JP3029023B2 - ボンディングツール - Google Patents

ボンディングツール

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JP3029023B2
JP3029023B2 JP9215659A JP21565997A JP3029023B2 JP 3029023 B2 JP3029023 B2 JP 3029023B2 JP 9215659 A JP9215659 A JP 9215659A JP 21565997 A JP21565997 A JP 21565997A JP 3029023 B2 JP3029023 B2 JP 3029023B2
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tape carrier
bonding
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一彦 大野
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボンディングツー
ルに係り、特に半導体パッケージの製造工程において、
パッドが形成された半導体素子と、インナーバンプを備
えたテープキャリアとを圧着するボンディングツールに
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に半導体パッケージは、半導体素子
に形成された回路の信号ラインおよび電源ラインを、外
部回路と結線し接続する必要がある。ここに、半導体素
子は、シリコン等の半導体に集積回路を形成したチップ
であり、チップそのままの形態での使用は、取扱が不便
・信頼性を確保できない等の不都合があるため、通常行
われない。この不都合への対策の一つとして、前記チッ
プを外部入出力端子を予め備えたテープキャリアに接合
し、これを樹脂にて封止し使用するテープキャリアパッ
ケージがある(TAB方式)。
【0003】一方、昨今の産業界の軽薄短小化の傾向を
受け、パッケージサイズが極めて小さいチップサイズパ
ッケージの開発が進められている。このチップサイズパ
ッケージに使用されるテープキャリアは、従来のTAB
方式で採用されていたテープと異なり、図3に示すよう
に、半導体チップ101の周辺部のパッド102と同一
位置にレーザ等で穿設されたスルーホールにメッキによ
り形成されたバンプ(突出電極)103を有したテープ
キャリア104が用いられている。該バンプ103はテ
ープ面より突出しており、パッド102との電気的な接
続をとる機能を有する。
【0004】従来、一般に半導体パッケージの製造工程
の中で半導体チップのパッドとテープキャリアのインナ
ーバンプとを接合する手段として、半導体チップとテー
プキャリアを位置決めした後、超音波を併用したシング
ルポイントボンディングが採用されてきた。この接合の
手順としては、先ず画像処理により半導体チップとテー
プキャリアとを位置合わせした後、前記シングルポイン
トボンディングをチップの周囲全辺に対して順次実施
し、接合を行っていた。しかし、この手段では、半導体
の高密度・高集積化が進むにつれ、外部に引き出す端子
数が増加し、ボンディングに要する時間が長くなり、ボ
ンディング装置のスループットが低下するという点が指
摘されていた。
【0005】そこで、第2の手段として、前述の画像処
理により位置合わせした後、半導体チップとテープキャ
リアとを接着し、その後、ボンディングする手段が考え
られている。この場合の半導体チップとテープキャリア
の位置関係は、前記図3に示したようになり、上方から
ボンディングツールにより力Fを加えてボンディングを
行うことになる。このような手段によれば、一気にパッ
ドとインナーバンプとの接合が可能となるので、ボンデ
ィング装置のスループットは向上する。
【0006】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、図4に
示すように、従来のボンディングツール110は、押圧
面111が平坦に形成されている。そのため、平坦なボ
ンディングツール110で押圧すると、インナーバンプ
103の部分に圧力が集中するので、半導体チップ10
1の表面とテープ接着面105とが均一に押圧されず、
接着強度が低くなるという問題がある。
【0007】そこで、本発明の目的は、パッドが形成さ
れた半導体チップとインナーバンプを備えたテープキャ
リアとをボンディングツールを用いて圧着する場合に、
半導体チップとテープキャリアとを接着強度をもって接
着させることが可能なボンディングツールを提供するこ
とである。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、半導体素子に形成されたパッドと、テー
プキャリアに備えられたインナーバンプとを当接させつ
つ、前記半導体素子とテープキャリアとを押圧するボン
ディングツールにおいて、 前記インナーバンプに対応
する位置に逃げ溝を形成したことを特徴とする。
【0009】このようにすれば、押圧時にインナーバン
プとパッドの部分は逃げ溝により押圧されないので、半
導体素子とテープキャリアとは均一に押圧され、例えば
接着強度をもって接着することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態例
に基づいて説明する。なお、既に説明した部分と同等部
分には同一符号を付し、重複記載を省略する。図1は本
実施形態例のボンディングツール等の斜視図、図2は該
ボンディングツールを使用して押圧した場合の断面図で
ある。
【0011】図1,図2に示すように、ボンディングツ
ール1は、図示しない押圧機に取り付ける円柱状の取付
部2と、該取付部2の下側に形成された直方体状の押圧
部3とにより構成されている。該押圧部3の下面には正
方形の平坦な押圧面3aが形成され、該押圧面3aの正
方形の各辺に沿って長手方向に直交する断面が長方形
の、4本の逃げ溝4a〜4dが形成されている。このボ
ンディングツール1は超硬材料により構成され、逃げ溝
4a〜4dは均一な深さに機械加工により形成されてい
る。
【0012】また、ボンディングツール1の下方にはテ
ープキャリア104が配置され、該テープキャリア10
4には正方形状に4列のインナーバンプ103が上面か
ら下面に突き抜けて配置されている。テープキャリア1
04の下面側には前記4列のインナーバンプ103が形
成する面積よりやや広い面積の、正方形の接着層105
が形成されている。更に、テープキャリア104の下方
には正方形の半導体チップ101が配置され、該チップ
101の上面には正方形の各辺に沿って4列のパッド1
02が形成されている。そして、前記4列の個々のパッ
ド102と4列の個々のインナーバンプ103とが対向
され、更に4個の逃げ溝4a〜4dが前述の各パッドの
列および各インナーバンプの列に対向されている。
【0013】次に本実施形態例の動作を説明する。半導
体チップ101に形成されたパッド102とテープキャ
リア104に備えられたインナーバンプ103とは、予
め図示しない位置決め装置によりアライメントされ、半
導体チップ101を固定加熱する加熱ステージ(図示せ
ず)上に固定されている。また、ボンディングツール1
は押圧機(図示せず)に取り付けられ、該ボンディング
ツール1が前記アライメントされた半導体チップ101
とテープキャリア104に対向した位置に位置決めされ
ている。
【0014】この状態で押圧機が作動し、ボンディング
ツール1はテープキャリア104を半導体チップ101
に対して押しつける。このとき、図2に示すように、パ
ッド102とインナーバンプ103とは相互に当接され
るが、該インナーバンプ103等の突起部は逃げ溝4a
〜4bにそれぞれ対応しているので、該パッド102,
インナーバンプ103を除いた部分には均等に圧力が加
えられる。
【0015】この押圧を所定圧力の下に所定時間だけ行
うと、テープキャリア104に設けられた接着層105
によりテープキャリア104と半導体チップ101とが
均一に接着される。接着部を図2に符号5aで示す。こ
のようにすれば、接着強度をもって半導体チップとテー
プキャリアとを接続することができる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、押
圧してもインナーバンプ部分とパッド部分との当接部に
圧力が加わらないので、半導体素子とテープキャリアと
を均一に押圧することができ、また、均一に接着するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態例のボンディングツールを使
用する場合における分解斜視図である。
【図2】同ボンディングツールを使用した場合の断面図
である。
【図3】従来のパッドの形成された半導体チップとイン
ナーバンプを備えたテープキャリアを圧着する場合の概
念図である。
【図4】従来のボンディングツールの斜視図である。
【符号の説明】
1 ボンディングツール 3 押圧部 3a 押圧面 4a〜4d 逃げ溝 101 半導体チップ 102 パッド 103 インナーバンプ 104 テープキャリア 105 接着層

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子に形成されたパッドと、テー
    プキャリアに備えられたインナーバンプとを当接させつ
    つ、前記半導体素子とテープキャリアとを押圧するボン
    ディングツールにおいて、 前記インナーバンプに対応する位置に逃げ溝を形成した
    ことを特徴とするボンディングツール。
  2. 【請求項2】 前記半導体素子のパッドに囲まれた内側
    部分と、前記テープキャリアのインナーバンプに囲まれ
    た内側部分とを押圧することを特徴とする請求項1記載
    のボンディングツール。
  3. 【請求項3】 前記テープキャリアにおける前記半導体
    素子と対向する押圧面側に接着層を形成したことを特徴
    とする請求項1または請求項2に記載のボンディングツ
    ール。
  4. 【請求項4】 前記半導体素子と前記テープキャリアと
    を押圧加熱するようにしたことを特徴とする請求項1乃
    至請求項3のいずれかに記載のボンディングツール。
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