JP3084221B2 - 高周波同調回路 - Google Patents
高周波同調回路Info
- Publication number
- JP3084221B2 JP3084221B2 JP07334240A JP33424095A JP3084221B2 JP 3084221 B2 JP3084221 B2 JP 3084221B2 JP 07334240 A JP07334240 A JP 07334240A JP 33424095 A JP33424095 A JP 33424095A JP 3084221 B2 JP3084221 B2 JP 3084221B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tuning
- transformer
- frequency
- coil
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Noise Elimination (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スーパーヘテロダ
イン受信機におけるイメージ信号を抑圧するための高周
波同調回路に関する。
イン受信機におけるイメージ信号を抑圧するための高周
波同調回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の高周波同調回路の回路
図、図１１は図１０のそれぞれのトランスをドラムコア
に巻回した状態を示す断面図、図１２は高周波同調回路
の特性図である。従来の高周波同調回路は、同調トラン
スＴ１１と広帯域トランスＴ１２を有する入力側の複合
トランスＴ１３及び同調トランスＴ１４とコイルＬ２１
を有する出力側の複合トランスＴ１５を備え、入力側の
複合トランスＴ１３と出力側の複合トランスＴ１５が接
続される。入力側の複合トランスＴ１３は、同調トラン
スＴ１１の１次側コイルＬ１５と広帯域トランスＴ１２
の１次側コイルＬ１７を直列接続して入力側とし、同調
トランスＴ１１の２次側コイルＬ１６に可変容量ダイオ
ードＤ５を直列に接続して同調回路を形成し、広帯域ト
ランスＴ１２の２次側コイルＬ１８が同調回路に接続さ
れる。また、出力側の複合トランスＴ１５は、同調トラ
ンスＴ１４の２次側コイルＬ１９を出力側とし、１次側
コイルＬ２０に可変容量素子Ｄ６を並列に接続して同調
回路を形成し、同調トランスＴ１１の２次側コイルＬ１
６と広帯域トランスＴ１２の２次側コイルＬ１８の接続
点にコイルＬ２１が接続される。そして、同調トランス
Ｔ１１の２次側コイルＬ１６と同調トランスＴ１４の１
次側コイルＬ２０を接続して複同調回路を形成してい
る。なお、それぞれのコイルに付されている黒点は巻き
始めの位置であり、Ｒ５とＲ６はバイアス抵抗であり、
Ｃ５とＣ６はそれぞれ直流電流を阻止するためのコンデ
ンサである。入力側の複合トランスＴ１３の同調トラン
スＴ１１と広帯域トランスＴ１２は、２個の巻溝を有す
る３枚鍔のドラムコア２３の夫々の巻溝に別々に巻回さ
れ、図１１に示される様に同調トランスＴ１１の２次側
コイルＬ１６が１次側コイルＬ１５の上に巻回され、広
帯域トランスＴ１２の１次側コイルＬ１７が２次側コイ
ルＬ１８の上に巻回される。また、出力側の複合トラン
スＴ１５の同調トランスＴ１４とコイルＬ２１は、２個
の巻溝を有する３枚鍔のドラムコア２４の夫々の巻溝に
別々に巻回され、図１１に示される様に同調トランスＴ
１４の１次側コイルＬ２０が２次側コイルＬ１９の上に
巻回される。この複合トランスＴ１３と複合トランスＴ
１５は、複同調回路の出力波形にリップルが発生するの
を防止する為、同調トランスＴ１１の１次側コイルＬ１
５の巻数と同調トランスＴ１４の２次側コイルＬ１９の
巻数を同じにしてそれぞれに形成された同調回路のＱL
値を合わせている。さらに、同調トランスＴ１４の１次
側コイルＬ２０と２次側コイルＬ１９の結合を強くする
為に、巻数の少ない２次側コイルＬ１９がドラムコア２
４の内側に巻回される。
図、図１１は図１０のそれぞれのトランスをドラムコア
に巻回した状態を示す断面図、図１２は高周波同調回路
の特性図である。従来の高周波同調回路は、同調トラン
スＴ１１と広帯域トランスＴ１２を有する入力側の複合
トランスＴ１３及び同調トランスＴ１４とコイルＬ２１
を有する出力側の複合トランスＴ１５を備え、入力側の
複合トランスＴ１３と出力側の複合トランスＴ１５が接
続される。入力側の複合トランスＴ１３は、同調トラン
スＴ１１の１次側コイルＬ１５と広帯域トランスＴ１２
の１次側コイルＬ１７を直列接続して入力側とし、同調
トランスＴ１１の２次側コイルＬ１６に可変容量ダイオ
ードＤ５を直列に接続して同調回路を形成し、広帯域ト
ランスＴ１２の２次側コイルＬ１８が同調回路に接続さ
れる。また、出力側の複合トランスＴ１５は、同調トラ
ンスＴ１４の２次側コイルＬ１９を出力側とし、１次側
コイルＬ２０に可変容量素子Ｄ６を並列に接続して同調
回路を形成し、同調トランスＴ１１の２次側コイルＬ１
６と広帯域トランスＴ１２の２次側コイルＬ１８の接続
点にコイルＬ２１が接続される。そして、同調トランス
Ｔ１１の２次側コイルＬ１６と同調トランスＴ１４の１
次側コイルＬ２０を接続して複同調回路を形成してい
る。なお、それぞれのコイルに付されている黒点は巻き
始めの位置であり、Ｒ５とＲ６はバイアス抵抗であり、
Ｃ５とＣ６はそれぞれ直流電流を阻止するためのコンデ
ンサである。入力側の複合トランスＴ１３の同調トラン
スＴ１１と広帯域トランスＴ１２は、２個の巻溝を有す
る３枚鍔のドラムコア２３の夫々の巻溝に別々に巻回さ
れ、図１１に示される様に同調トランスＴ１１の２次側
コイルＬ１６が１次側コイルＬ１５の上に巻回され、広
帯域トランスＴ１２の１次側コイルＬ１７が２次側コイ
ルＬ１８の上に巻回される。また、出力側の複合トラン
スＴ１５の同調トランスＴ１４とコイルＬ２１は、２個
の巻溝を有する３枚鍔のドラムコア２４の夫々の巻溝に
別々に巻回され、図１１に示される様に同調トランスＴ
１４の１次側コイルＬ２０が２次側コイルＬ１９の上に
巻回される。この複合トランスＴ１３と複合トランスＴ
１５は、複同調回路の出力波形にリップルが発生するの
を防止する為、同調トランスＴ１１の１次側コイルＬ１
５の巻数と同調トランスＴ１４の２次側コイルＬ１９の
巻数を同じにしてそれぞれに形成された同調回路のＱL
値を合わせている。さらに、同調トランスＴ１４の１次
側コイルＬ２０と２次側コイルＬ１９の結合を強くする
為に、巻数の少ない２次側コイルＬ１９がドラムコア２
４の内側に巻回される。
【０００３】この様に形成された高周波同調回路は、ア
ンテナ回路からの信号が入力側の複合トランスＴ１３に
入力され、入力された信号が同調トランスＴ１１の１次
側コイルＬ１５と広帯域トランスＴ１２の１次側コイル
Ｌ１７に分割され、同調トランスＴ１１の１次側コイル
Ｌ１５の信号が２次側コイルＬ１６に伝達され、広帯域
トランスＴ１２の１次側コイルＬ１７の信号が２次側コ
イルＬ１８に伝達される。そして、同調トランスＴ１１
の２次側コイルＬ１６に伝達された信号と広帯域トラン
スＴ１２の２次側コイルＬ１８に伝達された信号は再び
合成されるが、この２つの信号の電位が等しく、位相が
１８０°反転した周波数で減衰極を形成している。この
合成された信号は、出力側の複合トランスＴ１５のコイ
ルＬ２１に入力されて同調トランスＴ１４の１次側コイ
ルＬ２０に伝達され、さらに、同調トランスＴ１４の１
次側コイルＬ２０から２次側コイルＬ１９に伝達されて
出力される。この高周波同調回路は、図１２に示される
様に、同調トランスＴ１１の２次側コイルＬ１６、可変
容量ダイオードＤ５、同調トランスＴ１５の１次側コイ
ルＬ２０、可変容量ダイオードＤ６からなる複同調回路
によって同調周波数ｆ0 の信号に同調すると共に、入力
側の複合トランスＴ１３によって１つの減衰極が周波数
ｆ1 に形成される。
ンテナ回路からの信号が入力側の複合トランスＴ１３に
入力され、入力された信号が同調トランスＴ１１の１次
側コイルＬ１５と広帯域トランスＴ１２の１次側コイル
Ｌ１７に分割され、同調トランスＴ１１の１次側コイル
Ｌ１５の信号が２次側コイルＬ１６に伝達され、広帯域
トランスＴ１２の１次側コイルＬ１７の信号が２次側コ
イルＬ１８に伝達される。そして、同調トランスＴ１１
の２次側コイルＬ１６に伝達された信号と広帯域トラン
スＴ１２の２次側コイルＬ１８に伝達された信号は再び
合成されるが、この２つの信号の電位が等しく、位相が
１８０°反転した周波数で減衰極を形成している。この
合成された信号は、出力側の複合トランスＴ１５のコイ
ルＬ２１に入力されて同調トランスＴ１４の１次側コイ
ルＬ２０に伝達され、さらに、同調トランスＴ１４の１
次側コイルＬ２０から２次側コイルＬ１９に伝達されて
出力される。この高周波同調回路は、図１２に示される
様に、同調トランスＴ１１の２次側コイルＬ１６、可変
容量ダイオードＤ５、同調トランスＴ１５の１次側コイ
ルＬ２０、可変容量ダイオードＤ６からなる複同調回路
によって同調周波数ｆ0 の信号に同調すると共に、入力
側の複合トランスＴ１３によって１つの減衰極が周波数
ｆ1 に形成される。
【０００４】この様な従来の高周波同調回路は、広帯域
トランスＴ１２の１次側コイルＬ１７と２次側コイルＬ
１８の巻数比により、減衰極が形成される周波数が決定
される。この減衰極が形成される周波数は、同調周波数
と所定の比をもっており、受信周波数に応じてこの同調
周波数を変化させた場合もこの比を保って同調周波数に
追従する。この減衰極の周波数は、受信帯域が５２０Ｋ
Ｈｚ〜１７１０ＫＨｚの上側スーパーヘテロダイン方式
の受信機の場合、一般的に受信帯域の高域側の受信周波
数例えば１４００ＫＨｚの信号を受信時のイメージ信号
の周波数（２３００ＫＨｚ）に合わせている。従って、
受信帯域の低域側の受信周波数例えば６００ＫＨｚの信
号を受信時は、減衰極がイメージ信号の周波数（１５０
０ＫＨｚ）よりも低い周波数の約９８５ＫＨｚに形成さ
れてしまい、受信帯域の低域側の減衰量が悪化するとい
う問題点があった。
トランスＴ１２の１次側コイルＬ１７と２次側コイルＬ
１８の巻数比により、減衰極が形成される周波数が決定
される。この減衰極が形成される周波数は、同調周波数
と所定の比をもっており、受信周波数に応じてこの同調
周波数を変化させた場合もこの比を保って同調周波数に
追従する。この減衰極の周波数は、受信帯域が５２０Ｋ
Ｈｚ〜１７１０ＫＨｚの上側スーパーヘテロダイン方式
の受信機の場合、一般的に受信帯域の高域側の受信周波
数例えば１４００ＫＨｚの信号を受信時のイメージ信号
の周波数（２３００ＫＨｚ）に合わせている。従って、
受信帯域の低域側の受信周波数例えば６００ＫＨｚの信
号を受信時は、減衰極がイメージ信号の周波数（１５０
０ＫＨｚ）よりも低い周波数の約９８５ＫＨｚに形成さ
れてしまい、受信帯域の低域側の減衰量が悪化するとい
う問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、受信帯域
（５２０ＫＨｚ〜１７１０ＫＨｚ）の低域側の受信周波
数の信号を受信時における、イメージ信号の減衰量を改
善すると共に、全受信帯域のイメージ信号の減衰量を改
善した高周波同調回路を提供することを目的とする。
（５２０ＫＨｚ〜１７１０ＫＨｚ）の低域側の受信周波
数の信号を受信時における、イメージ信号の減衰量を改
善すると共に、全受信帯域のイメージ信号の減衰量を改
善した高周波同調回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波同調回路
は、同調周波数対減衰極の周波数比を異ならせた第１の
複合トランスと第２の複合トランスを備え、第１の複合
トランスと第２の複合トランスを接続して同調周波数に
対応する減衰極を２つ形成し、受信周波数に応じて同調
周波数を変化させた場合に、この２つの減衰極でイメー
ジ信号を抑圧するものである。第１の複合トランスと第
２の複合トランスは、一方の同調周波数対減衰極の周波
数比を１．６４倍付近とし、他方を２．５倍付近とす
る。２つの減衰極は、一方が受信帯域の高域側における
受信周波数のイメージ周波数付近に形成され、他方が受
信帯域の低域側における受信周波数のイメージ周波数付
近に形成される。そして、受信周波数とイメージ周波数
の比が１．５３倍以上２．７２倍以下にあるイメージ信
号を抑圧する。また、本発明の高周波同調回路は、第２
の複合トランスのＱL 値を、出力インピーダンスにより
ダンピングして第１の複合トランスのＱL 値よりも小さ
くしたもの又は、第１の複合トランスのＱL 値を、入力
インピーダンスによりダンピングして第２の複合トラン
スのＱL 値よりも小さくしたものである。
は、同調周波数対減衰極の周波数比を異ならせた第１の
複合トランスと第２の複合トランスを備え、第１の複合
トランスと第２の複合トランスを接続して同調周波数に
対応する減衰極を２つ形成し、受信周波数に応じて同調
周波数を変化させた場合に、この２つの減衰極でイメー
ジ信号を抑圧するものである。第１の複合トランスと第
２の複合トランスは、一方の同調周波数対減衰極の周波
数比を１．６４倍付近とし、他方を２．５倍付近とす
る。２つの減衰極は、一方が受信帯域の高域側における
受信周波数のイメージ周波数付近に形成され、他方が受
信帯域の低域側における受信周波数のイメージ周波数付
近に形成される。そして、受信周波数とイメージ周波数
の比が１．５３倍以上２．７２倍以下にあるイメージ信
号を抑圧する。また、本発明の高周波同調回路は、第２
の複合トランスのＱL 値を、出力インピーダンスにより
ダンピングして第１の複合トランスのＱL 値よりも小さ
くしたもの又は、第１の複合トランスのＱL 値を、入力
インピーダンスによりダンピングして第２の複合トラン
スのＱL 値よりも小さくしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の高周波同調回路は、１次
側コイルを入力側とし、２次側コイルに可変容量素子を
接続して第１の同調回路を形成してある第１の同調トラ
ンス及び、１次側コイルが第１の同調トランスの１次側
コイルと直列接続し、２次側コイルが第１の同調回路に
接続される広帯域トランスからなる第１の複合トラン
ス、並びに、２次側コイルを出力側とし、１次側コイル
に可変容量素子を接続して第２の同調回路を形成してあ
る第２の同調トランス及び、第１の同調トランスの２次
側コイルに接続されるコイルからなる第２の複合トラン
スを備え、第１の同調トランスの２次側コイルと第２の
同調トランスの１次側コイルを接続して複同調回路を形
成し、第１の複合トランス及び第２の複合トランスは、
それぞれ巻溝を２つもつ３枚鍔のドラムコアが使用さ
れ、第１の複合トランスの第１の同調トランスと広帯域
トランスがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回さ
れ、第２の複合トランスの第２の同調トランスとコイル
がドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、第１
の同調回路の信号と広帯域トランスの２次側コイルの信
号が第２の複合トランスの該コイルで合成され、この２
つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる周波数
で第１の減衰極が形成され、第２の複合トランスのコイ
ルと第２の同調トランスの２次側コイル間の結合係数
を、第２の複合トランスのコイルと第２の同調トランス
の１次側コイル間の結合係数よりも大きくし、第２の複
合トランスのコイルと第２の同調トランスの１次側コイ
ルの磁力が第２の同調トランスの２次側コイルの位置で
等しくかつ、互いの磁束が逆方向になる周波数で第２の
減衰極が形成され、この第１の減衰極と第２の減衰極を
用いて同調周波数に対応する２つの減衰極を形成し、受
信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合でもこの
２つの減衰極でイメージ信号を抑圧する。
側コイルを入力側とし、２次側コイルに可変容量素子を
接続して第１の同調回路を形成してある第１の同調トラ
ンス及び、１次側コイルが第１の同調トランスの１次側
コイルと直列接続し、２次側コイルが第１の同調回路に
接続される広帯域トランスからなる第１の複合トラン
ス、並びに、２次側コイルを出力側とし、１次側コイル
に可変容量素子を接続して第２の同調回路を形成してあ
る第２の同調トランス及び、第１の同調トランスの２次
側コイルに接続されるコイルからなる第２の複合トラン
スを備え、第１の同調トランスの２次側コイルと第２の
同調トランスの１次側コイルを接続して複同調回路を形
成し、第１の複合トランス及び第２の複合トランスは、
それぞれ巻溝を２つもつ３枚鍔のドラムコアが使用さ
れ、第１の複合トランスの第１の同調トランスと広帯域
トランスがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回さ
れ、第２の複合トランスの第２の同調トランスとコイル
がドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、第１
の同調回路の信号と広帯域トランスの２次側コイルの信
号が第２の複合トランスの該コイルで合成され、この２
つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる周波数
で第１の減衰極が形成され、第２の複合トランスのコイ
ルと第２の同調トランスの２次側コイル間の結合係数
を、第２の複合トランスのコイルと第２の同調トランス
の１次側コイル間の結合係数よりも大きくし、第２の複
合トランスのコイルと第２の同調トランスの１次側コイ
ルの磁力が第２の同調トランスの２次側コイルの位置で
等しくかつ、互いの磁束が逆方向になる周波数で第２の
減衰極が形成され、この第１の減衰極と第２の減衰極を
用いて同調周波数に対応する２つの減衰極を形成し、受
信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合でもこの
２つの減衰極でイメージ信号を抑圧する。
【０００８】また、本発明の高周波同調回路は、１次側
コイルを入力側とし、２次側コイルに可変容量素子を接
続して第１の同調回路を形成してある第１の同調トラン
ス及び、コイルからなる第１の複合トランス並びに、２
次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素子
を接続して第２の同調回路を形成し、かつ、該第１の複
合トランスの該コイルに接続してある第２の同調トラン
ス及び、１次側コイルが第２の同調トランスの１次側コ
イルと第１の複合トランスのコイルの接続点に接続さ
れ、２次側コイルが第２の同調トランスの２次側コイル
と直列接続する広帯域トランスからなる第２の複合トラ
ンスを備え、第１の同調トランスの２次側コイルと第２
の同調トランスの１次側コイルを接続して複同調回路を
形成し、第１の複合トランス及び第２の複合トランス
は、それぞれ巻溝を２つもつ３枚鍔のドラムコアが使用
され、第１の複合トランスの第１の同調トランスとコイ
ルがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、第
２の複合トランスの第２の同調トランスと広帯域トラン
スがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、第
１の同調トランスの１次側コイルと第１の複合トランス
のコイル間の結合係数を、第１の同調トランスの１次側
コイルと２次側コイル間の結合係数よりも大きくし、第
１の同調トランスの１次側コイルと２次側コイルの磁力
が第１の複合トランスの該コイルの位置で等しくかつ、
互いの磁束が逆方向になる周波数で第１の減衰極が形成
され、第１の複合トランスのコイルの信号が広帯域トラ
ンスと第２の同調トランスに分かれて伝達され、広帯域
トランスの２次側コイルに伝達された信号と第２の同調
トランスの２次側コイルに伝達された信号が合成され、
この２つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる
周波数で第２の減衰極が形成され、第１の減衰極と第２
の減衰極を用いて同調周波数に対応する２つの減衰極を
形成し、受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場
合でもこの２つの減衰極でイメージ信号を抑圧する。
コイルを入力側とし、２次側コイルに可変容量素子を接
続して第１の同調回路を形成してある第１の同調トラン
ス及び、コイルからなる第１の複合トランス並びに、２
次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素子
を接続して第２の同調回路を形成し、かつ、該第１の複
合トランスの該コイルに接続してある第２の同調トラン
ス及び、１次側コイルが第２の同調トランスの１次側コ
イルと第１の複合トランスのコイルの接続点に接続さ
れ、２次側コイルが第２の同調トランスの２次側コイル
と直列接続する広帯域トランスからなる第２の複合トラ
ンスを備え、第１の同調トランスの２次側コイルと第２
の同調トランスの１次側コイルを接続して複同調回路を
形成し、第１の複合トランス及び第２の複合トランス
は、それぞれ巻溝を２つもつ３枚鍔のドラムコアが使用
され、第１の複合トランスの第１の同調トランスとコイ
ルがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、第
２の複合トランスの第２の同調トランスと広帯域トラン
スがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、第
１の同調トランスの１次側コイルと第１の複合トランス
のコイル間の結合係数を、第１の同調トランスの１次側
コイルと２次側コイル間の結合係数よりも大きくし、第
１の同調トランスの１次側コイルと２次側コイルの磁力
が第１の複合トランスの該コイルの位置で等しくかつ、
互いの磁束が逆方向になる周波数で第１の減衰極が形成
され、第１の複合トランスのコイルの信号が広帯域トラ
ンスと第２の同調トランスに分かれて伝達され、広帯域
トランスの２次側コイルに伝達された信号と第２の同調
トランスの２次側コイルに伝達された信号が合成され、
この２つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる
周波数で第２の減衰極が形成され、第１の減衰極と第２
の減衰極を用いて同調周波数に対応する２つの減衰極を
形成し、受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場
合でもこの２つの減衰極でイメージ信号を抑圧する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の高周波同調回路の第１の実施
例を示す図１乃至図７を参照して説明する。図１は本発
明の高周波同調回路の第１の実施例を示す回路図、図２
は図１のそれぞれのトランスをドラムコアに巻回した状
態を示す断面図である。図１、図２において、１と２は
ドラムコア、Ｔ１は同調トランス、Ｔ２は広帯域トラン
ス、Ｔ３は入力側の複合トランス、Ｔ４は同調トラン
ス、Ｔ５は出力側の複合トランスである。入力側の複合
トランスＴ３は、同調トランスＴ１と広帯域トランスＴ
２を有し、端子３と端子４間に同調トランスＴ１の１次
側コイルＬ１と広帯域トランスＴ２の１次側コイルＬ３
を直列に接続して入力側とし、端子５と端子６間に同調
トランスＴ１の２次側コイルＬ２を接続し、端子７と端
子８間に広帯域トランスＴ２の２次側コイルＬ４を接続
して端子５と端子７が接続される。そして、端子６に可
変容量ダイオードＤ１が同調トランスＴ１の２次側コイ
ルＬ２と直列になる様に接続されて同調回路が形成され
る。この可変容量ダイオードＤ１のアノードは、アース
される。端子８は、アースされる。出力側の複合トラン
スＴ５は、同調トランスＴ４とコイルＬ７を有し、端子
９と端子１０間に同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６
を接続して出力側とし、端子１１と端子１２間に同調ト
ランスＴ４の１次側コイルＬ５を接続し、端子１３と端
子１４間にコイルＬ７が接続される。そして、可変容量
ダイオードＤ２が同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５
と並列になる様に端子１１に接続されて同調回路が形成
される。この可変容量ダイオードＤ２のアノードは、ア
ースされる。また、端子１０、端子１２及び端子１４は
アースされる。この入力側の複合トランスＴ３の同調回
路と出力側の複合トランスＴ５の同調回路は、同調トラ
ンスＴ１の２次側コイルＬ２の端子６と同調トランスＴ
４の１次側コイルＬ５の端子１１を接続することにより
複同調回路が形成される。また、コイルＬ７の端子１３
と同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２と広帯域トラン
スＴ２の２次側コイルＬ４の接続点である端子７が接続
される。なお、夫々のコイルに付された黒点はコイルの
極性を示しており、Ｒ１とＲ２はそれぞれバイアス抵抗
であり、Ｃ１とＣ２は直流電流を阻止するためのコンデ
ンサ、１５は可変容量ダイオードＤ１とＤ２に直流電流
を供給するための端子である。
例を示す図１乃至図７を参照して説明する。図１は本発
明の高周波同調回路の第１の実施例を示す回路図、図２
は図１のそれぞれのトランスをドラムコアに巻回した状
態を示す断面図である。図１、図２において、１と２は
ドラムコア、Ｔ１は同調トランス、Ｔ２は広帯域トラン
ス、Ｔ３は入力側の複合トランス、Ｔ４は同調トラン
ス、Ｔ５は出力側の複合トランスである。入力側の複合
トランスＴ３は、同調トランスＴ１と広帯域トランスＴ
２を有し、端子３と端子４間に同調トランスＴ１の１次
側コイルＬ１と広帯域トランスＴ２の１次側コイルＬ３
を直列に接続して入力側とし、端子５と端子６間に同調
トランスＴ１の２次側コイルＬ２を接続し、端子７と端
子８間に広帯域トランスＴ２の２次側コイルＬ４を接続
して端子５と端子７が接続される。そして、端子６に可
変容量ダイオードＤ１が同調トランスＴ１の２次側コイ
ルＬ２と直列になる様に接続されて同調回路が形成され
る。この可変容量ダイオードＤ１のアノードは、アース
される。端子８は、アースされる。出力側の複合トラン
スＴ５は、同調トランスＴ４とコイルＬ７を有し、端子
９と端子１０間に同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６
を接続して出力側とし、端子１１と端子１２間に同調ト
ランスＴ４の１次側コイルＬ５を接続し、端子１３と端
子１４間にコイルＬ７が接続される。そして、可変容量
ダイオードＤ２が同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５
と並列になる様に端子１１に接続されて同調回路が形成
される。この可変容量ダイオードＤ２のアノードは、ア
ースされる。また、端子１０、端子１２及び端子１４は
アースされる。この入力側の複合トランスＴ３の同調回
路と出力側の複合トランスＴ５の同調回路は、同調トラ
ンスＴ１の２次側コイルＬ２の端子６と同調トランスＴ
４の１次側コイルＬ５の端子１１を接続することにより
複同調回路が形成される。また、コイルＬ７の端子１３
と同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２と広帯域トラン
スＴ２の２次側コイルＬ４の接続点である端子７が接続
される。なお、夫々のコイルに付された黒点はコイルの
極性を示しており、Ｒ１とＲ２はそれぞれバイアス抵抗
であり、Ｃ１とＣ２は直流電流を阻止するためのコンデ
ンサ、１５は可変容量ダイオードＤ１とＤ２に直流電流
を供給するための端子である。
【００１０】この様に接続された入力側の複合トランス
Ｔ３は、２個の巻溝を有する３枚鍔のドラムコア１が用
いられ、同調トランスＴ１と広帯域トランスＴ２が別々
の巻溝に巻かれる。そして、同調トランスＴ１は、１次
側コイルＬ１がドラムコア１の上側の巻溝の内側に巻回
され、２次側コイルＬ２が１次側コイルＬ１の上に巻回
される。広帯域トランスＴ２は、２次側コイルＬ４がド
ラムコア１の下側の巻溝の内側に巻回され、１次側コイ
ルＬ３が２次側コイルＬ４の上に巻回される。また、出
力側の複合トランスＴ５は、２個の巻溝を有する３枚鍔
のドラムコア２が用いられ、同調トランスＴ４とコイル
Ｌ７が別々の巻溝に巻かれる。そして、同調トランスＴ
４は、１次側コイルＬ５がドラムコア２の上側の巻溝の
内側に巻回され、２次側コイルＬ６が１次側コイルＬ５
の上に巻回される。コイルＬ７は、ドラムコア２の下側
の巻溝に巻回される。
Ｔ３は、２個の巻溝を有する３枚鍔のドラムコア１が用
いられ、同調トランスＴ１と広帯域トランスＴ２が別々
の巻溝に巻かれる。そして、同調トランスＴ１は、１次
側コイルＬ１がドラムコア１の上側の巻溝の内側に巻回
され、２次側コイルＬ２が１次側コイルＬ１の上に巻回
される。広帯域トランスＴ２は、２次側コイルＬ４がド
ラムコア１の下側の巻溝の内側に巻回され、１次側コイ
ルＬ３が２次側コイルＬ４の上に巻回される。また、出
力側の複合トランスＴ５は、２個の巻溝を有する３枚鍔
のドラムコア２が用いられ、同調トランスＴ４とコイル
Ｌ７が別々の巻溝に巻かれる。そして、同調トランスＴ
４は、１次側コイルＬ５がドラムコア２の上側の巻溝の
内側に巻回され、２次側コイルＬ６が１次側コイルＬ５
の上に巻回される。コイルＬ７は、ドラムコア２の下側
の巻溝に巻回される。
【００１１】この様な高周波同調回路は、アンテナ回路
からの信号が、入力側の複合トランスＴ３の端子３に入
力されて同調トランスＴ１の１次側コイルＬ１と広帯域
トランスＴ２の１次側コイルＬ３に分割される。そし
て、同調トランスＴ１の１次側コイルＬ１の信号が２次
側コイルＬ２に伝達され、広帯域トランスＴ２の１次側
コイルＬ３の信号が２次側コイルＬ４に伝達される。こ
の同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２に伝達された信
号と広帯域トランスＴ２の２次側コイルＬ４に伝達され
た信号は、出力側の複合トランスＴ５のコイルＬ７で合
成される。この同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２に
伝達された信号によって、同調トランスＴ１の２次側コ
イルＬ２と可変容量ダイオードＤ１からなる同調回路に
電圧が発生し、端子５と端子６間から図３に示す様な電
圧Ｖ１が得られる。また、端子５が接続されていない状
態の広帯域トランスＴ２の２次側コイルＬ４の端子７と
端子８間からは、図３に示す様な電圧Ｖ２が得られる。
図３は、同調トランスＴ１及び広帯域トランスＴ２のそ
れぞれの出力電圧特性を示す特性図であり、横軸が周波
数、縦軸が電圧レベルである。電圧Ｖ１は、入力信号の
周波数が変化した場合に端子５と端子６間に得られる電
圧の振幅であり、同調回路の同調周波数ｆ0 でその電圧
レベルが最も大きくなる。電圧Ｖ２は、端子７と端子８
間に得られる電圧の振幅であり、点線で示してあるが、
入力信号の周波数にかかわらずその電圧レベルが一定と
なっている。そして、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２の電圧レベル
は、周波数ｆ1 で等しくなっている。この電圧Ｖ１と電
圧Ｖ２のそれぞれの位相は、図４の様になっている。図
４は、同調トランスＴ１及び広帯域トランスＴ２のそれ
ぞれの出力電圧の位相の状態を示す特性図であり、横軸
が周波数、縦軸が位相である。端子５と端子６間に得ら
れる電圧Ｖ１の位相Φ１は、同調回路の同調周波数ｆ0
の近傍で変化しており、同調回路の同調周波数ｆ0 より
低い周波数において位相が９０°遅れ、同調回路の同調
周波数ｆ0 より高い周波数において位相が９０°進んで
いる。また、端子７と端子８間に得られる電圧Ｖ２の位
相Φ２は、入力信号に対して常に位相が９０°遅れてお
り、周波数により変化しない。従って、出力側の複合ト
ランスＴ５のコイルＬ７で合成された信号は、図５に示
される様に、同調回路の同調周波数ｆ0 で電圧レベルが
最も大きくなり、端子５と端子６間に得られる電圧と端
子７と端子８間に得られる電圧が等しく、かつそれぞれ
の位相が１８０°異なった周波数ｆ1 に減衰極１６が形
成される。
からの信号が、入力側の複合トランスＴ３の端子３に入
力されて同調トランスＴ１の１次側コイルＬ１と広帯域
トランスＴ２の１次側コイルＬ３に分割される。そし
て、同調トランスＴ１の１次側コイルＬ１の信号が２次
側コイルＬ２に伝達され、広帯域トランスＴ２の１次側
コイルＬ３の信号が２次側コイルＬ４に伝達される。こ
の同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２に伝達された信
号と広帯域トランスＴ２の２次側コイルＬ４に伝達され
た信号は、出力側の複合トランスＴ５のコイルＬ７で合
成される。この同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２に
伝達された信号によって、同調トランスＴ１の２次側コ
イルＬ２と可変容量ダイオードＤ１からなる同調回路に
電圧が発生し、端子５と端子６間から図３に示す様な電
圧Ｖ１が得られる。また、端子５が接続されていない状
態の広帯域トランスＴ２の２次側コイルＬ４の端子７と
端子８間からは、図３に示す様な電圧Ｖ２が得られる。
図３は、同調トランスＴ１及び広帯域トランスＴ２のそ
れぞれの出力電圧特性を示す特性図であり、横軸が周波
数、縦軸が電圧レベルである。電圧Ｖ１は、入力信号の
周波数が変化した場合に端子５と端子６間に得られる電
圧の振幅であり、同調回路の同調周波数ｆ0 でその電圧
レベルが最も大きくなる。電圧Ｖ２は、端子７と端子８
間に得られる電圧の振幅であり、点線で示してあるが、
入力信号の周波数にかかわらずその電圧レベルが一定と
なっている。そして、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２の電圧レベル
は、周波数ｆ1 で等しくなっている。この電圧Ｖ１と電
圧Ｖ２のそれぞれの位相は、図４の様になっている。図
４は、同調トランスＴ１及び広帯域トランスＴ２のそれ
ぞれの出力電圧の位相の状態を示す特性図であり、横軸
が周波数、縦軸が位相である。端子５と端子６間に得ら
れる電圧Ｖ１の位相Φ１は、同調回路の同調周波数ｆ0
の近傍で変化しており、同調回路の同調周波数ｆ0 より
低い周波数において位相が９０°遅れ、同調回路の同調
周波数ｆ0 より高い周波数において位相が９０°進んで
いる。また、端子７と端子８間に得られる電圧Ｖ２の位
相Φ２は、入力信号に対して常に位相が９０°遅れてお
り、周波数により変化しない。従って、出力側の複合ト
ランスＴ５のコイルＬ７で合成された信号は、図５に示
される様に、同調回路の同調周波数ｆ0 で電圧レベルが
最も大きくなり、端子５と端子６間に得られる電圧と端
子７と端子８間に得られる電圧が等しく、かつそれぞれ
の位相が１８０°異なった周波数ｆ1 に減衰極１６が形
成される。
【００１２】この出力側の複合トランスＴ５のコイルＬ
７で合成された信号により、コイルＬ７に電流が流れて
磁束が発生し、同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５と
可変容量ダイオードＤ２からなる同調回路に伝達され
る。この同調回路で選択された信号により、同調トラン
スＴ４の１次側コイルＬ５に電流が流れて磁束が発生す
る。コイルＬ７による磁力ｍ１と同調トランスＴ４の１
次側コイルＬ５による磁力ｍ２は、図６の様になってい
る。図６は、同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６の位
置での同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５の磁力とコ
イルＬ７の磁力を示す特性図であり、横軸が周波数、縦
軸が磁力である。同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６
の位置でのコイルＬ７による磁力ｍ１は、同調周波数ｆ
0 で最も大きくなり、減衰極１６が形成された周波数で
最も小さくなる。また、同調トランスＴ４の２次側コイ
ルＬ６の位置での１次側コイルＬ５による磁力ｍ２は、
同調周波数ｆ0 で最も大きくなり、減衰極１６が形成さ
れた周波数で最も小さくなる。そして、出力側の複合ト
ランスＴ５のコイルＬ７の磁力ｍ１と同調トランスＴ４
の１次側コイルＬ５の磁力ｍ２は、周波数ｆ1 よりも高
い周波数ｆ2 で等しくなる。このコイルＬ７の磁力ｍ１
と１次側コイルＬ５の磁力ｍ２は、出力側の複合トラン
スＴ５に形成される同調回路のＱL 値を出力インピーダ
ンスによりダンピングして入力側の複合トランスＴ３に
形成される同調回路のＱL 値より十分小さくし、かつコ
イルＬ７と同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６の結合
係数をコイルＬ７と同調トランスＴ４の１次側コイルＬ
５の結合係数よりも大きくして周波数ｆ2 で等しくす
る。このコイルＬ７と同調トランスＴ４の２次側コイル
Ｌ６の結合係数は、図２の様に同調トランスＴ４の２次
側コイルＬ６を、１次側コイルＬ５の上に巻回して、コ
イルＬ７のもれ磁束１７の影響を大きくすることによ
り、コイルＬ７と同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５
の結合係数よりも大きくしている。従って、同調トラン
スＴ４の２次側コイルＬ６の位置においてコイルＬ７か
ら発生した磁束と同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５
から発生した磁束が逆方向で、かつ磁力ｍ１と磁力ｍ２
が等しくなる周波数ｆ2 で図７の様に減衰極１８が形成
される。
７で合成された信号により、コイルＬ７に電流が流れて
磁束が発生し、同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５と
可変容量ダイオードＤ２からなる同調回路に伝達され
る。この同調回路で選択された信号により、同調トラン
スＴ４の１次側コイルＬ５に電流が流れて磁束が発生す
る。コイルＬ７による磁力ｍ１と同調トランスＴ４の１
次側コイルＬ５による磁力ｍ２は、図６の様になってい
る。図６は、同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６の位
置での同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５の磁力とコ
イルＬ７の磁力を示す特性図であり、横軸が周波数、縦
軸が磁力である。同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６
の位置でのコイルＬ７による磁力ｍ１は、同調周波数ｆ
0 で最も大きくなり、減衰極１６が形成された周波数で
最も小さくなる。また、同調トランスＴ４の２次側コイ
ルＬ６の位置での１次側コイルＬ５による磁力ｍ２は、
同調周波数ｆ0 で最も大きくなり、減衰極１６が形成さ
れた周波数で最も小さくなる。そして、出力側の複合ト
ランスＴ５のコイルＬ７の磁力ｍ１と同調トランスＴ４
の１次側コイルＬ５の磁力ｍ２は、周波数ｆ1 よりも高
い周波数ｆ2 で等しくなる。このコイルＬ７の磁力ｍ１
と１次側コイルＬ５の磁力ｍ２は、出力側の複合トラン
スＴ５に形成される同調回路のＱL 値を出力インピーダ
ンスによりダンピングして入力側の複合トランスＴ３に
形成される同調回路のＱL 値より十分小さくし、かつコ
イルＬ７と同調トランスＴ４の２次側コイルＬ６の結合
係数をコイルＬ７と同調トランスＴ４の１次側コイルＬ
５の結合係数よりも大きくして周波数ｆ2 で等しくす
る。このコイルＬ７と同調トランスＴ４の２次側コイル
Ｌ６の結合係数は、図２の様に同調トランスＴ４の２次
側コイルＬ６を、１次側コイルＬ５の上に巻回して、コ
イルＬ７のもれ磁束１７の影響を大きくすることによ
り、コイルＬ７と同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５
の結合係数よりも大きくしている。従って、同調トラン
スＴ４の２次側コイルＬ６の位置においてコイルＬ７か
ら発生した磁束と同調トランスＴ４の１次側コイルＬ５
から発生した磁束が逆方向で、かつ磁力ｍ１と磁力ｍ２
が等しくなる周波数ｆ2 で図７の様に減衰極１８が形成
される。
【００１３】図８は本発明の高周波同調回路の第２の実
施例を示す回路図である。図８において、１９と２０は
ドラムコア、Ｔ６は入力側の複合トランス、Ｔ７は同調
トランス、Ｔ８は出力側の複合トランス、Ｔ９は同調ト
ランス、Ｔ１０は広帯域トランスである。入力側の複合
トランスＴ６は、３枚鍔のドラムコア１９の別々の巻溝
に巻回された同調トランスＴ７とコイルＬ１０を有し、
同調トランスＴ７の１次側コイルＬ８を入力側とし、２
次側コイルＬ９に可変容量ダイオードＤ３を並列に接続
して同調回路が形成される。また、出力側の複合トラン
スＴ８は、３枚鍔のドラムコア２０の別々の巻溝に巻回
された同調トランスＴ９と広帯域トランスＴ１０を有
し、同調トランスＴ９の２次側コイルＬ１１と広帯域ト
ランスＴ１０の２次側コイルＬ１４を直列接続して出力
側とし、同調トランスＴ９の１次側コイルＬ１２の一端
に可変容量ダイオードＤ４を１次側コイルＬ１２と直列
になる様に接続して同調回路が形成され、１次側コイル
Ｌ１２の他端に広帯域トランスＴ１０の１次側コイルＬ
１３が接続される。そして、同調トランスＴ７の２次側
コイルＬ９と同調トランスＴ９の１次側コイルＬ１２を
接続して複同調回路を形成し、入力側の複合トランスＴ
６のコイルＬ１０が同調トランスＴ９の１次側コイルＬ
１２と広帯域トランスＴ１０の１次側コイルＬ１３の接
続点に接続される。可変容量ダイオードＤ３とＤ４は、
アノードがアースされる。なお、それぞれのコイルに付
された黒点は同極性を示している。この様に接続された
高周波同調回路は、入力側の複合トランスのＱL 値を入
力インピーダンスによりダンピングして出力側の複合ト
ランスＱL 値より小さくし、入力側の複合トランスＴ６
において、同調トランスＴ７の１次側コイルＬ８とコイ
ルＬ１０の結合係数を同調トランスＴ７の１次側コイル
Ｌ８と２次側コイルＬ９の結合係数よりも大きくしてコ
イルＬ１０の位置において同調トランスＴ７の１次側コ
イルＬ８の磁力と２次側コイルＬ９の磁力が等しくし、
かつ１次側コイルＬ８の磁束と２次側コイルＬ９の磁束
が逆方向になる周波数ｆ1 に減衰極を形成する。この入
力側の複合トランスＴ６からの信号は、出力側の複合ト
ランスＴ８において、同調トランスＴ９の１次側コイル
Ｌ１２と広帯域トランスＴ１０の１次側コイルＬ１３に
分割され、同調トランスＴ９の１次側コイルＬ１２の信
号が２次側コイルＬ１１に伝達され、広帯域トランスＴ
１０の１次側コイルＬ１３の信号が２次側コイルＬ１４
に伝達される。そして、同調トランスＴ９の１次側コイ
ルＬ１２の信号と広帯域トランスＴ１０の１次側コイル
Ｌ１３の信号が合成され、この２つの信号の電圧が等し
く、かつこの電圧の位相が１８０°異なる周波数ｆ1 よ
りも高い周波数ｆ2 で減衰極を形成している。
施例を示す回路図である。図８において、１９と２０は
ドラムコア、Ｔ６は入力側の複合トランス、Ｔ７は同調
トランス、Ｔ８は出力側の複合トランス、Ｔ９は同調ト
ランス、Ｔ１０は広帯域トランスである。入力側の複合
トランスＴ６は、３枚鍔のドラムコア１９の別々の巻溝
に巻回された同調トランスＴ７とコイルＬ１０を有し、
同調トランスＴ７の１次側コイルＬ８を入力側とし、２
次側コイルＬ９に可変容量ダイオードＤ３を並列に接続
して同調回路が形成される。また、出力側の複合トラン
スＴ８は、３枚鍔のドラムコア２０の別々の巻溝に巻回
された同調トランスＴ９と広帯域トランスＴ１０を有
し、同調トランスＴ９の２次側コイルＬ１１と広帯域ト
ランスＴ１０の２次側コイルＬ１４を直列接続して出力
側とし、同調トランスＴ９の１次側コイルＬ１２の一端
に可変容量ダイオードＤ４を１次側コイルＬ１２と直列
になる様に接続して同調回路が形成され、１次側コイル
Ｌ１２の他端に広帯域トランスＴ１０の１次側コイルＬ
１３が接続される。そして、同調トランスＴ７の２次側
コイルＬ９と同調トランスＴ９の１次側コイルＬ１２を
接続して複同調回路を形成し、入力側の複合トランスＴ
６のコイルＬ１０が同調トランスＴ９の１次側コイルＬ
１２と広帯域トランスＴ１０の１次側コイルＬ１３の接
続点に接続される。可変容量ダイオードＤ３とＤ４は、
アノードがアースされる。なお、それぞれのコイルに付
された黒点は同極性を示している。この様に接続された
高周波同調回路は、入力側の複合トランスのＱL 値を入
力インピーダンスによりダンピングして出力側の複合ト
ランスＱL 値より小さくし、入力側の複合トランスＴ６
において、同調トランスＴ７の１次側コイルＬ８とコイ
ルＬ１０の結合係数を同調トランスＴ７の１次側コイル
Ｌ８と２次側コイルＬ９の結合係数よりも大きくしてコ
イルＬ１０の位置において同調トランスＴ７の１次側コ
イルＬ８の磁力と２次側コイルＬ９の磁力が等しくし、
かつ１次側コイルＬ８の磁束と２次側コイルＬ９の磁束
が逆方向になる周波数ｆ1 に減衰極を形成する。この入
力側の複合トランスＴ６からの信号は、出力側の複合ト
ランスＴ８において、同調トランスＴ９の１次側コイル
Ｌ１２と広帯域トランスＴ１０の１次側コイルＬ１３に
分割され、同調トランスＴ９の１次側コイルＬ１２の信
号が２次側コイルＬ１１に伝達され、広帯域トランスＴ
１０の１次側コイルＬ１３の信号が２次側コイルＬ１４
に伝達される。そして、同調トランスＴ９の１次側コイ
ルＬ１２の信号と広帯域トランスＴ１０の１次側コイル
Ｌ１３の信号が合成され、この２つの信号の電圧が等し
く、かつこの電圧の位相が１８０°異なる周波数ｆ1 よ
りも高い周波数ｆ2 で減衰極を形成している。
【００１４】これらの高周波同調回路は、入力側の複合
トランスと出力側の複合トランスにおいてそれぞれ減衰
極が形成され、この減衰極を用いて同調周波数よりも高
い周波数に減衰極が２つ形成される。そして、一方の複
合トランスによって形成された減衰極の周波数を同調周
波数の１．６４倍付近とし、他方の複合トランスによっ
て形成された減衰極の周波数を同調周波数の２．５倍付
近とすることにより、受信帯域（５２０ＫＨｚ〜１７１
０ＫＨｚ）の高域側の受信周波数（例えば１４００ＫＨ
ｚ）に対応するイメージ周波数と受信帯域の低域側の受
信周波数（例えば６００ＫＨＺ）に対応するイメージ周
波数に減衰極が形成できる。これらの実施例における高
周波同調回路の特性は、図９の２１に示される様に、受
信帯域の高域側の受信周波数（例えば１４００ＫＨｚ）
に対応するイメージ周波数と受信帯域の低域側の受信周
波数（例えば６００ＫＨＺ）に対応するイメージ周波数
において減衰量が最大となる。そして、５２０ＫＨｚ〜
１７１０ＫＨｚの受信帯域内の受信周波数に対応するイ
メージ信号が抑圧される。なお、点線で示してある２２
は、従来の高周波同調回路の特性である。
トランスと出力側の複合トランスにおいてそれぞれ減衰
極が形成され、この減衰極を用いて同調周波数よりも高
い周波数に減衰極が２つ形成される。そして、一方の複
合トランスによって形成された減衰極の周波数を同調周
波数の１．６４倍付近とし、他方の複合トランスによっ
て形成された減衰極の周波数を同調周波数の２．５倍付
近とすることにより、受信帯域（５２０ＫＨｚ〜１７１
０ＫＨｚ）の高域側の受信周波数（例えば１４００ＫＨ
ｚ）に対応するイメージ周波数と受信帯域の低域側の受
信周波数（例えば６００ＫＨＺ）に対応するイメージ周
波数に減衰極が形成できる。これらの実施例における高
周波同調回路の特性は、図９の２１に示される様に、受
信帯域の高域側の受信周波数（例えば１４００ＫＨｚ）
に対応するイメージ周波数と受信帯域の低域側の受信周
波数（例えば６００ＫＨＺ）に対応するイメージ周波数
において減衰量が最大となる。そして、５２０ＫＨｚ〜
１７１０ＫＨｚの受信帯域内の受信周波数に対応するイ
メージ信号が抑圧される。なお、点線で示してある２２
は、従来の高周波同調回路の特性である。
【００１５】以上、本発明の高周波同調回路の実施例を
述べたが、本実施例に限られるものではない。例えば、
実施例では上側ヘテロダイン方式の場合を説明したが、
下側ヘテロダイン方式の場合も適用できる。下側ヘテロ
ダイン方式に適用する場合、第１の実施例では、入力側
の複合トランスにおいて、同調トランスの電圧の位相と
広帯域トランスの電圧の位相を受信周波数より低い周波
数で１８０°異ならせ、出力側の複合トランスにおい
て、同調トランスの２次側コイルの位置における同調ト
ランスの１次側コイルからの磁力とコイルからの磁力を
受信周波数より低い周波数で等しくなる様にすればよ
い。また、第２の実施例では、入力側の複合トランスに
おいて、コイルの位置における同調トランスの１次側コ
イルからの磁力と２次側コイルからの磁力を受信周波数
より低い周波数で等しくし、出力側の複合トランスにお
いて、同調トランスの電圧の位相と広帯域トランスの電
圧の位相を受信周波数より低い周波数で１８０°異なら
せればよい。
述べたが、本実施例に限られるものではない。例えば、
実施例では上側ヘテロダイン方式の場合を説明したが、
下側ヘテロダイン方式の場合も適用できる。下側ヘテロ
ダイン方式に適用する場合、第１の実施例では、入力側
の複合トランスにおいて、同調トランスの電圧の位相と
広帯域トランスの電圧の位相を受信周波数より低い周波
数で１８０°異ならせ、出力側の複合トランスにおい
て、同調トランスの２次側コイルの位置における同調ト
ランスの１次側コイルからの磁力とコイルからの磁力を
受信周波数より低い周波数で等しくなる様にすればよ
い。また、第２の実施例では、入力側の複合トランスに
おいて、コイルの位置における同調トランスの１次側コ
イルからの磁力と２次側コイルからの磁力を受信周波数
より低い周波数で等しくし、出力側の複合トランスにお
いて、同調トランスの電圧の位相と広帯域トランスの電
圧の位相を受信周波数より低い周波数で１８０°異なら
せればよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明の高周波同調回路は、同調周波数
対減衰極の周波数比を異ならせた第１の複合トランスと
第２の複合トランスを備え、第１の複合トランスと第２
の複合トランスを接続して同調周波数に対応する減衰極
が２つ形成され、受信周波数に応じて同調周波数を変化
させた場合でも２つの減衰極でイメージ信号を抑圧す
る。従って、一方の減衰極を受信帯域の高域側の受信周
波数に対応するイメージ周波数に合わせた場合でも、他
方の減衰極により受信帯域の低域側の受信周波数に対応
するイメージ周波数のイメージ信号を抑圧できる。ま
た、本発明の高周波同調回路は、同調周波数に対応する
減衰極が２つ形成されるので、受信帯域の全域における
イメージ減衰量を、従来のものより５〜１０ｄＢ改善で
きる。
対減衰極の周波数比を異ならせた第１の複合トランスと
第２の複合トランスを備え、第１の複合トランスと第２
の複合トランスを接続して同調周波数に対応する減衰極
が２つ形成され、受信周波数に応じて同調周波数を変化
させた場合でも２つの減衰極でイメージ信号を抑圧す
る。従って、一方の減衰極を受信帯域の高域側の受信周
波数に対応するイメージ周波数に合わせた場合でも、他
方の減衰極により受信帯域の低域側の受信周波数に対応
するイメージ周波数のイメージ信号を抑圧できる。ま
た、本発明の高周波同調回路は、同調周波数に対応する
減衰極が２つ形成されるので、受信帯域の全域における
イメージ減衰量を、従来のものより５〜１０ｄＢ改善で
きる。
【図１】 本発明の高周波同調回路の第１の実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】 図１のそれぞれのトランスをドラムコアに巻
回した状態を示す断面図である。
回した状態を示す断面図である。
【図３】 入力側の複合トランスの同調トランス及び広
帯域トランスのそれぞれの出力電圧特性を示す特性図で
ある。
帯域トランスのそれぞれの出力電圧特性を示す特性図で
ある。
【図４】 入力側の複合トランスの同調トランス及び広
帯域トランスのそれぞれの出力電圧の位相の状態を示す
特性図である。
帯域トランスのそれぞれの出力電圧の位相の状態を示す
特性図である。
【図５】 入力側の複合トランスの特性図である。
【図６】 出力側の複合トランスの同調トランスの２次
側コイルの位置における同調トランスの１次側コイルの
磁力とコイルの磁力を示す特性図である。
側コイルの位置における同調トランスの１次側コイルの
磁力とコイルの磁力を示す特性図である。
【図７】 高周波同調回路の特性図である。
【図８】 本発明の高周波同調回路の第２の実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図９】 高周波同調回路の特性図である。
【図１０】 従来の高周波同調回路の回路図である。
【図１１】 図１０のそれぞれのトランスをドラムコア
に巻回した状態を示す断面図である。
に巻回した状態を示す断面図である。
【図１２】 従来の高周波同調回路の特性図である。
１ ドラムコア ２ ドラムコア Ｔ１ 同調トランス Ｔ２ 広帯域トランス Ｔ３ 入力側の複合トランス Ｔ４ 同調トランス Ｔ５ 出力側の複合トランス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03J 3/20 H04B 1/10
Claims (15)
- 【請求項１】 同調周波数対減衰極の周波数比が互いに
異なる第１の複合トランスと第２の複合トランスを備
え、該第１の複合トランスと該第２の複合トランスを接
続して同調周波数に対応する減衰極が２つ形成され、受
信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合に、該２
つの減衰極でイメージ信号を抑圧することを特徴とする
高周波同調回路。 - 【請求項２】 同調周波数対減衰極の周波数比が互いに
異なる第１の複合トランスと第２の複合トランスを備
え、該第１の複合トランスと該第２の複合トランスを接
続して同調周波数に対応する減衰極が２つ形成され、受
信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合に、受信
周波数とイメージ周波数の比が１．５３倍以上２．７２
倍以下にあるイメージ信号を抑圧することを特徴とする
高周波同調回路。 - 【請求項３】 同調周波数対減衰極の周波数比を１．６
４倍付近にした第１の複合トランスと、同調周波数対減
衰極の周波数比を２．５倍付近にした第２の複合トラン
スを備え、該第１の複合トランスと該第２の複合トラン
スを接続して同調周波数に対応する減衰極が２つ形成さ
れ、受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合
に、該２つの減衰極でイメージ信号を抑圧することを特
徴とする高周波同調回路。 - 【請求項４】 同調周波数対減衰極の周波数比を２．５
倍付近にした第１の複合トランスと、同調周波数対減衰
極の周波数比を１．６４倍付近にした第２の複合トラン
スを備え、該第１の複合トランスと該第２の複合トラン
スを接続して同調周波数に対応する減衰極が２つ形成さ
れ、受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合
に、該２つの減衰極でイメージ信号を抑圧することを特
徴とする高周波同調回路。 - 【請求項５】 受信帯域の高域側における同調周波数の
イメージ周波数付近に第１の減衰極を形成する第１の複
合トランス、受信帯域の低域側における同調周波数のイ
メージ周波数付近に第２の減衰極を形成する第２の複合
トランスを備え、第１の複合トランスと第２の複合トラ
ンスを接続して同調周波数に対応する減衰極が２つ形成
され、受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合
に、該２つの減衰極でイメージ信号を抑圧することを特
徴とする高周波同調回路。 - 【請求項６】 第１の複合トランスのＱL 値を、第２の
複合トランスのＱL値よりも大きくした請求項１、２、
３、４、５のいずれかに記載の高周波同調回路。 - 【請求項７】 高周波同調回路が、複同調型の高周波同
調回路である請求項１、２、３、４、５、６のいずれか
に記載の高周波同調回路。 - 【請求項８】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルに可変容量素子を接続して第１の同調回路を形成して
ある第１の同調トランス及び、１次側コイルが該第１の
同調トランスの該１次側コイルと直列接続し、２次側コ
イルが第１の同調回路に接続する広帯域トランスからな
る第１の複合トランス並びに、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素
子を接続して第２の同調回路を形成してある第２の同調
トランス及び、該第１の同調トランスの２次側コイルに
接続されるコイルからなる第２の複合トランスを備え、 第１の同調トランスの２次側コイルと第２の同調トラン
スの１次側コイルを接続して複同調回路を形成し、 第１の同調回路の信号と広帯域トランスの２次側コイル
の信号が第２の複合トランスの該コイルで合成され、こ
の２つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる周
波数で第１の減衰極が形成され、 第２の複合トランスの該コイルと第２の同調トランスの
２次側コイル間の結合係数を、第２の複合トランスの該
コイルと第２の同調トランスの１次側コイル間の結合係
数よりも大きくし、該コイルと該第２の同調トランスの
１次側コイルの磁力が等しくかつ、互いの磁束が逆方向
になる周波数で第２の減衰極が形成され、 該第１の減衰極と該第２の減衰極が、同調周波数に対応
する２つの減衰極を形成し、 受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合に、該
２つの減衰極でイメージ信号を抑圧したことを特徴とす
る高周波同調回路。 - 【請求項９】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルに可変容量素子を接続して第１の同調回路を形成して
ある第１の同調トランス及び、１次側コイルが第１の同
調トランスの該１次側コイルと直列接続し、２次側コイ
ルが第１の同調回路に接続する広帯域トランスからなる
第１の複合トランス並びに、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素
子を接続して第２の同調回路を形成してある第２の同調
トランス及び、該第１の同調トランスの２次側コイルに
接続されるコイルからなる第２の複合トランスを備え、 第１の同調トランスの２次側コイルと第２の同調トラン
スの１次側コイルを接続して複同調回路を形成し、 第１の複合トランス及び第２の複合トランスは、それぞ
れ巻溝を２つもつ３枚鍔のドラムコアが使用され、 該第１の複合トランスは、第１の同調トランスと広帯域
トランスがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回さ
れ、 該第２の複合トランスは、第２の同調トランスとコイル
がドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、 第１の同調回路の信号と広帯域トランスの２次側コイル
の信号が第２の複合トランスの該コイルで合成され、こ
の２つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる周
波数で第１の減衰極が形成され、 第２の複合トランスの該コイルと第２の同調トランスの
２次側コイル間の結合係数を、第２の複合トランスの該
コイルと第２の同調トランスの１次側コイル間の結合係
数よりも大きくし、該コイルと該第２の同調トランスの
１次側コイルの磁力が等しくかつ、互いの磁束が逆方向
になる周波数で第２の減衰極が形成され、 該第１の減衰極と該第２の減衰極が、同調周波数に対応
する２つの減衰極を形成し、 受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合に、該
２つの減衰極でイメージ信号を抑圧したことを特徴とす
る高周波同調回路。 - 【請求項１０】 １次側コイルを入力側とし、２次側コ
イルに可変容量素子を接続して第１の同調回路を形成し
てある第１の同調トランス及び、コイルからなる第１の
複合トランス並びに、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素
子を接続して第２の同調回路を形成し、かつ、該第１の
複合トランスの該コイルに接続してある第２の同調トラ
ンス及び、１次側コイルが該第２の同調回路と該第１の
複合トランスの該コイルの接続点に接続し、２次側コイ
ルが該第２の同調トランスの該２次側コイルと直列接続
する広帯域トランスからなる第２の複合トランスを備
え、 第１の同調トランスの２次側コイルと第２の同調トラン
スの１次側コイルを接続して複同調回路を形成し、 第１の同調トランスの該１次側コイルと第１の複合トラ
ンスの該コイル間の結合係数を、第１の同調トランスの
該１次側コイルと第１の同調トランスの２次側コイル間
の結合係数よりも大きくし、該第１の同調トランスの１
次側コイルと該第１の同調トランスの該２次側コイルの
磁力が等しくかつ、互いの磁束が逆方向になる周波数で
第１の減衰極が形成され、 第１の複合トランスの該コイルの信号が該第２の同調ト
ランスと該広帯域トランスに分かれて伝達され、第２の
同調トランスの２次側コイルに伝達された信号と広帯域
トランスの２次側コイルに伝達された信号が合成され、
この２つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる
周波数で第２の減衰極が形成され、 該第１の減衰極と該第２の減衰極が、同調周波数に対応
する２つの減衰極を形成し、 受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合に、該
２つの減衰極でイメージ信号を抑圧したことを特徴とす
る高周波同調回路。 - 【請求項１１】 １次側コイルを入力側とし、２次側コ
イルに可変容量素子を接続して第１の同調回路を形成し
てある第１の同調トランス及び、コイルからなる第１の
複合トランス並びに、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素
子を接続して第２の同調回路を形成し、かつ、該第１の
複合トランスの該コイルに接続してある第２の同調トラ
ンス及び、１次側コイルが該第２の同調回路と該第１の
複合トランスの該コイルの接続点に接続し、２次側コイ
ルが該第２の同調トランスの該２次側コイルと直列接続
する広帯域トランスからなる第２の複合トランスを備
え、 第１の同調トランスの２次側コイルと第２の同調トラン
スの１次側コイルを接続して複同調回路を形成し、 第１の複合トランス及び第２の複合トランスは、それぞ
れ巻溝を２つもつ３枚鍔のドラムコアが使用され、 該第１の複合トランスは、第１の同調トランスとコイル
がドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回され、 該第２の複合トランスは、第２の同調トランスと広帯域
トランスがドラムコアのそれぞれの巻溝に別々に巻回さ
れ、 第１の同調トランスの該１次側コイルと第１の複合トラ
ンスの該コイル間の結合係数を、第１の同調トランスの
該１次側コイルと第１の同調トランスの２次側コイル間
の結合係数よりも大きくし、該第１の同調トランスの１
次側コイルと該第１の同調トランスの該２次側コイルの
磁力が等しくかつ、互いの磁束が逆方向になる周波数で
第１の減衰極が形成され、 第１の複合トランスの該コイルの信号が該第２の同調ト
ランスと該広帯域トランスに分かれて伝達され、第２の
同調トランスの２次側コイルに伝達された信号と広帯域
トランスの２次側コイルに伝達された信号が合成され、
この２つの信号の電位が等しくかつ、互いに逆相となる
周波数で第２の減衰極が形成され、 該第１の減衰極と該第２の減衰極が、同調周波数に対応
する２つの減衰極を形成し、 受信周波数に応じて同調周波数を変化させた場合に、該
２つの減衰極でイメージ信号を抑圧したことを特徴とす
る高周波同調回路。 - 【請求項１２】 同調周波数対第１の減衰極の周波数比
を１．６４倍付近にし、同調周波数対第２の減衰極の周
波数比を２．５倍付近にした請求項８、９、１０、１１
のいずれかに記載の高周波同調回路。 - 【請求項１３】 同調周波数対第１の減衰極の周波数比
を２．５倍付近にし、同調周波数対第２の減衰極の周波
数比を１．６４倍付近にした請求項８、９、１０、１１
のいずれかに記載の高周波同調回路。 - 【請求項１４】 受信帯域の高域側における同調周波数
のイメージ周波数付近に第１の減衰極の周波数を一致さ
せ、受信帯域の低域側における同調周波数のイメージ周
波数付近に第２の減衰極の周波数を一致させた請求項
８、９、１０、１１のいずれかに記載の高周波同調回
路。 - 【請求項１５】 第１の同調回路のＱL 値を第２の同調
回路のＱL 値よりも大きくし、受信帯域の低域側におけ
る同調周波数のイメージ周波数付近に第１の減衰極の周
波数を一致させ、受信帯域の高域側における同調周波数
のイメージ周波数付近に第２の減衰極の周波数を一致さ
せた請求項８、９、１０、１１のいずれかに記載の高周
波同調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07334240A JP3084221B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 高周波同調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07334240A JP3084221B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 高周波同調回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153772A JPH09153772A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3084221B2 true JP3084221B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18275118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07334240A Expired - Fee Related JP3084221B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 高周波同調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3084221B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2979282A1 (en) * | 2013-03-29 | 2016-02-03 | Koninklijke Philips N.V. | Multiple inductive component |
| CN115173881B (zh) * | 2022-07-05 | 2023-05-23 | 北京巨束科技有限公司 | 用于射频收发装置的衰减器和射频收发装置 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP07334240A patent/JP3084221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09153772A (ja) | 1997-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4507721A (en) | DC-DC Converter for remote power feeding | |
| JPH08115820A (ja) | コモンモードチョークコイル | |
| JP3084221B2 (ja) | 高周波同調回路 | |
| JPS5929382Y2 (ja) | テレビ共聴用分岐器 | |
| JP3107512B2 (ja) | 高周波同調回路 | |
| US4831661A (en) | RF tuning circuit | |
| JP3332798B2 (ja) | チューナの入力同調回路 | |
| JP3087434B2 (ja) | スイッチング電源 | |
| US5678212A (en) | Electronic tuning circuit for an AM receiver | |
| JP3517166B2 (ja) | 複同調トランス | |
| GB2293739A (en) | Balanced output driver | |
| JP3118411B2 (ja) | 同調回路 | |
| JP2580087Y2 (ja) | Ａｍステレオ放送受信機のバーアンテナ回路 | |
| JPS6214926B2 (ja) | ||
| JP2953991B2 (ja) | Ａｍ受信機用アンテナ同調コイル | |
| JP3410388B2 (ja) | 複同調トランス | |
| JP3517160B2 (ja) | 複同調トランス | |
| JPS5919480Y2 (ja) | 広帯域変成器回路 | |
| JPH066614Y2 (ja) | 電話機への妨害波の混入防止回路 | |
| JPH0328086B2 (ja) | ||
| JPH0713304Y2 (ja) | 分波回路 | |
| JPH0243367B2 (ja) | ||
| JPH0463628B2 (ja) | ||
| JP2591310B2 (ja) | 電子同調チューナにおける入力同調回路 | |
| JPH0113309B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |