JP3024792B2 - ガスサンプリング装置 - Google Patents
ガスサンプリング装置Info
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- JP3024792B2 JP3024792B2 JP2313138A JP31313890A JP3024792B2 JP 3024792 B2 JP3024792 B2 JP 3024792B2 JP 2313138 A JP2313138 A JP 2313138A JP 31313890 A JP31313890 A JP 31313890A JP 3024792 B2 JP3024792 B2 JP 3024792B2
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- gas
- flow path
- gas flow
- venturi
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/02—Devices for withdrawing samples
- G01N1/22—Devices for withdrawing samples in the gaseous state
- G01N1/24—Suction devices
- G01N2001/242—Injectors or ejectors
- G01N2001/244—Injectors or ejectors using critical flow orifices
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば自動車の排ガス中に含まれる排出物
質、すなわち、エミッション（例えばCO,CO2,HC,NOX,パ
ーティキュレート,SOXなど）の総量を測定するのに用い
られるガスサンプリング装置に関する。
質、すなわち、エミッション（例えばCO,CO2,HC,NOX,パ
ーティキュレート,SOXなど）の総量を測定するのに用い
られるガスサンプリング装置に関する。
上記総量測定を行う場合、一般には排ガス全量を所謂
CVS法によってサンプリングすることが行われ、サンプ
ルガスが流れるガス流路にCFV（Critical FLOW Ventur
i）と呼ばれるベンチュリとターボブロアなどの吸引装
置とを直列にしたものを介装すると共に、前記ベンチュ
リとして臨界ガス流量が異なるものを使用できるように
構成したガスサンプリング装置が用いられている。
CVS法によってサンプリングすることが行われ、サンプ
ルガスが流れるガス流路にCFV（Critical FLOW Ventur
i）と呼ばれるベンチュリとターボブロアなどの吸引装
置とを直列にしたものを介装すると共に、前記ベンチュ
リとして臨界ガス流量が異なるものを使用できるように
構成したガスサンプリング装置が用いられている。
ところで、このようなガスサンプリング装置において
は、サンプルガスの取り出し比率を高めるため、前記ベ
ンチュリとして臨界ガス流量の小なるものを使用した場
合、その臨界ガス流量が前記吸引装置の吸引能力（吸引
容量）の約1/3以下になると、所謂サージング現象が生
ずるところから、例えば特開昭59−225332号公報に示す
ように、サージング防止装置を設けている。
は、サンプルガスの取り出し比率を高めるため、前記ベ
ンチュリとして臨界ガス流量の小なるものを使用した場
合、その臨界ガス流量が前記吸引装置の吸引能力（吸引
容量）の約1/3以下になると、所謂サージング現象が生
ずるところから、例えば特開昭59−225332号公報に示す
ように、サージング防止装置を設けている。
第２図は上記公報に記載されたガスサンプリング装置
を概略的に示すもので、この図において、20はサンプル
ガスが流れるガス流路で、例えば自動車のエンジンのよ
うな排ガス源（図外）およびこの排ガス源からの排ガス
を適宜希釈するダイリューショントンネル（図外）の下
流側に設けられており、ベンチュリ21とターボブロアな
どの吸引装置22とが直列接続されて介装されている。2
3,24はベンチュリ21に対して取替え自在に配備されたベ
ンチュリで、排ガス源からの排ガス量に応じた臨界ガス
流量のベンチュリ（21,23,24の何れか一つ）を選択的に
用いることができるようにしてある。
を概略的に示すもので、この図において、20はサンプル
ガスが流れるガス流路で、例えば自動車のエンジンのよ
うな排ガス源（図外）およびこの排ガス源からの排ガス
を適宜希釈するダイリューショントンネル（図外）の下
流側に設けられており、ベンチュリ21とターボブロアな
どの吸引装置22とが直列接続されて介装されている。2
3,24はベンチュリ21に対して取替え自在に配備されたベ
ンチュリで、排ガス源からの排ガス量に応じた臨界ガス
流量のベンチュリ（21,23,24の何れか一つ）を選択的に
用いることができるようにしてある。
25はサージング防止装置で、フィルタ26と遮断弁27と
絞り弁28とを直列に接続してなる流路29を、ベンチュリ
21と吸引装置22との間の点Ｐに接続して構成してあり、
この流路29を介して所定量の外気（エヤー）を補充する
ことにより、臨界ガス流量の小なるベンチュリがガス流
路20に選択的に接続されて、吸引装置22の吸引能力の約
1/3以下になるような場合に、サージング現象が生じな
いようにしてある。
絞り弁28とを直列に接続してなる流路29を、ベンチュリ
21と吸引装置22との間の点Ｐに接続して構成してあり、
この流路29を介して所定量の外気（エヤー）を補充する
ことにより、臨界ガス流量の小なるベンチュリがガス流
路20に選択的に接続されて、吸引装置22の吸引能力の約
1/3以下になるような場合に、サージング現象が生じな
いようにしてある。
しかしながら、上記従来のガスサンプリング装置によ
れば、サージング防止装置25の上流側、すなわち、フィ
ルタ26の上流側が大気開放になっているため、吸引装置
22の吸引音やベンチュリ21を通過するガスが音速に達し
たときに発せられる高周波音がサージング防止装置25の
上流側から外部に漏れ出るといった不都合があった。
れば、サージング防止装置25の上流側、すなわち、フィ
ルタ26の上流側が大気開放になっているため、吸引装置
22の吸引音やベンチュリ21を通過するガスが音速に達し
たときに発せられる高周波音がサージング防止装置25の
上流側から外部に漏れ出るといった不都合があった。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、そ
の目的とするところは、吸引装置の吸引音やベンチュリ
を通過するガスが音速に達したときに発せられる高周波
音が外部に漏れ出ることがないガスサンプリング装置を
提供することにある。
の目的とするところは、吸引装置の吸引音やベンチュリ
を通過するガスが音速に達したときに発せられる高周波
音が外部に漏れ出ることがないガスサンプリング装置を
提供することにある。
上述の目的を達成するため、本発明は、排ガス流路の
下流側に接続されたダイリューショントンネルにおいて
希釈されたサンプルガスが流れるガス流路に、ベンチュ
リと吸引装置とを直列に接続して介装すると共に、前記
ベンチュリとして臨界ガス流量が異なるものを使用でき
るように構成されたガスサンプリング装置において、前
記ガス流路における前記吸引装置の下流側にサイレンサ
を設け、更に、前記ガス流路に対して閉ループをなすよ
うに前記ベンチュリと吸引装置との間の点と前記サイレ
ンサの下流側の点とを連絡流路で接続すると共に、この
連絡流路に絞り機構と仕切り弁とを直列に接続して介装
し、前記仕切り弁を開きながら前記絞り機構によって所
定量のガスを前記サイレンサおよび前記連絡流路を介し
て前記吸引装置に戻すことにより、臨界ガス流量の小な
るベンチュリが前記ガス流路に選択的に接続されて、前
記吸引装置の吸引能力の約1/3以下になるような場合
に、サージング現象が生じないように構成した点に特徴
がある。
下流側に接続されたダイリューショントンネルにおいて
希釈されたサンプルガスが流れるガス流路に、ベンチュ
リと吸引装置とを直列に接続して介装すると共に、前記
ベンチュリとして臨界ガス流量が異なるものを使用でき
るように構成されたガスサンプリング装置において、前
記ガス流路における前記吸引装置の下流側にサイレンサ
を設け、更に、前記ガス流路に対して閉ループをなすよ
うに前記ベンチュリと吸引装置との間の点と前記サイレ
ンサの下流側の点とを連絡流路で接続すると共に、この
連絡流路に絞り機構と仕切り弁とを直列に接続して介装
し、前記仕切り弁を開きながら前記絞り機構によって所
定量のガスを前記サイレンサおよび前記連絡流路を介し
て前記吸引装置に戻すことにより、臨界ガス流量の小な
るベンチュリが前記ガス流路に選択的に接続されて、前
記吸引装置の吸引能力の約1/3以下になるような場合
に、サージング現象が生じないように構成した点に特徴
がある。
上記構成よりなるガスサンプリング装置においては、
吸引装置の吸引能力が90m3/minであるとき、ガス流路に
選択的に接続されるベンチュリの臨界ガス流量が例えば
10m3/minであるとすると、絞り機構によって20m3/minの
ガスを流すようにすれば吸引装置には30m3/minのガスが
流れることになるので、サージングが生ずることがな
い。
吸引装置の吸引能力が90m3/minであるとき、ガス流路に
選択的に接続されるベンチュリの臨界ガス流量が例えば
10m3/minであるとすると、絞り機構によって20m3/minの
ガスを流すようにすれば吸引装置には30m3/minのガスが
流れることになるので、サージングが生ずることがな
い。
そして、この場合、絞り機構と仕切り弁とを含む連絡
流路が、ベンチュリと吸引装置とを設けたガス流路に対
して閉ループをなすように接続されているので、吸引装
置の吸引音やベンチュリを通過するガスが音速に達した
ときに発せられる高周波音が外部に漏れ出ることがな
い。
流路が、ベンチュリと吸引装置とを設けたガス流路に対
して閉ループをなすように接続されているので、吸引装
置の吸引音やベンチュリを通過するガスが音速に達した
ときに発せられる高周波音が外部に漏れ出ることがな
い。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説する。
第１図は本発明に係るガスサンプリング装置の一例を
示し、この図において、１は自動車、２は自動車１のエ
ンジン３からの排ガスを排出する排気管である。４は排
気管２の排気口2Aに接続された排ガス流路で、その下流
側はダイリューショントンネル５に接続されている。６
はダイリューショントンネル５の上流側に設けられるエ
ヤーフィルタである。７はダイリューショントンネル５
の下流側に設けられる熱交換器である。
示し、この図において、１は自動車、２は自動車１のエ
ンジン３からの排ガスを排出する排気管である。４は排
気管２の排気口2Aに接続された排ガス流路で、その下流
側はダイリューショントンネル５に接続されている。６
はダイリューショントンネル５の上流側に設けられるエ
ヤーフィルタである。７はダイリューショントンネル５
の下流側に設けられる熱交換器である。
８は熱交換器７の下流側に設けられるガス流路で、ダ
イリューショントンネル５において適宜希釈されたガス
（以下、サンプルガスと云う）Ｓが流れる。このガス流
路８にはベンチュリ（CFV）９とターボブロアのような
吸引装置10とが互いに直列接続して介装してある。11,1
2はベンチュリ９に対して取替え自在に配備されたベン
チュリで、これらのベンチュリ9,11,12のそれぞれの臨
界ガス流量は互いに異ならせてあり、例えばベンチュリ
９のそれは90m3/min、ベンチュリ11のそれは30m3/min、
ベンチュリ12のそれは10m3/minであるものとする。従っ
て、この場合、吸引装置10としては90m3/minの吸引能力
があればよい。そして、ベンチュリ9,11,12は、ガス流
路８を流れるサンプルガスＳの流量に応じた臨界ガス流
量のものが選択的に用いることができるようにしてあ
り、詳細な図示は省略するが、例えばベンチュリ9,11,1
2をユニット構成にして、ガス流路８に各別に接続でき
るようにしてもよく、また、ベンチュリ9,11,12の前後
にそれぞれ電磁弁を設けた状態でそれぞれを互いに並列
に接続して、所望のベンチュリのみをガス流路８に接続
するようにしてもよい。
イリューショントンネル５において適宜希釈されたガス
（以下、サンプルガスと云う）Ｓが流れる。このガス流
路８にはベンチュリ（CFV）９とターボブロアのような
吸引装置10とが互いに直列接続して介装してある。11,1
2はベンチュリ９に対して取替え自在に配備されたベン
チュリで、これらのベンチュリ9,11,12のそれぞれの臨
界ガス流量は互いに異ならせてあり、例えばベンチュリ
９のそれは90m3/min、ベンチュリ11のそれは30m3/min、
ベンチュリ12のそれは10m3/minであるものとする。従っ
て、この場合、吸引装置10としては90m3/minの吸引能力
があればよい。そして、ベンチュリ9,11,12は、ガス流
路８を流れるサンプルガスＳの流量に応じた臨界ガス流
量のものが選択的に用いることができるようにしてあ
り、詳細な図示は省略するが、例えばベンチュリ9,11,1
2をユニット構成にして、ガス流路８に各別に接続でき
るようにしてもよく、また、ベンチュリ9,11,12の前後
にそれぞれ電磁弁を設けた状態でそれぞれを互いに並列
に接続して、所望のベンチュリのみをガス流路８に接続
するようにしてもよい。
なお、ここまでの構成は従来のこの種のガスサンプリ
ング装置と変わるところはない。
ング装置と変わるところはない。
13は吸引装置10の下流側に設けられるサイレンサで、
吸引装置10が発する吸引音を低減するものである。14は
ベンチュリ９と吸引装置10との間の点Ｐとサイレンサ13
の下流側の点Ｑとを接続する連絡流路で、この連絡流路
14にはベンチュリ9,11,12と同様のベンチュリからなる
絞り機構15と電磁弁などの仕切り弁16とを直列に接続し
て介装してある。
吸引装置10が発する吸引音を低減するものである。14は
ベンチュリ９と吸引装置10との間の点Ｐとサイレンサ13
の下流側の点Ｑとを接続する連絡流路で、この連絡流路
14にはベンチュリ9,11,12と同様のベンチュリからなる
絞り機構15と電磁弁などの仕切り弁16とを直列に接続し
て介装してある。
而して、上記のガスサンプリング装置においては、ガ
ス流路８に最小の臨界ガス流量のベンチュリ12を接続
し、10m3/minのガス流量で使用する場合、仕切り弁16を
開くと連絡流路14からは絞り機構15の抵抗に応じた流量
のガスが流れ、この抵抗を20m3/minとすると、吸引装置
10が吸引する流量は30m3/minとなり、この場合、サージ
ング現象が生ずることはない。
ス流路８に最小の臨界ガス流量のベンチュリ12を接続
し、10m3/minのガス流量で使用する場合、仕切り弁16を
開くと連絡流路14からは絞り機構15の抵抗に応じた流量
のガスが流れ、この抵抗を20m3/minとすると、吸引装置
10が吸引する流量は30m3/minとなり、この場合、サージ
ング現象が生ずることはない。
そして、この場合、絞り機構15と仕切り弁16とを含む
連絡流路14が、ベンチュリ９（11,12）と吸引装置10と
を設けたガス流路８に対して閉ループをなすように接続
されているので、吸引装置10の吸引音やベンチュリ９
（11,12）を通過するサンプルガスＳが音速に達したと
きに発せられる高周波音が外部に漏れ出ることがない。
連絡流路14が、ベンチュリ９（11,12）と吸引装置10と
を設けたガス流路８に対して閉ループをなすように接続
されているので、吸引装置10の吸引音やベンチュリ９
（11,12）を通過するサンプルガスＳが音速に達したと
きに発せられる高周波音が外部に漏れ出ることがない。
特に、この実施例においては、連絡流路14の上流側を
サイレンサ13の下流側の点Ｑにおいてガス流路８に接続
しているので、前記点Ｑからベンチュリ12と吸引装置10
との間の点Ｐへ所定量のガスが吸引装置10にフィードバ
ックされ、サージング現象が生ずることはない上に、吸
引装置10の吸収音やベンチュリ９（11,12）において生
ずる高周波音が可及的に小さくなる。
サイレンサ13の下流側の点Ｑにおいてガス流路８に接続
しているので、前記点Ｑからベンチュリ12と吸引装置10
との間の点Ｐへ所定量のガスが吸引装置10にフィードバ
ックされ、サージング現象が生ずることはない上に、吸
引装置10の吸収音やベンチュリ９（11,12）において生
ずる高周波音が可及的に小さくなる。
なお、本発明は上記実施例に限られるものではなく、
絞り機構15としては上記ベンチュリの他、絞り弁などを
用いてもよい。
絞り機構15としては上記ベンチュリの他、絞り弁などを
用いてもよい。
本発明は以上のように構成されるので、臨界ガス流量
の小なるベンチュリがガス流路に接続された場合におい
て、吸引装置の吸引能力の約1/3以下になるようなとき
にでも、サージング現象が生ずることがないのは勿論の
こと、吸引装置の吸引音やベンチュリを通過するガスが
音速に達したときに発せられる高周波音が外部に漏れ出
ることがない。
の小なるベンチュリがガス流路に接続された場合におい
て、吸引装置の吸引能力の約1/3以下になるようなとき
にでも、サージング現象が生ずることがないのは勿論の
こと、吸引装置の吸引音やベンチュリを通過するガスが
音速に達したときに発せられる高周波音が外部に漏れ出
ることがない。
そして、本発明によれば、ガス流路に接続するベンチ
ュリとしてその臨界ガス流量の値が任意のものを選ぶこ
とができるので、それだけ、流量レンジを拡大すること
ができ、従って、この種のガスサンプリング装置の適用
範囲を拡大することができるに至った。
ュリとしてその臨界ガス流量の値が任意のものを選ぶこ
とができるので、それだけ、流量レンジを拡大すること
ができ、従って、この種のガスサンプリング装置の適用
範囲を拡大することができるに至った。
第１図は本発明に係るガスサンプリング装置の一例を示
す構成図である。 第２図は従来技術を説明するための図である。 ４……排ガス流路、５……ダイリューショントンネル、
８……ガス流路、9,11,12……ベンチュリ、10……吸引
装置、13……サイレンサ、14……連絡流路、15……絞り
機構、16……仕切り弁、P,Q……接続点、Ｓ……サンプ
ルガス。
す構成図である。 第２図は従来技術を説明するための図である。 ４……排ガス流路、５……ダイリューショントンネル、
８……ガス流路、9,11,12……ベンチュリ、10……吸引
装置、13……サイレンサ、14……連絡流路、15……絞り
機構、16……仕切り弁、P,Q……接続点、Ｓ……サンプ
ルガス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−225332（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−67452（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−132929（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−187353（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−100515（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−146113（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 1/22
Claims (1)
- 【請求項１】排ガス流路の下流側に接続されたダイリュ
ーショントンネルにおいて希釈されたサンプルガスが流
れるガス流路に、ベンチュリと吸引装置とを直列に接続
して介装すると共に、前記ベンチュリとして臨界ガス流
量が異なるものを使用できるように構成されたガスサン
プリング装置において、前記ガス流路における前記吸引
装置の下流側にサイレンサを設け、更に、前記ガス流路
に対して閉ループをなすように前記ベンチュリと吸引装
置との間の点と前記サイレンサの下流側の点とを連絡流
路で接続すると共に、この連絡流路に絞り機構と仕切り
弁とを直列に接続して介装し、前記仕切り弁を開きなが
ら前記絞り機構によって所定量のガスを前記サイレンサ
および前記連絡流路を介して前記吸引装置に戻すことに
より、臨界ガス流量の小なるベンチュリが前記ガス流路
に選択的に接続されて、前記吸引装置の吸引能力の約1/
3以下になるような場合に、サージング現象が生じない
ように構成したことを特徴とするガスサンプリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313138A JP3024792B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | ガスサンプリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2313138A JP3024792B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | ガスサンプリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184140A JPH04184140A (ja) | 1992-07-01 |
| JP3024792B2 true JP3024792B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=18037556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313138A Expired - Fee Related JP3024792B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | ガスサンプリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3024792B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6093654B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2017-03-08 | 株式会社堀場製作所 | 排ガスサンプリング装置 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2313138A patent/JP3024792B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04184140A (ja) | 1992-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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