JP3083281B2 - 高周波電力増幅モジュール - Google Patents
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電力増幅モ
ジュールに関する。 【０００２】 【従来の技術】最近、用途の多様化により移動時又は移
動中での通信が重要になっている。移動通信の手段とし
ては、無線方式が優れており、特にアンテナ寸法の縮小
化が可能なＶＨＦ−ＵＨＦ−Ｌバンドは使用し易いとい
う特徴を有する。このような移動通信の中で、携帯用無
線は小型、軽量が強く要求されている。このため、通信
機の中の重量増大に関与する駆動段や最終段の電力増幅
器は極めて重要な位置を占めている。 【０００３】ところで、従来の代表的な高周波電力増幅
モジュールとしては図３に示す構造のものが知られてい
る。即ち、図中の１は銅からなるヒートシンクであり、
このヒートシンク１には地導体層２が形成されている。
この地導体層２上には、セラミックサブアセンブリ３が
半田を介して接合されている。このセラミックサブアセ
ンブリ３は、前記地導体層２に半田を介して接合される
例えばアルミナ板４及び半導体チップの実装個所に位置
する熱伝導性の良好なベリリア（ＢｅＯ）板４を備えて
いる。これらアルミナ板４及びベリリア板５の表面には
回路導体６ａ〜６ｅが形成されている。これら回路基板
６ａ〜６ｅのうちの回路導体６ｃ，６ｅは、前記アルミ
ナ板４の上下方向に形成されたスルーホール７ａ，７ｂ
を通して前記地導体層２に結線されている。前記ベリリ
ア体５の回路導体６ｂ上には、半導体チップ例えば高出
力トランジスタ８が半田層を介してダイボンディングさ
れている。このトランジスタ８の電極( 図示せず) と前
記回路導体（例えば６ａ，６ｂ）とは、ワイヤ９のボン
ディングにより接続されている。また、前記回路導体６
ｅにはモジュールを外部回路と接続するためのリード１
０が半田層１１を介して接続されている。 【０００４】しかしながら、上述した図３に示す従来の
高周波電力増幅モジュールではヒートシンク１とトラン
ジスタ８が実装されたアルミナ板４及びベリリア板５等
を備えるセラミックサブアセンブリ３とを半田付けする
際、２３０〜２６０°Ｃの高温に曝されるため、それら
金属セラミックとの熱膨張差によって半田付けの終了後
の冷却時にモジュール全体にそりが発生したり、アルミ
ナ板４及びベリリア板５が割れたりする問題があった。
モジュール全体に反りが発生すると、モジュールの搭載
時、熱抵抗が増大して性能及び信頼性の低下を招く。ま
た、上記反りや割れ発生はヒートサイクル、パワーサイ
クル等の信頼性の上でも問題となる。さらに、ヒートシ
ンク１へのアルミナ板４やベリリア板５の半田付けの作
業は繁雑で、かつ構造の複雑化、部品点数の増加の要因
となるため、コストの上昇を招く問題がある。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するためになされたもので、全体の反りやセラミ
ックの割れ発生がなく、構造が極めて簡単な高性能、高
信頼性で安価な高周波電力増幅モジュールを提供しよう
とするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、窒化
アルミニウムからなるヒートシンクおよび窒化アルミニ
ウム層からなる窒化アルミニウムからなるセラミック基
板と、前記ヒートシンクおよび窒化アルミニウム層の間
に設けられた地導体層と、前記基板表面に設けられ、一
部が前記地導体層と結線される複数の回路導体と、これ
ら回路導体のうちの所望の回路導体に実装された高周波
電力増幅用半導体チップとを具備した高周波電力増幅モ
ジュールであって、前記地導体層から前記ヒートシンク
の裏面に達する挿入穴を有する高周波電力増幅モジュー
ルである。 【０００７】本願第２の発明は、前記地導体層および前
記回路導体は、前記セラミック基板と同時焼成により形
成される前記第１の発明に記載の高周波増幅モジュール
である。 【０００８】本願第３の発明は、前記地導体層および前
記回路導体は、タングステンまたはモリブデンからなる
前記第１の発明に記載の高周波電力増幅モジュールであ
る。 【０００９】 【発明の実施の形態】本発明の高周波電力増幅モジュー
ルは、セラミック基板の内部に地導体層を設けた構造に
なっているため、従来のようにヒートシンクとセラミッ
クとを半田により接続する必要が無い。その結果、全体
に反りが発生したり、割れが発生するなどの問題を解消
できる。又、セラミックとは別のヒートシンクを使用す
る必要が無く、部品点数を少なくでき、コストの低減化
を達成できる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 【００１１】図中の１１は、セラミック、例えば窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする焼結体からなる基
板（以下、ＡｌＮ基板と称する）である。このＡｌＮ基
板１１の内部（例えば表面から深さ約０．６ｍｍの箇
所）には、例えばタングステンからなる地導体層１２が
該基板１表面と平行となるように設けられている。ま
た、前記ＡｌＮ基板１１の表面には回路導体１３ａ〜１
３ｅが形成されている。これら回路導体１３ａ〜１３ｅ
は、タングステン層上にニッケルメッキ膜を被覆した構
造になっている。前記回路導体１３ａ〜１３ｅのうちの
回路導体１３ｃ，１３ｅは、前記地導体層１２上部のＡ
ｌＮ基板１１部分の上下方向に形成されたスルーホール
１４ａ、１４ｂを通して該地導体層１２に結線されてい
る。前記ＡｌＮ基板１１の回路導体１３ｂ上には、半導
体チップ例えば高出力トランジスタ１５が高温半田層
（例えば９５Ｐｂ／３．５Ｓｎ／１，５Ａｇ）を介して
ダイボンディングされている。このトランジスタ１５の
電極（図示せず）と前記回路導体（例えば１３ａ、１３
ｂ）とは、ワイヤ１６のボンディングにより接続されて
いる。また、前記回路導体１３ｅには、モジュールを外
部回路と接続するためのリード１７が半田層１８を介し
て接続されている。 【００１２】前述した内部に地導体層１２、表面に回路
導体１３ａ〜１３ｅが形成され、勝つ回路導体１３ｃ、
１３ｅを該地導体層１２に結線するためのスルーホール
１４ａ、１４ｂを有するＡｌＮ基板１１は次のような方
法により作成した。 【００１３】まず、常圧焼成用添加剤としての酸化イッ
トリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）を３重量％含む厚さ２ｍｍ及び
０．６ｍｍの２種の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）グリー
ンシートを用意した。つづいて、厚さ２ｍｍのＡｌＮグ
リーンシート上に実質的にタングステンで構成された導
体ペーストを２５０メッシュのスクリーンマスクを使用
して地導体層を形成するための印刷を施した後、１２０
°Ｃ、１５分間乾燥した。また、厚さ０．６ｍｍのＡｌ
Ｎグリーンシートに０．２５ｍｍφの貫通孔を形成し、
この貫通孔内にタングステンの導体ペーストを充填した
後、表面に回路導体を形成するための同導体ペーストの
印刷を行い、１２０°Ｃ、１５分間乾燥した。ひきつづ
き、前記２枚のグリーンシートを厚いグリーンシートの
導体ペースト印刷面と反対の面が当接するように重ねる
と共に、位置合わせした後、８０°Ｃの温度下にて１５
０ｋｇ／ｃｍ2 、１時間の圧接を行って積層した。つい
で、この積層体をＮ2 雰囲気中で７００°Ｃ、4 時間の
脱脂処理を施した後、Ｎ2 雰囲気中で1700°Ｃ、３時間
の焼結を行ない、更に表面のタングステンに厚さ２μｍ
の無電解めっき膜を形成することによって、前述した内
部に地導体層１２、表面に回路導体１３ａ〜１３ｅ等を
有するＡｌＮ基板１１を作成した。このＡｌＮ基板１１
は、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋであった。また、Ａｌ
Ｎ基板１１の反りは２００μｍ／インチであったが、前
記焼結時と同条件にて反りの矯正を実施したところ、５
０μｍ／インチまで平坦化された。 【００１４】しかして、本発明の高周波電力増幅モジュ
ールはＡｌＮ基板１１の内部に地導体層１２を設けた構
造になっているため、従来のようにヒートシンクとセラ
ミックとを半田により接合する必要が無い。その結果、
全体に反りが発生したり、割れが発生するなどの問題を
解消できる。特に、反り発生が小さく、かつ熱伝導性が
良好なＡｌＮ基板１１を用いることにより熱抵抗の低減
化を達成できる。 【００１５】事実、前述の構成のモジュールのＡｌＮ基
板１１裏面に東レ（株）製のトレーシリコーンコンパン
ドＳＨ−３４０を塗布し、無限大放熱板（Ａｌ）に搭載
してｐｎ接合−放熱板間の熱抵抗（平行状態）を実測し
たところ、８．２°Ｃ／Ｗであった。これは、前述した
図３に示すトランジスタの実装部をベリリア板とした従
来構造のモジュール（ヒートシンクの厚さは１．５ｍ
ｍ）の持つ７．４°Ｃ／Ｗと殆ど同じである。このよう
に従来構造のモジュールが高い熱伝導率（２４０Ｗ／ｍ
・Ｋ）を持つベリリア板を用いたにもかかわらず、熱抵
抗が増大するのは半田により該ベリリア板等をヒートシ
ンクに接合したことに起因するものである。 【００１６】更に、ＶＨＦトランジスタ 2SC2588 を実
装した以外、前述の電力増幅モジュールと同構成の一段
の電力増幅モジュールを試作したところ、コレクタ電圧
１３．２Ｖ、ベースリード電圧５Ｖ、入力電圧１５０ｍ
Ｗ、周波数１４４〜１４８ＭＨｚにおいて、出力約７Ｗ
が得られた。これは、図３に示す従来のＢｅＯ／Ａｌ2
Ｏ3 ／Ｃｕヒートシンク複合構造と殆ど同特性であっ
た。 【００１７】本発明は、前述の図１に示す電力増幅モジ
ュールの変形例であり、図１においては、回路導体１３
ｅにリード１７を半田層１８を介して接続し、ＡｌＮ基
板１１内部の接地としての地導体層１２をスルーホール
１４ｂ、該回路導体１３ｅ及びリード１７を通過して外
部に接続する構造としたが、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す
ようにＡｌＮ基板に切欠部１９ａ、１９ｂを設け、この
切欠部１９ａ、１９ｂ底部に基板１１裏面に達する締結
ボルトの挿入穴２０ａ、２０ｂを設けると共に、該切欠
部１９ａ、１９ｂ底部上まで基板１１内部の地導体層１
２を延出させる構造とし、該挿入穴２０ａ、２０ｂに図
示しないモジュールの締結ボルトを挿入し、このボルト
を前記地導体層１２の接地として利用できる。 【００１８】 【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の高周波電力
増幅モジュールによれば、基板の反り発生を防止でき、
熱抵抗の低減化を効果的に達成できる。
ジュールに関する。 【０００２】 【従来の技術】最近、用途の多様化により移動時又は移
動中での通信が重要になっている。移動通信の手段とし
ては、無線方式が優れており、特にアンテナ寸法の縮小
化が可能なＶＨＦ−ＵＨＦ−Ｌバンドは使用し易いとい
う特徴を有する。このような移動通信の中で、携帯用無
線は小型、軽量が強く要求されている。このため、通信
機の中の重量増大に関与する駆動段や最終段の電力増幅
器は極めて重要な位置を占めている。 【０００３】ところで、従来の代表的な高周波電力増幅
モジュールとしては図３に示す構造のものが知られてい
る。即ち、図中の１は銅からなるヒートシンクであり、
このヒートシンク１には地導体層２が形成されている。
この地導体層２上には、セラミックサブアセンブリ３が
半田を介して接合されている。このセラミックサブアセ
ンブリ３は、前記地導体層２に半田を介して接合される
例えばアルミナ板４及び半導体チップの実装個所に位置
する熱伝導性の良好なベリリア（ＢｅＯ）板４を備えて
いる。これらアルミナ板４及びベリリア板５の表面には
回路導体６ａ〜６ｅが形成されている。これら回路基板
６ａ〜６ｅのうちの回路導体６ｃ，６ｅは、前記アルミ
ナ板４の上下方向に形成されたスルーホール７ａ，７ｂ
を通して前記地導体層２に結線されている。前記ベリリ
ア体５の回路導体６ｂ上には、半導体チップ例えば高出
力トランジスタ８が半田層を介してダイボンディングさ
れている。このトランジスタ８の電極( 図示せず) と前
記回路導体（例えば６ａ，６ｂ）とは、ワイヤ９のボン
ディングにより接続されている。また、前記回路導体６
ｅにはモジュールを外部回路と接続するためのリード１
０が半田層１１を介して接続されている。 【０００４】しかしながら、上述した図３に示す従来の
高周波電力増幅モジュールではヒートシンク１とトラン
ジスタ８が実装されたアルミナ板４及びベリリア板５等
を備えるセラミックサブアセンブリ３とを半田付けする
際、２３０〜２６０°Ｃの高温に曝されるため、それら
金属セラミックとの熱膨張差によって半田付けの終了後
の冷却時にモジュール全体にそりが発生したり、アルミ
ナ板４及びベリリア板５が割れたりする問題があった。
モジュール全体に反りが発生すると、モジュールの搭載
時、熱抵抗が増大して性能及び信頼性の低下を招く。ま
た、上記反りや割れ発生はヒートサイクル、パワーサイ
クル等の信頼性の上でも問題となる。さらに、ヒートシ
ンク１へのアルミナ板４やベリリア板５の半田付けの作
業は繁雑で、かつ構造の複雑化、部品点数の増加の要因
となるため、コストの上昇を招く問題がある。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するためになされたもので、全体の反りやセラミ
ックの割れ発生がなく、構造が極めて簡単な高性能、高
信頼性で安価な高周波電力増幅モジュールを提供しよう
とするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、窒化
アルミニウムからなるヒートシンクおよび窒化アルミニ
ウム層からなる窒化アルミニウムからなるセラミック基
板と、前記ヒートシンクおよび窒化アルミニウム層の間
に設けられた地導体層と、前記基板表面に設けられ、一
部が前記地導体層と結線される複数の回路導体と、これ
ら回路導体のうちの所望の回路導体に実装された高周波
電力増幅用半導体チップとを具備した高周波電力増幅モ
ジュールであって、前記地導体層から前記ヒートシンク
の裏面に達する挿入穴を有する高周波電力増幅モジュー
ルである。 【０００７】本願第２の発明は、前記地導体層および前
記回路導体は、前記セラミック基板と同時焼成により形
成される前記第１の発明に記載の高周波増幅モジュール
である。 【０００８】本願第３の発明は、前記地導体層および前
記回路導体は、タングステンまたはモリブデンからなる
前記第１の発明に記載の高周波電力増幅モジュールであ
る。 【０００９】 【発明の実施の形態】本発明の高周波電力増幅モジュー
ルは、セラミック基板の内部に地導体層を設けた構造に
なっているため、従来のようにヒートシンクとセラミッ
クとを半田により接続する必要が無い。その結果、全体
に反りが発生したり、割れが発生するなどの問題を解消
できる。又、セラミックとは別のヒートシンクを使用す
る必要が無く、部品点数を少なくでき、コストの低減化
を達成できる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 【００１１】図中の１１は、セラミック、例えば窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする焼結体からなる基
板（以下、ＡｌＮ基板と称する）である。このＡｌＮ基
板１１の内部（例えば表面から深さ約０．６ｍｍの箇
所）には、例えばタングステンからなる地導体層１２が
該基板１表面と平行となるように設けられている。ま
た、前記ＡｌＮ基板１１の表面には回路導体１３ａ〜１
３ｅが形成されている。これら回路導体１３ａ〜１３ｅ
は、タングステン層上にニッケルメッキ膜を被覆した構
造になっている。前記回路導体１３ａ〜１３ｅのうちの
回路導体１３ｃ，１３ｅは、前記地導体層１２上部のＡ
ｌＮ基板１１部分の上下方向に形成されたスルーホール
１４ａ、１４ｂを通して該地導体層１２に結線されてい
る。前記ＡｌＮ基板１１の回路導体１３ｂ上には、半導
体チップ例えば高出力トランジスタ１５が高温半田層
（例えば９５Ｐｂ／３．５Ｓｎ／１，５Ａｇ）を介して
ダイボンディングされている。このトランジスタ１５の
電極（図示せず）と前記回路導体（例えば１３ａ、１３
ｂ）とは、ワイヤ１６のボンディングにより接続されて
いる。また、前記回路導体１３ｅには、モジュールを外
部回路と接続するためのリード１７が半田層１８を介し
て接続されている。 【００１２】前述した内部に地導体層１２、表面に回路
導体１３ａ〜１３ｅが形成され、勝つ回路導体１３ｃ、
１３ｅを該地導体層１２に結線するためのスルーホール
１４ａ、１４ｂを有するＡｌＮ基板１１は次のような方
法により作成した。 【００１３】まず、常圧焼成用添加剤としての酸化イッ
トリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）を３重量％含む厚さ２ｍｍ及び
０．６ｍｍの２種の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）グリー
ンシートを用意した。つづいて、厚さ２ｍｍのＡｌＮグ
リーンシート上に実質的にタングステンで構成された導
体ペーストを２５０メッシュのスクリーンマスクを使用
して地導体層を形成するための印刷を施した後、１２０
°Ｃ、１５分間乾燥した。また、厚さ０．６ｍｍのＡｌ
Ｎグリーンシートに０．２５ｍｍφの貫通孔を形成し、
この貫通孔内にタングステンの導体ペーストを充填した
後、表面に回路導体を形成するための同導体ペーストの
印刷を行い、１２０°Ｃ、１５分間乾燥した。ひきつづ
き、前記２枚のグリーンシートを厚いグリーンシートの
導体ペースト印刷面と反対の面が当接するように重ねる
と共に、位置合わせした後、８０°Ｃの温度下にて１５
０ｋｇ／ｃｍ2 、１時間の圧接を行って積層した。つい
で、この積層体をＮ2 雰囲気中で７００°Ｃ、4 時間の
脱脂処理を施した後、Ｎ2 雰囲気中で1700°Ｃ、３時間
の焼結を行ない、更に表面のタングステンに厚さ２μｍ
の無電解めっき膜を形成することによって、前述した内
部に地導体層１２、表面に回路導体１３ａ〜１３ｅ等を
有するＡｌＮ基板１１を作成した。このＡｌＮ基板１１
は、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋであった。また、Ａｌ
Ｎ基板１１の反りは２００μｍ／インチであったが、前
記焼結時と同条件にて反りの矯正を実施したところ、５
０μｍ／インチまで平坦化された。 【００１４】しかして、本発明の高周波電力増幅モジュ
ールはＡｌＮ基板１１の内部に地導体層１２を設けた構
造になっているため、従来のようにヒートシンクとセラ
ミックとを半田により接合する必要が無い。その結果、
全体に反りが発生したり、割れが発生するなどの問題を
解消できる。特に、反り発生が小さく、かつ熱伝導性が
良好なＡｌＮ基板１１を用いることにより熱抵抗の低減
化を達成できる。 【００１５】事実、前述の構成のモジュールのＡｌＮ基
板１１裏面に東レ（株）製のトレーシリコーンコンパン
ドＳＨ−３４０を塗布し、無限大放熱板（Ａｌ）に搭載
してｐｎ接合−放熱板間の熱抵抗（平行状態）を実測し
たところ、８．２°Ｃ／Ｗであった。これは、前述した
図３に示すトランジスタの実装部をベリリア板とした従
来構造のモジュール（ヒートシンクの厚さは１．５ｍ
ｍ）の持つ７．４°Ｃ／Ｗと殆ど同じである。このよう
に従来構造のモジュールが高い熱伝導率（２４０Ｗ／ｍ
・Ｋ）を持つベリリア板を用いたにもかかわらず、熱抵
抗が増大するのは半田により該ベリリア板等をヒートシ
ンクに接合したことに起因するものである。 【００１６】更に、ＶＨＦトランジスタ 2SC2588 を実
装した以外、前述の電力増幅モジュールと同構成の一段
の電力増幅モジュールを試作したところ、コレクタ電圧
１３．２Ｖ、ベースリード電圧５Ｖ、入力電圧１５０ｍ
Ｗ、周波数１４４〜１４８ＭＨｚにおいて、出力約７Ｗ
が得られた。これは、図３に示す従来のＢｅＯ／Ａｌ2
Ｏ3 ／Ｃｕヒートシンク複合構造と殆ど同特性であっ
た。 【００１７】本発明は、前述の図１に示す電力増幅モジ
ュールの変形例であり、図１においては、回路導体１３
ｅにリード１７を半田層１８を介して接続し、ＡｌＮ基
板１１内部の接地としての地導体層１２をスルーホール
１４ｂ、該回路導体１３ｅ及びリード１７を通過して外
部に接続する構造としたが、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す
ようにＡｌＮ基板に切欠部１９ａ、１９ｂを設け、この
切欠部１９ａ、１９ｂ底部に基板１１裏面に達する締結
ボルトの挿入穴２０ａ、２０ｂを設けると共に、該切欠
部１９ａ、１９ｂ底部上まで基板１１内部の地導体層１
２を延出させる構造とし、該挿入穴２０ａ、２０ｂに図
示しないモジュールの締結ボルトを挿入し、このボルト
を前記地導体層１２の接地として利用できる。 【００１８】 【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の高周波電力
増幅モジュールによれば、基板の反り発生を防止でき、
熱抵抗の低減化を効果的に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 高周波電力増幅モジュールの断面図。
【図２】 本願発明の実施例を示す平面図（ａ）および
その断面図（ｂ）。 【図３】 従来の高周波電力モジュールの断面図。 【符号の説明】 １１・・・ＡｌＮ基板、 １２・・・地導体層、 １３
ａ〜ｅ回路導体、 １４ａ、ｂ・・・スルーホール、
１５・・・半導体チップ（高出力トランジスタ）、 １
６・・・ワイヤ、 １７・・・リード、 １９ａ，ｂ・
・・切欠部、 ２０ａ，ｂ・・・締結ボルトの挿入穴
その断面図（ｂ）。 【図３】 従来の高周波電力モジュールの断面図。 【符号の説明】 １１・・・ＡｌＮ基板、 １２・・・地導体層、 １３
ａ〜ｅ回路導体、 １４ａ、ｂ・・・スルーホール、
１５・・・半導体チップ（高出力トランジスタ）、 １
６・・・ワイヤ、 １７・・・リード、 １９ａ，ｂ・
・・切欠部、 ２０ａ，ｂ・・・締結ボルトの挿入穴
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．窒化アルミニウムからなるヒートシンクおよび窒化
アルミニウム層からなる窒化アルミニウムからなるセラ
ミック基板と、前記ヒートシンクおよび窒化アルミニウ
ム層の間に設けられた地導体層と、前記基板表面に設け
られ、一部が前記地導体層と結線される複数の回路導体
と、これら回路導体のうちの所望の回路導体に実装され
た高周波電力増幅用半導体チップとを具備した高周波電
力増幅モジュールであって、 前記地導体層から前記ヒートシンクの裏面に達する挿入
穴を有することを特徴とする高周波電力増幅モジュー
ル。 ２．前記地導体層および前記回路導体は、前記セラミッ
ク基板と同時焼成により形成されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の高周波増幅モジュール。 ３．前記地導体層および前記回路導体は、タングステン
またはモリブデンからなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の高周波電力増幅モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197497A JP3083281B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 高周波電力増幅モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197497A JP3083281B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 高周波電力増幅モジュール |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61069224A Division JPH0744235B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 高周波電力増幅モジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189827A JPH10189827A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3083281B2 true JP3083281B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18420909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35197497A Expired - Lifetime JP3083281B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 高周波電力増幅モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3083281B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061080B2 (en) | 2001-06-11 | 2006-06-13 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Power module package having improved heat dissipating capability |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP35197497A patent/JP3083281B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10189827A (ja) | 1998-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |