電力（負荷）が小さくなると、発振周波数が大きくな
り、効率が悪くなっていた。
ＲＣＣ方式スイッチング電源は、図７に示すように、入
力電力（負荷）が小さくなると、発振周波数が大きくな
り、効率が悪くなっていた。
【０００９】そこで、本発明は、軽負荷時には、スイッ
チング素子のスイッチング周波数を下げて効率を向上さ
せ、重負荷時には、スイッチング素子のスイッチング周
波数を上げて出力電圧のリップルノイズを減少させ、か
つ、過渡応答を改善することを目的とする。
チング素子のスイッチング周波数を下げて効率を向上さ
せ、重負荷時には、スイッチング素子のスイッチング周
波数を上げて出力電圧のリップルノイズを減少させ、か
つ、過渡応答を改善することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一次主巻線（Ｎ１）、二次出力巻線（Ｎ
２）および帰還巻線（Ｎ３１、Ｎ３２）を有するトラン
ス（Ｔ）と、一次直流電源に前記一次主巻線（Ｎ１）と
直列接続され、制御端子が前記帰還巻線（Ｎ３）の一端
に接続されたスイッチング素子（Ｑ１）と、前記スイッ
チング素子（Ｑ１）の制御端子に接続された第１の制御
素子（ＴＲ１）と、前記第１の制御素子（ＴＲ１）の制
御端子と前記帰還巻線（Ｎ３１）との間に接続された出
力安定化回路（２）および過電流保護回路（３）と、前
記二次出力巻線の出力を整流平滑して得られた二次直流
電源と、前記二次直流電源に接続された出力電圧検出回
路（４）と、を備えているＲＣＣ方式のスイッチング電
源において、前記スイッチング素子（Ｑ１）のスイッチ
ング周波数を、所定周波数以上にならないように制御す
る第２の制御素子（ＴＲ２）を有する発振周波数抑制回
路（１０）と、軽負荷信号により前記発振周波数抑制回
路（１０）の動作を開始させ、または、重負荷信号によ
り前記発振周波数抑制回路（１０）の動作を停止させる
動作切替回路２０と、を備えていることを特徴とする。
決するために、一次主巻線（Ｎ１）、二次出力巻線（Ｎ
２）および帰還巻線（Ｎ３１、Ｎ３２）を有するトラン
ス（Ｔ）と、一次直流電源に前記一次主巻線（Ｎ１）と
直列接続され、制御端子が前記帰還巻線（Ｎ３）の一端
に接続されたスイッチング素子（Ｑ１）と、前記スイッ
チング素子（Ｑ１）の制御端子に接続された第１の制御
素子（ＴＲ１）と、前記第１の制御素子（ＴＲ１）の制
御端子と前記帰還巻線（Ｎ３１）との間に接続された出
力安定化回路（２）および過電流保護回路（３）と、前
記二次出力巻線の出力を整流平滑して得られた二次直流
電源と、前記二次直流電源に接続された出力電圧検出回
路（４）と、を備えているＲＣＣ方式のスイッチング電
源において、前記スイッチング素子（Ｑ１）のスイッチ
ング周波数を、所定周波数以上にならないように制御す
る第２の制御素子（ＴＲ２）を有する発振周波数抑制回
路（１０）と、軽負荷信号により前記発振周波数抑制回
路（１０）の動作を開始させ、または、重負荷信号によ
り前記発振周波数抑制回路（１０）の動作を停止させる
動作切替回路２０と、を備えていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、前記動作切替回路（２
０）において、前記軽負荷信号または重負荷信号がフォ
トダイオード（ＰＤ２）に印加され、このフォトダイオ
ード（ＰＤ２）とフォトカップルしているフォトトラン
ジスタ（ＰＴ２）のインピーダンスの変化により、第２
の制御素子（ＴＲ２）を有する前記発振周波数抑制回路
（１０）の動作が開始もしくは停止されることを特徴と
する。
０）において、前記軽負荷信号または重負荷信号がフォ
トダイオード（ＰＤ２）に印加され、このフォトダイオ
ード（ＰＤ２）とフォトカップルしているフォトトラン
ジスタ（ＰＴ２）のインピーダンスの変化により、第２
の制御素子（ＴＲ２）を有する前記発振周波数抑制回路
（１０）の動作が開始もしくは停止されることを特徴と
する。
【００１２】また、本発明は、前記動作切替回路（２
０）において、前記軽負荷信号または重負荷信号がフォ
トダイオード（ＰＤ２）に印加され、このフォトダイオ
ード（ＰＤ２）とフォトカップルしているフォトトラン
ジスタ（ＰＴ２）のインピーダンスの変化により、前記
発振周波数抑制回路（１０）における第２の制御素子
（ＴＲ２）のバイアスコンデンサ（Ｃ６）の充電回路
（ＴＲ３、ＴＲ４）を短絡もしくは開放することによ
り、第２の制御素子（ＴＲ２）を有する前記発振周波数
抑制回路（１０）の動作が開始もしくは停止されること
を特徴とする。
０）において、前記軽負荷信号または重負荷信号がフォ
トダイオード（ＰＤ２）に印加され、このフォトダイオ
ード（ＰＤ２）とフォトカップルしているフォトトラン
ジスタ（ＰＴ２）のインピーダンスの変化により、前記
発振周波数抑制回路（１０）における第２の制御素子
（ＴＲ２）のバイアスコンデンサ（Ｃ６）の充電回路
（ＴＲ３、ＴＲ４）を短絡もしくは開放することによ
り、第２の制御素子（ＴＲ２）を有する前記発振周波数
抑制回路（１０）の動作が開始もしくは停止されること
を特徴とする。
【００１３】本発明は、通常のＲＣＣ回路に、スイッチ
ング素子のスイッチング（発振）周波数を低下させる発
振周波数抑制回路を設け、かつ、この発振周波数抑制回
路の動作を開始または停止させる動作切替回路を設けて
いるので、待機などの軽負荷移行時には動作切替回路に
軽負荷信号電圧を印加して、発振周波数抑制回路から低
周波発振動作の制御を行わせ、重負荷移行時には動作切
替回路に重負荷信号電圧を印加して発振周波数抑制回路
から通常のＲＣＣ動作の制御を行わせる。
ング素子のスイッチング（発振）周波数を低下させる発
振周波数抑制回路を設け、かつ、この発振周波数抑制回
路の動作を開始または停止させる動作切替回路を設けて
いるので、待機などの軽負荷移行時には動作切替回路に
軽負荷信号電圧を印加して、発振周波数抑制回路から低
周波発振動作の制御を行わせ、重負荷移行時には動作切
替回路に重負荷信号電圧を印加して発振周波数抑制回路
から通常のＲＣＣ動作の制御を行わせる。
【００１４】また、本発明においては、動作切替回路の
フォトダイオードに印加した軽負荷信号または重負荷信
号により、このフォトダイオードとフォトカップルして
いるフォトトランジスタのインピーダンスの変化によ
り、第２の制御素子を有する発振周波数抑制回路の動作
を開始もしくは停止されることにより、スイッチング素
子の発振周波数を制御して、低周波発振動作あるいは通
常のＲＣＣ発振動作をさせる。
フォトダイオードに印加した軽負荷信号または重負荷信
号により、このフォトダイオードとフォトカップルして
いるフォトトランジスタのインピーダンスの変化によ
り、第２の制御素子を有する発振周波数抑制回路の動作
を開始もしくは停止されることにより、スイッチング素
子の発振周波数を制御して、低周波発振動作あるいは通
常のＲＣＣ発振動作をさせる。
【００１５】また、本発明は、前記フォトトランジスタ
のインピーダンスの変化により、前記発振周波数抑制回
路の第２の制御素子のバイアス充電回路を短絡もしくは
開放することにより、第２の制御素子を有する前記発振
周波数抑制回路の動作を開始もしくは停止させることに
より、スイッチング素子の発振周波数を制御して、低周
波発振動作あるいは通常のＲＣＣ発振動作をさせる。
のインピーダンスの変化により、前記発振周波数抑制回
路の第２の制御素子のバイアス充電回路を短絡もしくは
開放することにより、第２の制御素子を有する前記発振
周波数抑制回路の動作を開始もしくは停止させることに
より、スイッチング素子の発振周波数を制御して、低周
波発振動作あるいは通常のＲＣＣ発振動作をさせる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例について
図１を参照して説明するが、本実施例は図８に示す従来
のスイッチング電源回路に改良を加えるものなので、図
８と同一部分には同一番号を付して説明を省略する。な
お、従来例におけるトランスＴの帰還巻線Ｎ３が本実施
例においては、中点タップ付き帰還巻線となっており、
従来例における帰還巻線Ｎ３をＮ３１とし、本実施例に
おいて追加される帰還巻線をＮ３２とする。そして、こ
の中点タップが入力回路側の共通グランドとなり、か
つ、帰還巻線Ｎ３２の巻き始め端ともなっている。ま
た、図８における制御トランジスタＴＲ１が、本実施例
においては第１の制御素子を構成する第１の制御トラン
ジスタＴＲ１となっている。
図１を参照して説明するが、本実施例は図８に示す従来
のスイッチング電源回路に改良を加えるものなので、図
８と同一部分には同一番号を付して説明を省略する。な
お、従来例におけるトランスＴの帰還巻線Ｎ３が本実施
例においては、中点タップ付き帰還巻線となっており、
従来例における帰還巻線Ｎ３をＮ３１とし、本実施例に
おいて追加される帰還巻線をＮ３２とする。そして、こ
の中点タップが入力回路側の共通グランドとなり、か
つ、帰還巻線Ｎ３２の巻き始め端ともなっている。ま
た、図８における制御トランジスタＴＲ１が、本実施例
においては第１の制御素子を構成する第１の制御トラン
ジスタＴＲ１となっている。
【００１７】本実施例回路は、図８に示す通常（従来）
のＲＣＣ回路に発振周波数抑制回路１０と、この発振周
波数抑制回路１０の動作を開始または停止させる動作切
替回路２０とを設けたことを特徴とする。
のＲＣＣ回路に発振周波数抑制回路１０と、この発振周
波数抑制回路１０の動作を開始または停止させる動作切
替回路２０とを設けたことを特徴とする。
【００１８】まず、発振周波数抑制回路１０の回路構成
について説明する。第２の制御素子としてのＮＰＮ型第
２の制御トランジスタＴＲ２は、そのエミッタがグラン
ドＧＮＤに接続され、コレクタがダイオードＤ５のカソ
ードからアノードを介してスイッチング素子Ｑ１のゲー
トに接続されている。
について説明する。第２の制御素子としてのＮＰＮ型第
２の制御トランジスタＴＲ２は、そのエミッタがグラン
ドＧＮＤに接続され、コレクタがダイオードＤ５のカソ
ードからアノードを介してスイッチング素子Ｑ１のゲー
トに接続されている。
【００１９】トランジスタＴＲ３のコレクタとグランド
ＧＮＤとの間には、ツェナーダイオードＤｚ２、抵抗Ｒ
１３および抵抗Ｒ１２の直列回路と、コンデンサＣ６
と、抵抗Ｒ１４との並列回路が接続されている。この並
列回路は時定数回路を構成する。なお、抵抗Ｒ１２と抵
抗Ｒ１３との接続点は、トランジスタＴＲ２のベースに
接続されている。トランジスタＴＲ３のベースは、ツェ
ナーダイオードＤｚ３のカソードからアノード、抵抗Ｒ
１５およびトランジスタＴＲ４のコレクタからエミッタ
を介してグランドＧＮＤに接続されている。また、トラ
ンジスタＴＲ３のエミッタとベースとの間には、バイア
ス抵抗Ｒ１６が接続されている。さらに、トランジスタ
ＴＲ３のエミッタは、ダイオードＤ６のカソードからア
ノードを介して帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端に接続され
ている。
ＧＮＤとの間には、ツェナーダイオードＤｚ２、抵抗Ｒ
１３および抵抗Ｒ１２の直列回路と、コンデンサＣ６
と、抵抗Ｒ１４との並列回路が接続されている。この並
列回路は時定数回路を構成する。なお、抵抗Ｒ１２と抵
抗Ｒ１３との接続点は、トランジスタＴＲ２のベースに
接続されている。トランジスタＴＲ３のベースは、ツェ
ナーダイオードＤｚ３のカソードからアノード、抵抗Ｒ
１５およびトランジスタＴＲ４のコレクタからエミッタ
を介してグランドＧＮＤに接続されている。また、トラ
ンジスタＴＲ３のエミッタとベースとの間には、バイア
ス抵抗Ｒ１６が接続されている。さらに、トランジスタ
ＴＲ３のエミッタは、ダイオードＤ６のカソードからア
ノードを介して帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端に接続され
ている。
【００２０】また、トランジスタＴＲ４のベースとグラ
ンドＧＮＤとの間には、バイアス抵抗Ｒ１７が接続され
ている。さらに、トランジスタＴＲ４のベースは、ツェ
ナーダイオードＤｚ４のアノードからカソードおよび抵
抗Ｒ１８を介してダイオードＤ４のカソードに接続され
ている。このトランジスタＴＲ３およびＴＲ４の回路
は、第２の制御トランジスタＴＲ２のバイアスコンデン
サＣ６の充電回路を構成している。
ンドＧＮＤとの間には、バイアス抵抗Ｒ１７が接続され
ている。さらに、トランジスタＴＲ４のベースは、ツェ
ナーダイオードＤｚ４のアノードからカソードおよび抵
抗Ｒ１８を介してダイオードＤ４のカソードに接続され
ている。このトランジスタＴＲ３およびＴＲ４の回路
は、第２の制御トランジスタＴＲ２のバイアスコンデン
サＣ６の充電回路を構成している。
【００２１】つぎに、発振周波数抑制回路１０の動作を
開始または停止する動作切替回路２０の回路構成につい
て説明する。帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端は、ダイオー
ドＤ７のアノードからカソード、フォトトランジスタＰ
Ｔ２のコレクタからエミッタ、バイアス抵抗Ｒ１９およ
びＲ２０を介してグランドＧＮＤに接続されている。ま
た、ダイオードＤ７のカソードは、コンデンサＣ７を介
してグランドＧＮＤに接続されている。また、トランジ
スタＴＲ５のベースは、抵抗Ｒ１９とＲ２０の接続点に
接続されている。そして、トランジスタＴＲ５のコレク
タは、発振周波数抑制回路１０の第２の制御トランジス
タＴＲ２のベースに接続されている。フォトトランジス
タＰＴ２は、フォトダイオードＰＤ２とフォトカップル
している。
開始または停止する動作切替回路２０の回路構成につい
て説明する。帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端は、ダイオー
ドＤ７のアノードからカソード、フォトトランジスタＰ
Ｔ２のコレクタからエミッタ、バイアス抵抗Ｒ１９およ
びＲ２０を介してグランドＧＮＤに接続されている。ま
た、ダイオードＤ７のカソードは、コンデンサＣ７を介
してグランドＧＮＤに接続されている。また、トランジ
スタＴＲ５のベースは、抵抗Ｒ１９とＲ２０の接続点に
接続されている。そして、トランジスタＴＲ５のコレク
タは、発振周波数抑制回路１０の第２の制御トランジス
タＴＲ２のベースに接続されている。フォトトランジス
タＰＴ２は、フォトダイオードＰＤ２とフォトカップル
している。
【００２２】本実施例回路は以上のような構成よりなる
が、つぎに本実施回路の動作について説明する。一次主
巻線Ｎ１、二次出力巻線Ｎ２および帰還巻線Ｎ３１、ス
イッチング素子Ｑ１、第１の制御トランジスタＴＲ１、
出力電圧検出回路４などよりなる通常のＲＣＣ回路は、
それらの相互機能により通常のＲＣＣ発振動作を営む。
この通常のＲＣＣ発振動作は、図７に実線で示すよう
に、入力電力（出力電力、負荷）が大きいときは、スイ
ッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数は小さいが、入
力電力（出力電力、負荷）が小さくなると、発振周波数
は大きくなる。
が、つぎに本実施回路の動作について説明する。一次主
巻線Ｎ１、二次出力巻線Ｎ２および帰還巻線Ｎ３１、ス
イッチング素子Ｑ１、第１の制御トランジスタＴＲ１、
出力電圧検出回路４などよりなる通常のＲＣＣ回路は、
それらの相互機能により通常のＲＣＣ発振動作を営む。
この通常のＲＣＣ発振動作は、図７に実線で示すよう
に、入力電力（出力電力、負荷）が大きいときは、スイ
ッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数は小さいが、入
力電力（出力電力、負荷）が小さくなると、発振周波数
は大きくなる。
【００２３】つぎに、この通常のＲＣＣ回路に発振周波
数抑制回路１０が付加された場合の特性について説明す
る。
数抑制回路１０が付加された場合の特性について説明す
る。
【００２４】いま、入力電力（出力電力、負荷）が小さ
くなって、スイッチング素子Ｑ１がオンしている場合を
考える。帰還巻線Ｎ３１の巻き始め端には正の電圧が発
生する。この正の電圧により、ダイオードＤ４、抵抗Ｒ
１８、ツェナーダイオードＤｚ４および抵抗１７に電流
が流れ、トランジスタＴＲ４をオン状態にする。しか
し、帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端は負なので、トランジ
スタＴＲ３およびトランジスタＴＲ４には電流は流れな
い。
くなって、スイッチング素子Ｑ１がオンしている場合を
考える。帰還巻線Ｎ３１の巻き始め端には正の電圧が発
生する。この正の電圧により、ダイオードＤ４、抵抗Ｒ
１８、ツェナーダイオードＤｚ４および抵抗１７に電流
が流れ、トランジスタＴＲ４をオン状態にする。しか
し、帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端は負なので、トランジ
スタＴＲ３およびトランジスタＴＲ４には電流は流れな
い。
【００２５】つぎに、スイッチング素子Ｑ１が、上記説
明のように、第１の制御トランジスタＴＲ１のオンによ
り、ターンオフしたとする。すると、帰還巻線Ｎ３１の
巻き始め端は負になり、トランジスタＴＲ４のベースに
は逆バイアスがかかり、トランジスタＴＲ４はオフに向
かう。しかし、トランジスタＴＲ４が完全にオフするま
でにはタイムラグがあり、帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端
が正となっているので、トランジスタＴＲ３およびトラ
ンジスタＴＲ４に一瞬電流が流れ、コンデンサＣ６が充
電される。この充電電圧は第２の制御トランジスタＴＲ
２をオンさせて、スイッチング素子Ｑ１のオフを維持す
ることになる。スイッチング素子Ｑ１のオフを維持する
ということは、その発振周期を長くして、発振周波数が
低くなることを意味する。即ち、スイッチング素子Ｑ１
は第１の制御トランジスタＴＲ１によりオフされて、第
２の制御トランジスタＴＲ２によりオフ時間が継続さ
れ、発振周波数が低く抑えられる。この発振周波数抑制
回路１０は、これが動作すると、上記のように、発振周
波数が低く抑えられて、待機時などの入力電力が小さい
とき、即ち軽負荷時に効率が改善することになる。
明のように、第１の制御トランジスタＴＲ１のオンによ
り、ターンオフしたとする。すると、帰還巻線Ｎ３１の
巻き始め端は負になり、トランジスタＴＲ４のベースに
は逆バイアスがかかり、トランジスタＴＲ４はオフに向
かう。しかし、トランジスタＴＲ４が完全にオフするま
でにはタイムラグがあり、帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端
が正となっているので、トランジスタＴＲ３およびトラ
ンジスタＴＲ４に一瞬電流が流れ、コンデンサＣ６が充
電される。この充電電圧は第２の制御トランジスタＴＲ
２をオンさせて、スイッチング素子Ｑ１のオフを維持す
ることになる。スイッチング素子Ｑ１のオフを維持する
ということは、その発振周期を長くして、発振周波数が
低くなることを意味する。即ち、スイッチング素子Ｑ１
は第１の制御トランジスタＴＲ１によりオフされて、第
２の制御トランジスタＴＲ２によりオフ時間が継続さ
れ、発振周波数が低く抑えられる。この発振周波数抑制
回路１０は、これが動作すると、上記のように、発振周
波数が低く抑えられて、待機時などの入力電力が小さい
とき、即ち軽負荷時に効率が改善することになる。
【００２６】つぎに、発振周波数抑制回路１０の動作を
停止する場合について説明する。動作切替回路２０のフ
ォトダイオードＰＤ２に重負荷信号電圧を印加して、こ
れとフォトカップルしているフォトトランジスタＰＴ２
回路に電流を流す。すると、トランジスタＴＲ５がオン
して、第２の制御トランジスタＴＲ２がオフとなる。こ
の第２の制御トランジスタＴＲ２は、オフすると、その
発振周波数を低く抑える動作ができなくなって、図７に
破線で示すように、入力電力のある点で、発振周波数抑
制回路１０の動作が停止して実線で示す通常のＲＣＣ動
作に戻ることになる。 本実施例回路における動作切替
回路２０は、重負荷信号電圧を印加して発振周波数抑制
回路１０の動作を停止させて、待機などの軽負荷から重
負荷に移行させる働きをする。
停止する場合について説明する。動作切替回路２０のフ
ォトダイオードＰＤ２に重負荷信号電圧を印加して、こ
れとフォトカップルしているフォトトランジスタＰＴ２
回路に電流を流す。すると、トランジスタＴＲ５がオン
して、第２の制御トランジスタＴＲ２がオフとなる。こ
の第２の制御トランジスタＴＲ２は、オフすると、その
発振周波数を低く抑える動作ができなくなって、図７に
破線で示すように、入力電力のある点で、発振周波数抑
制回路１０の動作が停止して実線で示す通常のＲＣＣ動
作に戻ることになる。 本実施例回路における動作切替
回路２０は、重負荷信号電圧を印加して発振周波数抑制
回路１０の動作を停止させて、待機などの軽負荷から重
負荷に移行させる働きをする。
【００２７】本実施例回路においては、軽負荷から重負
荷へ移行させるために、重負荷信号電圧を印加してトラ
ンジスタＴＲ５をオンさせたが、本回路において重負荷
から軽負荷へ移行させるためには、重負荷信号電圧を解
除してトランジスタＴＲ５をオフさせればよい。
荷へ移行させるために、重負荷信号電圧を印加してトラ
ンジスタＴＲ５をオンさせたが、本回路において重負荷
から軽負荷へ移行させるためには、重負荷信号電圧を解
除してトランジスタＴＲ５をオフさせればよい。
【００２８】つぎに、第２実施例回路について図２を参
照して説明する。この第２実施例回路は、第１実施例回
路に対し、動作切替回路２０の回路構成を少々変更し
て、重負荷から軽負荷に移行する場合に、発振周波数抑
制回路１０を動作（動作停止を解除）させて、軽負荷モ
ードに移行してスイッチング素子Ｑ１のスイッチング周
波数を低下させるものである。
照して説明する。この第２実施例回路は、第１実施例回
路に対し、動作切替回路２０の回路構成を少々変更し
て、重負荷から軽負荷に移行する場合に、発振周波数抑
制回路１０を動作（動作停止を解除）させて、軽負荷モ
ードに移行してスイッチング素子Ｑ１のスイッチング周
波数を低下させるものである。
【００２９】同図において、トランジスタＴＲ５のベー
スはフォトトランジスタＰＴ２のコレクタに接続され、
フォトトランジスタＰＴ２のエミッタはグランドＧＮＤ
に接続されている。トランジスタＴＲ５のベースとフォ
トトランジスタＰＴ２のコレクタとの接続点は、抵抗Ｒ
２１およびダイオードＤ７のカソードからアノードを介
して帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端に接続されている。ま
た、ダイオードＤ７のカソードおよび抵抗Ｒ２１の接続
点とグランドＧＮＤとの間には、コンデンサＣ７が接続
されている。
スはフォトトランジスタＰＴ２のコレクタに接続され、
フォトトランジスタＰＴ２のエミッタはグランドＧＮＤ
に接続されている。トランジスタＴＲ５のベースとフォ
トトランジスタＰＴ２のコレクタとの接続点は、抵抗Ｒ
２１およびダイオードＤ７のカソードからアノードを介
して帰還巻線Ｎ３２の巻き終り端に接続されている。ま
た、ダイオードＤ７のカソードおよび抵抗Ｒ２１の接続
点とグランドＧＮＤとの間には、コンデンサＣ７が接続
されている。
【００３０】つぎに、本実施例回路の動作について説明
する。本実施例回路が入力電力の大きい重負荷で動作し
ているときに、待機などの軽負荷モードへの移行のため
軽負荷信号電圧をフォトダイオードＰＤ２に印加する。
すると、フォトトランジスタＰＴ２がオンして、トラン
ジスタＴＲ５がオフし、発振周波数抑制回路１０の第２
の制御トランジスタＴＲ２は動作を開始して、上記のよ
うに、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数は低
く抑えられて効率が向上することになる。本実施例回路
においては、重負荷から軽負荷へ移行させるために、軽
負荷信号電圧を印加してトランジスタＴＲ５をオフさせ
たが、本実施例回路において軽負荷から元の重負荷へ戻
るには、軽負荷信号電圧を解除してトランジスタＴＲ５
をオンさせればよい。
する。本実施例回路が入力電力の大きい重負荷で動作し
ているときに、待機などの軽負荷モードへの移行のため
軽負荷信号電圧をフォトダイオードＰＤ２に印加する。
すると、フォトトランジスタＰＴ２がオンして、トラン
ジスタＴＲ５がオフし、発振周波数抑制回路１０の第２
の制御トランジスタＴＲ２は動作を開始して、上記のよ
うに、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数は低
く抑えられて効率が向上することになる。本実施例回路
においては、重負荷から軽負荷へ移行させるために、軽
負荷信号電圧を印加してトランジスタＴＲ５をオフさせ
たが、本実施例回路において軽負荷から元の重負荷へ戻
るには、軽負荷信号電圧を解除してトランジスタＴＲ５
をオンさせればよい。
【００３１】つぎに、動作切替回路２０のトランジスタ
ＴＲ５のコレクタの接続の変形例について説明する。図
３はトランジスタＴＲ５のコレクタをトランジスタＴＲ
３のコレクタに接続したものである。実施例１に相当す
る場合は、重負荷信号電圧によりトランジスタＴＲ５が
オンして、バイアスコンデンサＣ６を充電するトランジ
スタＴＲ３およびＴＲ４の充電回路が短絡され、発振周
波数抑制回路１０のトランジスタＴＲ２がオフして、通
常のＲＣＣ動作を行うことになる。また、実施例２に相
当する場合は、軽負荷信号電圧によりトランジスタＴＲ
５がオフして、トランジスタＴＲ３およびＴＲ４の充電
回路は正常に動作してバイアスコンデンサＣ６を充電し
て、発振周波数抑制回路１０のトランジスタＴＲ２がオ
ンとなり、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数
は低く抑えられる。
ＴＲ５のコレクタの接続の変形例について説明する。図
３はトランジスタＴＲ５のコレクタをトランジスタＴＲ
３のコレクタに接続したものである。実施例１に相当す
る場合は、重負荷信号電圧によりトランジスタＴＲ５が
オンして、バイアスコンデンサＣ６を充電するトランジ
スタＴＲ３およびＴＲ４の充電回路が短絡され、発振周
波数抑制回路１０のトランジスタＴＲ２がオフして、通
常のＲＣＣ動作を行うことになる。また、実施例２に相
当する場合は、軽負荷信号電圧によりトランジスタＴＲ
５がオフして、トランジスタＴＲ３およびＴＲ４の充電
回路は正常に動作してバイアスコンデンサＣ６を充電し
て、発振周波数抑制回路１０のトランジスタＴＲ２がオ
ンとなり、スイッチング素子Ｑ１のスイッチング周波数
は低く抑えられる。
【００３２】図４はトランジスタＴＲ５のコレクタをト
ランジスタＴＲ３のエミッタに接続したものである。こ
の場合も、作用は図３の場合と同様である。
ランジスタＴＲ３のエミッタに接続したものである。こ
の場合も、作用は図３の場合と同様である。
【００３３】図５はトランジスタＴＲ５のコレクタをト
ランジスタＴＲ４のベースに接続したものである。この
場合も、作用は図３の場合と同様である。
ランジスタＴＲ４のベースに接続したものである。この
場合も、作用は図３の場合と同様である。
【００３４】図６はトランジスタＴＲ５のコレクタを抵
抗Ｒ１８とツェナーダイオードＤｚ４の接続点に接続し
たものである。この場合も、作用は図３の場合と同様で
ある。
抗Ｒ１８とツェナーダイオードＤｚ４の接続点に接続し
たものである。この場合も、作用は図３の場合と同様で
ある。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、軽負荷モードへの移行時に
は、軽負荷信号電圧印加もしくは重負荷信号電圧解除に
より、発振周波数抑制回路を動作させるので、スイッチ
ング素子のスイッチング周波数が下がり、効率が向上す
る。また、重負荷モードへの移行時には、重負荷信号電
圧印加もしくは軽負荷信号電圧解除により、発振周波数
抑制回路の動作を停止して通常のＲＣＣ動作に戻らせ
て、スイッチング素子のスイッチング周波数を上げるの
で、出力電圧のリップルノイズが減少し、かつ、過渡応
答が改善される。
は、軽負荷信号電圧印加もしくは重負荷信号電圧解除に
より、発振周波数抑制回路を動作させるので、スイッチ
ング素子のスイッチング周波数が下がり、効率が向上す
る。また、重負荷モードへの移行時には、重負荷信号電
圧印加もしくは軽負荷信号電圧解除により、発振周波数
抑制回路の動作を停止して通常のＲＣＣ動作に戻らせ
て、スイッチング素子のスイッチング周波数を上げるの
で、出力電圧のリップルノイズが減少し、かつ、過渡応
答が改善される。
【図１】 本発明のスイッチング電源の第１実施例回路
図
図
【図２】 本発明のスイッチング電源の第２実施例回路
図
図
【図３】 本実施回路における動作切替回路のトランジ
スタの接続の第１変形例を示す図
スタの接続の第１変形例を示す図
【図４】 本実施回路における動作切替回路のトランジ
スタの接続の第２変形例を示す図
スタの接続の第２変形例を示す図
【図５】 本実施回路における動作切替回路のトランジ
スタの接続の第３変形例を示す図
スタの接続の第３変形例を示す図
【図６】 本実施回路における動作切替回路のトランジ
スタの接続の第４変形例を示す図
スタの接続の第４変形例を示す図
【図７】 入力電力に対する発振周波数特性図
【図８】 従来のＲＣＣ方式のスイッチング電源の回路
図
図
１ 発振安定化回路 ２ 出力安定化回路 ３ 過電流保護回路 ４ 出力電圧検出回路 ５ 過電流保護回路 １０ 発振周波数抑制回路 ２０ 動作切替回路 Ｑ１ スイッチング素子 ＴＲ１ 第１の制御トランジスタ ＴＲ２ 第２の制御トランジスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 一次主巻線（Ｎ１）、二次出力巻線（Ｎ
２）および帰還巻線（Ｎ３１、Ｎ３２）を有するトラン
ス（Ｔ）と、一次直流電源に前記一次主巻線（Ｎ１）と
直列接続され、制御端子が前記帰還巻線（Ｎ３）の一端
に接続されたスイッチング素子（Ｑ１）と、前記スイッ
チング素子（Ｑ１）の制御端子に接続された第１の制御
素子（ＴＲ１）と、前記第１の制御素子（ＴＲ１）の制
御端子と前記帰還巻線（Ｎ３１）との間に接続された出
力安定化回路（２）および過電流保護回路（３）と、前
記二次出力巻線の出力を整流平滑して得られた二次直流
電源と、前記二次直流電源に接続された出力電圧検出回
路（４）と、を備えているＲＣＣ方式のスイッチング電
源において、 前記スイッチング素子（Ｑ１）のスイッチング周波数
を、所定周波数以上にならないように制御する第２の制
御素子（ＴＲ２）を有する発振周波数抑制回路（１０）
と、 軽負荷信号により前記発振周波数抑制回路（１０）の動
作を開始させ、または、重負荷信号により前記発振周波
数抑制回路（１０）の動作を停止させる動作切替回路
（２０）と、を備えているスイッチング電源。 - 【請求項２】 前記動作切替回路（２０）において、前
記軽負荷信号または重負荷信号がフォトダイオード（Ｐ
Ｄ２）に印加され、このフォトダイオード（ＰＤ２）と
フォトカップルしているフォトトランジスタ（ＰＴ２）
のインピーダンスの変化により、第２の制御素子（ＴＲ
２）を有する前記発振周波数抑制回路（１０）の動作が
開始もしくは停止されることを特徴とする請求項１記載
のスイッチング電源。 - 【請求項３】 前記動作切替回路（２０）において、前
記軽負荷信号または重負荷信号がフォトダイオード（Ｐ
Ｄ２）に印加され、このフォトダイオード（ＰＤ２）と
フォトカップルしているフォトトランジスタ（ＰＴ２）
のインピーダンスの変化により、前記発振周波数抑制回
路（１０）における第２の制御素子（ＴＲ２）のバイア
スコンデンサ（Ｃ６）の充電回路（ＴＲ３、ＴＲ４）を
短絡もしくは開放することにより、第２の制御素子（Ｔ
Ｒ２）を有する前記発振周波数抑制回路（１０）の動作
が開始もしくは停止されることを特徴とする請求項１記
載のスイッチング電源。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07192074A JP3087618B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | スイッチング電源 |
| US08/686,323 US5675479A (en) | 1995-07-27 | 1996-07-25 | Switching power-supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07192074A JP3087618B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | スイッチング電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0947023A JPH0947023A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3087618B2 true JP3087618B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=16285208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07192074A Expired - Fee Related JP3087618B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | スイッチング電源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5675479A (ja) |
| JP (1) | JP3087618B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19619751A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltnetzteil |
| JP3381769B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2003-03-04 | 株式会社村田製作所 | 自励発振型スイッチング電源装置 |
| JPH11206126A (ja) * | 1998-01-06 | 1999-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | 自励発振型スイッチング電源装置 |
| JP3273598B2 (ja) * | 1998-01-28 | 2002-04-08 | 株式会社村田製作所 | スイッチング電源装置 |
| JPH11235036A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Murata Mfg Co Ltd | 自励発振型スイッチング電源装置 |
| JPH11235028A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Murata Mfg Co Ltd | スイッチング電源装置 |
| JP3351464B2 (ja) | 1998-02-13 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 自励発振型スイッチング電源装置 |
| US6178100B1 (en) | 1998-02-24 | 2001-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Switching power source |
| JP3237633B2 (ja) * | 1998-12-02 | 2001-12-10 | 株式会社村田製作所 | スイッチング電源装置 |
| FR2788647B1 (fr) * | 1999-01-18 | 2001-03-30 | Cit Alcatel | Alimentation de puissance pour terminal de radiocommunication |
| US6127816A (en) * | 1999-08-04 | 2000-10-03 | Hewlett-Packard Company | Multiple frequency switching power supply and methods to operate a switching power supply |
| US6462971B1 (en) | 1999-09-24 | 2002-10-08 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus providing a multi-function terminal for a power supply controller |
| JP2003522512A (ja) | 2000-02-04 | 2003-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｄｃ／ｄｃ変換回路 |
| TW587362B (en) * | 2000-11-10 | 2004-05-11 | Delta Electronics Inc | Light-load detection method and detection circuit of switching type power source system |
| KR100380616B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-04-18 | 삼원전자공업(주) | 스위칭 방식 전원공급장치 |
| KR100794773B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2008-01-21 | 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션 | 부하에 응답하는 스위칭 주파수를 갖는 ｄｃ-ｄｃ 조정기 |
| US20060133115A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Phadke Vijay G | Adaptive blanking of transformer primary-side feedback winding signals |
| JP5039371B2 (ja) * | 2006-12-12 | 2012-10-03 | ローム株式会社 | スイッチングレギュレータの制御回路および電源装置、電子機器 |
| TWI332309B (en) * | 2007-02-12 | 2010-10-21 | Chimei Innolux Corp | Switching power supply circuit |
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| JP5152197B2 (ja) | 2007-12-19 | 2013-02-27 | 富士通株式会社 | 電源制御方法及び装置 |
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