JPH07104233B2 - ガスサンプリング装置 - Google Patents
ガスサンプリング装置Info
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- JPH07104233B2 JPH07104233B2 JP62292582A JP29258287A JPH07104233B2 JP H07104233 B2 JPH07104233 B2 JP H07104233B2 JP 62292582 A JP62292582 A JP 62292582A JP 29258287 A JP29258287 A JP 29258287A JP H07104233 B2 JPH07104233 B2 JP H07104233B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば自動車の排ガス中に含まれる排出物
質、即ち、エミッション（例えばCO,CO2,HC,NOX,パーテ
ィキュレート,SOX等）の総量を測定するのに用いられる
ガスサンプリング装置に関する。
質、即ち、エミッション（例えばCO,CO2,HC,NOX,パーテ
ィキュレート,SOX等）の総量を測定するのに用いられる
ガスサンプリング装置に関する。
上記総量測定を行う場合、一般には排ガス全量を所謂CV
S法によってサンプリングすることが行われているが、
この種サンプリング装置は構成がきわめて大掛かりであ
り、高価であるといった欠点があり、特に、被試験車が
トラックやバス等の大型車の場合、この点がユーザの大
きな負担になっていた。
S法によってサンプリングすることが行われているが、
この種サンプリング装置は構成がきわめて大掛かりであ
り、高価であるといった欠点があり、特に、被試験車が
トラックやバス等の大型車の場合、この点がユーザの大
きな負担になっていた。
これに対して、例えば特開昭60−127420号公報に示す
ように、エンジン等排ガス源から排出された排気ガスを
流す排気通路の中間部に流路抵抗が等しい複数の配管に
よって形成され、前記排気通路内のガスの排気ガスを均
一に分割する比例分割器を設けると共に、この比例分割
器を構成する各配管の何れかによってサンプルプローブ
を形成し、このサンプルプローブによって前記排気通路
内の排気ガス流量に比例した排気ガスサンプルを取り出
すようにしたガスサンプリング装置や、「自動車技
術」Vol.40,No.11,1986.1455頁〜1466頁に示すように、
エジェクタを用いて排気ガスの一部を吸引するようにし
た所謂エジェクタ方式のガスサンプリング装置が提案又
は開発されている。
ように、エンジン等排ガス源から排出された排気ガスを
流す排気通路の中間部に流路抵抗が等しい複数の配管に
よって形成され、前記排気通路内のガスの排気ガスを均
一に分割する比例分割器を設けると共に、この比例分割
器を構成する各配管の何れかによってサンプルプローブ
を形成し、このサンプルプローブによって前記排気通路
内の排気ガス流量に比例した排気ガスサンプルを取り出
すようにしたガスサンプリング装置や、「自動車技
術」Vol.40,No.11,1986.1455頁〜1466頁に示すように、
エジェクタを用いて排気ガスの一部を吸引するようにし
た所謂エジェクタ方式のガスサンプリング装置が提案又
は開発されている。
しかしながら、上記の従来技術においては、例えば排
ガス源がディーゼルエンジンの場合、比例分割器を構成
する各配管に、パーティキュレートやオイルミスト等が
付着し、そのため、分流比が変化して安定して分流し得
ないという欠点があると共に、前記付着によって排ガス
中のエミッションが変質し、特定エミッションの総量を
精密に測定し難いといった欠点がある。
ガス源がディーゼルエンジンの場合、比例分割器を構成
する各配管に、パーティキュレートやオイルミスト等が
付着し、そのため、分流比が変化して安定して分流し得
ないという欠点があると共に、前記付着によって排ガス
中のエミッションが変質し、特定エミッションの総量を
精密に測定し難いといった欠点がある。
又、上記の従来技術においては、排ガス量がダイナミ
ックに変化する場合、希釈用ガス（例えば空気）の量も
それに応じて変化するように制御する必要があるが、こ
の制御は前記変化に追従しきれず時間遅れが生ずるとこ
ろから、トランジェント走行には適用が困難であるとい
った欠点がある。
ックに変化する場合、希釈用ガス（例えば空気）の量も
それに応じて変化するように制御する必要があるが、こ
の制御は前記変化に追従しきれず時間遅れが生ずるとこ
ろから、トランジェント走行には適用が困難であるとい
った欠点がある。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的のするところは、小型かつ低コストで、しかもトラ
ンジェント走行に対応し得るガスサンプリング装置を提
供することにある。
目的のするところは、小型かつ低コストで、しかもトラ
ンジェント走行に対応し得るガスサンプリング装置を提
供することにある。
上述の目的を達成するため、本発明に係るガスサンプリ
ング装置は、サンプルガスが流れるガス流路に、大小２
つのベンチュリを互いに並列に接続し、小さいベンチュ
リの下流側を、希釈ガスが流れる希釈用ガス流路に接続
し、この希釈用ガス流路に、定流量装置とガスサンプリ
ング流路とを互いに並列に接続し、更に、前記大きいベ
ンチュリと小さいベンチュリはそのベンチュリ全差圧に
対するガス流量の特性が、互いに相似形になるように形
成され、一方、前記定流量装置がベンチュリを有し、前
記ガスサンプリング流路には上流側から順次、定流量を
吸引するポンプ及びベンチュリを設け、しかも、前記大
きいベンチュリ、小さいベンチュリを流れるガス流量の
変化に対して前記定流量装置のベンチュリを流れるガス
流量と前記ガスサンプリング流路のベンチュリを流れる
ガス流量との比率が変化するように前記ポンプの回転数
を制御する制御部を設けた点に特徴がある。
ング装置は、サンプルガスが流れるガス流路に、大小２
つのベンチュリを互いに並列に接続し、小さいベンチュ
リの下流側を、希釈ガスが流れる希釈用ガス流路に接続
し、この希釈用ガス流路に、定流量装置とガスサンプリ
ング流路とを互いに並列に接続し、更に、前記大きいベ
ンチュリと小さいベンチュリはそのベンチュリ全差圧に
対するガス流量の特性が、互いに相似形になるように形
成され、一方、前記定流量装置がベンチュリを有し、前
記ガスサンプリング流路には上流側から順次、定流量を
吸引するポンプ及びベンチュリを設け、しかも、前記大
きいベンチュリ、小さいベンチュリを流れるガス流量の
変化に対して前記定流量装置のベンチュリを流れるガス
流量と前記ガスサンプリング流路のベンチュリを流れる
ガス流量との比率が変化するように前記ポンプの回転数
を制御する制御部を設けた点に特徴がある。
上記構成のガスサンプリング装置においては、ガス流路
内を流れるサンプルガスは、互いに並列接続された大小
２つのベンチュリによって所定の分流比に分流され、小
さいベンチュリを経たサンプルガスは希釈用ガス流路に
おいて希釈される。そして、この希釈されたサンプルガ
スは、互いに並列接続された定流量装置とガスサンプリ
ング流路とによって、所定の分流比に分流される。ま
た、大小２つのベンチュリのガス流量の特性はその製作
方法、形状によって完全に互いに相似形にし得ないこと
がある他、ガス流量の変化によって微妙に変化すること
があり、前記大きいベンチュリを流れるガス流量と小さ
いベンチュリを流れるガス流量との分流比を設定値通り
に維持できないことがあるけれども、前記ポンプの吸引
量を前記制御部で制御することにより、大きいベンチュ
リ、小さいベンチュリを流れるガス流量の変化に対して
前記定流量装置のベンチュリを流れるガス流量と前記ガ
スサンプリング流路のベンチュリを流れるガス流量との
比率を変化させることができ、それによって、トータル
の分流精度を高めることができる。
内を流れるサンプルガスは、互いに並列接続された大小
２つのベンチュリによって所定の分流比に分流され、小
さいベンチュリを経たサンプルガスは希釈用ガス流路に
おいて希釈される。そして、この希釈されたサンプルガ
スは、互いに並列接続された定流量装置とガスサンプリ
ング流路とによって、所定の分流比に分流される。ま
た、大小２つのベンチュリのガス流量の特性はその製作
方法、形状によって完全に互いに相似形にし得ないこと
がある他、ガス流量の変化によって微妙に変化すること
があり、前記大きいベンチュリを流れるガス流量と小さ
いベンチュリを流れるガス流量との分流比を設定値通り
に維持できないことがあるけれども、前記ポンプの吸引
量を前記制御部で制御することにより、大きいベンチュ
リ、小さいベンチュリを流れるガス流量の変化に対して
前記定流量装置のベンチュリを流れるガス流量と前記ガ
スサンプリング流路のベンチュリを流れるガス流量との
比率を変化させることができ、それによって、トータル
の分流精度を高めることができる。
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るガスサンプリング装置の一例を示
し、同図において、１は自動車、２は自動車１のエンジ
ン３から排出される排ガス（以下、サンプルガスと云
う）Ｇを排出する排気管である。
し、同図において、１は自動車、２は自動車１のエンジ
ン３から排出される排ガス（以下、サンプルガスと云
う）Ｇを排出する排気管である。
４は排気管２の排気口2Aに接続されたガス流路で、その
下流側にはサイズが異なる大小２つのベンチュリ5,6が
互いに並列となるように接続してあり、ガス流路４を経
てきたサンプルガスＧが分岐点ａにおいて所定の分流
比、例えば99:1で分流するようにしてある。
下流側にはサイズが異なる大小２つのベンチュリ5,6が
互いに並列となるように接続してあり、ガス流路４を経
てきたサンプルガスＧが分岐点ａにおいて所定の分流
比、例えば99:1で分流するようにしてある。
即ち、ベンチュリ5,6を流れるガス流量Q5,Q6は通常、ベ
ンチュリ差圧、入口圧、ガス温度、ガス組成、ベンチュ
リサイズ等の要素によって決定されるが、本発明におい
ては、ベンチュリ5,6は、ベンチュリサイズ以外の要素
は全て同一にしてあって、これら２つのベンチュリ5,6
はそのベンチュリ全差圧ΔＰに対するガス流量Ｑの特性
が、互いに相似形になるように形成されている。即ち、
ベンチュリ5,6は、例えば第２図（Ａ），（Ｂ）にそれ
ぞれ示すような流量特性を有し、両図を互いに重ね合わ
せたとき両曲線は重なり合い、前記ガス流量Q5,;Q6が9
9:1となるようにベンチュリサイズ（例えば開口断面
積）が設定してあり、従って、小さいベンチュリ６を流
れるガス流量Q6はガス流路４を流れるサンプルガスＧの
流量の1/100である。尚、７はベンチュリ５の下流側に
設けている排気用のブロアーである。
ンチュリ差圧、入口圧、ガス温度、ガス組成、ベンチュ
リサイズ等の要素によって決定されるが、本発明におい
ては、ベンチュリ5,6は、ベンチュリサイズ以外の要素
は全て同一にしてあって、これら２つのベンチュリ5,6
はそのベンチュリ全差圧ΔＰに対するガス流量Ｑの特性
が、互いに相似形になるように形成されている。即ち、
ベンチュリ5,6は、例えば第２図（Ａ），（Ｂ）にそれ
ぞれ示すような流量特性を有し、両図を互いに重ね合わ
せたとき両曲線は重なり合い、前記ガス流量Q5,;Q6が9
9:1となるようにベンチュリサイズ（例えば開口断面
積）が設定してあり、従って、小さいベンチュリ６を流
れるガス流量Q6はガス流路４を流れるサンプルガスＧの
流量の1/100である。尚、７はベンチュリ５の下流側に
設けている排気用のブロアーである。
８は上記ガス流路４とは独立して設けられた希釈用ガス
流路で、その上流側からフィルタ９及びダイリューショ
ントンネル10が設けられ、フィルタ９を経た希釈ガスと
してのエアーｇが流れている。そして、この希釈用ガス
流路８には、フィルタ９とダイリューショントンネル10
との間の点ｂにおいてベンチュリ６の下流側が接続され
ており、ベンチュリ６を経てきたサンプルガスＧがダイ
リューショントンネル10内において均一に希釈されるよ
うにしてある。
流路で、その上流側からフィルタ９及びダイリューショ
ントンネル10が設けられ、フィルタ９を経た希釈ガスと
してのエアーｇが流れている。そして、この希釈用ガス
流路８には、フィルタ９とダイリューショントンネル10
との間の点ｂにおいてベンチュリ６の下流側が接続され
ており、ベンチュリ６を経てきたサンプルガスＧがダイ
リューショントンネル10内において均一に希釈されるよ
うにしてある。
11,12は希釈用ガス流路８に対して互いに並列となるよ
うに接続された定流量装置及びガスサンプリング流路
で、ダイリューショントンネル10を経ることにより希釈
されたサンプルガスＧをダイリューショントンネル10の
下流側において所定の分流比で分流するようにしてあ
る。
うに接続された定流量装置及びガスサンプリング流路
で、ダイリューショントンネル10を経ることにより希釈
されたサンプルガスＧをダイリューショントンネル10の
下流側において所定の分流比で分流するようにしてあ
る。
即ち、定流量装置11は例えばクリチカルフローベンチュ
リ13とブロア14とを互いに直列に接続したものからな
り、ガスサンプリング流路12には上流側から順次、パー
ティキュレート補集用フィルタ15,定流量を吸引するポ
ンプ16及びベンチュリ17が設けてある。そして、クリチ
カルフローベンチュリ13とベンチュリ17におけるガス流
量の比、即ち、Q13:Q17が例えば99:1となるようにベン
チュリサイズ（例えば開口断面積）が設定してあり、従
って、ベンチュリ17（ガスサンプリング流路12）を流れ
るガス流量Q17は希釈用ガス流路８を流れるサンプルガ
スＧの流量の1/100である。
リ13とブロア14とを互いに直列に接続したものからな
り、ガスサンプリング流路12には上流側から順次、パー
ティキュレート補集用フィルタ15,定流量を吸引するポ
ンプ16及びベンチュリ17が設けてある。そして、クリチ
カルフローベンチュリ13とベンチュリ17におけるガス流
量の比、即ち、Q13:Q17が例えば99:1となるようにベン
チュリサイズ（例えば開口断面積）が設定してあり、従
って、ベンチュリ17（ガスサンプリング流路12）を流れ
るガス流量Q17は希釈用ガス流路８を流れるサンプルガ
スＧの流量の1/100である。
第３図は上記構成のガスサンプリング装置の制御系統の
一例を示すブロック図で、同図において、21,22,23,24
は演算回路、25は演算回路21〜24からの出力に基づいて
演算し、所定の指令を出力する演算制御装置で例えばCP
Uである。26はCPU25からの指令によってポンプ16の回転
数を制御する制御器である。そして、各ベンチュリ5,6,
13,17におけるガス流量Q5,Q6,Q13,Q17は、それぞれベン
チュリ５におけるスロート部差圧ΔPS5,ベンチュリ６に
おけるスロート部差圧ΔPS6,ベンチュリ13における入口
圧P13,ベンチュリ17におけるスロート部差圧ΔPS17に基
づいて求めることができる。
一例を示すブロック図で、同図において、21,22,23,24
は演算回路、25は演算回路21〜24からの出力に基づいて
演算し、所定の指令を出力する演算制御装置で例えばCP
Uである。26はCPU25からの指令によってポンプ16の回転
数を制御する制御器である。そして、各ベンチュリ5,6,
13,17におけるガス流量Q5,Q6,Q13,Q17は、それぞれベン
チュリ５におけるスロート部差圧ΔPS5,ベンチュリ６に
おけるスロート部差圧ΔPS6,ベンチュリ13における入口
圧P13,ベンチュリ17におけるスロート部差圧ΔPS17に基
づいて求めることができる。
次に、上記構成のガスサンプリング装置の動作について
説明する。
説明する。
先ず、ベンチュリ5,6における流量Q5,Q6が、第２図
（Ａ），（Ｂ）に示すような状態を維持するときは、サ
ンプルガスＧはベンチュリ5,6によってQ5:Q6＝99:1とな
るように分流され、小さいベンチュリ６を経たサンプル
ガスＧは希釈用ガス流路８に流れ込み、ダイリューショ
ントンネル10内において、フィルタ９からのエヤーｇと
混じり合うことにより所定の希釈を受ける。そして、こ
の希釈されたサンプルガスＧはダイリューショントンネ
ル10の下流側において、Q13:Q17＝99:1となるように分
流されて、ガスサンプリング流路12に流れ込んだサンプ
ルガスＧはパーティキュレート捕集用フィルタ15に至
る。そして、サンプルガスＧ中に含まれるパーティキュ
レートはパーティキュレート捕集用フィルタ15に捕捉さ
れるので、サンプルガスＧ採取前後のパーティキュレー
ト捕集用フィルタ15の重量差を求め、所定倍数（この実
施例では10000倍）を乗ずることによりガス流路４にお
ける所定ガス成分の総量を得ることができる。
（Ａ），（Ｂ）に示すような状態を維持するときは、サ
ンプルガスＧはベンチュリ5,6によってQ5:Q6＝99:1とな
るように分流され、小さいベンチュリ６を経たサンプル
ガスＧは希釈用ガス流路８に流れ込み、ダイリューショ
ントンネル10内において、フィルタ９からのエヤーｇと
混じり合うことにより所定の希釈を受ける。そして、こ
の希釈されたサンプルガスＧはダイリューショントンネ
ル10の下流側において、Q13:Q17＝99:1となるように分
流されて、ガスサンプリング流路12に流れ込んだサンプ
ルガスＧはパーティキュレート捕集用フィルタ15に至
る。そして、サンプルガスＧ中に含まれるパーティキュ
レートはパーティキュレート捕集用フィルタ15に捕捉さ
れるので、サンプルガスＧ採取前後のパーティキュレー
ト捕集用フィルタ15の重量差を求め、所定倍数（この実
施例では10000倍）を乗ずることによりガス流路４にお
ける所定ガス成分の総量を得ることができる。
ところで、ベンチュリ5,6の流量特性はその製作方法、
形状によって完全に互いに相似形にし得ないことがある
他、ガス流量Ｑの変化によって微妙に変化することがあ
り、上記流量Q5,Q6との比を設定値通りに維持できない
ことがある。このような場合には、流量Q5,Q6の変化に
対して流量Q13とQ17との比率が変化するように制御すれ
ばよい。即ち、第３図に示すCPUにおいて、Q5/Q6＝Ｋ・
Q17/Q13（但し、Ｋは定数）となるように、ポンプ16の
吸引量を制御すれば、トータルの分流精度を高めること
ができる。
形状によって完全に互いに相似形にし得ないことがある
他、ガス流量Ｑの変化によって微妙に変化することがあ
り、上記流量Q5,Q6との比を設定値通りに維持できない
ことがある。このような場合には、流量Q5,Q6の変化に
対して流量Q13とQ17との比率が変化するように制御すれ
ばよい。即ち、第３図に示すCPUにおいて、Q5/Q6＝Ｋ・
Q17/Q13（但し、Ｋは定数）となるように、ポンプ16の
吸引量を制御すれば、トータルの分流精度を高めること
ができる。
尚、定流量装置11によって吸引されるサンプルガスＧの
一部をサンプリングし、このガスをCO,CO2,HC,NOX,SOX
等のガス分析計に導入することにより、他のエミッショ
ンの連続重量測定を行うことができる。この場合、前記
流量Q5,Q6の比率を考慮して分析計出力を演算すれば、
より高精度な測定を行うことができる。
一部をサンプリングし、このガスをCO,CO2,HC,NOX,SOX
等のガス分析計に導入することにより、他のエミッショ
ンの連続重量測定を行うことができる。この場合、前記
流量Q5,Q6の比率を考慮して分析計出力を演算すれば、
より高精度な測定を行うことができる。
以上説明したように、本発明に係るガスサンプリング装
置は、サンプルガスが流れるガス流路に、大小２つのベ
ンチュリを互いに並列に接続し、小さいベンチュリの下
流側を、希釈ガスが流れる希釈用ガス流路に接続し、こ
の希釈用ガス流路に、定流量装置とガスサンプリング流
路とを互いに並列に接続しているので、小型でありなが
らも、常に正確な比率で測定対象ガスを分流することが
できる。そして、本願発明においては、ベンチュリによ
ってサンプルガスを分流するようにしているので、分流
に際してミスト等が付着し難く、又、形状が簡単である
からメンテナンスを容易に行うことができ、低コストで
ガスサンプリングを行うことができる。また、本願発明
では、前記定流量装置がベンチュリを有し、前記ガスサ
ンプリング流路には上流側から順次、定流量を吸引する
ポンプ及びベンチュリを設けられ、更に、前記ポンプの
回転数を制御する制御部を設けているので、以下の利点
がある。すなわち、大小２つのベンチュリのガス流量の
特性はその製作方法、形状によって完全に互いに相似形
にし得ないことがある他、ガス流量の変化によって微妙
に変化することがあり、前記大きいベンチュリを流れる
ガス流量と小さいベンチュリを流れるガス流量との分流
比を設定値通りに維持できないことがあるけれども、前
記ポンプの吸引量を前記制御部で制御することにより、
大きいベンチュリ、小さいベンチュリを流れるガス流量
の変化に対して前記定流量装置のベンチュリを流れるガ
ス流量と前記ガスサンプリング流路のベンチュリを流れ
るガス流量との比率を変化させることができ、それによ
って、トータルの分流精度を高めることができる。
置は、サンプルガスが流れるガス流路に、大小２つのベ
ンチュリを互いに並列に接続し、小さいベンチュリの下
流側を、希釈ガスが流れる希釈用ガス流路に接続し、こ
の希釈用ガス流路に、定流量装置とガスサンプリング流
路とを互いに並列に接続しているので、小型でありなが
らも、常に正確な比率で測定対象ガスを分流することが
できる。そして、本願発明においては、ベンチュリによ
ってサンプルガスを分流するようにしているので、分流
に際してミスト等が付着し難く、又、形状が簡単である
からメンテナンスを容易に行うことができ、低コストで
ガスサンプリングを行うことができる。また、本願発明
では、前記定流量装置がベンチュリを有し、前記ガスサ
ンプリング流路には上流側から順次、定流量を吸引する
ポンプ及びベンチュリを設けられ、更に、前記ポンプの
回転数を制御する制御部を設けているので、以下の利点
がある。すなわち、大小２つのベンチュリのガス流量の
特性はその製作方法、形状によって完全に互いに相似形
にし得ないことがある他、ガス流量の変化によって微妙
に変化することがあり、前記大きいベンチュリを流れる
ガス流量と小さいベンチュリを流れるガス流量との分流
比を設定値通りに維持できないことがあるけれども、前
記ポンプの吸引量を前記制御部で制御することにより、
大きいベンチュリ、小さいベンチュリを流れるガス流量
の変化に対して前記定流量装置のベンチュリを流れるガ
ス流量と前記ガスサンプリング流路のベンチュリを流れ
るガス流量との比率を変化させることができ、それによ
って、トータルの分流精度を高めることができる。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示し、第１図は
ガスサンプリング装置の構成を示す図、第２図（Ａ），
（Ｂ）は本発明において用いるベンチュリの流量特性を
示す図、第３図は制御系統を示すブロック図である。 ４……ガス流路、5,6……ベンチュリ、８……希釈用ガ
ス流路、11……定流量装置、12……ガスサンプリング流
路、13,17……ベンチュリ、16……ポンプ、25……CPU
（制御部）、26……制御器（制御部）、Q5,Q6,Q13,Q17
……ベンチュリを流れるガス流量、ｇ……希釈ガス。
ガスサンプリング装置の構成を示す図、第２図（Ａ），
（Ｂ）は本発明において用いるベンチュリの流量特性を
示す図、第３図は制御系統を示すブロック図である。 ４……ガス流路、5,6……ベンチュリ、８……希釈用ガ
ス流路、11……定流量装置、12……ガスサンプリング流
路、13,17……ベンチュリ、16……ポンプ、25……CPU
（制御部）、26……制御器（制御部）、Q5,Q6,Q13,Q17
……ベンチュリを流れるガス流量、ｇ……希釈ガス。
Claims (1)
- 【請求項１】サンプルガスが流れるガス流路に、大小２
つのベンチュリを互いに並列に接続し、小さいベンチュ
リの下流側を、希釈ガスが流れる希釈用ガス流路に接続
し、この希釈用ガス流路に、定流量装置とガスサンプリ
ング流路とを互いに並列に接続し、更に、前記大きいベ
ンチュリと小さいベンチュリはそのベンチュリ全差圧に
対するガス流量の特性が、互いに相似形になるように形
成され、一方、前記定流量装置がベンチュリを有し、前
記ガスサンプリング流路には上流側から順次、定流量を
吸引するポンプ及びベンチュリを設け、しかも、前記大
きいベンチュリ、小さいベンチュリを流れるガス流量の
変化に対して前記定流量装置のベンチュリを流れるガス
流量と前記ガスサンプリング流路のベンチュリを流れる
ガス流量との比率が変化するように前記ポンプの回転数
を制御する制御部を設けたことを特徴とするガスサンプ
リング装置。
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