JP3056538B2 - 等倍転写用ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
等倍転写用ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JP3056538B2 JP3056538B2 JP13229691A JP13229691A JP3056538B2 JP 3056538 B2 JP3056538 B2 JP 3056538B2 JP 13229691 A JP13229691 A JP 13229691A JP 13229691 A JP13229691 A JP 13229691A JP 3056538 B2 JP3056538 B2 JP 3056538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- ray
- mask
- pattern
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シンクロトロン放射
光を露光々とするＸ線リソグラフィ等において使用され
る等倍転写用Ｘ線マスクの製造方法に関する。
光を露光々とするＸ線リソグラフィ等において使用され
る等倍転写用Ｘ線マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シンクロトロン放射光を露光々として用
いるＸ線リソグラフィでは、工程の煩雑を来たすこと等
から、縮小投影露光法による露光はなされず、通常等倍
露光によるパターン転写が行なわれる。そのため、マス
ク精度が直接転写精度に影響することになり、メンブレ
ン材質を中心に様々な研究が盛んに行なわれている。
いるＸ線リソグラフィでは、工程の煩雑を来たすこと等
から、縮小投影露光法による露光はなされず、通常等倍
露光によるパターン転写が行なわれる。そのため、マス
ク精度が直接転写精度に影響することになり、メンブレ
ン材質を中心に様々な研究が盛んに行なわれている。
【０００３】一方、等倍転写用Ｘ線マスクの作成方法と
して一般的に知られているものは、基板上全面にメンブ
レン、吸収体を積層せしめた後、イオンビーム露光又は
電子ビーム露光とエッチングにより吸収体上に所望のパ
ターン（即ちマスクパターン）を形成し、又そのパター
ン形成前又は後にＸ線露光領域の基板をくりぬくバック
エッチを行なうというものである。
して一般的に知られているものは、基板上全面にメンブ
レン、吸収体を積層せしめた後、イオンビーム露光又は
電子ビーム露光とエッチングにより吸収体上に所望のパ
ターン（即ちマスクパターン）を形成し、又そのパター
ン形成前又は後にＸ線露光領域の基板をくりぬくバック
エッチを行なうというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記イオンビーム露光
や電子ビーム露光では、通常電磁偏向で処理できる範囲
（約600μm四方）を描画範囲としているため、それ以上
の範囲を描画しようとする場合は、その範囲を複数のフ
ィールドに分け、各フィールドの描画が終了する毎に次
のフィールドにステージを動かして再び描画を繰り返す
フィールド露光が行なわれる。そのため、上記イオンビ
ーム露光や電子ビーム露光では、このフィールド露光の
際のステージ移動機構における測長精度と位置決め・停
止精度によってパターン配置精度（長寸法精度）が決ま
ることになり、該フィールド露光時のパターン配置精度
は露光領域の大きさに依存せず、略一定の値となる〔現
状では約0.08μm（3σ）である〕。従って又露光領域中
の対象とするパターン寸法が小さくなってもこのパター
ン配置精度に変化はなく、相対的にこの配置精度はより
大きな問題となって浮上する。特に対象とする線幅が0.
1μm程度である場合は、この値は致命的な大きさとな
る。
や電子ビーム露光では、通常電磁偏向で処理できる範囲
（約600μm四方）を描画範囲としているため、それ以上
の範囲を描画しようとする場合は、その範囲を複数のフ
ィールドに分け、各フィールドの描画が終了する毎に次
のフィールドにステージを動かして再び描画を繰り返す
フィールド露光が行なわれる。そのため、上記イオンビ
ーム露光や電子ビーム露光では、このフィールド露光の
際のステージ移動機構における測長精度と位置決め・停
止精度によってパターン配置精度（長寸法精度）が決ま
ることになり、該フィールド露光時のパターン配置精度
は露光領域の大きさに依存せず、略一定の値となる〔現
状では約0.08μm（3σ）である〕。従って又露光領域中
の対象とするパターン寸法が小さくなってもこのパター
ン配置精度に変化はなく、相対的にこの配置精度はより
大きな問題となって浮上する。特に対象とする線幅が0.
1μm程度である場合は、この値は致命的な大きさとな
る。
【０００５】更にこの様なパターン配置精度の低さが、
半導体回路作成時に目標とする重ね合わせ精度をクリア
できないという問題をも引き起こすことになる。
半導体回路作成時に目標とする重ね合わせ精度をクリア
できないという問題をも引き起こすことになる。
【０００６】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、等倍転写用Ｘ線マスクの新たな製造
方法を提供し、以って面内位置精度の高いＸ線マスクを
提供せんとするものである。
創案されたもので、等倍転写用Ｘ線マスクの新たな製造
方法を提供し、以って面内位置精度の高いＸ線マスクを
提供せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そのため本発明は、マス
クを構成するメンブレン上に吸収体を積層せしめ、パタ
ーン露光を行なった後、エッチングを行なって該吸収体
を所望のパターンに加工することで等倍転写用Ｘ線マス
クを作る等倍転写用Ｘ線マスクの製造方法において、前
記パターン露光につき縮小投影Ｘ線露光を行ない、且つ
数種類の等倍転写用Ｘ線マスクを用いて半導体回路を製
造する時の一連のマスクシリーズに対し、同一の縮小投
影Ｘ線露光装置を用いて上記パターン露光を行なうこと
を基本的特徴としている。
クを構成するメンブレン上に吸収体を積層せしめ、パタ
ーン露光を行なった後、エッチングを行なって該吸収体
を所望のパターンに加工することで等倍転写用Ｘ線マス
クを作る等倍転写用Ｘ線マスクの製造方法において、前
記パターン露光につき縮小投影Ｘ線露光を行ない、且つ
数種類の等倍転写用Ｘ線マスクを用いて半導体回路を製
造する時の一連のマスクシリーズに対し、同一の縮小投
影Ｘ線露光装置を用いて上記パターン露光を行なうこと
を基本的特徴としている。
【０００８】上記縮小投影Ｘ線露光は、波長100オング
ストローム程度のＸ線を使用し、マスク１（本発明では
後述する縮小投影Ｘ線マスクとなる）、反射面がＲ状凸
面で構成された第１反射鏡20と反射面が球状凹面で構成
された第２反射鏡21から成るＸ線縮小光学系2、レジス
トを塗布したウェハ3の夫々を図１に示される様に配し
て実施されるＸ線露光法の１つであり、現在実験段階で
ウェハ処理プロセスにおける利用が検討されている。こ
の方法によれば縮小された像（マスクパターン）がウェ
ハ3上に投影されるため、その縮小率に応じてマスク1上
パターンの寸法及び配置精度は緩くなるという利点を持
つ。一方、上記光学系2の（Ｘ線反射率等の）制約から1
00オングストローム以上の比較的波長の長いＸ線を使用
しなければならない。この波長域のＸ線は媒質中の吸収
が大きいため真空中で露光する必要があり、又レジスト
中で吸収され易く、数十nmの深さまでしかＸ線が届かな
いため、該レジスト表面しか感光しない。従ってレジス
トパターンを作るためには多層レジストの様な複雑でス
ループットの不十分なプロセスを用いる必要があり、工
程が極めて煩雑になるという欠点を持つ。スループット
が絶対的に重要なウェハ処理プロセスでは、これは致命
的な欠陥となり、量産化に適合させる場合の最大の課題
となる。これに対し、本発明では等倍転写用Ｘ線マスク
の製造時に当該露光技術を用いるものであり、ウェハ処
理プロセスに適用された時の様にスループットが大きな
問題とはならない。
ストローム程度のＸ線を使用し、マスク１（本発明では
後述する縮小投影Ｘ線マスクとなる）、反射面がＲ状凸
面で構成された第１反射鏡20と反射面が球状凹面で構成
された第２反射鏡21から成るＸ線縮小光学系2、レジス
トを塗布したウェハ3の夫々を図１に示される様に配し
て実施されるＸ線露光法の１つであり、現在実験段階で
ウェハ処理プロセスにおける利用が検討されている。こ
の方法によれば縮小された像（マスクパターン）がウェ
ハ3上に投影されるため、その縮小率に応じてマスク1上
パターンの寸法及び配置精度は緩くなるという利点を持
つ。一方、上記光学系2の（Ｘ線反射率等の）制約から1
00オングストローム以上の比較的波長の長いＸ線を使用
しなければならない。この波長域のＸ線は媒質中の吸収
が大きいため真空中で露光する必要があり、又レジスト
中で吸収され易く、数十nmの深さまでしかＸ線が届かな
いため、該レジスト表面しか感光しない。従ってレジス
トパターンを作るためには多層レジストの様な複雑でス
ループットの不十分なプロセスを用いる必要があり、工
程が極めて煩雑になるという欠点を持つ。スループット
が絶対的に重要なウェハ処理プロセスでは、これは致命
的な欠陥となり、量産化に適合させる場合の最大の課題
となる。これに対し、本発明では等倍転写用Ｘ線マスク
の製造時に当該露光技術を用いるものであり、ウェハ処
理プロセスに適用された時の様にスループットが大きな
問題とはならない。
【０００９】即ち、本発明では等倍転写用Ｘ線マスク上
への露光を直接電子ビーム露光やイオンビーム露光で行
なうのではなく、該電子ビーム露光やイオンビーム露光
を用いて一旦縮小投影Ｘ線マスク（縮小前のパターンを
有する状態のものであって図１のマスク1に相当する）
を作り、その後上述の様な縮小投影Ｘ線露光構成を用い
て等倍転写用Ｘ線マスク上に縮小投影露光を行なう（で
き上がったものはウェハ処理プロセスにおけるＸ線等倍
転写に直接用いられたり、或いはそのマザーマスクとし
て用いられることになる）。この様に電子ビーム露光や
イオンビーム露光によって一旦図２(a)に示される様な
縮小投影露光用の大きなマスクにパターンを描画し、そ
れを前記縮小投影Ｘ線露光構成によって縮小すれば、同
図(b)に示される様にその縮小率分、配置歪も小さくな
る。そのため電子ビーム描画等のパターン配置精度もそ
の縮小率に応じて改善される。
への露光を直接電子ビーム露光やイオンビーム露光で行
なうのではなく、該電子ビーム露光やイオンビーム露光
を用いて一旦縮小投影Ｘ線マスク（縮小前のパターンを
有する状態のものであって図１のマスク1に相当する）
を作り、その後上述の様な縮小投影Ｘ線露光構成を用い
て等倍転写用Ｘ線マスク上に縮小投影露光を行なう（で
き上がったものはウェハ処理プロセスにおけるＸ線等倍
転写に直接用いられたり、或いはそのマザーマスクとし
て用いられることになる）。この様に電子ビーム露光や
イオンビーム露光によって一旦図２(a)に示される様な
縮小投影露光用の大きなマスクにパターンを描画し、そ
れを前記縮小投影Ｘ線露光構成によって縮小すれば、同
図(b)に示される様にその縮小率分、配置歪も小さくな
る。そのため電子ビーム描画等のパターン配置精度もそ
の縮小率に応じて改善される。
【００１０】一方、縮小投影露光法にも、それ特有の問
題として像面歪の問題があり、この歪によって実際に転
写されたマスクパターンの位置は絶対位置からずれるこ
とになる。しかし、一連のマスクシリーズを一台の縮小
投影露光装置で行なうと、常に同じ位置に同じ量だけず
れることになるため、本発明で縮小投影Ｘ線露光を行な
う時は、一連のマスクシリーズ（１の半導体回路を製造
する時に使用される数種類の等倍転写用Ｘ線マスク）に
対し、同一の露光装置を用いて行なうものとする。これ
によりウェハ処理プロセス時における重ね合わせ精度を
劣化させることがなくなる。
題として像面歪の問題があり、この歪によって実際に転
写されたマスクパターンの位置は絶対位置からずれるこ
とになる。しかし、一連のマスクシリーズを一台の縮小
投影露光装置で行なうと、常に同じ位置に同じ量だけず
れることになるため、本発明で縮小投影Ｘ線露光を行な
う時は、一連のマスクシリーズ（１の半導体回路を製造
する時に使用される数種類の等倍転写用Ｘ線マスク）に
対し、同一の露光装置を用いて行なうものとする。これ
によりウェハ処理プロセス時における重ね合わせ精度を
劣化させることがなくなる。
【００１１】このように、電子ビーム露光等におけるパ
ターン配置精度の問題は縮小投影Ｘ線露光の実施によっ
て解決されるが、本発明では、該縮小投影Ｘ線露光にお
ける像面歪の問題につき、一連のマスクシリーズに対し
同一の露光装置を用いることによって解決を図ろうとす
るものである。その結果製造された等倍転写用Ｘ線マス
クをウェハ処理プロセスに用いてスループットの高いＸ
線等倍転写を行なった場合、高い重ね合わせ精度が得ら
れる。例えば、縮小率1／5の縮小光学系を用いると、縮
小投影Ｘ線マスクで0.08μm位置歪があっても、結局0.0
16μmへと大幅に低減されることになる。
ターン配置精度の問題は縮小投影Ｘ線露光の実施によっ
て解決されるが、本発明では、該縮小投影Ｘ線露光にお
ける像面歪の問題につき、一連のマスクシリーズに対し
同一の露光装置を用いることによって解決を図ろうとす
るものである。その結果製造された等倍転写用Ｘ線マス
クをウェハ処理プロセスに用いてスループットの高いＸ
線等倍転写を行なった場合、高い重ね合わせ精度が得ら
れる。例えば、縮小率1／5の縮小光学系を用いると、縮
小投影Ｘ線マスクで0.08μm位置歪があっても、結局0.0
16μmへと大幅に低減されることになる。
【００１２】
【実施例】本発明法の具体的実施例を添付図面に基づ
き、以下説明する。
き、以下説明する。
【００１３】図３の(a)乃至(e)は、本発明の一実施例に
係る等倍転写用Ｘ線マスクの製造工程を順に示してい
る。 まず、本実施例では図３に示された工程に至る前に
電子ビーム描画により大きなマスクにパターンを描画
し、縮小投影Ｘ線マスクを作っておく。 次に図３(a)に示される様に基板10上にメンブレン1
1、吸収体12を積層する。 更にレジスト13をその上に塗布した後、縮小投影Ｘ
線露光を行ない、現像を行なって同図(b)に示されたレ
ジストパターン13aを形成する。 エッチングによりそのパターン13aを吸収体12に転
写し、吸収体パターン12aを得る（その後不用となった
レジストは除去する）。 基板10の裏面をくりぬくバックエッチを行ない、ウ
ィンドウ14を作る（この工程はの工程の前に行なうこ
とも可能である）。 必要に応じてガラスフレーム15に前記基板10を貼り
付ける（この工程は省略することもできる）。
係る等倍転写用Ｘ線マスクの製造工程を順に示してい
る。 まず、本実施例では図３に示された工程に至る前に
電子ビーム描画により大きなマスクにパターンを描画
し、縮小投影Ｘ線マスクを作っておく。 次に図３(a)に示される様に基板10上にメンブレン1
1、吸収体12を積層する。 更にレジスト13をその上に塗布した後、縮小投影Ｘ
線露光を行ない、現像を行なって同図(b)に示されたレ
ジストパターン13aを形成する。 エッチングによりそのパターン13aを吸収体12に転
写し、吸収体パターン12aを得る（その後不用となった
レジストは除去する）。 基板10の裏面をくりぬくバックエッチを行ない、ウ
ィンドウ14を作る（この工程はの工程の前に行なうこ
とも可能である）。 必要に応じてガラスフレーム15に前記基板10を貼り
付ける（この工程は省略することもできる）。
【００１４】本実施例では、以上の様な工程に従って一
連のマスクシリーズが製造されるが、そのうちの工程
における縮小投影Ｘ線露光の際には、これらの一連のマ
スクシリーズに対し、同一の露光装置を用いて行なっ
た。
連のマスクシリーズが製造されるが、そのうちの工程
における縮小投影Ｘ線露光の際には、これらの一連のマ
スクシリーズに対し、同一の露光装置を用いて行なっ
た。
【００１５】尚、縮小投影Ｘ線露光時の露光フィールド
（仮りにこれをＡ1とする）が等倍転写Ｘ線マスクのパ
ターン領域（仮りにこれをＡ2とする）より小さい場合
は、このパターン領域Ａ2の外にポジショナとなるパタ
ーンを予め設けておき、それを参照しながらステージ送
りを繰り返し、前記フィールド露光を行なう。それによ
ってフィールド露光の実施を原因とするマスクパターン
位置精度劣化の問題も大幅に改善されることになる。
（仮りにこれをＡ1とする）が等倍転写Ｘ線マスクのパ
ターン領域（仮りにこれをＡ2とする）より小さい場合
は、このパターン領域Ａ2の外にポジショナとなるパタ
ーンを予め設けておき、それを参照しながらステージ送
りを繰り返し、前記フィールド露光を行なう。それによ
ってフィールド露光の実施を原因とするマスクパターン
位置精度劣化の問題も大幅に改善されることになる。
【００１６】以上の実施例工程の実施により、電子ビー
ムやイオンビーム描画に伴なうパターン位置歪の問題が
大幅に低減され、ＬＳＩ作成時に高い重ね合わせ精度を
得ることが可能となる。ちなみに本実施例工程で製造さ
れた等倍転写用Ｘ線マスクを用いて等倍転写法によりＬ
ＳＩを作った場合と直接縮小投影Ｘ線露光法を使ってＬ
ＳＩを作った場合とを比較すると、以下の様な差異があ
る。 (1) 縮小投影Ｘ線露光法では上述の様にレンズの制約
から100オングストローム以上の比較的波長の長いＸ線
を用いる。この波長域のＸ線は媒質中の吸収が大きいた
め真空中で露光する必要があり、このことは扱う量が少
量のマスクではあまり大きな問題とはならないが、多量
に処理する必要のあるウェハプロセスでは大きな問題と
なる。 (2) 縮小投影Ｘ線露光法では長波長Ｘ線を用いるた
め、レジスト中での光吸収も大きく、従って数十nmの深
さまでしかＸ線が届かないので、レジスト表面しか感光
しないことになる。このような露光法でレジストパター
ンを作るためには多層レジストのような複雑でスループ
ットの不十分なプロセスを用いる必要がある。一方等倍
Ｘ線露光法では従来から用いられている単層レジストで
十分対応できる。従って、マスクメーキングからプロセ
スウェハ処理まで一貫して考えると、本発明のマスクを
用いてＬＳＩを作成する方がはるかに量産性に富む。 (3) 縮小投影Ｘ線露光法ではそのレンズの作成の困難
さから、露光フィールドの大きさが十分とれない。従っ
てフィールド露光の実施が必要となるが、ウェハプロセ
スでフィールド露光を行なうと極端にスループットを低
下させる。一方、本発明では縮小投影Ｘ線露光法を用い
てはいるものの、それはマスクを作る段階だけであり、
ウェハ処理のときは大フィールドの一括露光のため、マ
スク作成からウェハ処理まで含めたトータルのスループ
ットははるかに高い。
ムやイオンビーム描画に伴なうパターン位置歪の問題が
大幅に低減され、ＬＳＩ作成時に高い重ね合わせ精度を
得ることが可能となる。ちなみに本実施例工程で製造さ
れた等倍転写用Ｘ線マスクを用いて等倍転写法によりＬ
ＳＩを作った場合と直接縮小投影Ｘ線露光法を使ってＬ
ＳＩを作った場合とを比較すると、以下の様な差異があ
る。 (1) 縮小投影Ｘ線露光法では上述の様にレンズの制約
から100オングストローム以上の比較的波長の長いＸ線
を用いる。この波長域のＸ線は媒質中の吸収が大きいた
め真空中で露光する必要があり、このことは扱う量が少
量のマスクではあまり大きな問題とはならないが、多量
に処理する必要のあるウェハプロセスでは大きな問題と
なる。 (2) 縮小投影Ｘ線露光法では長波長Ｘ線を用いるた
め、レジスト中での光吸収も大きく、従って数十nmの深
さまでしかＸ線が届かないので、レジスト表面しか感光
しないことになる。このような露光法でレジストパター
ンを作るためには多層レジストのような複雑でスループ
ットの不十分なプロセスを用いる必要がある。一方等倍
Ｘ線露光法では従来から用いられている単層レジストで
十分対応できる。従って、マスクメーキングからプロセ
スウェハ処理まで一貫して考えると、本発明のマスクを
用いてＬＳＩを作成する方がはるかに量産性に富む。 (3) 縮小投影Ｘ線露光法ではそのレンズの作成の困難
さから、露光フィールドの大きさが十分とれない。従っ
てフィールド露光の実施が必要となるが、ウェハプロセ
スでフィールド露光を行なうと極端にスループットを低
下させる。一方、本発明では縮小投影Ｘ線露光法を用い
てはいるものの、それはマスクを作る段階だけであり、
ウェハ処理のときは大フィールドの一括露光のため、マ
スク作成からウェハ処理まで含めたトータルのスループ
ットははるかに高い。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述した本発明の等倍転写用Ｘ線マ
スクの製造方法によれば、縮小投影Ｘ線露光を行なう時
に、一連のマスクシリーズに対し同一の露光装置で行な
うと、像面歪があっても、常に同じ位置に同じ量だけず
れるため、ウェハ処理時の重ね合わせ精度が劣化せず、
上記等倍Ｘ線リソグラフィの合わせ精度はより一層向上
することになる。
スクの製造方法によれば、縮小投影Ｘ線露光を行なう時
に、一連のマスクシリーズに対し同一の露光装置で行な
うと、像面歪があっても、常に同じ位置に同じ量だけず
れるため、ウェハ処理時の重ね合わせ精度が劣化せず、
上記等倍Ｘ線リソグラフィの合わせ精度はより一層向上
することになる。
【図１】縮小投影Ｘ線露光法の実施構成例を示す概要図
である。
である。
【図２】縮小投影露光によるパターン配置歪の改善効果
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施例に係る等倍転写用Ｘ線マスク
の製造工程の説明図である。
の製造工程の説明図である。
1 マスク 2 縮小光学系 3 ウェハ 10 基板 11 メンブレン 12 吸収体 12a 吸収体パターン 13 レジスト 13a レジストパターン 14 ウィンドウ 15 ガラスフレーム 20 第１反射鏡 21 第２反射鏡
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−44915（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−117830（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−5388（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (1)
- 【請求項１】 マスクを構成するメンブレン上に吸収体
を積層せしめ、パターン露光を行なった後、エッチング
を行なって該吸収体を所望のパターンに加工することで
等倍転写用Ｘ線マスクを作る等倍転写用Ｘ線マスクの製
造方法において、前記パターン露光につき縮小投影Ｘ線
露光を行ない、且つ数種類の等倍転写用Ｘ線マスクを用
いて半導体回路を製造する時の一連のマスクシリーズに
対し、同一の縮小投影Ｘ線露光装置を用いて上記パター
ン露光を行なうことを特徴とする等倍転写用Ｘ線マスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13229691A JP3056538B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 等倍転写用ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13229691A JP3056538B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 等倍転写用ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582421A JPH0582421A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3056538B2 true JP3056538B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=15077977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13229691A Expired - Lifetime JP3056538B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 等倍転写用ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3056538B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP13229691A patent/JP3056538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582421A (ja) | 1993-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060292459A1 (en) | EUV reflection mask and method for producing it | |
| US20060008712A1 (en) | Exposure method, mask fabrication method, fabrication method of semiconductor device, and exposure apparatus | |
| JPH025010B2 (ja) | ||
| US5572564A (en) | Reflecting photo mask for x-ray exposure and method for manufacturing the same | |
| US6455203B1 (en) | Mask structure and method of manufacturing the same | |
| JP2000066366A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH10135103A (ja) | 荷電粒子線転写用マスクまたはｘ線転写用マスクの製造方法 | |
| Deguchi et al. | Fabrication of 0.2 μm large scale integrated circuits using synchrotron radiation x‐ray lithography | |
| US4349621A (en) | Process for X-ray microlithography using thin film eutectic masks | |
| JP3056538B2 (ja) | 等倍転写用ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP3187581B2 (ja) | Ｘ線装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイス製造方法 | |
| JP2002217100A (ja) | 電子ビーム近接露光用マスクの製作方法及びマスク | |
| KR100211012B1 (ko) | 리소그래픽마스크구조체와 그 생산방법 및 디바이스제조방법 | |
| US6972165B2 (en) | Electron beam exposure mask and electron beam exposure method using the same | |
| JPH05259046A (ja) | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 | |
| JP4224962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびマスク | |
| JP2004029461A (ja) | フォトマスク、露光方法及び半導体装置の製造方法 | |
| TW201910933A (zh) | 微影製程方法 | |
| JPH11274038A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
| JPS61102738A (ja) | レジスト膜パタ−ンの形成方法 | |
| JP2003133218A (ja) | 露光マスク、その製造方法、露光装置および露光方法 | |
| JPH08250420A (ja) | Ｘ線リソグラフィにおける複数フィールドの処理方法 | |
| Kawahira et al. | PMJ'99 panel discussion review: OPC mask technology for KrF lithography | |
| JPH1010706A (ja) | 電子線描画用ステンシルマスク | |
| JP4387700B2 (ja) | マスク検査方法、マスク製造方法および露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000404 |