JP3024643B1 - 結晶断面形状測定方法 - Google Patents

結晶断面形状測定方法

Info

Publication number
JP3024643B1
JP3024643B1 JP10316248A JP31624898A JP3024643B1 JP 3024643 B1 JP3024643 B1 JP 3024643B1 JP 10316248 A JP10316248 A JP 10316248A JP 31624898 A JP31624898 A JP 31624898A JP 3024643 B1 JP3024643 B1 JP 3024643B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
measurement
measurement line
single crystal
intersection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10316248A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000143390A (ja
Inventor
啓一 高梨
一男 平本
徳次 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority to JP10316248A priority Critical patent/JP3024643B1/ja
Priority to US09/429,107 priority patent/US6411391B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3024643B1 publication Critical patent/JP3024643B1/ja
Publication of JP2000143390A publication Critical patent/JP2000143390A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • C30B15/22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C30B15/26Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【要約】 【課題】 2次元CCDカメラを使用して、結晶回転が
高速の場合も、高い精度で結晶の断面形状を測定する。 【解決手段】 CZ法により回転しながら引上げられる
単結晶4の付け根部の結晶中心Oの手前を、2次元CC
Dカメラにより斜め上方から撮像する。2次元CCDカ
メラの画像中に、垂直方向に並列する複数本の水平方向
の測定ラインBo−Bo,Bn−Bn(n=1,・・,
k−1)を設定する。各測定ライン上で、フュージョン
リングAと測定ラインの両側の交点位置を検出する。各
測定ライン上で得られた両側交点の検出位置を組み合わ
せ、カメラの応答速度と結晶回転速度によって決まる測
定ピッチの間を補間する。測定ピッチの間を補間した後
の両側交点の検出位置を、その変動のタイミング差を除
去して比較することにより、各測定ライン上での両側交
点の間隔を求め、単結晶4の断面形状を測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CZ法(チョクラ
ルスキー法)により単結晶を引上げる際に、その単結晶
の断面形状を光学的に測定する結晶断面形状測定方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の原料となる単結晶を製造する方
法の一つとしてCZ法による引上げがある。CZ法で
は、図7に示されるように、CZ炉の炉体1に設置され
たるつぼ2内に結晶融液3が満たされ、その融液3から
単結晶4が回転装置6により回転させられながら引上装
置5により引上げられる。このとき、ヒータ7による融
液3の加熱を一様にするために、ヒータ7の加熱中心と
液面位置が一定となるように、るつぼ2が上昇制御され
る。
【0003】引上げ中の単結晶4は、上端部および下端
部においては各々目的とする形状に一致させるのが望ま
しく、また直胴部分や種結晶部分においては目標値に等
しい均一直径とすることが望まれる。加えて、単結晶4
の断面形状の真円からのズレを表わす変形率〔(最大径
−最小径)/最小径〕を許容値以下にする必要もある。
【0004】一方、結晶品質に関しては、その評価項目
の一つである酸化誘起積層欠陥(以下OSFと称す)の
密度を低く抑える必要がある。OSFとは結晶内に固溶
した酸素が結晶の酸化熱処理の際に酸化物として析出す
る現象が原因で起こる積層欠陥のことである。このOS
Fの密度は引上速度を上昇させれば、結晶をその分急冷
させることができるために低く抑えることができる。そ
のため引上速度を上げる必要がある。引上速度の上昇は
生産効率を向上させる点からも有益である。
【0005】しかしながら、引上速度を上げると、上記
変形率が増大し許容値を超えるために、歩留りが低下す
る。そのため変形率の許容範囲内で引上げ可能な最適引
上速度を設定することが、単結晶の歩留り向上、生産性
向上、品質確保等の点から必要となる。そこで引上げ中
の単結晶の断面形状を正確に測定し、正確な変形率を算
出することが重要となる。
【0006】CZ法による引上げ中に単結晶の断面形状
を測定する方法としては、引上げられた単結晶の重量か
ら直径を算出する方法(以下重量法とする)と、CCD
カメラ等の光学機器を用いて直径を測定する方法(以下
光学法とする)の2つが知られている。
【0007】ところで、CZ法による単結晶の引上げで
は、図9に示されるように、単結晶4の外周面に晶癖線
と呼ばれる突起4aが周方向に規則的に生じる。この突
起4aは結晶軸方向に延び、単結晶4の結晶方位に固有
な周方向位置に生じる。変形率を算出するには結晶断面
形状のうち特に晶癖線部分の形状を正確に測定する必要
がある。
【0008】ところが、重量法では引上げられた単結晶
の重量と長さとから結晶直径を算出する関係から、平均
直径しか測定できず、晶癖線部分の形状を含む詳細な断
面形状は測定できない。その点、光学法は、融液と単結
晶の界面に生じる輝度の高いフュージョンリングの直径
を測定して結晶直径とするために、重量法より精度の高
い形状測定が可能である。
【0009】この光学法では、図7に示されるように、
炉体1の上部に設けた窓9を通して単結晶4の付け根部
が、光学機器である例えば1次元CCDカメラ8により
斜め上方から撮像(測光)される。そして、図8に示さ
れるように、単結晶4の付け根部の周囲に生じるフュー
ジョンリングAと1次元CCDカメラ8の測定ラインB
−Bとの交点C,Cでの輝度変化から交点C,Cの位置
を検出することにより、その断面形状が測定される。
【0010】具体的には、単結晶4が1回転する間、交
点C,Cの位置検出を続け、下式により交点C,Cの間
隔W(α)を求めることにより、単結晶4の全周にわた
って単結晶4の直径が測定され、その断面形状が求めら
れる。 W(α)=L(α)−R(α) L(α),R(α):交点C,Cの検出位置 α:単結晶の回転角
【0011】この場合、1次元CCDカメラ8の測定ラ
インB−Bが結晶中心Oを通るように1次元CCDカメ
ラ8を設置すると、結晶直径が減少したときにフュージ
ョンリングAが単結晶4の陰となり、測定誤差を生じた
り、場合によっては直径測定が不可能になることがあ
る。
【0012】そのため、実際の引上げでは、単結晶4の
付け根部の結晶中心Oのカメラ側(手前側)が、1次元
CCDカメラ8により撮像(測光)される。これによ
り、測定ラインB−Bは結晶中心Oのカメラ側(手前
側)でフュージョンリングAと交差する。この場合、1
次元CCDカメラ8により測定された交点C,Cの間隔
Wから、結晶直径が次式により算出される。 D=(W2 +4r2 1/2 D:結晶直径 W:交点C,Cの間隔 r:結晶中心Oから測定ラインB−Bまでの距離
【0013】しかしながら、1次元CCDカメラ8の測
定ラインB−Bを結晶中心Oよりカメラ側(手前側)に
設定した場合、結晶中心Oを挟んで対象位置にある2つ
の晶癖線4a,4aは測定ラインB−Bを同時に通過せ
ず、一方の通過の後に他方が通過する。そのため、交点
C,Cの検出位置L(α),R(α)の差から交点C,
Cの間隔Wを求める従来の光学法では、晶癖線4aの付
近で直径測定精度が著しく低下する。
【0014】また、現在のるつぼの上昇制御において
は、正確な液面位置検出方法が実用化されていないため
に、液面位置に誤差が生じる。その結果、1次元CCD
カメラ8の測定ラインB−Bが初期の設定位置からず
れ、結晶中心Oから測定ラインB−Bまでの距離aが変
動する。そのため測定された直径Dに誤差が含まれる。
【0015】これらの問題を解決するために、1次元C
CDカメラ8の測定ラインB−Bをそのラインと直角な
方向に移動させ、移動の前後に測定した結晶直径と測定
ラインB−Bの移動距離とから真の直径値を求める方法
が、特開昭63−256594号により提案されてい
る。しかし、この方法によっても測定ラインが結晶中心
から離れていることによって生じる晶癖線付近での直径
測定精度の低下は避けられない。
【0016】このような状況を背景として、本発明者
は、フュージョンリングAと測定ラインB−Bの交点位
置を両側で独立に検出し、両側交点の検出位置L
(α),R(α)から、カメラの測定ラインの位置によ
り決定される両側交点の位置変動のタイミング差θを求
め、そのタイミング差θを取り除いて両方の検出位置L
(α),R(α)を比較することにより、測定ラインB
−Bが結晶中心Oから離れていることに起因して生じる
晶癖線付近での直径測定精度の低下を防ぐ結晶直径測定
方法を先に開発した(特開平9−100194号公
報)。
【0017】即ち、CZ法により引上げられる単結晶
は、前述した通りその結晶方位に固有な外面周方向位置
に晶癖線を生じる。例えば結晶方位が(100)の場合
は90°おきに晶癖線が生じる。引上げ中の単結晶は周
方向に回転していることから、1次元CCDカメラの測
定ラインB−Bを晶癖線が横切るときに、フュージョン
リングAと測光ラインB−Bの交点位置が変動する。
(100)の場合は90°おきに交点位置が変動する。
【0018】測定ラインB−Bが結晶中心Oを通るとき
は、この交点位置変動が両側の検出位置で同時に生じる
が、測光ラインB−Bが結晶中心Oから離れると、両側
の交点位置変動の発生タイミングにズレが生じる。そし
て、このタイミング差θは結晶中心Oから測定ラインB
−Bまでの距離rが長くなるに従って大となる。
【0019】本発明者が先に開発した結晶直径測定方法
(特開平9−100194号公報)によると、両側交点
の検出位置L(α),R(α)から両側交点の位置変動
のタイミング差θを求め、このタイミング差θを取り除
いて、両側交点の検出位置L(α),R(α)を比較す
ることにより、測定ラインB−Bが結晶中心Oから離れ
ていることに起因して生じる晶癖線付近での直径測定精
度の低下が防止される。
【0020】本発明者は又、測定ラインB−Bが結晶中
心Oから離れていることに起因して生じる晶癖線付近で
の直径測定精度の低下だけでなく、単結晶の揺れに起因
する直径測定精度の低下も合わせて防止できる結晶直径
測定方法を別に開発した(特願平9−40151号)。
【0021】即ち、CZ法による単結晶の引上げでは、
引上げ中の単結晶が1回転する間に1〜4の周期で揺れ
る。光学機器から見て単結晶が左右に揺れる場合は、両
側交点の検出位置L(α),R(α)の差をとることに
より、揺れの影響が排除されるので、問題を生じない
が、単結晶が前後に揺れる場合は、測定ラインB−Bか
ら結晶中心Oまでの距離が変化することにより、直径測
定精度が低下する。実際の引上げでの単結晶の揺れは複
雑であり、両側交点の位置変動のタイミング差θを取り
除いて両側交点の検出位置L(α),R(α)を比較す
る場合にあっても、この揺れは直径測定精度を低下させ
る大きな要因となる。
【0022】しかるに、本発明者が開発した別の結晶直
径測定方法(特願平9−40151号)によると、両側
交点の検出位置データから単結晶の揺れによる成分を取
り除くことにより、晶癖線による両側交点位置変動のタ
イミング差による測定誤差だけでなく、単結晶の揺れに
よる影響も排除されるので、結晶直径が更に高精度に測
定される。両側交点の検出位置データから単結晶の揺れ
による成分を取り除く方法としては、両側交点の検出位
置データに対して高速フーリエ変換(FFT:Fast
Fourier Transform)を実施して、
それぞれの周波数成分を求め、求めた周波数成分のなか
から単結晶の揺れの周期に対応する低次の周波数成分を
除去する方法が有効である。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】ところで、こられの直
径測定方法においては、両側の交点位置を検出する光学
機器の応答速度が重要となる。即ち、これまでの結晶断
面形状の解析結果から、結晶晶癖線部分の形状を正確に
測定するには、測定ピッチが単結晶の回転角度で2°以
下であることの必要性が判明している。このために、上
記の直径測定方法では、測定ピッチ2°以下での測定が
可能になるように、光学機器の応答速度を決定すること
が必要となる。
【0024】光学機器が前述した1次元CCDカメラの
場合、応答速度が比較的高速なものが市販されており、
高速回転の引上げにも対応可能である。しかし、直径測
定を正確に行うには、結晶中心位置を正確に把握して測
定ラインを設定する必要がある。そのために、1次元C
CDカメラでは結晶中心位置変動にあわせてカメラ設定
位置を変更する必要があり、非常に工数がかかる。ま
た、この測定ラインを機械走査で自動設定することも可
能であるが、それには費用が別途必要である。この問題
は2次元CCDカメラを用いることで解決可能である。
【0025】2次元CCDカメラを使用した場合は、通
常のカメラでは1秒間に30フレームの応答速度が一般
的であるため、高速回転の引上げには高速カメラが必要
となる。しかし、高速カメラは通常のカメラに比べ非常
に高価である。これに加えて、2次元CCDカメラで
は、結晶断面形状の測定精度に影響する水平方向のカメ
ラ画素数も1次元CCDカメラに比べ少ないのが一般的
である。そしてカメラ画素数の多い2次元CCDカメラ
を用いて測定分解能を向上させる場合には、応答速度と
の両立が困難となる。
【0026】これらのため、2次元CCDカメラを用い
て、高速回転引上げの場合も測定ピッチ2°以下の直径
測定が可能な方法が望まれている。
【0027】本発明の目的は、2次元CCDカメラを使
用して、高速回転引上げの場合も測定ピッチ2°以下の
直径測定が可能な高精度で経済的な結晶断面形状測定方
法を提供することにある。
【0028】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の結晶断面形状測定方法は、CZ法により結
晶融液から回転しながら引上げられる単結晶の付け根部
の手前を、2次元CCDカメラにより斜め上方から水平
方向及び垂直方向に撮像する工程と、2次元CCDカメ
ラの画像中に、垂直方向に並列する複数本の水平方向の
測定ラインを設定する工程と、各測定ライン上で、フュ
ージョンリングと測定ラインが交差する両側の交点位置
をそれぞれ独立に検出する工程と、各測定ライン上で得
られた複数の両側交点検出位置を組み合わせ、カメラの
応答速度と結晶回転速度で決まる測定ピッチの間を補間
する工程と、測定ピッチ間を補間した後の両側交点の検
出位置を、その変動のタイミング差を除去して比較する
ことにより、各測定ライン上での交点間隔を求め、単結
晶の断面形状を測定する工程とを含んでいる。
【0029】これによると、2次元CCDカメラの応答
速度と結晶回転速度によって決まる測定ピッチよりも細
かいピッチで、両側交点の間隔が測定される。
【0030】本発明の結晶断面形状測定方法では、測定
精度を上げるために、各測定ライン上で得た両側交点の
検出位置データを独立にFFT処理して結晶揺れ成分を
算出し、各測定ラインで得た両側交点の検出位置データ
から差し引くことにより、単結晶の揺れによる影響を除
去することが好ましい。
【0031】また操作性を高めるために、2次元CCD
カメラの画像中に複数本の水平方向の測定ラインを設定
する操作は、2次元CCDカメラの応答速度と結晶回転
速度に応じて自動的に行うことが好ましい。
【0032】結晶中心位置を求める方法としては、種絞
り工程において2次元CCDカメラ画像中で、水平方向
の測定ラインを垂直方向に走査し、種結晶周囲のフュー
ジョンリングの両側交点間隔が最大となる水平位置での
両側交点の中点を求める操作が簡単で好ましい。
【0033】
【発明の実施の形態】以下に本発明の望ましい実施の形
態について説明する。
【0034】本発明の結晶断面形状測定方法では、図1
に示すように、炉体1の上部に設けた窓9を通して単結
晶4の付け根部が2次元CCDカメラ10により斜め上
方から撮像される。具体的には、図2に示すように、単
結晶4の付け根部が水平方向及び垂直方向に撮像され、
単結晶4の周囲に生じるフュージョンリングAは、横長
の撮像領域と両側で交差する。
【0035】なお、単結晶4の引上げ操作は前述した通
りであり、CZ炉の炉体1内に設置されたるつぼ2内に
結晶融液3を満たし、その融液3から単結晶4を回転装
置6により回転させながら引上装置5により引上げる。
このとき、ヒータ7による融液3の加熱を一様にするた
めに、ヒータ7の加熱中心と液面位置が一定となるよう
に、るつぼ2を上昇制御する。
【0036】2次元CCDカメラ10の画像データは、
回転装置6から出力される単結晶4の回転速度データと
共に演算処理部11に入力される。そして演算処理部1
1は、これらの入力データを用いて、以下の手順により
2次元CCDカメラ10の画像中に複数本の測定ライン
を自動設定し、且つ各測定ラインにおいてフュージョン
リングAと測定ラインとの交点位置を検出し、単結晶4
の断面形状を検出する。
【0037】測定ラインの自動設定では、図3に示すよ
うに、2次元CCDカメラ10の画像中に、垂直方向に
並列する複数本の水平方向の測定ラインBo−Bo,B
n−Bn(n=1,・・,k−1)を設定する。
【0038】具体的には、結晶断面の中心Oからの距離
rがro(mm)の位置に基準測定ラインBo−Boを
設定する。ここで、結晶中心位置はバッチ間でバラツキ
がある。そのため、正確に各測定ラインを設定するため
には結晶中心位置を正確に把握しておく必要があり、こ
こでは結晶引上げ工程のうち種絞り工程時に毎バッチ、
結晶中心位置を自動測定する。その測定方法としては、
2次元CCDカメラ10の画像中に水平方向の測定ライ
ンを1本設定し、その設定ラインを画像の垂直方向に走
査し、種結晶の周囲に現れるフュージョンリングが測定
ライン上に現れた場合に、その両側の交点位置を検出す
る。そして、その両側交点位置の間隔が最大となる測定
ライン上で、両側交点の中点を算出し結晶中心位置とす
る。
【0039】このようにして結晶中心位置が自動測定さ
れ、その中心Oからの距離rがro(mm)の位置に基
準測定ラインBo−Boが設定されると、この基準測定
ラインBo−BoとフュージョンリングAが交差する交
点の位置を測定する。位置測定される交点をCoとする
と、その測定から測定角度ピッチPだけ回転した後に基
準測定ラインBo−Boと交差し、次回に測定される交
点はC1 となる。ここで測定角度ピッチPは、結晶回転
速度s(rpm)とカメラの応答速度v(s)から数式
1にて算出される。
【0040】
【数1】 P=360×〔60/(s×v)〕・・・(1)
【0041】従来方法では、この基準測定ラインBo−
Bo上での測定しか行っていないために、両側交点の検
出位置L(α),R(α)は、測定角度ピッチPごとに
しか得られない。そのため、測定に用いるカメラの応答
速度が結晶回転速度に比べて遅い場合は、結晶直径の測
定ピッチが2°を超え、晶癖線部分の正確な形状測定が
困難となる。
【0042】そこで、本発明の結晶断面形状測定方法で
は、2次元CCDカメラ10の画像中で、Co点とC1
点の間に、測定角度ピッチがp(=P/k)となるよう
にk−1本の補間測定ラインBn−Bn(n=1,・
・,k−1)を設定する。ここにおける測定角度ピッチ
pは2°以下とされる。これにより、カメラの応答速度
と結晶回転速度から決まる測定角度ピッチPが2°を越
える場合も2°以下の測定角度ピッチが確保される。
【0043】ここで、補間測定ラインBn−Bn(n=
1,・・,k−1)の結晶断面の中心Oからの距離rn
(mm)は、結晶回転が時計回りで基準測定ラインBo
−Bo上の左側の交点位置を基に補間測定ラインBn−
Bnを決定する場合は数式2にて算出され、結晶回転が
反時計回りで基準測定ラインBo−Bo上の左側の交点
位置を基に補間測定ラインBn−Bnを決定する場合は
数式3にて算出される。なお、Rは結晶の目標半径であ
る。
【0044】
【数2】rn=ro・cos(n・p)+(R2 −ro
2 1/2 ・sin(n・p)
【0045】
【数3】rn=ro・cos(n・p)−(R2 −ro
2 1/2 ・sin(n・p)
【0046】一方、基準測定ラインBo−Bo上の左側
の交点位置を基に補間測定ラインBn−Bnを決定する
場合で、結晶回転が時計回りのときは数式3が用いら
れ、結晶回転が反時計回りのときは数式2が用いられ
る。
【0047】本発明の結晶断面形状測定方法では、結晶
回転速度s(rpm)とカメラの応答速度v(s)から
数式1にて測定角度ピッチPが算出され、これから得た
測定角度ピッチp(=P/k)を用いて数式2又は数式
3により補間測定ラインBn−Bn(n=1,・・,k
−1)の結晶断面の中心Oからの距離rn(mm)が算
出されることにより、補間測定ラインBn−Bn(n=
1,・・,k−1)が基準測定ラインBo−Boと共に
自動設定される。
【0048】基準測定ラインBo−Bo及び補間測定ラ
インBn−Bn(n=1,・・,k−1)が自動設定さ
れると、各測定ライン上で交点C,Cの位置をそれぞれ
独立に検出する。基準測定ラインBo−Bo上で得られ
る両側交点の検出位置をLo(α),Ro(α)とし、
補間測定ラインBn−Bn(n=1,・・,k−1)上
で得られる両側交点の検出位置をLn(α),Rn
(α)(n=1,・・,k−1)とする。αは結晶回転
角度である。
【0049】結晶回転が時計回りで基準測定ラインBo
−Bo上の左側交点の検出位置を基に補間測定ラインB
n−Bn(n=1,・・,k−1)を設定した場合、補
間測定ラインBn−Bn(n=1,・・,k−1)上で
得られる左側交点の検出位置Ln(α)(n=1,・
・,k−1)は、基準測定ラインBo−Bo上での左側
交点の検出位置Lo(α)に比べn×pだけ後で基準測
定ラインBo−Bo上に到達する結晶形状によるもので
ある。一方、補間測定ラインBn−Bn(n=1,・
・,k−1)上で得られる右側交点の検出位置Rn
(α)(n=1,・・,k−1)は、基準測定ラインB
o−Bo上での右側交点の検出位置Ro(α)に比べn
×pだけ前に基準測定ラインBo−Bo上に到達する結
晶形状によるものである。これらの検出位置Ln
(α),Rn(α)(n=1,・・,k−1)は、カメ
ラの応答速度が遅いために見逃されていたデータであ
る。
【0050】ところで、単結晶の直径は急変しないの
で、本来なら測定ラインを晶癖線が通過するとき以外
は、両側交点の検出位置は一定のはずであるが、実際は
単結晶の揺れのために、測定ラインを晶癖線が通過する
とき以外にも、両側交点の検出位置は変化する。そし
て、この変化は両側交点の検出位置のタイミング差θと
共に、単結晶の直径測定精度を低下させる大きな原因と
なる。
【0051】そこで、本発明の結晶直径測定方法では、
両側交点の検出位置Lo(α),Ro(α)及びLn
(α),Rn(α)(n=1,・・,k−1)を得た
後、それぞれの検出位置から単結晶の揺れによる成分を
除去する。この方法を、両側交点の検出位置をL
(α),R(α)で代表して以下に説明する。
【0052】両側交点の検出位置L(α),R(α)に
対して高速フーリエ変換(FFT:Fast Four
ier Transform)を実施し、それぞれの時
間関数で表される周波数成分を求める。検出位置L
(α),R(α)をf(x)で代表し、その周波数成分
を表すと、数式4のようになる。
【0053】
【数4】
【0054】また、f(x)の周波数成分を図示する
と、図4中の実線のようになる。なお、図4中の破線
は、単結晶の揺れが実質的に存在しない場合の周波数成
分である。
【0055】単結晶は引上げ中に1回転につき1〜4回
の周期で揺れている。そこで、単結晶の揺れの周期(1
〜4回)に対応する低次の周波数成分を、単結晶の揺れ
によるものとして除去する。しかし、これらの揺れ成分
を全て除去してしまうと、測定誤差が大きくなる。なぜ
なら、結晶方位(100)の場合、90°おきに4本の
晶癖線が生じるため、4次の周波数成分まで除去する
と、単結晶1回転につき4回含まれる結晶形状による成
分まで除去されてしまうからである。そこで、図5に示
すように、f(x)の3次以下の成分(振幅)は全て単
結晶の揺れの影響として除去するが、4次の成分(振
幅)については単結晶が揺れていないとき或いはその揺
れが非常に小さいときの周波数成分をオフラインで事前
に調査しておき、これと実際の周波数成分との差を単結
晶の揺れによるものとして除去する。つまり、単結晶が
揺れていないとき或いはその揺れが非常に小さいときの
周波数成分を除去対象から除外して残すのである。この
ようにして単結晶の揺れによる周波数成分を除去するこ
とにより、数式5が得られる。
【0056】
【数5】
【0057】なお、図4中に破線で示す単結晶の揺れが
実質的に存在しない場合の周波数成分においても、1〜
3次の項にスペクトルが存在する。(100)方位の単
結晶の場合、1〜3次の項に結晶形状成分は存在しない
ので、この1〜3次の項のスペクトルは振幅が0.2mm
以下の非常に小さい結晶揺れによるものと考えられる。
【0058】以上のようにして、両側交点の検出位置L
o(α),Ro(α)及びLn(α),Rn(α)(n
=1,・・,k−1)につき、単結晶の揺れによる成分
を除去した検出位置Lo′(α),Ro′(α)及びL
n′(α),Rn′(α)(n=1,・・,k−1)が
求められる(図5参照)。
【0059】また、各測定ライン上で得られた両側交点
の検出位置Lo(α),Ro(α)及びLn(α),R
n(α)(n=1,・・,k−1)は、測定ラインが結
晶中心Oから離れ、且つ結晶中心Oからの距離rがro
及びrnと相違するため、直接比較することができな
い。そこで、数式6を用いて、いずれの検出位置も、結
晶中心Oを通る測定ライン上でのデータに変換する。な
お、cは結晶中心位置である。
【0060】
【数6】Lo″(α)=〔(c−Lo′(α))2 +r
2 1/2 Ln″(α)=〔(c−Ln′(α))2 +rn2
1/2 Ro″(α)=〔(Ro′(α)−c)2 +ro2
1/2 Rn″(α)=〔(Rn′(α)−c)2 +rn2
1/2
【0061】そして、左側の検出位置Lo″(α),L
n″(α)と右側の検出幾位置Ro″(α),Rn″
(α)の時間的なズレから、検出位置変動のタイミング
差θを求める(図5参照)。そして、このタイミング差
θを取り除くため、結晶回転が時計回りの場合は数式7
を用いて各測定ライン上での両側交点の間隔Wo
(α),Wn(α)を求め、結晶回転が反時計回りの場
合は数式8を用いて各測定ライン上での両側交点の間隔
Wo(α),Wn(α)を求める。
【0062】
【数7】 Wo(α)=Ro″(α+θ)−Lo″(α) Wn(α)=Rn″(α+θ)−Ln″(α)
【0063】
【数8】 Wo(α)=Ro″(α)−Lo″(α+θ) Wn(α)=Rn″(α)−Ln″(α+θ)
【0064】ここで、検出位置Lo″(α),Ro″
(α)及びLn(α),Rn(α)は、結晶中心Oを通
る測定ライン上でのデータに変換されているので、Wo
(α)及びWn(α)は結晶直径値である。
【0065】かくして、光学的にはPの測定ピッチでし
か直径測定が行われていないにもかかわらず、p(=P
/k)の測定ピッチで直径測定が行われる。これによ
り、応答速度の遅い安価な2次元CCDカメラを用いる
場合にも、晶癖線部分の正確な断面形状の測定が可能と
なる。
【0066】図6は測定された結晶直径の変化、即ち結
晶断面形状を本発明方法と従来方法について示したグラ
フである。使用した2次元CCDカメラは、結晶回転角
度4°に1回の撮像が可能である。従来方法の場合は、
晶癖線部分の形状に対して測定角度ピッチが大きいた
め、晶癖線部分のピークを見逃し、正確な断面形状の測
定は困難である。これに対し、本発明方法の場合は、速
度角度ピッチが1°となるように3本の補間測定ライン
を設定したことにより、実質的な連続測定が可能とな
り、安価なカメラを使用するにもかかわらず、正確な断
面形状の測定が可能となる。
【0067】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明の結晶断面
形状測定方法は、2次元CCDカメラの画像中に、垂直
方向に並列する複数本の水平方向の測定ラインを設定
し、カメラの応答速度と結晶回転速度で決まる測定ピッ
チの間を補間することにより、安価な通常の2次元CC
Dカメラを使用して、高速回転引上げの場合も測定ピッ
チ2°以下の直径測定が可能である。従って、単結晶の
断面形状を高精度に且つ経済的に測定することかでき
る。
【0068】また、晶癖線による両側交点の位置変動の
タイミング差による測定誤差を排除するだけでなく、単
結晶の揺れによる影響を排除することにより、更に高精
度な断面形状の測定を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る結晶断面形状測定方法
に使用される引上げ装置の構成図である。
【図2】同結晶断面形状測定方法での直径測定の概念図
である。
【図3】同結晶断面形状測定方法での測定速度補間の概
念図である。
【図4】交点位置検出データの周波数成分を示すグラフ
である。
【図5】両側交点の検出位置データを、結晶揺れの影響
を除去した場合と除去しない場合について示すグラフで
ある。
【図6】測定された結晶断面形状を本発明方法と従来方
法について示したグラフである。
【図7】CZ法による単結晶引上げの装置構成図であ
る。
【図8】単結晶の直径を測定する方法の概念図である。
【図9】測定ラインと結晶中心の位置関係を示す模式平
面図である。
【符号の説明】
1 炉体 3 融液 4 単結晶 4a 突起(晶癖線) 8 1次元CCDカメラ 10 2次元CCDカメラ A フュージョンリング B 測定ライン C フュージョンリングと測定ラインの交点 O 結晶中心
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−239293(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CZ法により結晶融液から回転しながら
    引上げられる単結晶の付け根部の手前を、2次元CCD
    カメラにより斜め上方から水平方向及び垂直方向に撮像
    する工程と、 2次元CCDカメラの画像中に、垂直方向に並列する複
    数本の水平方向の測定ラインを設定する工程と、 各測定ライン上で、フュージョンリングと測定ラインが
    交差する両側の交点位置をそれぞれ独立に検出する工程
    と、 各測定ライン上で得られた複数の両側交点検出位置を組
    み合わせ、カメラの応答速度と結晶回転速度で決まる測
    定ピッチの間を補間する工程と、 測定ピッチ間を補間した後の両側交点の検出位置を、そ
    の変動のタイミング差を除去して比較することにより、
    各測定ライン上での交点間隔を求め、単結晶の断面形状
    を測定する工程とを含むことを特徴とする結晶断面形状
    測定方法。
  2. 【請求項2】 各測定ライン上で得た両側交点の検出位
    置データを独立にFT処理して結晶揺れ成分を算出
    し、各測定ライン上で得た両側交点の検出位置データか
    ら差し引くことにより、単結晶の揺れによる影響を除去
    することを特徴とする請求項1に記載の結晶断面形状測
    定方法。
  3. 【請求項3】 2次元CCDカメラの応答速度と結晶回
    転速度に応じて、2次元CCDカメラの画像中に複数本
    の水平方向の測定ラインを自動設定することを特徴とす
    る請求項1又は2に記載の結晶断面形状測定方法。
  4. 【請求項4】 種絞り工程において2次元CCDカメラ
    画像中で、水平方向の測定ラインを垂直方向に走査し、
    種結晶周囲のフュージョンリングの両側交点間隔が最大
    となる水平位置での両側交点の中点を求めることによ
    り、結晶中心位置を求めることを特徴とする請求項1、
    2又は3に記載の結晶断面形状測定方法。
JP10316248A 1998-11-06 1998-11-06 結晶断面形状測定方法 Expired - Lifetime JP3024643B1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10316248A JP3024643B1 (ja) 1998-11-06 1998-11-06 結晶断面形状測定方法
US09/429,107 US6411391B1 (en) 1998-11-06 1999-10-28 Crystal section shape measuring method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10316248A JP3024643B1 (ja) 1998-11-06 1998-11-06 結晶断面形状測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP3024643B1 true JP3024643B1 (ja) 2000-03-21
JP2000143390A JP2000143390A (ja) 2000-05-23

Family

ID=18074985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10316248A Expired - Lifetime JP3024643B1 (ja) 1998-11-06 1998-11-06 結晶断面形状測定方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6411391B1 (ja)
JP (1) JP3024643B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700082B1 (ko) * 2005-06-14 2007-03-28 주식회사 실트론 결정 성장된 잉곳의 품질평가 방법
JP6477356B2 (ja) * 2015-08-21 2019-03-06 株式会社Sumco 単結晶の製造方法および製造装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0940151A (ja) 1995-07-24 1997-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 揺動・振動装置とその制御方法
JP2876050B2 (ja) 1995-10-03 1999-03-31 住友シチックス株式会社 結晶直径測定方法
US6226032B1 (en) * 1996-07-16 2001-05-01 General Signal Corporation Crystal diameter control system
US5886737A (en) * 1996-12-11 1999-03-23 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method for detecting the optimal melt temperature in the single-crystal semiconductor manufacturing process and apparatus thereof
US6171391B1 (en) * 1998-10-14 2001-01-09 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for controlling growth of a silicon crystal
US6111262A (en) * 1998-10-30 2000-08-29 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Method for measuring a diameter of a crystal

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000143390A (ja) 2000-05-23
US6411391B1 (en) 2002-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100426419B1 (ko) 실리콘결정성장제어방법
JPS63112493A (ja) 結晶径測定装置
KR19990029481A (ko) 결정의 직경 측정용 장치 및 방법
JP5678635B2 (ja) シリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法
EP0774536B1 (en) Crystal growing apparatus comprising a non-distorting video camera for controlling the growth of a silicon crystal
US5961716A (en) Diameter and melt measurement method used in automatically controlled crystal growth
US7172656B2 (en) Device and method for measuring position of liquid surface or melt in single-crystal-growing apparatus
CN111962145A (zh) 检测熔体液面位置的方法、装置、设备及计算机存储介质
JPH0412233A (ja) 湯面振動測定方法及び装置
TWI651441B (zh) 單結晶之製造方法
JP3024643B1 (ja) 結晶断面形状測定方法
JP3611364B2 (ja) 単結晶の直径制御方法
TWI782726B (zh) 單結晶的製造方法
JP2840213B2 (ja) 単結晶の直径測定方法および直径測定装置
JPH04328425A (ja) 液面位置測定方法,装置及び単結晶引上方法,装置
JP3473313B2 (ja) 結晶直径測定方法
TWI766600B (zh) 熔湯的檢測方法
US6111262A (en) Method for measuring a diameter of a crystal
JP2814035B2 (ja) 半導体単結晶の直径制御方法およびその装置
JP2876050B2 (ja) 結晶直径測定方法
JP3628823B2 (ja) 単結晶表面の温度測定方法
JPH02102187A (ja) Cz法における融液面の高さの計測法
JPH03112885A (ja) 単結晶引き上げ時の結晶ダイの検知方法
JPS63100097A (ja) 単結晶の直径測定方法
JPS63238430A (ja) Cz炉内の液面位置測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 14

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term